JPH0793390B2 - Ｉｃカード等のための薄型構造の紫外線透過型半導体装置パッケージ - Google Patents
Ｉｃカード等のための薄型構造の紫外線透過型半導体装置パッケージInfo
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- JPH0793390B2 JPH0793390B2 JP62007686A JP768687A JPH0793390B2 JP H0793390 B2 JPH0793390 B2 JP H0793390B2 JP 62007686 A JP62007686 A JP 62007686A JP 768687 A JP768687 A JP 768687A JP H0793390 B2 JPH0793390 B2 JP H0793390B2
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- Japan
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- semiconductor device
- substrate
- device package
- lead
- cap
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-
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/18—Circuits for erasing optically
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置に関するものであり、更に詳述す
るならば、メモリーカード、ICカード等の薄型構造の半
導体装置のためのパッケージに関するものである。
るならば、メモリーカード、ICカード等の薄型構造の半
導体装置のためのパッケージに関するものである。
従来の技術 半導体装置は、種々のものが使用されているが、メモリ
ーカード、ICカード等に搭載するために特に厚さを薄く
した半導体装置に対する要請が近年高い。更に、そのカ
ードに紫外線消去可能プログラマブルROMが組み込まれ
ている場合には、書き換えを可能にするために、その半
導体装置が紫外線透過型であることが望まれる。
ーカード、ICカード等に搭載するために特に厚さを薄く
した半導体装置に対する要請が近年高い。更に、そのカ
ードに紫外線消去可能プログラマブルROMが組み込まれ
ている場合には、書き換えを可能にするために、その半
導体装置が紫外線透過型であることが望まれる。
しかし、従来、紫外線透過型半導体装置は、DIP型半導
体装置が主であり、第３図に示すようにセラミックキャ
ップの一部に紫外線透過ガラスを埋設したものや、第４
図に示すように絶縁基板上に半導体素子を搭載し、紫外
線透過樹脂で封止された半導体装置であった。
体装置が主であり、第３図に示すようにセラミックキャ
ップの一部に紫外線透過ガラスを埋設したものや、第４
図に示すように絶縁基板上に半導体素子を搭載し、紫外
線透過樹脂で封止された半導体装置であった。
第３図の半導体装置では、セラミック製の素子搭載基板
22の中央凹部に半導体チップ24が金属ロー材またはガラ
スのような接着材25によりダイボンディングされてい
る。その半導体チップ24に、各ボンディングワイヤ27の
一端がボンディングされ、そのワイヤ27の他端は、素子
搭載基板22上に形成されたメタライズ導体（不図示）に
ボンディングされている。そのメタライズ導体（不図
示）は、素子搭載基板22の側面まで延びており、その側
面部分にリード26が固着されている。また、素子搭載基
板22の頂部には、半導体チップ24に対応する位置に紫外
線透過ガラス28を埋設したセラミックキャップ23が金属
ロー材またはガラスにより封止されている。
22の中央凹部に半導体チップ24が金属ロー材またはガラ
スのような接着材25によりダイボンディングされてい
る。その半導体チップ24に、各ボンディングワイヤ27の
一端がボンディングされ、そのワイヤ27の他端は、素子
搭載基板22上に形成されたメタライズ導体（不図示）に
ボンディングされている。そのメタライズ導体（不図
示）は、素子搭載基板22の側面まで延びており、その側
面部分にリード26が固着されている。また、素子搭載基
板22の頂部には、半導体チップ24に対応する位置に紫外
線透過ガラス28を埋設したセラミックキャップ23が金属
ロー材またはガラスにより封止されている。
また、第４図の半導体装置は、絶縁基板31上に接着剤36
により固着されている半導体チップ32を有している。そ
の半導体チップ32は、ボンディングワイヤ33により、基
板31上に形成されているリード34に接続されている。そ
して、そのチップ32とワイヤ33とを完全に覆うように、
紫外線透過樹脂35が適用されて封止されている。
により固着されている半導体チップ32を有している。そ
の半導体チップ32は、ボンディングワイヤ33により、基
板31上に形成されているリード34に接続されている。そ
して、そのチップ32とワイヤ33とを完全に覆うように、
紫外線透過樹脂35が適用されて封止されている。
発明が解決しようとする問題点 上述した、第３図に示す従来のDIP型半導体装置の場合
は、素子搭載基板22をセラミックで形成しているが、そ
のセラミック基板は粉末成形で一般に製造するため、製
造上薄くすることが困難であった。また、たとえセラミ
ック基板を薄く製造することができても、十分な強度を
得ることができない。この問題は、素子搭載基板22をア
ルミナセラミックグリーンシートで構成する場合におい
ても同様であった。
は、素子搭載基板22をセラミックで形成しているが、そ
のセラミック基板は粉末成形で一般に製造するため、製
造上薄くすることが困難であった。また、たとえセラミ
ック基板を薄く製造することができても、十分な強度を
得ることができない。この問題は、素子搭載基板22をア
ルミナセラミックグリーンシートで構成する場合におい
ても同様であった。
更に、第４図に示すように、絶縁基板上に素子搭載後に
紫外線透過樹脂で封止する半導体装置においては、一定
の強度と耐湿性を得るためには、この樹脂を十分な厚さ
に形成しなければならず、薄型半導体装置を実現するこ
とが困難であった。
紫外線透過樹脂で封止する半導体装置においては、一定
の強度と耐湿性を得るためには、この樹脂を十分な厚さ
に形成しなければならず、薄型半導体装置を実現するこ
とが困難であった。
更に、特開昭51−132461号公報には、熱放散性を良好に
し、パッケージの機械的強度を大にするため、パッケー
ジの底面が金属板からなるセラミックパッケージが提案
されている。しかし、セラミック基板を金属基板に代え
るだけでは、基板の強度を維持しつつ基板を薄くするこ
とも可能であるが、それだけでは紫外線透過型半導体装
置パッケージ全体を十分な薄さにすることができない。
し、パッケージの機械的強度を大にするため、パッケー
ジの底面が金属板からなるセラミックパッケージが提案
されている。しかし、セラミック基板を金属基板に代え
るだけでは、基板の強度を維持しつつ基板を薄くするこ
とも可能であるが、それだけでは紫外線透過型半導体装
置パッケージ全体を十分な薄さにすることができない。
そこで、本発明は、必要な強度と耐湿性とを具備すると
共に十分に薄くすることができる半導体装置を提供せん
とするものである。
共に十分に薄くすることができる半導体装置を提供せん
とするものである。
問題点を解決するための手段 すなわち、本発明によるならば、半導体チップを搭載す
る基板と、前記半導体チップを覆うように前記基板に対
して装着されたキャップと、前記基板と前記キャップと
の間に挟持されて外部に延長し且つ前記半導体チップに
電気的に接続されたリードとを具備しており、前記基板
は金属薄板で形成され、その外周にセラミック枠を有
し、前記リードは、該セラミック枠と前記キャップとの
間に挟持されて低融点ガラスにより気密封止されている
ICカード等のための薄型構造の紫外線透過型半導体装置
パッケージにおいて、前記キャップは、アルミナで形成
された単一材料の単一板で構成され、紫外線透過窓とし
ても機能するように、厚さが0.1mmから0.5mmの範囲内に
あり、半導体装置パッケージ全体の厚さが約1.0mm以下
であることを特徴とする。
る基板と、前記半導体チップを覆うように前記基板に対
して装着されたキャップと、前記基板と前記キャップと
の間に挟持されて外部に延長し且つ前記半導体チップに
電気的に接続されたリードとを具備しており、前記基板
は金属薄板で形成され、その外周にセラミック枠を有
し、前記リードは、該セラミック枠と前記キャップとの
間に挟持されて低融点ガラスにより気密封止されている
ICカード等のための薄型構造の紫外線透過型半導体装置
パッケージにおいて、前記キャップは、アルミナで形成
された単一材料の単一板で構成され、紫外線透過窓とし
ても機能するように、厚さが0.1mmから0.5mmの範囲内に
あり、半導体装置パッケージ全体の厚さが約1.0mm以下
であることを特徴とする。
好ましくは、前記セラミック枠は、金属ロー材または高
融点ガラス接着剤で前記基板に固着され、前記リード
は、気密封止前に所望の形状に整形される。
融点ガラス接着剤で前記基板に固着され、前記リード
は、気密封止前に所望の形状に整形される。
更に、前記金属基板は、42アロイまたはコバールで形成
され、厚さが0.05mm以下であり、前記リードは、前記金
属基板と同様な材料で形成され、少くともガラス封止さ
れる部分にAl膜が設けられている。また、前記セラミッ
ク枠は、アルミナで構成され、厚さが0.3mmから0.5mmの
範囲内にあり、そして、金属ロー材または高融点ガラス
接着剤で前記基板で固着される。
され、厚さが0.05mm以下であり、前記リードは、前記金
属基板と同様な材料で形成され、少くともガラス封止さ
れる部分にAl膜が設けられている。また、前記セラミッ
ク枠は、アルミナで構成され、厚さが0.3mmから0.5mmの
範囲内にあり、そして、金属ロー材または高融点ガラス
接着剤で前記基板で固着される。
作用 以上の構成をもつ本発明によるICカード等のための薄型
構造の紫外線透過型半導体装置パッケージは、そのパッ
ケージの基板を金属板で構成している。従って、セラミ
ック基板に比較して、基板に必要な強度を確保しつつ基
板を十分に薄くすることができる。
構造の紫外線透過型半導体装置パッケージは、そのパッ
ケージの基板を金属板で構成している。従って、セラミ
ック基板に比較して、基板に必要な強度を確保しつつ基
板を十分に薄くすることができる。
そして、キャップがアルミナのような絶縁体であるの
で、半導体チップとリードとを接続するワイヤに触れて
も短絡の問題がない。従って、半導体チップ上の空間を
可能な限り小さくすることができる。更に、窓材料とキ
ャップとが異なる材料で構成される場合と異なり、キャ
ップが、アルミナからなる単一材料の単一板で構成され
ているので、キャップ自体の厚さを十分に薄くすること
ができ、一方、必要な強度を金属基板が確保しているの
で、アルミナキャップを薄くしても、半導体装置の必要
な強度が金属基板から得ることができる。従って、キャ
ップ全体が紫外線透過窓としても機能するように、すな
わち、紫外線が透過するように、アルミナキャップの厚
さが、0.1mmから0.5nmの範囲内にある。それ故、セラミ
ック枠を半導体チップの厚さに見合う厚さにすることに
より、全体を十分に薄くすることができ、半導体装置全
体の厚さを約1.0mm以下にすることができる。
で、半導体チップとリードとを接続するワイヤに触れて
も短絡の問題がない。従って、半導体チップ上の空間を
可能な限り小さくすることができる。更に、窓材料とキ
ャップとが異なる材料で構成される場合と異なり、キャ
ップが、アルミナからなる単一材料の単一板で構成され
ているので、キャップ自体の厚さを十分に薄くすること
ができ、一方、必要な強度を金属基板が確保しているの
で、アルミナキャップを薄くしても、半導体装置の必要
な強度が金属基板から得ることができる。従って、キャ
ップ全体が紫外線透過窓としても機能するように、すな
わち、紫外線が透過するように、アルミナキャップの厚
さが、0.1mmから0.5nmの範囲内にある。それ故、セラミ
ック枠を半導体チップの厚さに見合う厚さにすることに
より、全体を十分に薄くすることができ、半導体装置全
体の厚さを約1.0mm以下にすることができる。
更に、リードは、金属薄板基板の周囲に設けられたセラ
ミック枠とセラミックキャップとの間に挟持され低融点
ガラスにより封止されているので、互いに電気的に絶縁
されると共に、金属基板に対しても電気的に絶縁され、
金属薄板基板に固着される半導体チップから確実に電気
的分離できる。
ミック枠とセラミックキャップとの間に挟持され低融点
ガラスにより封止されているので、互いに電気的に絶縁
されると共に、金属基板に対しても電気的に絶縁され、
金属薄板基板に固着される半導体チップから確実に電気
的分離できる。
更に、上記した金属薄板基板の周囲のセラミック枠とア
ルミナキャップとの間にリードを封止する材料は低融点
ガラスである。従って、その間は十分に気密封止するこ
とができ、十分な耐湿性が得られる。
ルミナキャップとの間にリードを封止する材料は低融点
ガラスである。従って、その間は十分に気密封止するこ
とができ、十分な耐湿性が得られる。
また、外部導出用リードを気密封止前に整形することに
より、気密封止後整形した場合に生じる封止用ガラスの
クラック、割れ等が発生することがない。
より、気密封止後整形した場合に生じる封止用ガラスの
クラック、割れ等が発生することがない。
実施例 以下、添付図面を参照しながら本発明の半導体装置の実
施例を説明する。第１図は、本発明にかかる半導体装置
の１つの実施例の構成を示す断面図である。
施例を説明する。第１図は、本発明にかかる半導体装置
の１つの実施例の構成を示す断面図である。
図示の半導体装置は、剛性が高くまた熱膨張係数がガラ
ス及びセラミックと近似した値である金属薄板基板11を
具備している。その金属薄板基板11は例えば42アロイ又
はコバールで構成され、0.04〜0.05mm厚を有している。
そして、金属薄板基板11の周囲には、半導体チップ14を
搭載するスペースを残して、セラミック枠12が設けられ
ている。このセラミック枠12は、アルミナ粉末成形によ
り、又は、アルミナグリーンシートのドクターブレード
法により形成され、0.3〜0.5mmの厚さ有している。その
セラミック枠12の下面は、メタライズされ、Ag−Cuロー
材又は高融点ガラス等の接着剤13により基板11に固着さ
れている。
ス及びセラミックと近似した値である金属薄板基板11を
具備している。その金属薄板基板11は例えば42アロイ又
はコバールで構成され、0.04〜0.05mm厚を有している。
そして、金属薄板基板11の周囲には、半導体チップ14を
搭載するスペースを残して、セラミック枠12が設けられ
ている。このセラミック枠12は、アルミナ粉末成形によ
り、又は、アルミナグリーンシートのドクターブレード
法により形成され、0.3〜0.5mmの厚さ有している。その
セラミック枠12の下面は、メタライズされ、Ag−Cuロー
材又は高融点ガラス等の接着剤13により基板11に固着さ
れている。
セラミック枠12に囲まれた金属薄板基板11上には、半導
体チップ14がAu−Si、Agペースト等の接合剤15でダイボ
ンディングされている。
体チップ14がAu−Si、Agペースト等の接合剤15でダイボ
ンディングされている。
一方、セラミック枠12の頂面の周囲には、42アロイ又は
コバールより成る0.03mmから0.1mmの厚さの複数の外部
導出用リード16が放射状に配置されている。
コバールより成る0.03mmから0.1mmの厚さの複数の外部
導出用リード16が放射状に配置されている。
この外部導出用リード16は、低融点ガラス17によってセ
ラミック枠12上に固着されている。リード16と低融点ガ
ラス17との密着力を上げるため、リード16のガラスぬれ
範囲の全周全面に蒸着法又はスパッタ法でAl膜（アルミ
ニウム膜）、を設ける。これにより極めて気密封止性が
よくなり、耐湿性も向上する。
ラミック枠12上に固着されている。リード16と低融点ガ
ラス17との密着力を上げるため、リード16のガラスぬれ
範囲の全周全面に蒸着法又はスパッタ法でAl膜（アルミ
ニウム膜）、を設ける。これにより極めて気密封止性が
よくなり、耐湿性も向上する。
また、半導体チップ14と、これに対応する外部導出用リ
ード16とは、Au、Cu、Al等のボンディングワイヤ18で接
続される。このため、外部導出用リード16上のワイヤボ
ンディング範囲には、0.5μｍ〜５μｍ厚のAu、Ag、Al
等がメッキやスパッタ蒸着等で付着されている。
ード16とは、Au、Cu、Al等のボンディングワイヤ18で接
続される。このため、外部導出用リード16上のワイヤボ
ンディング範囲には、0.5μｍ〜５μｍ厚のAu、Ag、Al
等がメッキやスパッタ蒸着等で付着されている。
アルミナセラミックキャップ19が、低融点ガラス17によ
ってセラミック枠12の頂面に固着され、その間のリード
16を固定している。この時、アルミナの厚さは、紫外線
が十分に透過する程度の0.1〜0.5mmの範囲にある。
ってセラミック枠12の頂面に固着され、その間のリード
16を固定している。この時、アルミナの厚さは、紫外線
が十分に透過する程度の0.1〜0.5mmの範囲にある。
なお、気密封止部外側の外部導出用リード16は、気密封
止前に半導体装置実装が容易にできるように、パッケー
ジ基板底面とほゞ同一の位置まで予め整形されている。
止前に半導体装置実装が容易にできるように、パッケー
ジ基板底面とほゞ同一の位置まで予め整形されている。
このような構成において、低融点ガラス層17の厚さを0.
1〜0.2mmとし、更に、上記した様々な厚さを上記した範
囲において適当に選択することにより、半導体装置全体
の厚さをを0.5〜1.0mmとすることができ、薄型化が達成
できる。
1〜0.2mmとし、更に、上記した様々な厚さを上記した範
囲において適当に選択することにより、半導体装置全体
の厚さをを0.5〜1.0mmとすることができ、薄型化が達成
できる。
第２図は本発明の半導体装置の第２実施例の構成を示す
断面図である。第２図において、第１図に示した第１実
施例の各部と同一の部分には同一の参照番号を付して、
説明を省略する。
断面図である。第２図において、第１図に示した第１実
施例の各部と同一の部分には同一の参照番号を付して、
説明を省略する。
第２図に示す実施例では、第１実施例のようにワイヤー
ボンディングによる半導体チップを搭載するかわりに、
フィルムキャリア20に装着された半導体チップを搭載す
るしている。このようにすることにより、ワイヤーボン
ディングのループの高さ150〜250μｍが不必要となり、
半導体装置全体の厚さをより薄くすることが、可能とな
る。
ボンディングによる半導体チップを搭載するかわりに、
フィルムキャリア20に装着された半導体チップを搭載す
るしている。このようにすることにより、ワイヤーボン
ディングのループの高さ150〜250μｍが不必要となり、
半導体装置全体の厚さをより薄くすることが、可能とな
る。
発明の効果 以上説明したように、本発明による半導体装置は、パッ
ケージ基板として金属薄板を使用し、キャップに紫外線
透過セラミック、特にアルミナを使用し、リードを金属
基板の周囲に設けたセラミック枠とセラミックキャップ
との間に低融点ガラスで気密封止して構成されている。
従って、従来に比べ著しく薄型化が容易となり、また、
低融点ガラス気密封止のため、耐湿性が向上し、それに
伴って信頼性を向上させることができる。
ケージ基板として金属薄板を使用し、キャップに紫外線
透過セラミック、特にアルミナを使用し、リードを金属
基板の周囲に設けたセラミック枠とセラミックキャップ
との間に低融点ガラスで気密封止して構成されている。
従って、従来に比べ著しく薄型化が容易となり、また、
低融点ガラス気密封止のため、耐湿性が向上し、それに
伴って信頼性を向上させることができる。
更に、外部導出用リードを気密封止前に整形してあるた
め、気密封止後整形することにより封止用ガラスにクラ
ック、割れ等が発生することがない。
め、気密封止後整形することにより封止用ガラスにクラ
ック、割れ等が発生することがない。
第１図は、本発明にかかる半導体装置の第１実施例の構
成を示す断面図、 第２図は、本発明にかかる半導体装置の第２実施例の構
成を示す断面図、 第３図及び第４図は、従来の半導体装置の断面図であ
る。 〔主な参照番号〕 11……金属薄板基板 12……セラミック枠 14、24、32……半導体チップ 16、26、34……リード 19……セラミックキャップ 20……フィルムキィリア 22……セラミック基板 23……キャップ 35……封止樹脂
成を示す断面図、 第２図は、本発明にかかる半導体装置の第２実施例の構
成を示す断面図、 第３図及び第４図は、従来の半導体装置の断面図であ
る。 〔主な参照番号〕 11……金属薄板基板 12……セラミック枠 14、24、32……半導体チップ 16、26、34……リード 19……セラミックキャップ 20……フィルムキィリア 22……セラミック基板 23……キャップ 35……封止樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 盆子原 學 東京都港区芝５丁目33番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 岡本 曉 兵庫県伊丹市昆陽北１丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内 (56)参考文献 特開 昭61−150242（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−132461（ＪＰ，Ａ)
Claims (7)
- 【請求項１】半導体チップを搭載する基板と、前記半導
体チップを覆うように前記基板に対して装着されたキャ
ップと、前記基板と前記キャップとの間に挟持されて外
部に延長し且つ前記半導体チップに電気的に接続された
リードとを具備しており、前記基板は金属薄板で形成さ
れ、その外周にセラミック枠を有し、前記リードは、該
セラミック枠と前記キャップとの間に挟持されて低融点
ガラスにより気密封止されているICカード等のための薄
型構造の紫外線透過型半導体装置パッケージにおいて、
前記キャップは、アルミナで形成された単一材料の単一
板で構成され、紫外線透過窓としても機能するように、
厚さが0.1mmから0.5nmの範囲内にあり、半導体装置パッ
ケージ全体の厚さが約1.0mm以下であることを特徴とす
る紫外線透過型半導体装置パッケージ。 - 【請求項２】前記リードは、気密封止前に所望の形状に
整形されていることを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載の紫外線透過型半導体装置パッケージ。 - 【請求項３】前記リードは、少くともガラス封止される
部分にAl膜が設けられていることを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項または第（２）項記載の紫外線透過型
半導体装置パッケージ。 - 【請求項４】前記Al膜は、前記リードの少くともガラス
封止される部分の全周全面に設けられていることを特徴
とする特許請求の範囲第（３）項記載の紫外線透過型半
導体装置パッケージ。 - 【請求項５】前記金属基板は、42アロイまたはコバール
で形成され、厚さが0.05mm以下であることを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項から第（４）項までのいずれ
か１項記載の紫外線透過型半導体装置パッケージ。 - 【請求項６】前記セラミック枠は、アルミナで構成さ
れ、厚さが0.3mmから0.5mmの範囲内にあることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項から第（５）項までのい
ずれか１項記載の紫外線透過型半導体装置パッケージ。 - 【請求項７】前記セラミック枠は、金属ロー材または高
融点ガラス接着剤で前記基板に固着されていることを特
徴とする特許請求の範囲第（１）項から第（６）項まで
のいずれか１項記載の紫外線透過型半導体装置パッケー
ジ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62007686A JPH0793390B2 (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | Ｉｃカード等のための薄型構造の紫外線透過型半導体装置パッケージ |
| DE88100534T DE3885624T2 (de) | 1987-01-16 | 1988-01-15 | UV-Lichtdurchlässiges Gehäuse für integrierte Schaltungen. |
| EP88100534A EP0275122B1 (en) | 1987-01-16 | 1988-01-15 | Chip package transmissive to ultraviolet light |
| US07/441,356 US5063435A (en) | 1987-01-16 | 1989-11-22 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62007686A JPH0793390B2 (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | Ｉｃカード等のための薄型構造の紫外線透過型半導体装置パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63177446A JPS63177446A (ja) | 1988-07-21 |
| JPH0793390B2 true JPH0793390B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=11672669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62007686A Expired - Fee Related JPH0793390B2 (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | Ｉｃカード等のための薄型構造の紫外線透過型半導体装置パッケージ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0275122B1 (ja) |
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