JPH08111475A - 基台およびこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
基台およびこれを用いた半導体装置の製造方法Info
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- JPH08111475A JPH08111475A JP24605094A JP24605094A JPH08111475A JP H08111475 A JPH08111475 A JP H08111475A JP 24605094 A JP24605094 A JP 24605094A JP 24605094 A JP24605094 A JP 24605094A JP H08111475 A JPH08111475 A JP H08111475A
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 コストダウンを図るとともに安定したボンデ
ィングワイヤーの接続強度を得ることができる基台およ
びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。 【構成】 本発明は、半導体素子を実装するための実装
部分を上面に備えている平板状の基板２と、この基板２
の上面において実装部分の周辺に設けられ半導体素子に
一端が接続されるボンディングワイヤーの他端を接続す
るための内部導体３と、内部導体３と導通する状態で基
板２の側面から下面に沿って設けられる外部導体４とを
備えている基台１およびこれを用いた半導体装置の製造
方法である。
ィングワイヤーの接続強度を得ることができる基台およ
びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。 【構成】 本発明は、半導体素子を実装するための実装
部分を上面に備えている平板状の基板２と、この基板２
の上面において実装部分の周辺に設けられ半導体素子に
一端が接続されるボンディングワイヤーの他端を接続す
るための内部導体３と、内部導体３と導通する状態で基
板２の側面から下面に沿って設けられる外部導体４とを
備えている基台１およびこれを用いた半導体装置の製造
方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チップ状の半導体素子
を実装するとともに電気的な導通を得るための基台およ
びこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
を実装するとともに電気的な導通を得るための基台およ
びこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＣＤエリアセンサーやＣＣＤリ
ニアセンサー、発光ダイオード、レーザダイオード、Ｅ
ＰＲＯＭ等の光学的な特性を必要とする半導体装置で
は、主としてセラミックスまたはエポキシ材から成る基
台およびウインドフレームを用いて構成した中空パッケ
ージが使用されている。
ニアセンサー、発光ダイオード、レーザダイオード、Ｅ
ＰＲＯＭ等の光学的な特性を必要とする半導体装置で
は、主としてセラミックスまたはエポキシ材から成る基
台およびウインドフレームを用いて構成した中空パッケ
ージが使用されている。
【０００３】図５は従来例を説明する断面図であり、中
空パッケージを用いて製造した半導体装置１１’を示し
ている。半導体素子１０を収納するための中空パッケー
ジは、略中央に凹部が設けられたセラミックスやエポキ
シ材から成る基台１’と、基台１’の上面との間でリー
ドフレーム３０を低融点ガラスやエポキシ系接着材で固
定し挟む状態に取り付けられるウインドフレーム７と、
ウインドフレーム７の上面にエポキシ系シール剤や低融
点ガラス等を介して取り付けられるシールガラス８とか
ら構成されている。
空パッケージを用いて製造した半導体装置１１’を示し
ている。半導体素子１０を収納するための中空パッケー
ジは、略中央に凹部が設けられたセラミックスやエポキ
シ材から成る基台１’と、基台１’の上面との間でリー
ドフレーム３０を低融点ガラスやエポキシ系接着材で固
定し挟む状態に取り付けられるウインドフレーム７と、
ウインドフレーム７の上面にエポキシ系シール剤や低融
点ガラス等を介して取り付けられるシールガラス８とか
ら構成されている。
【０００４】半導体装置１１’を製造するには、基台
１’の凹部内にチップ状の半導体素子１０を実装した
後、半導体素子１０とリードフレーム３０のインナーリ
ード部分とをボンディングワイヤー５にて接続し、この
状態でウインドフレーム７上にシールガラス８を取り付
けることによって半導体素子１０およびボンディングワ
イヤー５を中空部内に封止した半導体装置を製造してい
る。また、近年ではこの中空部内に透光性を備えた樹脂
を充填して、半導体素子およびボンディングワイヤーを
保護する半導体装置も考えられている。
１’の凹部内にチップ状の半導体素子１０を実装した
後、半導体素子１０とリードフレーム３０のインナーリ
ード部分とをボンディングワイヤー５にて接続し、この
状態でウインドフレーム７上にシールガラス８を取り付
けることによって半導体素子１０およびボンディングワ
イヤー５を中空部内に封止した半導体装置を製造してい
る。また、近年ではこの中空部内に透光性を備えた樹脂
を充填して、半導体素子およびボンディングワイヤーを
保護する半導体装置も考えられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな基台およびこれを用いて半導体装置を製造する場合
には次のような問題がある。すなわち、基台の略中央に
は半導体素子を実装するための凹部が設けられており、
このような形状を採用することによって基台の製造工程
が煩雑となりコストアップを招く原因となる。しかも、
このような形状によって基台製造の際の凹部整形精度に
限界が生じ、基台上面の平坦性を十分に高められないと
いう問題が生じる。この基台の上面にはリードフレーム
が取り付けられることになるが、各インナーリード部分
の高さ精度はこの部分の平坦性や低融点ガラスおよびエ
ポキシ系接着剤の厚みばらつき等に左右され（例えば、
３０ｍｍ長で１００μｍ以上のばらつき）、このばらつ
きによって各ボンディングワイヤーの接続強度が不安定
となってしまう。
うな基台およびこれを用いて半導体装置を製造する場合
には次のような問題がある。すなわち、基台の略中央に
は半導体素子を実装するための凹部が設けられており、
このような形状を採用することによって基台の製造工程
が煩雑となりコストアップを招く原因となる。しかも、
このような形状によって基台製造の際の凹部整形精度に
限界が生じ、基台上面の平坦性を十分に高められないと
いう問題が生じる。この基台の上面にはリードフレーム
が取り付けられることになるが、各インナーリード部分
の高さ精度はこの部分の平坦性や低融点ガラスおよびエ
ポキシ系接着剤の厚みばらつき等に左右され（例えば、
３０ｍｍ長で１００μｍ以上のばらつき）、このばらつ
きによって各ボンディングワイヤーの接続強度が不安定
となってしまう。
【０００６】また、パッケージの中空部内に樹脂を充填
する半導体装置においてリフロー時やはんだ付け時の熱
によって樹脂内に含まれる水分が膨張爆発を起こした場
合には、このストレスによるボンディングワイヤーのネ
ック切れを生じさせる原因となる。このネック切れは、
基台上面の平坦性不足等に起因してインナーリード部分
の高さ精度がばらつき、ボンディングワイヤーの接続強
度が不安定となっている場合には、強度が不足している
ボンディングワイヤーにおいて特に顕著に現れることに
なる。よって、本発明はコストダウンを図るとともに安
定したボンディングワイヤーの接続強度を得ることがで
きる基台およびこれを用いた半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
する半導体装置においてリフロー時やはんだ付け時の熱
によって樹脂内に含まれる水分が膨張爆発を起こした場
合には、このストレスによるボンディングワイヤーのネ
ック切れを生じさせる原因となる。このネック切れは、
基台上面の平坦性不足等に起因してインナーリード部分
の高さ精度がばらつき、ボンディングワイヤーの接続強
度が不安定となっている場合には、強度が不足している
ボンディングワイヤーにおいて特に顕著に現れることに
なる。よって、本発明はコストダウンを図るとともに安
定したボンディングワイヤーの接続強度を得ることがで
きる基台およびこれを用いた半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために成された基台およびこれを用いた半導体装
置の製造方法である。すなわち、本発明の基台は、半導
体素子を実装するための実装部分を上面に備えている平
板状の基板と、基板の上面において実装部分の周辺に設
けられ半導体素子に一端が接続されるボンディングワイ
ヤーの他端を接続するための内部導体と、内部導体と導
通する状態で基板の側面から下面に沿って設けられる外
部導体とを備えている。
成するために成された基台およびこれを用いた半導体装
置の製造方法である。すなわち、本発明の基台は、半導
体素子を実装するための実装部分を上面に備えている平
板状の基板と、基板の上面において実装部分の周辺に設
けられ半導体素子に一端が接続されるボンディングワイ
ヤーの他端を接続するための内部導体と、内部導体と導
通する状態で基板の側面から下面に沿って設けられる外
部導体とを備えている。
【０００８】また、本発明の基台を用いた半導体装置の
製造方法は、基板の上面に設けられた実装部分に半導体
素子を実装し、この半導体素子と内部導体とをボンディ
ングワイヤーにて接続し、半導体素子およびボンディン
グワイヤーを樹脂にて封止する方法であったり、半導体
素子と内部導体とをボンディングワイヤーにて接続した
後、基板上で半導体素子およびボンディングワイヤーの
周囲を囲む状態に樹脂ダムを形成して、この樹脂ダム内
へ樹脂を充填することで半導体素子およびボンディング
ワイヤーを封止する方法でもある。
製造方法は、基板の上面に設けられた実装部分に半導体
素子を実装し、この半導体素子と内部導体とをボンディ
ングワイヤーにて接続し、半導体素子およびボンディン
グワイヤーを樹脂にて封止する方法であったり、半導体
素子と内部導体とをボンディングワイヤーにて接続した
後、基板上で半導体素子およびボンディングワイヤーの
周囲を囲む状態に樹脂ダムを形成して、この樹脂ダム内
へ樹脂を充填することで半導体素子およびボンディング
ワイヤーを封止する方法でもある。
【０００９】
【作用】本発明の基台では、半導体素子の実装部分を上
面に備えた基板が平板状であるため、基板の製造工程が
容易となるとともに、基板の上面における加工精度を向
上させることができる。すなわち、このような平板状の
基板の上面に設けられる内部導体の高さ精度が向上し、
ここに接続するボンディングワイヤーの強度安定性を高
めることができるようになる。また、本発明の基台を用
いた半導体装置の製造方法では、基板上面の内部導体に
接続するボンディングワイヤーの強度安定性および信頼
性の高い半導体装置を容易な製造工程にて提供できるよ
うになる。
面に備えた基板が平板状であるため、基板の製造工程が
容易となるとともに、基板の上面における加工精度を向
上させることができる。すなわち、このような平板状の
基板の上面に設けられる内部導体の高さ精度が向上し、
ここに接続するボンディングワイヤーの強度安定性を高
めることができるようになる。また、本発明の基台を用
いた半導体装置の製造方法では、基板上面の内部導体に
接続するボンディングワイヤーの強度安定性および信頼
性の高い半導体装置を容易な製造工程にて提供できるよ
うになる。
【００１０】
【実施例】以下に、本発明における基台およびこれを用
いた半導体装置の製造方法の実施例を図に基づいて説明
する。図１は本発明の基台における一実施例を説明する
図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面
図である。すなわち、本実施例における基台１は、平板
状の基板２と、基板２の上面に設けられる複数の内部導
体３と、各内部導体３とそれぞれ導通し基板２の側面か
ら下面に沿って設けられる複数の外部導体４とから構成
されている。
いた半導体装置の製造方法の実施例を図に基づいて説明
する。図１は本発明の基台における一実施例を説明する
図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面
図である。すなわち、本実施例における基台１は、平板
状の基板２と、基板２の上面に設けられる複数の内部導
体３と、各内部導体３とそれぞれ導通し基板２の側面か
ら下面に沿って設けられる複数の外部導体４とから構成
されている。
【００１１】本実施例における基台１はＣＣＤリニアセ
ンサーチップから成る半導体素子を実装するためのもの
であり、図１（ａ）に示すように基板２の上面略中央に
はその半導体素子の実装部分となるメタライズ部２１が
設けられている。内部導体３の一端は、基板２の上面に
おいてこのメタライズ部２１の周辺に配置されており、
所定の取り回しによって他端が外部導体４と導通してい
る。半導体装置を製造する場合には、この内部導体３の
一端側にボンディングワイヤーを接続することになる。
なお、基板２下面の外部導体４の内、少なくとも１つは
アース電位用の外部導体４ａであり、他と区別するため
の例えば長めに設けられている。
ンサーチップから成る半導体素子を実装するためのもの
であり、図１（ａ）に示すように基板２の上面略中央に
はその半導体素子の実装部分となるメタライズ部２１が
設けられている。内部導体３の一端は、基板２の上面に
おいてこのメタライズ部２１の周辺に配置されており、
所定の取り回しによって他端が外部導体４と導通してい
る。半導体装置を製造する場合には、この内部導体３の
一端側にボンディングワイヤーを接続することになる。
なお、基板２下面の外部導体４の内、少なくとも１つは
アース電位用の外部導体４ａであり、他と区別するため
の例えば長めに設けられている。
【００１２】外部導体４は、図１（ｂ）に示すように基
板２の側面から図１（ｃ）に示すように基板２の下面に
沿って設けられている。このような構成の基台１によ
り、基板２の下面における外部導体４で電気的なコンタ
クトを得るＬＣＣ（Leadless Chip Carrier ）から成る
半導体装置を製造することができる。
板２の側面から図１（ｃ）に示すように基板２の下面に
沿って設けられている。このような構成の基台１によ
り、基板２の下面における外部導体４で電気的なコンタ
クトを得るＬＣＣ（Leadless Chip Carrier ）から成る
半導体装置を製造することができる。
【００１３】本実施例における基台１では、内部導体３
を平板状の基板２の上面に設けているため、各内部導体
３の高さ精度を非常に向上させることができる。すなわ
ち、基板２が平板状であるためその上面を精度良く加工
でき、これによって上面に設ける内部導体３の高さ精度
を向上させることが可能となる。このため、内部導体３
へボンディングワイヤーを接続する際、キャピラリによ
る接触圧力を安定させることができ、これにともなって
ボンディングワイヤーの接続強度を安定化させることが
可能となる。
を平板状の基板２の上面に設けているため、各内部導体
３の高さ精度を非常に向上させることができる。すなわ
ち、基板２が平板状であるためその上面を精度良く加工
でき、これによって上面に設ける内部導体３の高さ精度
を向上させることが可能となる。このため、内部導体３
へボンディングワイヤーを接続する際、キャピラリによ
る接触圧力を安定させることができ、これにともなって
ボンディングワイヤーの接続強度を安定化させることが
可能となる。
【００１４】また、半導体素子の実装部分であるメタラ
イズ部２１を半導体素子の外形に応じた形状に設定する
ことで、これをアライメントマークとして利用した実装
を行うことができる。例えば、半導体素子の４隅に合わ
せた切り欠き部分を設けたり、半導体素子の辺に対する
基準となるような直線部分を設けた形状とする。特に、
ＣＣＤリニアセンサーチップのような長尺状の半導体素
子においては基板２上の正確な位置へ実装するのが困難
であるため、このメタライズ部２１をアライメントマー
クとして利用することにより正確な位置決めを行うこと
が可能となる。
イズ部２１を半導体素子の外形に応じた形状に設定する
ことで、これをアライメントマークとして利用した実装
を行うことができる。例えば、半導体素子の４隅に合わ
せた切り欠き部分を設けたり、半導体素子の辺に対する
基準となるような直線部分を設けた形状とする。特に、
ＣＣＤリニアセンサーチップのような長尺状の半導体素
子においては基板２上の正確な位置へ実装するのが困難
であるため、このメタライズ部２１をアライメントマー
クとして利用することにより正確な位置決めを行うこと
が可能となる。
【００１５】また、このメタライズ部２１と接地電位と
なる内部導体３ａとを導通させることにより、半導体素
子の実装面での電気的接地を行うことが可能となる。こ
れによって、耐ノイズ性の向上等、半導体素子の動作信
頼性を高めることができるようになる。
なる内部導体３ａとを導通させることにより、半導体素
子の実装面での電気的接地を行うことが可能となる。こ
れによって、耐ノイズ性の向上等、半導体素子の動作信
頼性を高めることができるようになる。
【００１６】次に、本実施例における基台１の製造方法
を説明する。図２は基台１の製造方法を（ａ）〜（ｄ）
の順に説明する断面図である。なお、この例では複数の
基台１を製造するいわゆる多数個取りの場合を例として
説明する。先ず、図２（ａ）に示すように、所定の厚さ
（例えば、１ｍｍ程度）から成る平板状の基板２を成形
する。セラミックスから成る平板状の基板２を成形する
には、セラミックス粉末（Ａｌ2 Ｏ3 ）にバインダー、
可塑剤、溶剤から成るスラリーを一定の厚みに成形し、
乾燥させてシート状にする。この際、プレス加工を施す
ことにより基板２の上面の平坦性を十分に高めておく。
を説明する。図２は基台１の製造方法を（ａ）〜（ｄ）
の順に説明する断面図である。なお、この例では複数の
基台１を製造するいわゆる多数個取りの場合を例として
説明する。先ず、図２（ａ）に示すように、所定の厚さ
（例えば、１ｍｍ程度）から成る平板状の基板２を成形
する。セラミックスから成る平板状の基板２を成形する
には、セラミックス粉末（Ａｌ2 Ｏ3 ）にバインダー、
可塑剤、溶剤から成るスラリーを一定の厚みに成形し、
乾燥させてシート状にする。この際、プレス加工を施す
ことにより基板２の上面の平坦性を十分に高めておく。
【００１７】次いで、図２（ｂ）に示すように、基板２
の上面に内部導体３を、下面に外部導体４、４ａを例え
ばスクリーン印刷法等によって塗布する。内部導体３お
よび外部導体４、４ａとしてはタングステンまたはモリ
ブデンのメタライズペーストを用い、厚さ１０〜３０μ
ｍ程度に塗布する。次に、図２（ｃ）に示すように、基
板２へ穴２２を開け、その内面にタングステンまたはモ
リブデンのメタライズペーストを流し込み塗工する。こ
の穴２２の内面に塗工されるメタライズペーストは、基
板２の側面に設けられる外部導体４、４ａとなり、上面
に設けられた内部導体３と下面に設けられた外部導体
４，４ａとの導通を得るためのものとなる。
の上面に内部導体３を、下面に外部導体４、４ａを例え
ばスクリーン印刷法等によって塗布する。内部導体３お
よび外部導体４、４ａとしてはタングステンまたはモリ
ブデンのメタライズペーストを用い、厚さ１０〜３０μ
ｍ程度に塗布する。次に、図２（ｃ）に示すように、基
板２へ穴２２を開け、その内面にタングステンまたはモ
リブデンのメタライズペーストを流し込み塗工する。こ
の穴２２の内面に塗工されるメタライズペーストは、基
板２の側面に設けられる外部導体４、４ａとなり、上面
に設けられた内部導体３と下面に設けられた外部導体
４，４ａとの導通を得るためのものとなる。
【００１８】次に、図２（ｄ）に示すように、基板２に
設けた穴２２の中央で基板２を分割するための位置にＶ
溝（ハーフナイフ）を形成する（図中一点鎖線参照）。
Ｖ溝は、基板２の厚さに対して１／２〜２／３程度の深
さで形成し、後に折り曲げ分割しやすいようにする。そ
して、この状態で１５００℃を越える焼成炉によって脱
バインダー、脱カーボンを行う。これによりアルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）とタングステンまたはモリブデン結晶粒
子とが成長し、それぞれ金属化して化学的な焼成結合と
なる。また、この際ホットプレスを行って焼成による反
りを矯正しておく。
設けた穴２２の中央で基板２を分割するための位置にＶ
溝（ハーフナイフ）を形成する（図中一点鎖線参照）。
Ｖ溝は、基板２の厚さに対して１／２〜２／３程度の深
さで形成し、後に折り曲げ分割しやすいようにする。そ
して、この状態で１５００℃を越える焼成炉によって脱
バインダー、脱カーボンを行う。これによりアルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）とタングステンまたはモリブデン結晶粒
子とが成長し、それぞれ金属化して化学的な焼成結合と
なる。また、この際ホットプレスを行って焼成による反
りを矯正しておく。
【００１９】焼成の後は、基板２に設けられた内部導体
３および外部導体４にニッケルおよび金から成る電気め
っき処理（例えば、ニッケルの厚さ１〜４μｍ、金の厚
さ０．１〜０．２μｍ）を施しておく。このようにし
て、平板状の基板２に内部導体３および外部導体４、４
ａが設けられた基台１が完成する。これにより、各内部
導体３の高さ精度は基板２の平坦性に応じて例えば３０
ｍｍ長で１０〜２０μｍ程度のばらつき内に収まること
になる。なお、図２（ｄ）に示す状態では、複数の基台
１がつながったものとなっているが、後の工程において
Ｖ溝の位置から折り曲げ分割することにより個々の基台
１となる。
３および外部導体４にニッケルおよび金から成る電気め
っき処理（例えば、ニッケルの厚さ１〜４μｍ、金の厚
さ０．１〜０．２μｍ）を施しておく。このようにし
て、平板状の基板２に内部導体３および外部導体４、４
ａが設けられた基台１が完成する。これにより、各内部
導体３の高さ精度は基板２の平坦性に応じて例えば３０
ｍｍ長で１０〜２０μｍ程度のばらつき内に収まること
になる。なお、図２（ｄ）に示す状態では、複数の基台
１がつながったものとなっているが、後の工程において
Ｖ溝の位置から折り曲げ分割することにより個々の基台
１となる。
【００２０】次に、このような基台１を用いた半導体装
置の製造方法を図３〜図４に基づいて説明する。なお、
基台１としては図２（ｄ）に示す状態すなわち複数の基
台１がつながった状態のものを使用する場合を例とす
る。先ず、図３（ａ）に示すダイボンディングとして、
基台１における実装位置にペースト剤を用いてチップ状
の半導体素子１０を実装する。なお、実装位置に図１
（ａ）に示すようなメタライズ部２１が設けられている
場合には導電性ペーストを用いて実装を行う。また、こ
の際メタライズ部２１をアライメントマークとして使用
することで半導体素子１０の正確な位置合わせを行うよ
うにする。
置の製造方法を図３〜図４に基づいて説明する。なお、
基台１としては図２（ｄ）に示す状態すなわち複数の基
台１がつながった状態のものを使用する場合を例とす
る。先ず、図３（ａ）に示すダイボンディングとして、
基台１における実装位置にペースト剤を用いてチップ状
の半導体素子１０を実装する。なお、実装位置に図１
（ａ）に示すようなメタライズ部２１が設けられている
場合には導電性ペーストを用いて実装を行う。また、こ
の際メタライズ部２１をアライメントマークとして使用
することで半導体素子１０の正確な位置合わせを行うよ
うにする。
【００２１】半導体素子１０を実装した後は、半導体素
子１０と基板２の上面に設けられた内部導体３とをボン
ディングワイヤー５（直径２５μｍ程度の金線）にて配
線する。ボンディングワイヤー５はチップ端とショート
しないようにキャピラリ（図示せず）によって所定のア
ーチを描いて引き回し接続される。先に説明したよう
に、本実施例の基台１では基板２の上面の平坦性が高く
各内部導体３の高さ精度が高められているため、キャピ
ラリ（図示せず）によるボンディングワイヤー５の内部
導体３との接続圧力が安定することになる。このため、
ボンディングワイヤー５と内部導体３との接触強度が安
定し、強度不足の発生を防ぐことができるようになる。
子１０と基板２の上面に設けられた内部導体３とをボン
ディングワイヤー５（直径２５μｍ程度の金線）にて配
線する。ボンディングワイヤー５はチップ端とショート
しないようにキャピラリ（図示せず）によって所定のア
ーチを描いて引き回し接続される。先に説明したよう
に、本実施例の基台１では基板２の上面の平坦性が高く
各内部導体３の高さ精度が高められているため、キャピ
ラリ（図示せず）によるボンディングワイヤー５の内部
導体３との接続圧力が安定することになる。このため、
ボンディングワイヤー５と内部導体３との接触強度が安
定し、強度不足の発生を防ぐことができるようになる。
【００２２】次に、図３（ｂ）に示す樹脂塗布として、
基板２上に実装した半導体素子１０およびボンディング
ワイヤー５の上から透光性を備えた樹脂６を塗布し、こ
れらを封止する処理を行う。長尺状の半導体素子１０の
場合には、ノズル７から樹脂６を滴下するとともに半導
体素子１０の長手方向に沿ってノズル７を移動し全体を
封止するようにする。この際、樹脂６としてはセラミッ
クスから成る基板２との熱膨張係数差によるストレスを
吸収する柔軟性の高いシリコーン系のものを使用し、か
つチクソトロピック性を有するものを使用して光学的な
特性を損なわないような表面の平坦性を確保する。
基板２上に実装した半導体素子１０およびボンディング
ワイヤー５の上から透光性を備えた樹脂６を塗布し、こ
れらを封止する処理を行う。長尺状の半導体素子１０の
場合には、ノズル７から樹脂６を滴下するとともに半導
体素子１０の長手方向に沿ってノズル７を移動し全体を
封止するようにする。この際、樹脂６としてはセラミッ
クスから成る基板２との熱膨張係数差によるストレスを
吸収する柔軟性の高いシリコーン系のものを使用し、か
つチクソトロピック性を有するものを使用して光学的な
特性を損なわないような表面の平坦性を確保する。
【００２３】樹脂６を塗布した後、所定の温度でキュア
することにより、図３（ｃ）に示すような半球状の樹脂
６による封止を行うことができる。また、図４（ａ）に
示すように、半導体素子１０およびボンディングワイヤ
ー５の周辺を囲む状態にボンディングワイヤー５のルー
プ高さよりも高い樹脂ダム６１を取り付け、その樹脂ダ
ム６１内へ透光性を有する樹脂６を流し込むようにして
もよい。この場合、樹脂ダム６１としては高チクソトロ
ピック性のものを使用し、樹脂ダム６１内へ流し込む樹
脂６としては高流動性のものを使用する。これによっ
て、樹脂６表面のしわ発生、および樹脂６内での気泡発
生を抑制できるようになる。
することにより、図３（ｃ）に示すような半球状の樹脂
６による封止を行うことができる。また、図４（ａ）に
示すように、半導体素子１０およびボンディングワイヤ
ー５の周辺を囲む状態にボンディングワイヤー５のルー
プ高さよりも高い樹脂ダム６１を取り付け、その樹脂ダ
ム６１内へ透光性を有する樹脂６を流し込むようにして
もよい。この場合、樹脂ダム６１としては高チクソトロ
ピック性のものを使用し、樹脂ダム６１内へ流し込む樹
脂６としては高流動性のものを使用する。これによっ
て、樹脂６表面のしわ発生、および樹脂６内での気泡発
生を抑制できるようになる。
【００２４】そして、図３（ｃ）または図４（ａ）に示
すような樹脂６による半導体素子１０およびボンディン
グワイヤー５の封止を行った状態で、基板２に設けられ
た穴２２の位置つまり図２（ｃ）に示す基台１の製造工
程で設けられたＶ溝位置で基板２を折り曲げ分割して、
図４（ｂ）および図４（ｃ）に示すような個々の半導体
装置１１を製造する。製造される半導体装置１１はいず
れもＬＣＣタイプであり、この半導体装置１１を図示し
ないマザーボード上に実装することによって基板２の下
面に設けられた外部導体４、４ａによる信号入出力が行
われることになる。
すような樹脂６による半導体素子１０およびボンディン
グワイヤー５の封止を行った状態で、基板２に設けられ
た穴２２の位置つまり図２（ｃ）に示す基台１の製造工
程で設けられたＶ溝位置で基板２を折り曲げ分割して、
図４（ｂ）および図４（ｃ）に示すような個々の半導体
装置１１を製造する。製造される半導体装置１１はいず
れもＬＣＣタイプであり、この半導体装置１１を図示し
ないマザーボード上に実装することによって基板２の下
面に設けられた外部導体４、４ａによる信号入出力が行
われることになる。
【００２５】このようなＬＣＣタイプの半導体装置１１
では、マザーボードの実装面に沿った正確な取り付けを
行うことができる。さらに、本実施例では基台１として
平板状の基板２を用いてその上面の平坦性を高めてある
ため基板２の上面を基準とした半導体素子１０の実装を
行うことができる。これらのことから、本実施例におけ
る基台１を使用して半導体装置１１を製造する場合に
は、基板２の上面を光学的な基準とした半導体素子１０
の実装およびレンズブロックの実装、マザーボードへの
半導体装置１１の実装を行うことが可能となる。
では、マザーボードの実装面に沿った正確な取り付けを
行うことができる。さらに、本実施例では基台１として
平板状の基板２を用いてその上面の平坦性を高めてある
ため基板２の上面を基準とした半導体素子１０の実装を
行うことができる。これらのことから、本実施例におけ
る基台１を使用して半導体装置１１を製造する場合に
は、基板２の上面を光学的な基準とした半導体素子１０
の実装およびレンズブロックの実装、マザーボードへの
半導体装置１１の実装を行うことが可能となる。
【００２６】また、透光性を有する樹脂６にて半導体素
子１０およびボンディングワイヤー５を封止した後、そ
の表面に樹脂６よりも硬い保護膜（図示せず）、例えば
透光性樹脂やＳｎＯ2 、ＩＴＯなどから成る透光性酸化
膜を被着して樹脂６の表面における傷付き防止を図るよ
うにしてもよい。なお、透光性樹脂の場合にはスプレー
式やロールコート式により被着し、透光性酸化膜の場合
には蒸着やスパッタリング法により被着する。
子１０およびボンディングワイヤー５を封止した後、そ
の表面に樹脂６よりも硬い保護膜（図示せず）、例えば
透光性樹脂やＳｎＯ2 、ＩＴＯなどから成る透光性酸化
膜を被着して樹脂６の表面における傷付き防止を図るよ
うにしてもよい。なお、透光性樹脂の場合にはスプレー
式やロールコート式により被着し、透光性酸化膜の場合
には蒸着やスパッタリング法により被着する。
【００２７】さらに、保護膜として無反射コーティング
や紫外線カットフィルタとなるＵＶコーティング、赤外
線カットフィルタとなるＩＲコーティングを用いて光学
的な外乱を防止するようにしてもよい。また、アクリル
系またはポリエステル系の導電性透明薄膜から成る保護
膜を用いることで静電気による樹脂６表面へのごみの付
着を防止することができるようになる。
や紫外線カットフィルタとなるＵＶコーティング、赤外
線カットフィルタとなるＩＲコーティングを用いて光学
的な外乱を防止するようにしてもよい。また、アクリル
系またはポリエステル系の導電性透明薄膜から成る保護
膜を用いることで静電気による樹脂６表面へのごみの付
着を防止することができるようになる。
【００２８】なお、本実施例では基板２の材質としてセ
ラミックスを用いた例を説明したが、これ以外にもガラ
スエポキシ材を用いても同様である。この場合には、一
般的なサブトラクト法やフルアディティブ法、単板プレ
ス法等を用いて基板２を製造すればよい。また、ガラス
エポキシ材を用いて基板２を多数個取りする場合には、
ダイシングまたはルータにて基板２の分離を行うように
する。さらに、基板２としてガラスエポキシ材を用いる
場合には、樹脂６としてガラスエポキシ材と熱膨張係数
の合うエポキシ系やアクリル系のものを用いるようにす
ればよい。また、本実施例においては基台１および半導
体装置１１の製造方法として多数個取りの場合を例とし
て説明したが、本発明はこれに限定されず単個取りによ
って基台１および半導体装置１１を製造してもよい。
ラミックスを用いた例を説明したが、これ以外にもガラ
スエポキシ材を用いても同様である。この場合には、一
般的なサブトラクト法やフルアディティブ法、単板プレ
ス法等を用いて基板２を製造すればよい。また、ガラス
エポキシ材を用いて基板２を多数個取りする場合には、
ダイシングまたはルータにて基板２の分離を行うように
する。さらに、基板２としてガラスエポキシ材を用いる
場合には、樹脂６としてガラスエポキシ材と熱膨張係数
の合うエポキシ系やアクリル系のものを用いるようにす
ればよい。また、本実施例においては基台１および半導
体装置１１の製造方法として多数個取りの場合を例とし
て説明したが、本発明はこれに限定されず単個取りによ
って基台１および半導体装置１１を製造してもよい。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の基台およ
びこれを用いた半導体装置の製造方法によれば次のよう
な効果がある。すなわち、本発明の基台では平板状の基
板を用いるため複雑な形状を製造する場合に比べて製造
工程を簡素化することが可能となる。これによって製造
コストの低減を図ることが可能となる。また、平板状の
基板の上面に内部導体を設けているため、この内部導体
の高さ精度が向上し、ボンディングワイヤーの接続強度
を安定化させることができる。つまり、ボンディングワ
イヤーを予め設定した強度で確実に接続することができ
封止樹脂内において水蒸気爆発等による応力が加わった
場合であってもネック切が発生しなくなる。したがっ
て、このような基台を用いて半導体装置を製造すれば、
動作信頼性の高い半導体装置を提供することが可能とな
る。
びこれを用いた半導体装置の製造方法によれば次のよう
な効果がある。すなわち、本発明の基台では平板状の基
板を用いるため複雑な形状を製造する場合に比べて製造
工程を簡素化することが可能となる。これによって製造
コストの低減を図ることが可能となる。また、平板状の
基板の上面に内部導体を設けているため、この内部導体
の高さ精度が向上し、ボンディングワイヤーの接続強度
を安定化させることができる。つまり、ボンディングワ
イヤーを予め設定した強度で確実に接続することができ
封止樹脂内において水蒸気爆発等による応力が加わった
場合であってもネック切が発生しなくなる。したがっ
て、このような基台を用いて半導体装置を製造すれば、
動作信頼性の高い半導体装置を提供することが可能とな
る。
【図１】本発明の一実施例を説明する図で、（ａ）は平
面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図である。
面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図である。
【図２】基台の製造方法を（ａ）〜（ｄ）の順に説明す
る断面図である。
る断面図である。
【図３】半導体装置の製造方法を順に説明する断面図
（その１）である。
（その１）である。
【図４】半導体装置の製造方法を順に説明する断面図
（その２）である。
（その２）である。
【図５】従来例を説明する断面図である。
１ 基台 ２ 基板 ３ 内部導体 ４ 外部導体 ５ ボンディングワイヤー ６ 樹脂 １０ 半導体装置 ２１ メタライズ部
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体素子を実装するための実装部分を
上面に備えている平板状の基板と、 前記基板の上面において前記実装部分の周辺に設けられ
前記半導体素子に一端が接続されるボンディングワイヤ
ーの他端を接続するための内部導体と、 前記内部導体と導通する状態で前記基板の側面から下面
に沿って設けられる外部導体とを備えていることを特徴
とする基台。 - 【請求項２】 前記実装部分には前記半導体素子の外形
に応じた形状のメタライズ部が設けられていることを特
徴とする請求項１記載の基台。 - 【請求項３】 前記メタライズ部は接地電位となってい
ることを特徴とする請求項２記載の基台。 - 【請求項４】 前記基板の上面に設けられた実装部分に
半導体素子を実装し、 前記半導体素子と前記基板の上面に設けられた内部導体
とをボンディングワイヤーにて接続し、 前記半導体素子および前記ボンディングワイヤーを樹脂
にて封止することを特徴とする請求項１から請求項３の
うちいずれか１項に記載の基台を用いた半導体装置の製
造方法。 - 【請求項５】 前記基板の上面に設けられた実装部分に
半導体素子を実装し、 前記半導体素子と前記基板の上面に設けられた内部導体
とをボンディングワイヤーにて接続し、 前記基板上で前記半導体素子および前記ボンディングワ
イヤーの周囲を囲む状態に樹脂ダムを形成し、該樹脂ダ
ム内へ樹脂を充填することで該半導体素子および該ボン
ディングワイヤーを該樹脂にて封止することを特徴とす
る請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の基
台を用いた半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24605094A JPH08111475A (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 基台およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24605094A JPH08111475A (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 基台およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08111475A true JPH08111475A (ja) | 1996-04-30 |
Family
ID=17142725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24605094A Pending JPH08111475A (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 基台およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08111475A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013138263A (ja) * | 2013-04-08 | 2013-07-11 | Renesas Electronics Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-10-12 JP JP24605094A patent/JPH08111475A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013138263A (ja) * | 2013-04-08 | 2013-07-11 | Renesas Electronics Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
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