JPH08115897A - 半導体ウエハに付着した異物の除去用粘着テ―プと除去方法 - Google Patents

半導体ウエハに付着した異物の除去用粘着テ―プと除去方法

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JPH08115897A
JPH08115897A JP27600794A JP27600794A JPH08115897A JP H08115897 A JPH08115897 A JP H08115897A JP 27600794 A JP27600794 A JP 27600794A JP 27600794 A JP27600794 A JP 27600794A JP H08115897 A JPH08115897 A JP H08115897A
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semiconductor wafer
adhesive tape
adhesive
adhesive layer
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JP27600794A
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Yasu Chikada
縁 近田
Kazuyuki Miki
和幸 三木
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0028Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by adhesive surfaces

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  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 粘着テ―プを用いたドライ洗浄方式におい
て、糊残りによるウエハ汚染の問題を生じることなく、
半導体ウエハ上の異物を効率良く除去する。 【構成】 異物除去用粘着テ―プ1として、支持フイル
ム11上に、引張弾性率(試験法JIS K 7127に準ずる)
が10〜1,000Kg/cm2 である粘着剤層12を設け
てなるものを使用し、この粘着テ―プ1を半導体ウエハ
2の表面2aおよび/または裏面2bに貼り付けたの
ち、剥離操作して、半導体ウエハ2の表面2aおよび/
または裏面2bに付着する異物3を粘着剤層12面に吸
着させて半導体ウエハ2から除去する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造プロセスに
おける洗浄工程に適用される、半導体ウエハに付着した
異物の除去用粘着テ―プと除去方法に関する。
【0002】
【従来の技術】LSIの高密度化、高集積化、また回路
の多様化が進むにつれて、半導体ウエハに存在する塵
埃、金属不純物などの異物(パ―テイクル)が製品の歩
留り、製品の信頼性に大きく影響するようになつてき
た。たとえば、半導体ウエハの表面(回路パタ―ン形成
面)に存在する異物は、回路形成時に回路の断線やシヨ
―トの原因となる。また、半導体ウエハの裏面(回路パ
タ―ン面の反対面)に存在する異物は、回路形成時の露
光工程で焦点を狂わす原因となり、また隣接するウエハ
の表面に転写して回路の断線やシヨ―トの原因となる。
【0003】このため、LSIの製造工程では、製造工
程内の清浄度のレベルアツプ、ウエハ洗浄技術のレベル
アツプに努めており、さまざまな清浄化技術が提案さ
れ、実施されてきた。とくに、洗浄工程は全工程の約3
0%を占めており、歩留りや信頼性アツプのキ―ポイン
トである。しかし、最近のLSIの高密度化、高集積化
に伴い、従来のウエハ洗浄方法の問題が顕在化してき
た。
【0004】ウエハ洗浄方法には、ウエツト洗浄(超純
水、薬液などによる)と、ドライ洗浄(UVオゾン、O
2 プラズマなど)があり、一般にはウエツト洗浄がその
汎用性、経済性のバランスのよさから頻繁に適用され
る。ウエツト洗浄の問題点は、洗浄によりウエハから除
去された異物のウエハへの再付着であり、とくにウエハ
裏面に付着している異物は著しい汚染源となる。また、
ウエツト洗浄は乾燥工程を必要とするため、乾燥工程で
のウエハ汚染の問題が同様に存在する。
【0005】ウエツト洗浄の短所を補う洗浄方法とし
て、洗浄方法のドライ化(UVオゾン、O2 プラズマな
ど)が進んでおり、異物の再付着の低減、乾燥工程の省
略などの利点を活かしているが、ドライ洗浄は異物に対
して十分な除去能力を示さず、多量の汚染物の除去に適
していないことがわかつてきた。
【0006】別の試みとして、特開昭48−35771
号公報、特開昭53−92665号公報、特開平1−1
35574号公報などには、粘着テ―プを用い、半導体
ウエハの表面に付着した異物を上記テ―プの粘着剤層面
に吸着させて除去する方法が提案されている。この方法
は、一種のドライ洗浄といえるので、ウエツト洗浄にお
ける異物の再付着の問題や乾燥工程での汚染の問題を回
避することができ、しかもUVオゾン、O2 プラズマな
どの他のドライ洗浄に比べ、異物の除去能力をより高め
られるものと期待されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記提案の
方法では、粘着テ―プを半導体ウエハ上に貼り付けて剥
離する際に、糊残りによるウエハ汚染の問題を生じやす
く、この回避のため、硬くて低粘着力の粘着テ―プを用
いると、異物の吸着効果が著しく低減する結果、異物の
除去率が期待したほどに上がらなかつた。
【0008】本発明は、このような事情に鑑み、ウエツ
ト洗浄方式に比べて有用な粘着テ―プを用いたドライ洗
浄方式において、特定の粘着テ―プを用いることによつ
て、糊残りによるウエハ汚染の問題をきたすことなく、
半導体ウエハ上の異物を高い除去率で除去することを目
的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的に対して、鋭意検討した結果、粘着テ―プとして、粘
着剤層の引張弾性率を特定範囲に規定したものを用いる
ことにより、糊残りによるウエハ汚染の問題をきたすこ
となく、半導体ウエハ上の異物を効率よく除去できるこ
とを見い出し、本発明を完成するに至つた。
【0010】すなわち、本発明は、第一に、上記特定の
粘着テ―プとして、支持フイルム上に引張弾性率(試験
法JIS K 7127に準ずる)が10〜1,000Kg/cm2
粘着剤層を設けてなる半導体ウエハに付着した異物の除
去用粘着テ―プを提供するものである。またとくに、上
記の引張弾性率が15〜500Kg/cm2 の範囲にある上
記除去用粘着テ―プを提供するものである。
【0011】また、第二に、半導体ウエハの表面および
/または裏面に、上記構成の粘着テ―プを貼り付けたの
ち、剥離操作して、半導体ウエハの表面および/または
裏面に付着する異物を粘着剤層面に吸着させて半導体ウ
エハから除去することを特徴とする半導体ウエハに付着
した異物の除去方法を提供するものである。
【0012】
【発明の構成・作用】図1は、本発明の異物除去用粘着
テ―プの一例を示したものである。1は粘着テ―プで、
支持フイルム11上に粘着剤層12を設け、この粘着剤
層12上にさらにセパレ―タ13を設けた構成となつて
いる。
【0013】支持フイルム11は、ポリプロピレン、ポ
リエステル、ポリカ―ボネ―ト、ポリエチレン、エチレ
ン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリレ―
ト共重合体、エチレン−プロピレン共重合体、ポリ塩化
ビニルなどのプラスチツクからなる、厚さが通常10〜
1,000μmのフイルムである。
【0014】粘着剤層12は、この支持フイルム11上
に、アクリル樹脂系、シリコ―ン樹脂系、フツ素樹脂
系、ゴム系(天然ゴム、合成ゴム)などの常態下で粘着
力を有する種々の粘着剤を塗着し、加熱などにより架橋
処理することにより、また離型紙上に上記と同じ方法で
形成した粘着剤層を支持フイルム11上に貼着すること
により、形成される。厚さは、通常5〜100μmであ
る。
【0015】この粘着剤層12は、引張弾性率(試験法
JIS K 7127に準ずる、以下同じ)が10〜1,000Kg
/cm2 、好ましくは15〜500Kg/cm2 、さらに好ま
しくは100〜300Kg/cm2 の範囲に設定されてい
る。架橋剤の含量により架橋の程度を調整することなど
により、上記設定は容易に行える。アクリル樹脂系の粘
着剤を用いると、上記設定がとくに容易であり、好まし
い。上記の引張弾性率を有する粘着剤層12の粘着力
は、JIS Z−0237に準じて測定されるシリコン
ウエハに対する180度引き剥がし粘着力(常温、剥離
速度300mm/分)が通常50〜500g/20mm幅と
なる程度である。
【0016】セパレ―タ13は、粘着テ―プ1の保管時
や流通時などでの汚染防止の点から、半導体ウエハに貼
り付けるまでの間、粘着剤層12の表面を保護するため
のもので、上記貼り付け使用時に剥離除去される。この
セパレ―タ13は、通常、紙(無塵紙)、プラスチツク
フイルム、金属箔などからなる柔軟な薄葉体で、必要に
より剥離剤で表面処理して離型性を付与したものが用い
られる。
【0017】本発明においては、上記構成の粘着テ―プ
を用いて、半導体ウエハに付着した異物を除去する。こ
の方法は、まず、図2に示すように、粘着テ―プ1をそ
の粘着剤層12面が内側となるように半導体ウエハ2の
表面2aおよび/または裏面2bの全面に貼り付ける。
これは、たとえば、ハンドロ―ラにて押圧したのち、数
分程度放置するといつた方法で行えばよい。ここで、粘
着テ―プ1は、粘着剤層12の引張弾性率が10〜1,
000Kg/cm2 の範囲にあるため、上記ハンドロ―ラに
よる押圧でこの層12が適度に塑性変形する結果、半導
体ウエハ2の異物3に対し十分に馴染ませることができ
る。
【0018】このような貼り付け後、図2に示すよう
に、粘着テ―プ1の端部より引き剥がす、剥離操作を施
すと、半導体ウエハ2上の付着異物3は粘着剤層12面
に吸着されて、上記ウエハ2より除去される。その際、
粘着剤層12の引張弾性率が上記範囲にあつて、この層
12が適度な強度および凝集力を示す結果、異物3の吸
着効果がより良く発揮され、また糊残りによるウエハ汚
染の問題を引き起こすこともない。このため、一般に
は、0.2μm以上の大きさの異物を50%以上、好ま
しくは70%以上除去できるほどの高い除去率が得られ
る。
【0019】このように、本発明では、粘着剤層12の
引張弾性率を上記特定の範囲に設定したことにより、貼
り付け時の粘着剤層12と異物3との馴染みが良くな
り、しかもこの層12が適度な強度と凝集力を示すた
め、異物3の吸着効果が増大し、またウエハ汚染の問題
も回避されるという顕著な効果が奏される。これに対
し、粘着剤層12の引張弾性率が10Kg/cm2 未満とな
ると、この層12の強度と凝集力が不十分で、異物3の
吸着効果が低下し、ウエハ汚染の問題も大きくなる。ま
た、上記引張弾性率が1,000Kg/cm2 を超えると、
粘着剤層12が塑性変形しにくく、粘着力も低くなり、
異物除去率がやはり低下する。
【0020】このような貼り付けおよび剥離操作によ
り、半導体ウエハ上の異物を高い除去率で洗浄除去する
と、回路形成時の回路の断線やシヨ―ト、露光不良発生
が低減し、半導体デバイスの歩留りや信頼性が大きく向
上する。また、地球環境保全の立場からみて、従来のウ
エツト洗浄やドライ洗浄のような純水、薬品、空気、電
力などを大量に消費する洗浄方式を、上記本発明の方式
に置き換えることで、地球環境保全に大きく寄与させる
こともできる。
【0021】
【発明の効果】本発明の異物除去用粘着テ―プとその除
去方法によれば、糊残りによるウエハの汚染という問題
をきたすことなく、半導体ウエハ上の異物を高い除去率
で除去でき、半導体デバイスの歩留りや信頼性の向上に
寄与できる。また、従来の他の洗浄方式などに比べて、
地球環境保全の面での寄与効果も得られる。
【0022】
【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。なお、以下において、部とあるのは重
量部を意味する。
【0023】実施例1 厚さ50μmのポリエステル支持フイルムのコロナ処理
面に、アクリル系樹脂100部とイソシアネ―ト系架橋
剤1部とからなるアクリル系粘着剤の溶液を塗布して、
120℃で3分間加熱架橋処理し、厚さ20μmの粘着
剤層を有する粘着テ―プを作製した。この粘着テ―プの
シリコンウエハ(ミラ―面)に対する粘着力は、JIS
Z−0237に準じて測定される180度引き剥がし
粘着力(常温、剥離速度300mm/分)で450g/2
0mm幅であつた。また、上記粘着剤層の引張弾性率は、
15Kg/cm2 であつた。
【0024】なお、粘着剤層の引張弾性率は、以下の方
法で測定した。すなわち、厚さ50μmの離型処理を施
したポリエステルフイルムの処理面に、上記と同じアク
リル系粘着剤の溶液を塗布して、120℃で3分間加熱
架橋処理し、厚さ20μmの粘着剤層を形成した。つぎ
に、これをダンベル型に加工し、剥離処理を施したポリ
エステルフイルムと粘着剤層とを分離したのち、JIS K
7127に準じて、粘着剤層のみの引張弾性率を測定した。
以下の実施例および比較例でも、これと同様の方法で測
定したものである。
【0025】つぎに、0.2μm以上の大きさの異物が
0個である5インチシリコンウエハ(回路パタ―ンのな
いミラ―ウエハ)を所定の工程(イオン打ち込み処理工
程)に通して異物を付着させ、レ―ザ―表面検査装置
〔日立電子エンジニアリング(株)製のLS−500
0〕を用い、シリコンウエハのミラ―面に付着した0.
2μm以上の大きさの異物の数をカウントした。なお、
シリコンウエハの表裏に付着する異物をカウントするた
め、ミラ―面を表裏逆にした2通りの場合について同様
の検査を行つた。
【0026】異物洗浄試験として、上記のように異物を
付着させたシリコンウエハのミラ―面に、前記の方法で
作製した粘着テ―プを、ハンドロ―ラ(ゴム製弾性ロ―
ラ)を用いて貼り付け、貼り付け後3分間放置したの
ち、粘着テ―プを剥離操作して、洗浄した。この洗浄
後、再びレ―ザ―表面検査装置を用いて、ミラ―面に付
着している0.2μm以上の大きさの異物の数をカウン
トした。この貼り付けおよび剥離操作による洗浄後の異
物数と、洗浄前の異物数とから、シリコンウエハの表裏
両面側の異物除去率をそれぞれ算出した。
【0027】これとは別に、粘着剤汚染試験として、
0.2μm以上の大きさの異物が0個である5インチシ
リコンウエハ(回路パタ―ンのないミラ―ウエハ)のミ
ラ―面に、前記の方法で作製した粘着テ―プを、ハンド
ロ―ラを用いて貼り付け、貼り付け後3分間放置したの
ち、粘着テ―プを剥離操作した。この操作後、レ―ザ―
表面検査装置を用いて、ミラ―面に付着している0.2
μm以上の大きさの異物の数をカウントし、粘着剤によ
る汚染状況を調べた。
【0028】なお、上記の異物洗浄試験および粘着剤汚
染試験において、一連の作業は、クラス10のクリ―ン
ル―ム内(温度23℃、湿度60%)で行つた。これら
の結果は、後記の表1に示されるとおりであつた。
【0029】実施例2 粘着剤として、アクリル系樹脂100部とイソシアネ―
ト系架橋剤3部とからなるアクリル系粘着剤を用いた以
外は、実施例1と同様にして、厚さ20μmの粘着剤層
を有する粘着テ―プを作製した。このテ―プのシリコン
ウエハ(ミラ―面)に対する粘着力は、JIS Z−0
237に準じて測定される180度引き剥がし粘着力
(常温、剥離速度300mm/分)で310g/20mm幅
であつた。また、粘着剤層の引張弾性率は、50Kg/cm
2 であつた。このテ―プを用い、実施例1と同様にし
て、異物洗浄試験および粘着剤汚染試験を行つた。これ
らの試験結果は、後記の表1に示されるとおりであつ
た。
【0030】実施例3 粘着剤として、アクリル系樹脂100部とイソシアネ―
ト系架橋剤5部とからなるアクリル系粘着剤を用いた以
外は、実施例1と同様にして、厚さ20μmの粘着剤層
を有する粘着テ―プを作製した。このテ―プのシリコン
ウエハ(ミラ―面)に対する粘着力は、JIS Z−0
237に準じて測定される180度引き剥がし粘着力
(常温、剥離速度300mm/分)で170g/20mm幅
であつた。また、粘着剤層の引張弾性率は、184Kg/
cm2 であつた。このテ―プを用い、実施例1と同様にし
て、異物洗浄試験および粘着剤汚染試験を行つた。これ
らの試験結果は、後記の表1に示されるとおりであつ
た。
【0031】実施例4 粘着剤として、アクリル系樹脂100部とイソシアネ―
ト系架橋剤8部とからなるアクリル系粘着剤を用いた以
外は、実施例1と同様にして、厚さ20μmの粘着剤層
を有する粘着テ―プを作製した。このテ―プのシリコン
ウエハ(ミラ―面)に対する粘着力は、JIS Z−0
237に準じて測定される180度引き剥がし粘着力
(常温、剥離速度300mm/分)で85g/20mm幅で
あつた。また、粘着剤層の引張弾性率は、450Kg/cm
2 であつた。このテ―プを用い、実施例1と同様にし
て、異物洗浄試験および粘着剤汚染試験を行つた。これ
らの試験結果は、後記の表1に示されるとおりであつ
た。
【0032】比較例1 粘着剤として、アクリル系樹脂100部とイソシアネ―
ト系架橋剤0.5部とからなるアクリル系粘着剤を用い
た以外は、実施例1と同様にして、厚さ20μmの粘着
剤層を有する粘着テ―プを作製した。このテ―プのシリ
コンウエハ(ミラ―面)に対する粘着力は、JIS Z
−0237に準じて測定される180度引き剥がし粘着
力(常温、剥離速度300mm/分)で565g/20mm
幅であつた。また、粘着剤層の引張弾性率は、8Kg/cm
2 であつた。このテ―プを用い、実施例1と同様にし
て、異物洗浄試験および粘着剤汚染試験を行つた。これ
らの試験結果は、後記の表1に示されるとおりであつ
た。
【0033】比較例2 粘着剤として、アクリル系樹脂100部とイソシアネ―
ト系架橋剤10部とからなるアクリル系粘着剤を用いた
以外は、実施例1と同様にして、厚さ20μmの粘着剤
層を有する粘着テ―プを作製した。このテ―プのシリコ
ンウエハ(ミラ―面)に対する粘着力は、JIS Z−
0237に準じて測定される180度引き剥がし粘着力
(常温、剥離速度300mm/分)で50g/20mm幅で
あつた。また、粘着剤層の引張弾性率は、1,090Kg
/cm2 であつた。このテ―プを用い、実施例1と同様に
して、異物洗浄試験および粘着剤汚染試験を行つた。こ
れらの試験結果は、後記の表1に示されるとおりであつ
た。
【0034】
【表1】
【0035】
【表2】
【0036】上記の表1,表2の結果から明らかなよう
に、本発明の実施例1〜4の粘着テ―プによれば、粘着
剤によるウエハ汚染の問題を生じることなく、シリコン
ウエハの表面や裏面に付着した異物を70%以上もの高
い除去率で除去できるものであることがわかる。これに
対し、粘着剤層の引張弾性率が10Kg/cm2 未満の比較
例1の粘着テ―プでは、粘着剤によるウエハ汚染の問題
が大きく、異物除去率は50%にも満たない低い値であ
り、また粘着剤層の引張弾性率が1,000Kg/cm2
超える比較例2の粘着テ―プでは、粘着剤によるウエハ
汚染の問題は生じないが、粘着剤層が塑性変形しにく
く、また低粘着力のため、異物除去率がやはり50%に
も満たない低い値となることがわかる。
【0037】なお、上記の実施例1〜4および比較例1
で示した洗浄方法を、所定の半導体ウエハの製造工程に
適用し、最終的に得られた半導体デバイスの歩留りを集
計した結果、実施例1〜実施例4の方法では、比較例1
の方法と比較して、歩留りが10%から14%も高くな
ることがわかつた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の異物除去用粘着テ―プの一例を示す断
面図である。
【図2】本発明の異物除去方法の一例を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
1 粘着テ―プ 11 支持フイルム 12 粘着剤層 13 セパレ―タ 2 シリコンウエハ 2a シリコンウエハの表面 2b シリコンウエハの裏面 3 シリコンウエハに付着した異物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C09J 7/02 JLK

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 支持フイルム上に引張弾性率(試験法JI
    S K 7127に準ずる)が10〜1,000Kg/cm2 の粘着
    剤層を設けてなる半導体ウエハに付着した異物の除去用
    粘着テ―プ。
  2. 【請求項2】 粘着剤層の引張弾性率が15〜500Kg
    /cm2 である請求項1に記載の半導体ウエハに付着した
    異物の除去用粘着テ―プ。
  3. 【請求項3】 半導体ウエハの表面および/または裏面
    に、請求項1または請求項2に記載の粘着テ―プを貼り
    付けたのち、剥離操作して、半導体ウエハの表面および
    /または裏面に付着する異物を粘着剤層面に吸着させて
    半導体ウエハから除去することを特徴とする半導体ウエ
    ハに付着した異物の除去方法。
JP27600794A 1994-10-13 1994-10-13 半導体ウエハに付着した異物の除去用粘着テ―プと除去方法 Pending JPH08115897A (ja)

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