JPS63281102A - 非偏光ビ−ムスプリッタ - Google Patents
非偏光ビ−ムスプリッタInfo
- Publication number
- JPS63281102A JPS63281102A JP11763087A JP11763087A JPS63281102A JP S63281102 A JPS63281102 A JP S63281102A JP 11763087 A JP11763087 A JP 11763087A JP 11763087 A JP11763087 A JP 11763087A JP S63281102 A JPS63281102 A JP S63281102A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- refractive index
- beam splitter
- polarizing beam
- prism
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ａ、技術分野
本発明は、例えば光デイスク装置の信号検出用光学系な
どに用いられる、近赤外域において、Ｐ偏光、Ｓ偏光の
反射率と透過率が約０．１０１０．９０の非偏光ビーム
スプリッタに関するものである。
どに用いられる、近赤外域において、Ｐ偏光、Ｓ偏光の
反射率と透過率が約０．１０１０．９０の非偏光ビーム
スプリッタに関するものである。
ｂ、従来技術およびその問題点
従来、この種のビームスプリッタは、主に銀（Ａｇ）等
の金属膜を誘電体で挾んだものが用いられていたが、吸
収によるエネルギー損失とか、耐久性が悪い等といった
問題があった。
の金属膜を誘電体で挾んだものが用いられていたが、吸
収によるエネルギー損失とか、耐久性が悪い等といった
問題があった。
また、一般的に誘電体のみで構成されたコートは、エネ
ルギー損失もなく耐久性も良いが、実用上用いられる２
、４以下の屈折率を持つ２種類のコーテイング物質を用
いたビームスプリッタでは。
ルギー損失もなく耐久性も良いが、実用上用いられる２
、４以下の屈折率を持つ２種類のコーテイング物質を用
いたビームスプリッタでは。
非偏光性が悪いものであった。
第８図は、誘電体のみのコートを用いたビームスプリッ
タの分光特性を示す図であり、Ｒ５とＴＳはＳ偏光の反
射率と透過率を示し、ＲＰとＴＰはＰ偏光の反射率と透
過率を示している。この分光特性図から明らかなように
、誘電体のみのコートを用いたビームスプリッタでは、
偏光によって反射率、透過率が異なってしまうものであ
った。
タの分光特性を示す図であり、Ｒ５とＴＳはＳ偏光の反
射率と透過率を示し、ＲＰとＴＰはＰ偏光の反射率と透
過率を示している。この分光特性図から明らかなように
、誘電体のみのコートを用いたビームスプリッタでは、
偏光によって反射率、透過率が異なってしまうものであ
った。
Ｃ０目的
本発明は１以上の点に鑑みなされたものであり、実用上
用いられる２、４以下の屈折率を持つ３種類以上のコー
テイング物質を用いることによって。
用いられる２、４以下の屈折率を持つ３種類以上のコー
テイング物質を用いることによって。
反射率と透過率の比率が０．０４１０．９６〜０．１３
１０．８７程度の、即ちＰ偏光とＳ偏光のそれぞれの反
射率。
１０．８７程度の、即ちＰ偏光とＳ偏光のそれぞれの反
射率。
透過率が余り異ならない（はぼ一致している）非偏光ビ
ームスプリッタを提供しようとするものである。
ームスプリッタを提供しようとするものである。
ｄ、実施例の構成
本発明の非偏光ビームスプリッタは、第２図に示°すよ
うに。
うに。
屈折率ＮＳの透明な第１直角プリズム１の斜面に多層膜
２を施すと共に、前記第１直角プリズムと実質的に等し
い第２直角プリズム３を接着剤４で前記第１直角プリズ
ムの斜面に接合して、なり。
２を施すと共に、前記第１直角プリズムと実質的に等し
い第２直角プリズム３を接着剤４で前記第１直角プリズ
ムの斜面に接合して、なり。
前記多層膜２は、第１図に示すように、プリズム１側よ
り第１ｙＩＩ乃至第７層からなり、第１層。
り第１ｙＩＩ乃至第７層からなり、第１層。
第７層は高屈折率物質（屈折率ＮＨ） 、第２層。
第４層、第６層は中屈折率物質（屈折率ＮＭ）、第３層
、第５層は低屈折率物質（屈折率ＮＬ）よりなる７層膜
で構成されており、前記各物質の屈折率は ＮＬ＝１．３８． Ｎ、〜１．６３５の時、１．９９＜
ＮＨ＜３．１０ＮＬ＝１．３８． Ｎ、〜２．３３の
時、１ 、５０ ＜ Ｎ Ｍ ＜ ２ 、０５Ｎ、〜１
．６３５． Ｎ、〜２．３３の時、 １．１５＜ ＮＬ
＜１．４４であることを特徴とし、また中屈折率物質の
光学的膜厚は基準設計波長をλ０としたとき０．３６λ
０〜０．５６λ。であることを特徴とする。
、第５層は低屈折率物質（屈折率ＮＬ）よりなる７層膜
で構成されており、前記各物質の屈折率は ＮＬ＝１．３８． Ｎ、〜１．６３５の時、１．９９＜
ＮＨ＜３．１０ＮＬ＝１．３８． Ｎ、〜２．３３の
時、１ 、５０ ＜ Ｎ Ｍ ＜ ２ 、０５Ｎ、〜１
．６３５． Ｎ、〜２．３３の時、 １．１５＜ ＮＬ
＜１．４４であることを特徴とし、また中屈折率物質の
光学的膜厚は基準設計波長をλ０としたとき０．３６λ
０〜０．５６λ。であることを特徴とする。
以下、基準設計波長λ。を７８Ｇ、１．とじた時の具体
的な実施例のデータを示す、ここでＨは高屈折率物質９
Ｍは中屈折率物質、Ｌは低屈折率物質を示し、カッコ内
は具体的な物質である。またＲ７・Ｏは７８０ｒ１．に
おける屈折率、ｎｄ、、。は７８０ｎ、における光学的
膜厚を示す。
的な実施例のデータを示す、ここでＨは高屈折率物質９
Ｍは中屈折率物質、Ｌは低屈折率物質を示し、カッコ内
は具体的な物質である。またＲ７・Ｏは７８０ｒ１．に
おける屈折率、ｎｄ、、。は７８０ｎ、における光学的
膜厚を示す。
〔実施例１〕
反射率／透過率＝０．０４７０．９６
物質 ｎｖｓａ ｎ ｄ７ｓ。
プリズム （Ｂ Ｋ ７）
第１層 Ｈ（ＺｎＳ） ２．３２７ ０．０９
１λ。
１λ。
第２層 Ｍ （Ａｔ、０３） ｔ、６３５ ０．
５４６λ。
５４６λ。
第３層 Ｌ （ＭｇＦｚ） １．３８０ ０．
１５４λ。
１５４λ。
第４層 Ｍ（＾１，０．） １．６３５ ０．５
５７λ。
５７λ。
第５層 Ｌ （ＭｇＦｓ） １−３８０ ０−１
５４λ。
５４λ。
第６層 Ｍ （Ａｌ、Ｏ，） １．６３５ ０．
５４６λ。
５４６λ。
第７層 Ｈ（ＺｎＳ） ２．３２７ ０．０９
１λ。
１λ。
プリズム （Ｂ Ｋ ７）
〔実施例２〕
反射率／透過率＝０．１０１０．９０
物質 ｎｔｓ。 ｎｄ、、。
プリズム （ＢＫ７）
第１層 Ｈ（ＺｎＳ） ２．３２７ ０．１６
２λ。
２λ。
第２層 Ｍ （Ａｌ□Ｏ，） １．６３５ ０
．４２９λ。
．４２９λ。
第３層 Ｌ （ＭｇＦｔ） １．３８０ ０．
２８６λ。
２８６λ。
第４層 Ｍ （Ａ１２０．） １．６３５ ０
．４７６λ。
．４７６λ。
第５層 Ｌ （ＭｇＦ、） １．３８０ ０．２
８６λ。
８６λ。
第６Ｍ Ｍ （Ａｌ、Ｏ，） １．６３５ ０
．４２９λ。
．４２９λ。
第７層 Ｈ（ＺｎＳ） ２．３２７ ０．１
６２λ。
６２λ。
プリズム （Ｂ Ｋ ７）
〔実施例３〕
反射率／透過率＝０．１３１０．８７
物ｆｆ ｎ７＠Ｏｎｄ、、。
プリズム （Ｂ Ｋ ７）
第１層 Ｈ（ＺｎＳ） ２．３２７ ０．２０
３λ。
３λ。
第２層 Ｍ （ＡＩ、０３） １．６３５ ０．
３７５λ６第３層 Ｌ （ＭｇＦＰ） １−３８
０ ０−３９１λ。
３７５λ６第３層 Ｌ （ＭｇＦＰ） １−３８
０ ０−３９１λ。
第４層 Ｍ （ＡＩ、０．） １．６３５ ０．
３５３λ。
３５３λ。
第５層 Ｌ （ＭｇＦｚ） ｌ−３８００−３９
１λ。
１λ。
第６層 Ｍ （Ａｌ□Ｏ，） １．６３５ ０．
３７５λ。
３７５λ。
第７層 Ｈ（ＺｎＳ） ２．３２７ ０．２０
３λ。
３λ。
プリズム （ＢＫ７）
〔実施例４〕
反射率／透過率＝０．０６５１０．９３５物質
ｎ？＠＋１ ｎｄ、ＩＯプリズム （Ｂ Ｋ ７） 第１層 Ｈ（ＺｎＳ） ２．３２７ ０．１３
７λ。
ｎ？＠＋１ ｎｄ、ＩＯプリズム （Ｂ Ｋ ７） 第１層 Ｈ（ＺｎＳ） ２．３２７ ０．１３
７λ。
第２層 Ｍ（Ａ１□ｏ、） １，６３５ ０．
４４４λ。
４４４λ。
第３層 Ｌ （ｓ、ｏ、） １．４２ ０．３
４０λ。
４０λ。
第４層 Ｍ （Ａ１．Ｏ，） １．６３５ ０．
３８５λ。
３８５λ。
第５層 Ｌ （ｓｔｏ、） １．４２ ０．３
４０λ。
４０λ。
第６層 Ｍ （Ａｌ□Ｏ，） １，６３５ ０．
４４４λ。
４４４λ。
第７層 Ｈ（ＺｎＳ） ２．３２７ ０．３４
０λ。
０λ。
プリズム （Ｂ Ｋ ７）
〔実施例５〕
反射率／透過率＝０．０６１０．９４
物質 ｎ７■ｎｄｔｓａ
プリズム （Ｂ Ｋ ７）
第１層 Ｈ（Ｔ翫０□”） ２．０ｇ ０．
２４４λ。
２４４λ。
第２層 Ｍ （Ａｌ、０．） １．６３５ ０．
３９３λ。
３９３λ。
第３層 Ｌ （ＭｇＦｚ） １．３８ ０−２
７２λ。
７２λ。
第４層 Ｍ （Ａｌ、０．） １．６３５ ０．
４８２λ。
４８２λ。
第５層 Ｌ （ＭｇＦｔ） １−３８ ０−２
７２λ。
７２λ。
第６層 Ｍ （Ａ１２０．） １．６３５ ０．
３９３λ。
３９３λ。
第７層 Ｈ（７，０□） ２，０８ ０．２４
４λ。
４λ。
プリズム （ＢＫ７）
尚、上記実施例１〜５の分光反射率９分光透過率を表わ
す特性図を、それぞれ第３〜７図に示した。
す特性図を、それぞれ第３〜７図に示した。
００作用
本発明は、上述のような特徴を有してなるものであるが
、前記ＮＨ＊ ＮＭｔ ＮＬがそれぞれ、Ｎ ｏ ＜１
．９９． ＮＭ＜１．５０．１．４４＜ ＮＬの場合に
は、Ｐ偏光の反射率がＳ偏光の反射率より低くなり、膜
厚等を調整しても、これを一致させることができず、逆
に３．１０＜ ＮＨ，２，０５＜ ＮＭ、 ＮＬ＜１．
１５の場合には、基準波長から波長が変動した時の分光
反射率の変化が、波長が長波長側に変動した時と短波長
側に変動した時とで異なるので、製造しにくくなるとい
う問題が生じ、望ましくない。
、前記ＮＨ＊ ＮＭｔ ＮＬがそれぞれ、Ｎ ｏ ＜１
．９９． ＮＭ＜１．５０．１．４４＜ ＮＬの場合に
は、Ｐ偏光の反射率がＳ偏光の反射率より低くなり、膜
厚等を調整しても、これを一致させることができず、逆
に３．１０＜ ＮＨ，２，０５＜ ＮＭ、 ＮＬ＜１．
１５の場合には、基準波長から波長が変動した時の分光
反射率の変化が、波長が長波長側に変動した時と短波長
側に変動した時とで異なるので、製造しにくくなるとい
う問題が生じ、望ましくない。
また、中屈折率物質の光学的膜厚が、０．３６λ。
以下の場合や、 ０．５６λ。以上の場合、非偏光性が
悪くなったり、前記同様１分光反射率の変化が基準波長
から長波長側と短波長側とで異なってしまうため、製造
しにくくなってしまう。
悪くなったり、前記同様１分光反射率の変化が基準波長
から長波長側と短波長側とで異なってしまうため、製造
しにくくなってしまう。
ｆ、効果
以上説明したように、本発明によれば、多層膜を７層で
構成すると共に、各物質の屈折率ＮＨ９ＮＭ、ＮＬを、
それぞれ上記の範囲内にあるよにしたため、第３〜７図
の特性図から明らかなように、Ｐ偏光、Ｓ偏光のそれぞ
れの反射率、透過率は波長の変動によらず、はぼ一致し
た非偏光ビームスプリッタが提供できるものである。
構成すると共に、各物質の屈折率ＮＨ９ＮＭ、ＮＬを、
それぞれ上記の範囲内にあるよにしたため、第３〜７図
の特性図から明らかなように、Ｐ偏光、Ｓ偏光のそれぞ
れの反射率、透過率は波長の変動によらず、はぼ一致し
た非偏光ビームスプリッタが提供できるものである。
また、中屈折率物質の光学的膜厚を０．３６λ０〜０．
５６λ。とすれば、他の物質の膜厚を良好にコントロー
ルすることが可能となる。
５６λ。とすれば、他の物質の膜厚を良好にコントロー
ルすることが可能となる。
第１図は本発明によるコーティング（膜）の構成図であ
る。 第２図は本発明の非偏光ビームスプリッタの説明図であ
る。 第３．４，５，６．７図はそれぞれ本発明の実施例１，
２，３，４．５における分光反射率と分光透過率を示す
特性図である。 第８図は誘電体のみのコートを用いたビームスプリッタ
の分光特性図である。 １：第１直角プリズム ２：多層膜３：第２直角プ
リズム ４：接着剤 Ｔｓ＝Ｓ偏光による分光透過率 Ｔｐ＝Ｐ偏先による分光透過率 Ｒ８＝Ｓ偏光による分光反射率 ＲＰ＝Ｐ偏光による分光反射率 特許出願人 旭光学工業株式会社 車 １ 図
る。 第２図は本発明の非偏光ビームスプリッタの説明図であ
る。 第３．４，５，６．７図はそれぞれ本発明の実施例１，
２，３，４．５における分光反射率と分光透過率を示す
特性図である。 第８図は誘電体のみのコートを用いたビームスプリッタ
の分光特性図である。 １：第１直角プリズム ２：多層膜３：第２直角プ
リズム ４：接着剤 Ｔｓ＝Ｓ偏光による分光透過率 Ｔｐ＝Ｐ偏先による分光透過率 Ｒ８＝Ｓ偏光による分光反射率 ＲＰ＝Ｐ偏光による分光反射率 特許出願人 旭光学工業株式会社 車 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 屈折率Ｎ＿Ｓの透明な第１直角プリズムの斜面に多
層膜を施すと共に、前記第１直角プリズムと実質的に等
しい第２直角プリズムを接着剤で前記第１直角プリズム
の斜面に接合してなるビームスプリッタにおいて、 前記多層膜はプリズム側より第１層乃至第７層からなり
、第１層、第７層は高屈折率物質（屈折率Ｎ＿Ｈ）、第
２層、第４層、第６層は中屈折率物質（屈折率Ｎ＿Ｍ）
、第３層、第５層は低屈折率物質（屈折率Ｎ＿Ｌ）より
なる７層膜で構成され、Ｎ＿Ｌ＝１．３８、Ｎ＿Ｍ＝１
．６３５の時、１．９９＜Ｎ＿Ｈ＜３．１０Ｎ＿Ｌ＝１
．３８、Ｎ＿Ｈ＝２．３３の時、１．５０＜Ｎ＿Ｍ＜２
．０５Ｎ＿Ｍ＝１．６３５、Ｎ＿Ｈ＝２．３３の時、１
．１５＜Ｎ＿Ｌ＜１．４４であることを特徴とする非偏
光ビームスプリッタ。 ２ 基準設計波長をλ＿０とした時中屈折率物質の光学
的膜厚が０．３６λ＿０〜０．５６λ＿０であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の非偏光ビームス
プリッタ。 ３ 高屈折率物質が硫化亜鉛（ＺｎＳ）、酸化チタニウ
ム（ＴｉＯ＿２）の何れかであり、 中屈折率物質が酸化アルミニウム（Ａｌ＿２Ｏ＿３）で
あり、 低屈折率物質がフッ化マグネシウム（ＭｇＦ＿２）、二
酸化ケイ素（ＳｉＯ＿２）の何れかであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項または第２項記載の非偏光ビ
ームスプリッタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11763087A JPS63281102A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 非偏光ビ−ムスプリッタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11763087A JPS63281102A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 非偏光ビ−ムスプリッタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63281102A true JPS63281102A (ja) | 1988-11-17 |
Family
ID=14716474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11763087A Pending JPS63281102A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 非偏光ビ−ムスプリッタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63281102A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006079058A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-03-23 | Canon Inc | 偏光分離素子及びそれを有する投影装置 |
| JP2010185916A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ビームスプリット膜及びそれを用いたビームスプリッタ |
| CN110749950A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-02-04 | 沈阳仪表科学研究院有限公司 | 一种折射率匹配的消偏振膜系 |
-
1987
- 1987-05-14 JP JP11763087A patent/JPS63281102A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006079058A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-03-23 | Canon Inc | 偏光分離素子及びそれを有する投影装置 |
| JP2010185916A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ビームスプリット膜及びそれを用いたビームスプリッタ |
| CN110749950A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-02-04 | 沈阳仪表科学研究院有限公司 | 一种折射率匹配的消偏振膜系 |
| CN110749950B (zh) * | 2019-11-29 | 2021-11-12 | 沈阳仪表科学研究院有限公司 | 一种折射率匹配的消偏振膜系 |
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