JPH08111496A - Lead frame and manufacturing method thereof - Google Patents
Lead frame and manufacturing method thereofInfo
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- JPH08111496A JPH08111496A JP6272873A JP27287394A JPH08111496A JP H08111496 A JPH08111496 A JP H08111496A JP 6272873 A JP6272873 A JP 6272873A JP 27287394 A JP27287394 A JP 27287394A JP H08111496 A JPH08111496 A JP H08111496A
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- Japan
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- pad
- lead frame
- lead
- processing
- semiconductor chip
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 ディンプル加工に伴う加工歪みの発生を抑制
し、もしくは除去することでパッドの変形が防止し、さ
らにリードフレームの板厚の1/2程度の深さまでディ
ンプル加工することを可能とする。
【構成】 リードフレーム1をスタンピング加工によっ
て製造する方法において、所定形状にプレス成形された
リードフレームのパッド5を熱処理した後、パッド5の
裏面側に複数のディンプル6が散在するようスタンピン
グ加工する。
(57) [Summary] (Correction) [Purpose] Deformation of the pad is prevented by suppressing or eliminating the processing distortion caused by dimple processing, and the depth of the lead frame is about 1/2 of the thickness. It is possible to perform dimple processing. In the method of manufacturing the lead frame 1 by stamping, the pad 5 of the lead frame press-molded into a predetermined shape is heat treated, and then stamped so that a plurality of dimples 6 are scattered on the back surface side of the pad 5.
Description
【0001】[0001]
【産業状の利用分野】本願発明は、半導体装置の組立に
用いられるリードフレームに関し、さらに詳しくは半導
体チップを搭載するためのパッドの裏面側に複数のディ
ンプルを設けたリードフレームとその製造方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame used for assembling a semiconductor device, and more particularly to a lead frame having a plurality of dimples on the back side of a pad for mounting a semiconductor chip and a method for manufacturing the same. .
【0002】[0002]
【従来技術】半導体装置に使用されるパッケージは、セ
ラミック封止タイプと樹脂封止タイプに大別されるが、
製造コストの安い樹脂封止タイプのものが多用されてい
る。2. Description of the Related Art Packages used for semiconductor devices are roughly classified into ceramic sealing type and resin sealing type.
A resin-sealed type, which has a low manufacturing cost, is often used.
【0003】リードフレーム1のパッド5には半導体チ
ップ9がAgペースト等により固着され、半導体チップ
9とインナーリード4の先端がAuやAl等のボンディ
ングワイヤ8によって電気的に接続された後、インナー
リード4や半導体チップ9等が樹脂封止されて、図3に
示すような半導体装置となり、さらにパッケージ10か
ら導出されたアウターリード2がJ字状やガルウイング
状に折り曲げ成形されて完成する。A semiconductor chip 9 is fixed to the pad 5 of the lead frame 1 by Ag paste or the like, and after the semiconductor chip 9 and the tips of the inner leads 4 are electrically connected by a bonding wire 8 such as Au or Al, the inner The leads 4, the semiconductor chip 9 and the like are resin-sealed to form a semiconductor device as shown in FIG. 3, and the outer leads 2 led out from the package 10 are bent and formed in a J shape or a gull wing shape to be completed.
【0004】近年、半導体チップ9の高集積化とパッケ
ージサイズの小型化に伴い、パッケージサイズに対する
半導体チップ9およびこれを搭載するためのパッド5の
占有面積が増大しており、パッド5とパッケージングの
ための樹脂との密着性が悪いことにも起因して、パッケ
ージ10のクラックが問題視されるようになった。In recent years, with the high integration of the semiconductor chip 9 and the miniaturization of the package size, the occupied area of the semiconductor chip 9 and the pad 5 for mounting the same has increased with respect to the package size, and the pad 5 and the packaging. Due to the poor adhesion to the resin for the package, the crack of the package 10 has become a problem.
【0005】これを解決するために、半導体チップ9を
搭載すべきパッド5の裏面側に複数のディンプル6を散
在させ、樹脂との密着性を向上させる方法が提案され多
用されている。In order to solve this, a method has been proposed and widely used in which a plurality of dimples 6 are scattered on the back surface side of the pad 5 on which the semiconductor chip 9 is to be mounted to improve the adhesiveness with the resin.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ここで、リードフレー
ムの製造効率を考慮すれば、スタンピング加工法によっ
てリードフレーム1の成形を行う場合、パツド5の裏面
側のディンプル6を形成する手段として、図2に示すデ
ィンプル加工用パンチ11を具備した金型装置を使用す
ることにより、一貫したスタンピング作業によって所望
形状のリードフレーム1を得ることができるが、スタン
ピング加工法によるディンプル6の形成は、パッド5や
サポートバー3に対し、大きな加工歪みを与えることと
なり、寸法精度の低下を招来するため、ディンプル6の
深さはせいぜいリードフレーム材料板厚の1/4から1
/3が限界と考えられていた。Here, considering the manufacturing efficiency of the lead frame, as a means for forming the dimples 6 on the back surface side of the pad 5 when the lead frame 1 is formed by the stamping method, The lead frame 1 having a desired shape can be obtained by a consistent stamping operation by using a die apparatus having the punch 11 for dimple processing shown in FIG. 2, but the dimples 6 are formed by the stamping method. Since a large processing strain is given to the support bar 3 and the support bar 3 and the dimensional accuracy is deteriorated, the depth of the dimple 6 is at most 1/4 to 1 of the lead frame material plate thickness.
/ 3 was considered the limit.
【0007】そのため、形状加工をスタンピング法にて
行い、ディンプル加工だけをエッチング加工法によって
行うことがなされていたが、加工工程の増加と製造コス
トの上昇につながり、有効な対策とはなっていなかっ
た。Therefore, the shape processing is performed by the stamping method, and only the dimple processing is performed by the etching processing method, but this leads to an increase in the processing steps and an increase in the manufacturing cost, which is not an effective countermeasure. It was
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本願発明は、パッド5の
裏面側に複数のディンプル6を散在させたリードフレー
ムとその製造方法に係り、特にスタンピング加工によっ
て製造する方法において、所定形状にプレス成形された
リードフレーム1のパッド5を熱処理した後、パッド5
の裏面側に複数のディンプル6が散在するようスタンピ
ング加工することを特徴とするリードフレームの製造方
法を提供するものである。The present invention relates to a lead frame in which a plurality of dimples 6 are scattered on the back surface side of a pad 5 and a method of manufacturing the same, and in particular, in a method of manufacturing by stamping, press molding into a predetermined shape. After heat treating the pad 5 of the lead frame 1 thus formed, the pad 5
The present invention provides a method for manufacturing a lead frame, characterized by performing stamping processing so that a plurality of dimples 6 are scattered on the back surface side of the.
【0009】[0009]
【作用】本願発明によれば、パッド5の裏面側にディン
プル加工を行う工程の前あるいは後において、パッド5
の硬度を熱処理により低下させることにより、ディンプ
ル加工に伴う加工歪みの発生を抑制し、もしくは除去す
ることで、パッドの変形が防止されるばかりでなく、リ
ードフレーム1の板厚の1/2程度の深さまでディンプ
ル加工することが可能となる。According to the present invention, the pad 5 is formed before or after the step of performing the dimple processing on the back surface side of the pad 5.
By reducing or eliminating the processing strain caused by the dimple processing by reducing the hardness of the pad by heat treatment, not only the deformation of the pad is prevented but also about 1/2 of the plate thickness of the lead frame 1 is prevented. It becomes possible to perform dimple processing to the depth of.
【0010】[0010]
【実施例】図面に基づき本願発明の実施例について詳細
に説明する。Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【0011】図1は本願発明に係るリードフレーム1の
外観を示す図であり、半導体チップ9を搭載するための
パッド5、パッド5を外枠に接続支持するためのサポー
トバー3、半導体チップ9と電気的に接続されるインナ
ーリード4、外部の導電パターンと電気的に接続されイ
ンナーリード4から延在するアウターリード2、インナ
ーリード4の相互間を所定間隔をおいて連結するタイバ
ー7が所定形状に順送り金型装置によってスタンピング
加工され、さらにパッド5の裏面側には複数のディンプ
ル6が加工されている。FIG. 1 is a view showing the outer appearance of a lead frame 1 according to the present invention. A pad 5 for mounting a semiconductor chip 9, a support bar 3 for connecting and supporting the pad 5 to an outer frame, and a semiconductor chip 9 are shown. The inner lead 4 electrically connected to the inner lead 4, the outer lead 2 electrically connected to the external conductive pattern and extending from the inner lead 4, and the tie bar 7 connecting the inner lead 4 with a predetermined space therebetween are predetermined. The shape is stamped by a progressive die apparatus, and a plurality of dimples 6 are further processed on the back surface side of the pad 5.
【0012】まず、所定形状への加工を終えたリードフ
レーム1のパッド5を熱処理し、インナーリード4やア
ウターリード2など、パッド5以外の領域よりも低い硬
度とした後、パッド5に対して図4に示すようにディン
プル加工を行う。First, the pad 5 of the lead frame 1 which has been processed into a predetermined shape is heat-treated to have a hardness lower than that of a region other than the pad 5 such as the inner lead 4 and the outer lead 2, and then the pad 5 is removed. Dimple processing is performed as shown in FIG.
【0013】所定形状への加工の際、最も外力の影響を
受けやすいインナーリード4については、その先端の加
工を行わずに、相互に連結された状態もしくはパッド5
の周縁に接続されたままの状態にしておき、ディンプル
加工と同時にインナーリード4の先端の連結状態を解放
することで変形を防止することもできる。The inner leads 4, which are most susceptible to external force during processing into a predetermined shape, are connected to each other or the pad 5 without processing the tips thereof.
It is also possible to prevent deformation by leaving the connection with the peripheral edge of the inner lead 4 and releasing the connected state of the tips of the inner leads 4 simultaneously with the dimple processing.
【0014】ここでは、パッド5の熱処理工程の後にデ
ィンプル加工を行う方法について説明したが、これに限
定されるものではなく、順送り金型装置内にディンプル
加工ステーションを設けておくことによって形状加工と
同時にディプレス加工も行い、その後熱処理することも
可能であり、これによってスタンピング加工回数の低減
が実現可能となる。Here, the method of performing the dimple processing after the heat treatment step of the pad 5 has been described, but the present invention is not limited to this, and the dimple processing station is provided in the progressive die apparatus to perform the shape processing. It is also possible to perform depressing at the same time and then perform heat treatment, which makes it possible to reduce the number of stamping processes.
【0015】図2はディンプル加工用パンチ11の要部
を示すもので、複数の四角錐状の突起12を具備してお
り、またディンプル6の深さは、このディンプル加工用
パンチの突出量を調整することによって容易に変更が可
能である。FIG. 2 shows an essential part of the dimple-processing punch 11, which is provided with a plurality of quadrangular pyramid-shaped projections 12, and the depth of the dimple 6 depends on the protrusion amount of the dimple-processing punch. It can be easily changed by adjusting.
【0016】このようにして完成したリードフレーム1
のアウターリード2やインナーリード4は、熱処理によ
る硬度低下操作が行われていないため、機械的強度が保
たれ、インナーリード4においては、ボンディング性へ
の悪影響がなく、アウターリード2においてはバネ性に
悪影響がない。The lead frame 1 thus completed
Since the outer lead 2 and the inner lead 4 are not subjected to the hardness lowering operation by the heat treatment, the mechanical strength is maintained, the inner lead 4 has no adverse effect on the bonding property, and the outer lead 2 has the spring property. There is no adverse effect on.
【0017】リードフレーム1のパッド5には半導体チ
ップ9がAgペースト等により固着され、半導体チップ
9とインナーリード4の先端がAuやAl等のボンディ
ングワイヤ8によって電気的に接続された後、インナー
リード4や半導体チップ9等が樹脂封止されて、図3に
示すような半導体装置となり、さらにパッケージ10か
ら導出されたアウターリード2がJ字状やガルウイング
状に折り曲げ成形されて完成する。A semiconductor chip 9 is fixed to the pad 5 of the lead frame 1 with Ag paste or the like, and the semiconductor chip 9 and the tips of the inner leads 4 are electrically connected by a bonding wire 8 such as Au or Al. The leads 4, the semiconductor chip 9 and the like are resin-sealed to form a semiconductor device as shown in FIG. 3, and the outer leads 2 led out from the package 10 are bent and formed in a J shape or a gull wing shape to be completed.
【0018】なお、実施例ではディンプル6を縦横に規
則的に配列したものについて説明したが、これに限定さ
れるものではなく、ディンプル6を不規則に配置したも
のであってもよい。Although the dimples 6 are regularly arranged in the vertical and horizontal directions in the embodiment, the present invention is not limited to this, and the dimples 6 may be arranged irregularly.
【0019】[0019]
【発明の効果】以上説明したように、本願発明によれば
ディンプル6の深さを深くすることができるため、パッ
ケージサイズに対するパッドサイズが大きくなっても、
充分な密着性を得ることができ、耐湿性が向上すること
によって、パッケージクラックも防止される。As described above, according to the present invention, since the depth of the dimple 6 can be increased, even if the pad size with respect to the package size increases,
Since sufficient adhesion can be obtained and the moisture resistance is improved, package cracks are also prevented.
【0020】さらに、パッド5のみの硬度を低下させる
ことにより、所定硬度を必要とするインナーリード4や
アウターリード2の機械的強度は維持できるため、ワイ
ヤボンディング性やアウターリードのバネ性に悪影響を
与えることもない。Further, since the mechanical strength of the inner lead 4 and the outer lead 2 which requires a predetermined hardness can be maintained by decreasing the hardness of only the pad 5, the wire bonding property and the spring property of the outer lead are adversely affected. Not even give.
【図1】本願発明に係るリードフレームの外観図FIG. 1 is an external view of a lead frame according to the present invention.
【図2】ディンプル加工用パンチの要部概略図FIG. 2 is a schematic view of a main part of a dimple processing punch.
【図3】半導体装置の内部を示す要部概略図FIG. 3 is a schematic view of a main part showing the inside of a semiconductor device.
【図4】本願発明の実施例におけるディンプル加工状態
を示す概念図FIG. 4 is a conceptual diagram showing a dimple processing state in the embodiment of the present invention.
1 リードフレーム 2 アウターリード 3 サポートバー 4 インナーリード 5 パッド 6 ディンプル 7 タイバー 8 ボンディングワイヤ 9 半導体チップ 10 パッケージ 11 ディンプル加工用パンチ 12 突起 1 Lead Frame 2 Outer Lead 3 Support Bar 4 Inner Lead 5 Pad 6 Dimple 7 Tie Bar 8 Bonding Wire 9 Semiconductor Chip 10 Package 11 Dimple Punch 12 Protrusion
Claims (3)
と、当該パッドから所定距離離間して放射状に配置され
た複数のインナーリードと、当該インナーリードから延
設されるアウターリードを具備したリードフレームにお
いて、前記パッドの裏面側に複数のディンプルが散在す
るとともに、前記パッドの硬度がその他の部分よりも低
いことを特徴とするリードフレーム。1. A lead frame comprising a pad for mounting a semiconductor chip, a plurality of inner leads radially arranged at a predetermined distance from the pad, and an outer lead extending from the inner lead. A lead frame, wherein a plurality of dimples are scattered on the back surface side of the pad, and the hardness of the pad is lower than that of other portions.
と、当該パッドから所定距離離間して放射状に配置され
た複数のインナーリードと、当該インナーリードから延
設されるアウターリードを具備したリードフレームをス
タンピング加工によって製造する方法において、所定形
状にプレス成形されたリードフレームの前記パッドを熱
処理した後、前記パッドの裏面側に複数のディンプルが
散在するようスタンピング加工することを特徴とするリ
ードフレームの製造方法。2. A lead frame comprising a pad for mounting a semiconductor chip, a plurality of inner leads radially arranged at a predetermined distance from the pad, and an outer lead extending from the inner lead. In a method of manufacturing by a stamping process, the pad of a lead frame press-molded into a predetermined shape is heat treated, and then a stamping process is performed so that a plurality of dimples are scattered on the back surface side of the pad. Method.
と、当該パッドから所定距離離間して放射状に配置され
た複数のインナーリードと、当該インナーリードから延
設されるアウターリードを具備したリードフレームをス
タンピング加工によって製造する方法において、所定形
状にプレス成形されたリードフレームの前記パッドの裏
面側に、複数のディンプルが散在するようスタンピング
加工し、前記パッドを熱処理することを特徴とするリー
ドフレームの製造方法。3. A lead frame comprising a pad for mounting a semiconductor chip, a plurality of inner leads radially arranged at a predetermined distance from the pad, and an outer lead extending from the inner lead. In a method of manufacturing by a stamping process, a lead frame is press-molded into a predetermined shape, the back surface side of the pad is stamped so that a plurality of dimples are scattered, and the pad is heat-treated. Method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6272873A JPH08111496A (en) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | Lead frame and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6272873A JPH08111496A (en) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | Lead frame and manufacturing method thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08111496A true JPH08111496A (en) | 1996-04-30 |
Family
ID=17519958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6272873A Pending JPH08111496A (en) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | Lead frame and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08111496A (en) |
-
1994
- 1994-10-11 JP JP6272873A patent/JPH08111496A/en active Pending
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