JPH08114701A - 赤外反射防止膜 - Google Patents

赤外反射防止膜

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JPH08114701A
JPH08114701A JP6249127A JP24912794A JPH08114701A JP H08114701 A JPH08114701 A JP H08114701A JP 6249127 A JP6249127 A JP 6249127A JP 24912794 A JP24912794 A JP 24912794A JP H08114701 A JPH08114701 A JP H08114701A
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mgf
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 赤外光学用基板に形成された赤外反射防止膜
において、基板から数えて第１層目に中間屈折率のＳｉ
Ｏ、第２層目に高屈折率物質、第３層目に中間屈折率の
ＳｉＯ、第４層目に低屈折率物質を積層したことを特徴
とする赤外反射防止膜。 【効果】 中間屈折率物質としてＳｉＯを用いているた
め、従来のＺｎＳを用いた赤外反射防止膜よりも膜全体
の耐摩耗性が大きい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、赤外線領域の光学部材
として用いられる赤外反射防止膜に関する。
【従来技術】従来から、赤外光を用いた光学機器の開発
が盛んに行われており、特に８〜１４μｍの領域の赤外
光の利用が注目されている。これに伴い、この領域の赤
外光に有効な赤外反射防止膜が種々考案されている。例
えば、Ｇｅ基板にＺｎＳ、Ｇｅ、ＺｎＳ、ＢａＦ2 、Ｚ
ｎＳのそれぞれの膜を形成してなる赤外反射防止膜（特
公平２−１１１２１号公報）、あるいはＧｅ基板にＺｎ
Ｓ又はＺｎＳｅ、Ｇｅ、ＺｎＳ、ＢａＦ2 のそれぞれの
膜を形成してなる赤外反射防止膜（特公平２−１３７６
１号公報）等が知られている。しかしながら、これらの
従来の赤外反射防止膜は、耐摩耗性が低い。これは、中
間屈折率層を構成するＺｎＳ又はＺｎＳｅの物性に起因
するものである。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、赤外光に対する反射特性を劣化させることなく、耐
摩耗性に優れた赤外域反射防止膜を提供することであ
る。
【０００３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、赤外光学用基板に形成された赤外反射防
止膜において、基板から数えて第１層目に中間屈折率の
ＳｉＯ、第２層目に高屈折率物質、第３層目に中間屈折
率のＳｉＯ、第４層目に低屈折率物質を積層したことを
特徴とする。本発明の好ましい実施態様は、基板から数
えて第２層目に高屈折率のＧｅ膜、第４層目に低屈折率
のＭｇＦ2 またはＭｇＦ2 混合層を積層した上記赤外反
射防止膜である。基板としては、Ｇｅ、Ｓｉ、ＺｎＳ及
びＺｎＳｅからなる群から選ばれるものが好ましい。
【０００４】本発明の更に好ましい実施態様は、Ｇｅ基
板に形成された赤外反射防止膜において、基板から数え
て第１層目に中間屈折率のＳｉＯ、第２層目に高屈折率
のＧｅ、第３層目に中間屈折率のＳｉＯ、第４層目に低
屈折率のＭｇＦ2 またはＭｇＦ2 混合層を積層したこと
を特徴とする赤外反射防止膜である。ここで、第１層〜
第４層の各層の各光学膜厚が、各層の屈折率をｎ1 、ｎ
2 、ｎ3 、ｎ4 、設計基準波長をλ0 とするとき、 ０．２０λ0 ≦４ｎ1 ｄ1 ≦０．５０λ0 ０．３０λ0 ≦４ｎ2 ｄ2 ≦０．７０λ0 ０．６０λ0 ≦４ｎ3 ｄ3 ≦１．４０λ0 ０．７０λ0 ≦４ｎ4 ｄ4 ≦１．５０λ0 であることがさらに好ましい。また、Ｇｅ基板と第１層
の間にＡｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｔｉ2 Ｏ3 、ＴｉＯ及び
ＴｉＯ2 からなる群から選択された密着力強化層を光学
膜厚３００ｎｍ以下の大きさで設けることにより、赤外
光を反射させる光学特性を劣化させることなく、密着性
も向上させることができる。
【０００５】本発明の他の好ましい実施態様は、Ｓｉ基
板に形成された赤外反射防止膜において、基板から数え
て第１層目に中間屈折率のＳｉＯ、第２層目に高屈折率
のＧｅ、第３層目に中間屈折率のＳｉＯ、第４層目に低
屈折率のＭｇＦ2 またはＭｇＦ2 混合層を積層したこと
を特徴とする赤外反射防止膜である。ここで、第１層〜
第４層の各層の各光学膜厚が、各層の屈折率をｎ1 、ｎ
2 、ｎ3 、ｎ4 、設計基準波長をλ0 とするとき、 ０．２０λ0 ≦４ｎ1 ｄ1 ≦０．５０λ0 ０．２０λ0 ≦４ｎ2 ｄ2 ≦０．４５λ0 ０．４０λ0 ≦４ｎ3 ｄ3 ≦１．２０λ0 ０．７０λ0 ≦４ｎ4 ｄ4 ≦１．４０λ0 であることがさらに好ましい。また、Ｓｉ基板と第１層
の間にＡｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｔｉ2 Ｏ3 、ＴｉＯ及び
ＴｉＯ2 からなる群から選択された密着力強化層を光学
膜厚３００ｎｍ以下の大きさで設けることにより、赤外
光を反射させる光学特性を劣化させることなく、密着性
も向上させることができる。
【０００６】本発明の他の好ましい実施態様は、ＺｎＳ
基板に形成された赤外反射防止膜において、基板から数
えて第１層目に中間屈折率のＳｉＯ、第２層目に高屈折
率のＧｅ、第３層目に中間屈折率のＳｉＯ、第４層目に
低屈折率のＭｇＦ2 またはＭｇＦ2 混合層を積層したこ
とを特徴とする赤外反射防止膜である。ここで、第１層
〜第４層の各層の各光学膜厚が、各層の屈折率をｎ1 、
ｎ2 、ｎ3 、ｎ4 、設計基準波長をλ0 とするとき、 ０．２０λ0 ≦４ｎ1 ｄ1 ≦０．９０λ0 ０．０１λ0 ≦４ｎ2 ｄ2 ≦０．１５λ0 ０．０５λ0 ≦４ｎ3 ｄ3 ≦１．００λ0 ０．７０λ0 ≦４ｎ4 ｄ4 ≦１．３０λ0 であることがさらに好ましい。また、ＺｎＳ基板と第１
層の間にＡｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｔｉ2 Ｏ3 、ＴｉＯ及
びＴｉＯ2 からなる群から選択された密着力強化層を光
学膜厚３００ｎｍ以下の大きさで設けることにより、赤
外光を反射させる光学特性を劣化させることなく、密着
性も向上させることができる。
【０００７】本発明のさらに他の好ましい実施態様は、
ＺｎＳｅ基板に形成された赤外反射防止膜において、基
板から数えて第１層目に中間屈折率のＳｉＯ、第２層目
に高屈折率のＧｅ、第３層目に中間屈折率のＳｉＯ、第
４層目に低屈折率のＭｇＦ2またはＭｇＦ2 混合層を積
層したことを特徴とする赤外反射防止膜である。ここ
で、第１層〜第４層の各層の各光学膜厚が、各層の屈折
率をｎ1 、ｎ2 、ｎ3 、ｎ4 、設計基準波長をλ0 とす
るとき、 ０．２５λ0 ≦４ｎ1 ｄ1 ≦０．７５λ0 ０．０２λ0 ≦４ｎ2 ｄ2 ≦０．１５λ0 ０．０５λ0 ≦４ｎ3 ｄ3 ≦１．２０λ0 ０．７０λ0 ≦４ｎ4 ｄ4 ≦１．３０λ0 であることがさらに好ましい。また、ＺｎＳｅ基板と第
１層の間にＡｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｔｉ2 Ｏ3 、ＴｉＯ
及びＴｉＯ2 からなる群から選択された密着力強化層を
光学膜厚３００ｎｍ以下の大きさで設けることにより、
赤外光を反射させる光学特性を劣化させることなく、密
着性も向上させることができる。
【０００８】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。 実施例１ａ 基 板 Ｇｅ 第１層 ＳｉＯ 光学膜厚 ０．３４λ0 第２層 Ｇｅ 〃 ０．４６λ0 第３層 ＳｉＯ 〃 １．１０λ0 第４層 ＭｇＦ2 〃 １．００λ0 又はＭｇＦ2 混合層 なお、基準となる波長λ0 は２．５μｍである。
【０００９】実施例１ｂ この実施例は、実施例１ａにおいて、Ｇｅ基板と第１層
の間にＴｉ2 Ｏ3 からなる密着力強化層を光学膜厚２０
０ｎｍの大きさで設けたものである。 基 板 Ｇｅ 第１層 Ｔｉ2 Ｏ3 光学膜厚 ２００ｎｍ 第２層 ＳｉＯ 〃 ０．３４λ0 第３層 Ｇｅ 〃 ０．４６λ0 第４層 ＳｉＯ 〃 １．１０λ0 第５層 ＭｇＦ2 〃 １．００λ0 又はＭｇＦ2 混合層 なお、基準となる波長λ0 は２．５μｍである。実施例
１ｂに係る赤外反射防止膜の赤外光に対する反射特性を
図１に示す。
【００１０】実施例２ａ 基 板 Ｓｉ 第１層 ＳｉＯ 光学膜厚 ０．３６λ0 第２層 Ｇｅ 〃 ０．２９λ0 第３層 ＳｉＯ 〃 ０．８８λ0 第４層 ＭｇＦ2 〃 １．００λ0 又はＭｇＦ2 混合層 なお、基準となる波長λ0 は２．８μｍである。
【００１１】実施例２ｂ この実施例は、実施例２ａにおいて、Ｓｉ基板と第１層
の間にＴｉ2 Ｏ3 からなる密着力強化層を光学膜厚２０
０ｎｍの大きさで設けたものである。 基 板 Ｓｉ 第１層 Ｔｉ2 Ｏ3 光学膜厚 ２００ｎｍ 第２層 ＳｉＯ 〃 ０．３６λ0 第３層 Ｇｅ 〃 ０．２９λ0 第４層 ＳｉＯ 〃 ０．８８λ0 第５層 ＭｇＦ2 〃 １．００λ0 又はＭｇＦ2 混合層 なお、基準となる波長λ0 は２．８μｍである。実施例
２ｂに係る赤外反射防止膜の赤外光に対する反射特性を
図２に示す。
【００１２】実施例３ａ 基 板 ＺｎＳ 第１層 ＳｉＯ 光学膜厚 ０．５４λ0 第２層 Ｇｅ 〃 ０．０５λ0 第３層 ＳｉＯ 〃 ０．２２λ0 第４層 ＭｇＦ2 〃 １．００λ0 又はＭｇＦ2 混合層 なお、基準となる波長λ0 は３．７μｍである。
【００１３】実施例３ｂ この実施例は、実施例３ａにおいて、ＺｎＳ基板と第１
層の間にＴｉ2 Ｏ3 からなる密着力強化層を光学膜厚２
００ｎｍの大きさで設けたものである。 基 板 ＺｎＳ 第１層 Ｔｉ2 Ｏ3 光学膜厚 ２００ｎｍ 第２層 ＳｉＯ 〃 ０．５４λ0 第３層 Ｇｅ 〃 ０．０５λ0 第４層 ＳｉＯ 〃 ０．２２λ0 第５層 ＭｇＦ2 〃 １．００λ0 又はＭｇＦ2 混合層 なお、基準となる波長λ0 は３．７μｍである。実施例
３ｂに係る赤外反射防止膜の赤外光に対する反射特性を
図３に示す。
【００１４】実施例４ａ 基 板 ＺｎＳｅ 第１層 ＳｉＯ 光学膜厚 ０．４７λ0 第２層 Ｇｅ 〃 ０．０７λ0 第３層 ＳｉＯ 〃 ０．３２λ0 第４層 ＭｇＦ2 〃 １．００λ0 又はＭｇＦ2 混合層 なお、基準となる波長λ0 は３．７μｍである。また、
ＺｎＳｅ基板と第１層の間にＡｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｔ
ｉ2 Ｏ3 、ＴｉＯあるいはＴｉＯ2 からなる群から選択
された密着力強化層を光学膜厚３００ｎｍ以下の大きさ
で設けることにより、赤外光を反射させる光学特性を劣
化させることなく、密着性も向上させることができる。
【００１５】実施例４ｂ この実施例は、実施例４ａにおいて、ＺｎＳｅ基板と第
１層の間にＴｉ2 Ｏ3からなる密着力強化層を光学膜厚
２００ｎｍの大きさで設けたものである。 基 板 ＺｎＳｅ 第１層 Ｔｉ2 Ｏ3 光学膜厚 ２００ｎｍ 第２層 ＳｉＯ 〃 ０．４７λ0 第３層 Ｇｅ 〃 ０．０７λ0 第４層 ＳｉＯ 〃 ０．３２λ0 第５層 ＭｇＦ2 〃 １．００λ0 又はＭｇＦ2 混合層 なお、基準となる波長λ0 は３．７μｍである。実施例
４ｂに係る赤外反射防止膜の赤外光に対する反射特性を
図４に示す。
【００１６】比較例１ この比較例は実施例１ｂにおいて、第２層と第４層のＳ
ｉＯ中間屈折率層をＺｎＳ中間屈折率層に変えたもので
ある。 基 板 Ｇｅ 第１層 Ｔｉ2 Ｏ3 光学膜厚 ２００ｎｍ 第２層 ＺｎＳ 〃 ０．２１λ0 第３層 Ｇｅ 〃 ０．３３λ0 第４層 ＺｎＳ 〃 １．００λ0 第５層 ＭｇＦ2 〃 １．００λ0 又はＭｇＦ2 混合層 なお、基準となる波長λ0 は３．２μｍである。
【００１７】比較例２ この比較例は実施例２ｂにおいて、第２層と第４層のＳ
ｉＯ中間屈折率層をＺｎＳ中間屈折率層に変えたもので
ある。 基 板 Ｓｉ 第１層 Ｔｉ2 Ｏ3 光学膜厚 ２００ｎｍ 第２層 ＺｎＳ 〃 ０．２４λ0 第３層 Ｇｅ 〃 ０．３１λ0 第４層 ＺｎＳ 〃 １．１７λ0 第５層 ＭｇＦ2 〃 １．００λ0 又はＭｇＦ2 混合層 なお、基準となる波長λ0 は３．７μｍである。
【００１８】比較例３ この比較例は実施例３ｂにおいて、第２層と第４層のＳ
ｉＯ中間屈折率層をＺｎＳ中間屈折率層に変えたもので
ある。 基 板 ＺｎＳ 第１層 Ｔｉ2 Ｏ3 光学膜厚 ２００ｎｍ 第２層 ＺｎＳ 〃 ０．２０λ0 第３層 Ｇｅ 〃 ０．１０λ0 第４層 ＺｎＳ 〃 １．３９λ0 第５層 ＭｇＦ2 〃 １．００λ0 又はＭｇＦ2 混合層 なお、基準となる波長λ0 は３．９μｍである。
【００１９】比較例４ この比較例は実施例４ｂにおいて、第２層と第４層のＳ
ｉＯ中間屈折率層をＺｎＳ中間屈折率層に変えたもので
ある。 基 板 ＺｎＳｅ 第１層 Ｔｉ2 Ｏ3 光学膜厚 ２００ｎｍ 第２層 ＺｎＳ 〃 ０．２１λ0 第３層 Ｇｅ 〃 ０．１５λ0 第４層 ＺｎＳ 〃 １．３０λ0 第５層 ＭｇＦ2 〃 １．００λ0 又はＭｇＦ2 混合層 なお、基準となる波長λ0 は３．９μｍである。
【００２０】
【試験例】実施例１ｂ〜４ｂと比較例１〜４の赤外反射
防止膜について、下記の方法により、耐湿試験、耐
摩耗試験、密着強度試験を行い、耐久性を調べた。 耐湿試験（MIL-C-675C 4.5.8） 比較するそれぞれの赤外反射防止膜、例えば実施例１ｂ
と比較例１のものを、温度５０℃、湿度９５％の雰囲気
中に１０日間（２４０時間）放置する。 耐摩耗試験（MIL-C-675C 4.5.10) 荷重１０００ｇの消しゴムを用いて２０回繰り返して、
比較するそれぞれの赤外反射防止膜を擦る。 密着強度試験（MIL-C-675C 4.5.12) 比較するそれぞれの赤外反射防止膜にセロテープをしっ
かり貼り付け急激に剥がす。 なお、比較するそれぞれの赤外反射防止膜は、５枚ずつ
サンプルを作り、→→の順序で試験を行った。結
果を以下に示す。
【００２１】
【表１】耐湿試験 耐摩耗試験 密着強度試験 実施例 １ｂ 異常なし 異常なし 異常なし ２ｂ 異常なし 異常なし 異常なし ３ｂ 異常なし 異常なし 異常なし ４ｂ 異常なし 異常なし 異常なし 比較例 １ 異常なし 傷発生１枚 膜剥離発生２枚 ２ 異常なし 傷発生１枚 膜剥離発生１枚 ３ 膜剥離発生２枚 傷発生２枚（３枚中） 膜剥離発生１枚（３枚中） ４ 膜剥離発生３枚 傷発生２枚（２枚中） 膜剥離発生１枚（２枚中）
【００２２】ここで、耐湿試験で膜剥離が発生したも
のについては、その後の耐久試験を中断したため、比較
例３の耐摩耗試験、密着強度試験には３枚の赤外反
射防止膜を用い、比較例４の耐摩耗試験、密着強度
試験には２枚の赤外反射防止膜を用いた。以上の試験結
果から、中間屈折率物質としてＳｉＯを用いることによ
り、従来の中間屈折率物質ＺｎＳを用いた赤外反射防止
膜よりも膜全体の耐摩耗性、密着性を向上させることが
できることがわかる。また、Ｇｅ基板およびＳｉ基板の
赤外反射防止膜において、複数の中間屈折率物質ＳｉＯ
層を用いることにより多層反射防止膜を形成することも
できる。
【００２３】実施例５ 基 板 Ｇｅ 第１層 Ｔｉ2 Ｏ3 光学膜厚 ２００ｎｍ 第２層 Ｇｅ 〃 ０．２０λ0 第３層 ＳｉＯ 〃 ０．３６λ0 第４層 Ｇｅ 〃 ０．４１λ0 第５層 ＳｉＯ 〃 ０．９５λ0 第６層 ＭｇＦ2 〃 １．００λ0 又はＭｇＦ2 混合層 なお、基準となる波長λ0 は２．６μｍである。また実
施例５に係る赤外反射防止膜の赤外光に対する反射特性
を図５に示す。
【００２４】実施例６ 基 板 Ｓｉ 第１層 Ｔｉ2 Ｏ3 光学膜厚 ２００ｎｍ 第２層 Ｇｅ 〃 ０．２０λ0 第３層 ＳｉＯ 〃 ０．４３λ0 第４層 Ｇｅ 〃 ０．３６λ0 第５層 ＳｉＯ 〃 １．０５λ0 第６層 ＭｇＦ2 〃 １．００λ0 又はＭｇＦ2 混合層 なお、基準となる波長λ0 は２．５μｍである。また実
施例６に係る赤外反射防止膜の赤外光に対する反射特性
を図６に示す。
【００２５】
【発明の効果】本発明では中間屈折率物質としてＳｉＯ
を用いているため、従来の中間屈折率物質ＺｎＳを用い
た赤外反射防止膜よりも膜全体の耐摩耗性が大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ｇｅ基板に中間屈折率物質としてＳｉＯを積層
した実施例１ｂの赤外反射防止膜の光学的特性を示す図
である。
【図２】Ｓｉ基板に中間屈折率物質としてＳｉＯを積層
した実施例２ｂの赤外反射防止膜の光学的特性を示す図
である。
【図３】ＺｎＳ基板に中間屈折率物質としてＳｉＯを積
層した実施例３ｂの赤外反射防止膜の光学的特性を示す
図である。
【図４】ＺｎＳｅ基板に中間屈折率物質としてＳｉＯを
積層した実施例４ｂの赤外反射防止膜の光学的特性を示
す図である。
【図５】Ｇｅ基板に中間屈折率物質としてＳｉＯを積層
して多層膜を形成した実施例５の赤外反射防止膜の光学
的特性を示す図である。
【図６】Ｓｉ基板に中間屈折率物質としてＳｉＯを積層
して多層膜を形成した実施例６の赤外反射防止膜の光学
的特性を示す図である。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 赤外光学用基板に形成された赤外反射防
    止膜において、基板から数えて第１層目に中間屈折率の
    ＳｉＯ、第２層目に高屈折率物質、第３層目に中間屈折
    率のＳｉＯ、第４層目に低屈折率物質を積層したことを
    特徴とする赤外反射防止膜。
  2. 【請求項２】 基板から数えて第２層目に高屈折率のＧ
    ｅ膜、第４層目に低屈折率のＭｇＦ2 またはＭｇＦ2 混
    合層を積層したことを特徴とする請求項１記載の赤外反
    射防止膜。
  3. 【請求項３】 基板がＧｅ、Ｓｉ、ＺｎＳ及びＺｎＳｅ
    からなる群から選ばれる請求項１または請求項２記載の
    赤外反射防止膜。
  4. 【請求項４】 Ｇｅ基板に形成された赤外反射防止膜に
    おいて、基板から数えて第１層目に中間屈折率のＳｉ
    Ｏ、第２層目に高屈折率のＧｅ、第３層目に中間屈折率
    のＳｉＯ、第４層目に低屈折率のＭｇＦ2 またはＭｇＦ
    2 混合層を積層したことを特徴とする赤外反射防止膜。
  5. 【請求項５】 第１層〜第４層の各層の各光学膜厚が、
    各層の屈折率をｎ1、ｎ2 、ｎ3 、ｎ4 、設計基準波長
    をλ0 とするとき、 ０．２０λ0 ≦４ｎ1 ｄ1 ≦０．５０λ0 ０．３０λ0 ≦４ｎ2 ｄ2 ≦０．７０λ0 ０．６０λ0 ≦４ｎ3 ｄ3 ≦１．４０λ0 ０．７０λ0 ≦４ｎ4 ｄ4 ≦１．５０λ0 である請求項４記載の赤外反射防止膜。
  6. 【請求項６】 Ｓｉ基板に形成された赤外反射防止膜に
    おいて、基板から数えて第１層目に中間屈折率のＳｉ
    Ｏ、第２層目に高屈折率のＧｅ、第３層目に中間屈折率
    のＳｉＯ、第４層目に低屈折率のＭｇＦ2 またはＭｇＦ
    2 混合層を積層したことを特徴とする赤外反射防止膜。
  7. 【請求項７】 第１層〜第４層の各層の各光学膜厚が、
    各層の屈折率をｎ1、ｎ2 、ｎ3 、ｎ4 、設計基準波長
    をλ0 とするとき、 ０．２０λ0 ≦４ｎ1 ｄ1 ≦０．５０λ0 ０．２０λ0 ≦４ｎ2 ｄ2 ≦０．４５λ0 ０．４０λ0 ≦４ｎ3 ｄ3 ≦１．２０λ0 ０．７０λ0 ≦４ｎ4 ｄ4 ≦１．４０λ0 である請求項６記載の赤外反射防止膜。
  8. 【請求項８】 ＺｎＳ基板に形成された赤外反射防止膜
    において、基板から数えて第１層目に中間屈折率のＳｉ
    Ｏ、第２層目に高屈折率のＧｅ、第３層目に中間屈折率
    のＳｉＯ、第４層目に低屈折率のＭｇＦ2 またはＭｇＦ
    2 混合層を積層したことを特徴とする赤外反射防止膜。
  9. 【請求項９】 第１層〜第４層の各層の各光学膜厚が、
    各層の屈折率をｎ1、ｎ2 、ｎ3 、ｎ4 、設計基準波長
    をλ0 とするとき、 ０．２０λ0 ≦４ｎ1 ｄ1 ≦０．９０λ0 ０．０１λ0 ≦４ｎ2 ｄ2 ≦０．１５λ0 ０．０５λ0 ≦４ｎ3 ｄ3 ≦１．００λ0 ０．７０λ0 ≦４ｎ4 ｄ4 ≦１．３０λ0 である請求項８記載の赤外反射防止膜。
  10. 【請求項１０】 ＺｎＳｅ基板に形成された赤外反射防
    止膜において、基板から数えて第１層目に中間屈折率の
    ＳｉＯ、第２層目に高屈折率のＧｅ、第３層目に中間屈
    折率のＳｉＯ、第４層目に低屈折率のＭｇＦ2 またはＭ
    ｇＦ2 混合層を積層したことを特徴とする赤外反射防止
    膜。
  11. 【請求項１１】 第１層〜第４層の各層の各光学膜厚
    が、各層の屈折率をｎ 1 、ｎ2 、ｎ3 、ｎ4 、設計基準
    波長をλ0 とするとき、 ０．２５λ0 ≦４ｎ1 ｄ1 ≦０．７５λ0 ０．０２λ0 ≦４ｎ2 ｄ2 ≦０．１５λ0 ０．０５λ0 ≦４ｎ3 ｄ3 ≦１．２０λ0 ０．７０λ0 ≦４ｎ4 ｄ4 ≦１．３０λ0 である請求項１０記載の赤外反射防止膜。
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