JPH08111496A - リ−ドフレ−ムとその製造方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ムとその製造方法Info
- Publication number
- JPH08111496A JPH08111496A JP6272873A JP27287394A JPH08111496A JP H08111496 A JPH08111496 A JP H08111496A JP 6272873 A JP6272873 A JP 6272873A JP 27287394 A JP27287394 A JP 27287394A JP H08111496 A JPH08111496 A JP H08111496A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- lead frame
- lead
- processing
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ディンプル加工に伴う加工歪みの発生を抑制
し、もしくは除去することでパッドの変形が防止し、さ
らにリードフレームの板厚の１／２程度の深さまでディ
ンプル加工することを可能とする。 【構成】 リードフレーム１をスタンピング加工によっ
て製造する方法において、所定形状にプレス成形された
リードフレームのパッド５を熱処理した後、パッド５の
裏面側に複数のディンプル６が散在するようスタンピン
グ加工する。
し、もしくは除去することでパッドの変形が防止し、さ
らにリードフレームの板厚の１／２程度の深さまでディ
ンプル加工することを可能とする。 【構成】 リードフレーム１をスタンピング加工によっ
て製造する方法において、所定形状にプレス成形された
リードフレームのパッド５を熱処理した後、パッド５の
裏面側に複数のディンプル６が散在するようスタンピン
グ加工する。
Description
【０００１】
【産業状の利用分野】本願発明は、半導体装置の組立に
用いられるリードフレームに関し、さらに詳しくは半導
体チップを搭載するためのパッドの裏面側に複数のディ
ンプルを設けたリードフレームとその製造方法に関す
る。
用いられるリードフレームに関し、さらに詳しくは半導
体チップを搭載するためのパッドの裏面側に複数のディ
ンプルを設けたリードフレームとその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来技術】半導体装置に使用されるパッケージは、セ
ラミック封止タイプと樹脂封止タイプに大別されるが、
製造コストの安い樹脂封止タイプのものが多用されてい
る。
ラミック封止タイプと樹脂封止タイプに大別されるが、
製造コストの安い樹脂封止タイプのものが多用されてい
る。
【０００３】リードフレーム１のパッド５には半導体チ
ップ９がＡｇペースト等により固着され、半導体チップ
９とインナーリード４の先端がＡｕやＡｌ等のボンディ
ングワイヤ８によって電気的に接続された後、インナー
リード４や半導体チップ９等が樹脂封止されて、図３に
示すような半導体装置となり、さらにパッケージ１０か
ら導出されたアウターリード２がＪ字状やガルウイング
状に折り曲げ成形されて完成する。
ップ９がＡｇペースト等により固着され、半導体チップ
９とインナーリード４の先端がＡｕやＡｌ等のボンディ
ングワイヤ８によって電気的に接続された後、インナー
リード４や半導体チップ９等が樹脂封止されて、図３に
示すような半導体装置となり、さらにパッケージ１０か
ら導出されたアウターリード２がＪ字状やガルウイング
状に折り曲げ成形されて完成する。
【０００４】近年、半導体チップ９の高集積化とパッケ
ージサイズの小型化に伴い、パッケージサイズに対する
半導体チップ９およびこれを搭載するためのパッド５の
占有面積が増大しており、パッド５とパッケージングの
ための樹脂との密着性が悪いことにも起因して、パッケ
ージ１０のクラックが問題視されるようになった。
ージサイズの小型化に伴い、パッケージサイズに対する
半導体チップ９およびこれを搭載するためのパッド５の
占有面積が増大しており、パッド５とパッケージングの
ための樹脂との密着性が悪いことにも起因して、パッケ
ージ１０のクラックが問題視されるようになった。
【０００５】これを解決するために、半導体チップ９を
搭載すべきパッド５の裏面側に複数のディンプル６を散
在させ、樹脂との密着性を向上させる方法が提案され多
用されている。
搭載すべきパッド５の裏面側に複数のディンプル６を散
在させ、樹脂との密着性を向上させる方法が提案され多
用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ここで、リードフレー
ムの製造効率を考慮すれば、スタンピング加工法によっ
てリードフレーム１の成形を行う場合、パツド５の裏面
側のディンプル６を形成する手段として、図２に示すデ
ィンプル加工用パンチ１１を具備した金型装置を使用す
ることにより、一貫したスタンピング作業によって所望
形状のリードフレーム１を得ることができるが、スタン
ピング加工法によるディンプル６の形成は、パッド５や
サポートバー３に対し、大きな加工歪みを与えることと
なり、寸法精度の低下を招来するため、ディンプル６の
深さはせいぜいリードフレーム材料板厚の１／４から１
／３が限界と考えられていた。
ムの製造効率を考慮すれば、スタンピング加工法によっ
てリードフレーム１の成形を行う場合、パツド５の裏面
側のディンプル６を形成する手段として、図２に示すデ
ィンプル加工用パンチ１１を具備した金型装置を使用す
ることにより、一貫したスタンピング作業によって所望
形状のリードフレーム１を得ることができるが、スタン
ピング加工法によるディンプル６の形成は、パッド５や
サポートバー３に対し、大きな加工歪みを与えることと
なり、寸法精度の低下を招来するため、ディンプル６の
深さはせいぜいリードフレーム材料板厚の１／４から１
／３が限界と考えられていた。
【０００７】そのため、形状加工をスタンピング法にて
行い、ディンプル加工だけをエッチング加工法によって
行うことがなされていたが、加工工程の増加と製造コス
トの上昇につながり、有効な対策とはなっていなかっ
た。
行い、ディンプル加工だけをエッチング加工法によって
行うことがなされていたが、加工工程の増加と製造コス
トの上昇につながり、有効な対策とはなっていなかっ
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願発明は、パッド５の
裏面側に複数のディンプル６を散在させたリードフレー
ムとその製造方法に係り、特にスタンピング加工によっ
て製造する方法において、所定形状にプレス成形された
リードフレーム１のパッド５を熱処理した後、パッド５
の裏面側に複数のディンプル６が散在するようスタンピ
ング加工することを特徴とするリードフレームの製造方
法を提供するものである。
裏面側に複数のディンプル６を散在させたリードフレー
ムとその製造方法に係り、特にスタンピング加工によっ
て製造する方法において、所定形状にプレス成形された
リードフレーム１のパッド５を熱処理した後、パッド５
の裏面側に複数のディンプル６が散在するようスタンピ
ング加工することを特徴とするリードフレームの製造方
法を提供するものである。
【０００９】
【作用】本願発明によれば、パッド５の裏面側にディン
プル加工を行う工程の前あるいは後において、パッド５
の硬度を熱処理により低下させることにより、ディンプ
ル加工に伴う加工歪みの発生を抑制し、もしくは除去す
ることで、パッドの変形が防止されるばかりでなく、リ
ードフレーム１の板厚の１／２程度の深さまでディンプ
ル加工することが可能となる。
プル加工を行う工程の前あるいは後において、パッド５
の硬度を熱処理により低下させることにより、ディンプ
ル加工に伴う加工歪みの発生を抑制し、もしくは除去す
ることで、パッドの変形が防止されるばかりでなく、リ
ードフレーム１の板厚の１／２程度の深さまでディンプ
ル加工することが可能となる。
【００１０】
【実施例】図面に基づき本願発明の実施例について詳細
に説明する。
に説明する。
【００１１】図１は本願発明に係るリードフレーム１の
外観を示す図であり、半導体チップ９を搭載するための
パッド５、パッド５を外枠に接続支持するためのサポー
トバー３、半導体チップ９と電気的に接続されるインナ
ーリード４、外部の導電パターンと電気的に接続されイ
ンナーリード４から延在するアウターリード２、インナ
ーリード４の相互間を所定間隔をおいて連結するタイバ
ー７が所定形状に順送り金型装置によってスタンピング
加工され、さらにパッド５の裏面側には複数のディンプ
ル６が加工されている。
外観を示す図であり、半導体チップ９を搭載するための
パッド５、パッド５を外枠に接続支持するためのサポー
トバー３、半導体チップ９と電気的に接続されるインナ
ーリード４、外部の導電パターンと電気的に接続されイ
ンナーリード４から延在するアウターリード２、インナ
ーリード４の相互間を所定間隔をおいて連結するタイバ
ー７が所定形状に順送り金型装置によってスタンピング
加工され、さらにパッド５の裏面側には複数のディンプ
ル６が加工されている。
【００１２】まず、所定形状への加工を終えたリードフ
レーム１のパッド５を熱処理し、インナーリード４やア
ウターリード２など、パッド５以外の領域よりも低い硬
度とした後、パッド５に対して図４に示すようにディン
プル加工を行う。
レーム１のパッド５を熱処理し、インナーリード４やア
ウターリード２など、パッド５以外の領域よりも低い硬
度とした後、パッド５に対して図４に示すようにディン
プル加工を行う。
【００１３】所定形状への加工の際、最も外力の影響を
受けやすいインナーリード４については、その先端の加
工を行わずに、相互に連結された状態もしくはパッド５
の周縁に接続されたままの状態にしておき、ディンプル
加工と同時にインナーリード４の先端の連結状態を解放
することで変形を防止することもできる。
受けやすいインナーリード４については、その先端の加
工を行わずに、相互に連結された状態もしくはパッド５
の周縁に接続されたままの状態にしておき、ディンプル
加工と同時にインナーリード４の先端の連結状態を解放
することで変形を防止することもできる。
【００１４】ここでは、パッド５の熱処理工程の後にデ
ィンプル加工を行う方法について説明したが、これに限
定されるものではなく、順送り金型装置内にディンプル
加工ステーションを設けておくことによって形状加工と
同時にディプレス加工も行い、その後熱処理することも
可能であり、これによってスタンピング加工回数の低減
が実現可能となる。
ィンプル加工を行う方法について説明したが、これに限
定されるものではなく、順送り金型装置内にディンプル
加工ステーションを設けておくことによって形状加工と
同時にディプレス加工も行い、その後熱処理することも
可能であり、これによってスタンピング加工回数の低減
が実現可能となる。
【００１５】図２はディンプル加工用パンチ１１の要部
を示すもので、複数の四角錐状の突起１２を具備してお
り、またディンプル６の深さは、このディンプル加工用
パンチの突出量を調整することによって容易に変更が可
能である。
を示すもので、複数の四角錐状の突起１２を具備してお
り、またディンプル６の深さは、このディンプル加工用
パンチの突出量を調整することによって容易に変更が可
能である。
【００１６】このようにして完成したリードフレーム１
のアウターリード２やインナーリード４は、熱処理によ
る硬度低下操作が行われていないため、機械的強度が保
たれ、インナーリード４においては、ボンディング性へ
の悪影響がなく、アウターリード２においてはバネ性に
悪影響がない。
のアウターリード２やインナーリード４は、熱処理によ
る硬度低下操作が行われていないため、機械的強度が保
たれ、インナーリード４においては、ボンディング性へ
の悪影響がなく、アウターリード２においてはバネ性に
悪影響がない。
【００１７】リードフレーム１のパッド５には半導体チ
ップ９がＡｇペースト等により固着され、半導体チップ
９とインナーリード４の先端がＡｕやＡｌ等のボンディ
ングワイヤ８によって電気的に接続された後、インナー
リード４や半導体チップ９等が樹脂封止されて、図３に
示すような半導体装置となり、さらにパッケージ１０か
ら導出されたアウターリード２がＪ字状やガルウイング
状に折り曲げ成形されて完成する。
ップ９がＡｇペースト等により固着され、半導体チップ
９とインナーリード４の先端がＡｕやＡｌ等のボンディ
ングワイヤ８によって電気的に接続された後、インナー
リード４や半導体チップ９等が樹脂封止されて、図３に
示すような半導体装置となり、さらにパッケージ１０か
ら導出されたアウターリード２がＪ字状やガルウイング
状に折り曲げ成形されて完成する。
【００１８】なお、実施例ではディンプル６を縦横に規
則的に配列したものについて説明したが、これに限定さ
れるものではなく、ディンプル６を不規則に配置したも
のであってもよい。
則的に配列したものについて説明したが、これに限定さ
れるものではなく、ディンプル６を不規則に配置したも
のであってもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本願発明によれば
ディンプル６の深さを深くすることができるため、パッ
ケージサイズに対するパッドサイズが大きくなっても、
充分な密着性を得ることができ、耐湿性が向上すること
によって、パッケージクラックも防止される。
ディンプル６の深さを深くすることができるため、パッ
ケージサイズに対するパッドサイズが大きくなっても、
充分な密着性を得ることができ、耐湿性が向上すること
によって、パッケージクラックも防止される。
【００２０】さらに、パッド５のみの硬度を低下させる
ことにより、所定硬度を必要とするインナーリード４や
アウターリード２の機械的強度は維持できるため、ワイ
ヤボンディング性やアウターリードのバネ性に悪影響を
与えることもない。
ことにより、所定硬度を必要とするインナーリード４や
アウターリード２の機械的強度は維持できるため、ワイ
ヤボンディング性やアウターリードのバネ性に悪影響を
与えることもない。
【図１】本願発明に係るリードフレームの外観図
【図２】ディンプル加工用パンチの要部概略図
【図３】半導体装置の内部を示す要部概略図
【図４】本願発明の実施例におけるディンプル加工状態
を示す概念図
を示す概念図
１ リードフレーム ２ アウターリード ３ サポートバー ４ インナーリード ５ パッド ６ ディンプル ７ タイバー ８ ボンディングワイヤ ９ 半導体チップ １０ パッケージ １１ ディンプル加工用パンチ １２ 突起
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体チップを搭載するためのパッド
と、当該パッドから所定距離離間して放射状に配置され
た複数のインナーリードと、当該インナーリードから延
設されるアウターリードを具備したリードフレームにお
いて、前記パッドの裏面側に複数のディンプルが散在す
るとともに、前記パッドの硬度がその他の部分よりも低
いことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 半導体チップを搭載するためのパッド
と、当該パッドから所定距離離間して放射状に配置され
た複数のインナーリードと、当該インナーリードから延
設されるアウターリードを具備したリードフレームをス
タンピング加工によって製造する方法において、所定形
状にプレス成形されたリードフレームの前記パッドを熱
処理した後、前記パッドの裏面側に複数のディンプルが
散在するようスタンピング加工することを特徴とするリ
ードフレームの製造方法。 - 【請求項３】 半導体チップを搭載するためのパッド
と、当該パッドから所定距離離間して放射状に配置され
た複数のインナーリードと、当該インナーリードから延
設されるアウターリードを具備したリードフレームをス
タンピング加工によって製造する方法において、所定形
状にプレス成形されたリードフレームの前記パッドの裏
面側に、複数のディンプルが散在するようスタンピング
加工し、前記パッドを熱処理することを特徴とするリー
ドフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6272873A JPH08111496A (ja) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | リ−ドフレ−ムとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6272873A JPH08111496A (ja) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | リ−ドフレ−ムとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08111496A true JPH08111496A (ja) | 1996-04-30 |
Family
ID=17519958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6272873A Pending JPH08111496A (ja) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | リ−ドフレ−ムとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08111496A (ja) |
-
1994
- 1994-10-11 JP JP6272873A patent/JPH08111496A/ja active Pending
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