JPH08119727A - 酸化物磁性材料の焼結方法 - Google Patents
酸化物磁性材料の焼結方法Info
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- JPH08119727A JPH08119727A JP6289103A JP28910394A JPH08119727A JP H08119727 A JPH08119727 A JP H08119727A JP 6289103 A JP6289103 A JP 6289103A JP 28910394 A JP28910394 A JP 28910394A JP H08119727 A JPH08119727 A JP H08119727A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトにおいて、高透磁率
用磁性材料及び低損失用磁性材料として、副成分を添加
する等の組成の調製を最小限にして、焼結工程の冷却過
程での酸素分圧の制御により、初透磁率のセカンドピー
クを示す温度、及びその温度における初透磁率を制御
し、所定の温度特性を持つ高透磁率用磁性材料及び低損
失用磁性材料を得る。 【構成】 焼結工程の冷却過程における温度Ｔに応じ
て、雰囲気中の酸素分圧ＰO2をｌｏｇPO2＝−（Ａ／
Ｔ）×１０-4＋Ｂで表す式に従って制御し、高透磁率用
酸化物磁性材料には、Ａを２０００ないし５００００、
低損失用酸化物磁性材料には、２０００ないし８０００
０の範囲で、それぞれ設定して焼結する。
用磁性材料及び低損失用磁性材料として、副成分を添加
する等の組成の調製を最小限にして、焼結工程の冷却過
程での酸素分圧の制御により、初透磁率のセカンドピー
クを示す温度、及びその温度における初透磁率を制御
し、所定の温度特性を持つ高透磁率用磁性材料及び低損
失用磁性材料を得る。 【構成】 焼結工程の冷却過程における温度Ｔに応じ
て、雰囲気中の酸素分圧ＰO2をｌｏｇPO2＝−（Ａ／
Ｔ）×１０-4＋Ｂで表す式に従って制御し、高透磁率用
酸化物磁性材料には、Ａを２０００ないし５００００、
低損失用酸化物磁性材料には、２０００ないし８０００
０の範囲で、それぞれ設定して焼結する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、通信用の変成器等に磁
芯として使われる高透磁率を示す酸化物磁性材料、及び
電子装置の電源要素の磁芯として使われる低損失特性を
示す酸化物磁性材料の焼結方法に関する。
芯として使われる高透磁率を示す酸化物磁性材料、及び
電子装置の電源要素の磁芯として使われる低損失特性を
示す酸化物磁性材料の焼結方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、各種通信機器、電子機器の信号用
変成器や電力用トランス等の磁芯材料としては、酸化物
磁性材料が多く使われ、特に、数１００ｋＨｚで高透磁
率、低損失特性を生かして使われている。従来のＭｎ−
Ｚｎ系の酸化物磁性材料の初透磁率（μ）の値とその温
度特性の改善や、鉄損（Ｐcv）やその温度特性の改善に
あたっては、材料のμ−Ｔカーブ特性を求め、そのμの
セカンドピークを示す温度とそのμの大きさや、Ｐcv−
Ｔカーブ特性を求め、Ｐcvが最低となる温度やＰcvの大
きさ等を参考にして、組成を変化させて行っていた。特
に、微量の添加物による組成を変化させて、μやＰcv、
及びその温度特性の改善が行われていた。
変成器や電力用トランス等の磁芯材料としては、酸化物
磁性材料が多く使われ、特に、数１００ｋＨｚで高透磁
率、低損失特性を生かして使われている。従来のＭｎ−
Ｚｎ系の酸化物磁性材料の初透磁率（μ）の値とその温
度特性の改善や、鉄損（Ｐcv）やその温度特性の改善に
あたっては、材料のμ−Ｔカーブ特性を求め、そのμの
セカンドピークを示す温度とそのμの大きさや、Ｐcv−
Ｔカーブ特性を求め、Ｐcvが最低となる温度やＰcvの大
きさ等を参考にして、組成を変化させて行っていた。特
に、微量の添加物による組成を変化させて、μやＰcv、
及びその温度特性の改善が行われていた。
【０００３】通信機器における信号用の変成器には、小
型化、高性能化が求められ、このため、特に、初透磁率
が大きいＭｎ−Ｚｎ系フェライトが使用されている。上
述の如く、初透磁率のセカンドピークを示す温度、及び
その温度における初透磁率を制御することができるなら
ば、μの大きさや温度特性が制御できるという関係があ
る。従来の磁芯材料の温度特性の制御は、この初透磁率
のセカンドピークの温度とそのピークの値が制御の目安
に使われてきたが、その方法は、主として、副成分の添
加を含む組成の制御によって要求特性を満たす製品を得
ているが、非常に難しく、極めて厳密な管理のもとに、
多大な労力と低い歩留を余儀なくされるため、量産に適
しないという問題があった。
型化、高性能化が求められ、このため、特に、初透磁率
が大きいＭｎ−Ｚｎ系フェライトが使用されている。上
述の如く、初透磁率のセカンドピークを示す温度、及び
その温度における初透磁率を制御することができるなら
ば、μの大きさや温度特性が制御できるという関係があ
る。従来の磁芯材料の温度特性の制御は、この初透磁率
のセカンドピークの温度とそのピークの値が制御の目安
に使われてきたが、その方法は、主として、副成分の添
加を含む組成の制御によって要求特性を満たす製品を得
ているが、非常に難しく、極めて厳密な管理のもとに、
多大な労力と低い歩留を余儀なくされるため、量産に適
しないという問題があった。
【０００４】他方、電力用トランス等に使われる酸化物
磁性材料には、低損失特性のほか、これが組み込まれ使
用される機器の環境温度に従って、鉄損（Ｐcv）の温度
特性を制御することが望まれ、ＣａＯ及びＳｉＯ2を副
成分として含むＭｎ−Ｚｎ系フェライトが使われ、それ
ぞれの要求温度特性に応じて、さらにＡｌ2Ｏ3、ＳｎＯ
2，ＴｉＯ2、Ｖ2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5等々の副成分を添加する
方法が一般的であった。この場合も材料のＰcv−Ｔカー
ブ特性のＰcvの最低を示す温度と、そのＰcvの値を目安
に改善していた。このため、フェライトの組成を個々の
要求にもとづく温度特性に応じて調製していた。多様な
要求特性を満たすためには、前記高透磁率材料の場合と
同様に、多種類の組成の粉末を極めて厳密な管理のもと
に作製する必要があり、繁雑な管理と低い歩留のため、
非効率的な作業を余儀なくされたという問題があった。
磁性材料には、低損失特性のほか、これが組み込まれ使
用される機器の環境温度に従って、鉄損（Ｐcv）の温度
特性を制御することが望まれ、ＣａＯ及びＳｉＯ2を副
成分として含むＭｎ−Ｚｎ系フェライトが使われ、それ
ぞれの要求温度特性に応じて、さらにＡｌ2Ｏ3、ＳｎＯ
2，ＴｉＯ2、Ｖ2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5等々の副成分を添加する
方法が一般的であった。この場合も材料のＰcv−Ｔカー
ブ特性のＰcvの最低を示す温度と、そのＰcvの値を目安
に改善していた。このため、フェライトの組成を個々の
要求にもとづく温度特性に応じて調製していた。多様な
要求特性を満たすためには、前記高透磁率材料の場合と
同様に、多種類の組成の粉末を極めて厳密な管理のもと
に作製する必要があり、繁雑な管理と低い歩留のため、
非効率的な作業を余儀なくされたという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、所定
の温度特性を持ち、かつ、高透磁率特性や低損失特性が
求められるＭｎ−Ｚｎ系フェライトについて、副成分の
添加等の組成の調製に頼ることを極力避け、焼結条件の
制御により、上記諸特性の改善の目安である、μ−Ｔカ
ーブ特性における初透磁率のセカンドピークを示す温
度、及びその温度における初透磁率の値、又は、Ｐcv−
Ｔカーブ特性におけるＰcvが最小を示す温度やＰcvの大
きさを目安にして、高透磁率や低鉄損で所定の温度特性
を有する酸化物磁性材料を実現できる焼結方法を供する
ことにある。
の温度特性を持ち、かつ、高透磁率特性や低損失特性が
求められるＭｎ−Ｚｎ系フェライトについて、副成分の
添加等の組成の調製に頼ることを極力避け、焼結条件の
制御により、上記諸特性の改善の目安である、μ−Ｔカ
ーブ特性における初透磁率のセカンドピークを示す温
度、及びその温度における初透磁率の値、又は、Ｐcv−
Ｔカーブ特性におけるＰcvが最小を示す温度やＰcvの大
きさを目安にして、高透磁率や低鉄損で所定の温度特性
を有する酸化物磁性材料を実現できる焼結方法を供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｎＯ及びＺｎＯを主成分
として構成する酸化物磁性材料の焼結方法において、焼
結工程の冷却過程における雰囲気の酸素分圧をPO2、温
度をＴ、Ａ及びＢを定数として、焼結温度からの冷却過
程における各温度に応じて、ｌｏｇPO2＝−（Ａ／Ｔ）
×１０-4＋Ｂで表す式に従って、冷却過程の雰囲気の酸
素分圧PO2を制御する酸化物磁性材料の焼結方法を提供
する。
決するために、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｎＯ及びＺｎＯを主成分
として構成する酸化物磁性材料の焼結方法において、焼
結工程の冷却過程における雰囲気の酸素分圧をPO2、温
度をＴ、Ａ及びＢを定数として、焼結温度からの冷却過
程における各温度に応じて、ｌｏｇPO2＝−（Ａ／Ｔ）
×１０-4＋Ｂで表す式に従って、冷却過程の雰囲気の酸
素分圧PO2を制御する酸化物磁性材料の焼結方法を提供
する。
【０００７】前記記載の酸化物磁性材料の焼結方法
において、Ａの値を２０００ないし５００００の範囲と
することを特徴とする酸化物磁性材料の焼結方法を提供
する。
において、Ａの値を２０００ないし５００００の範囲と
することを特徴とする酸化物磁性材料の焼結方法を提供
する。
【０００８】Ｆｅ2Ｏ3、ＭｎＯ及びＺｎＯを主成分と
し、少なくとも副成分としてＣａＯ、及びＳｉＯ2を含
有し、各含有率がＣａＯは０．０２ないし０．１５重量
％、ＳｉＯ2は０．００５ないし０．１重量％である酸
化物磁性材料の焼結方法において、焼結工程の冷却過程
における雰囲気の酸素分圧をPO2、温度をＴ、Ａ及びＢ
を定数とし、焼結温度からの冷却過程における各温度に
応じて、ｌｏｇPO2＝−（Ａ／Ｔ）×１０-4＋Ｂで表す
式に従って、冷却過程の雰囲気の酸素分圧PO2を制御
し、Ａの値を２０００ないし８００００の範囲とする酸
化物磁性材料の焼結方法を提供する。
し、少なくとも副成分としてＣａＯ、及びＳｉＯ2を含
有し、各含有率がＣａＯは０．０２ないし０．１５重量
％、ＳｉＯ2は０．００５ないし０．１重量％である酸
化物磁性材料の焼結方法において、焼結工程の冷却過程
における雰囲気の酸素分圧をPO2、温度をＴ、Ａ及びＢ
を定数とし、焼結温度からの冷却過程における各温度に
応じて、ｌｏｇPO2＝−（Ａ／Ｔ）×１０-4＋Ｂで表す
式に従って、冷却過程の雰囲気の酸素分圧PO2を制御
し、Ａの値を２０００ないし８００００の範囲とする酸
化物磁性材料の焼結方法を提供する。
【０００９】
【作用】Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトにおけるμやＰcvの温
度特性を改善する方法として、本発明は、その焼結工
程、特に、冷却過程の雰囲気の酸素分圧を、冷却温度の
関数として連続的に制御することによって、目的とする
μ−Ｔカーブ特性、Ｐcv−Ｔカーブ特性を得、目的の温
度特性を実現する。
度特性を改善する方法として、本発明は、その焼結工
程、特に、冷却過程の雰囲気の酸素分圧を、冷却温度の
関数として連続的に制御することによって、目的とする
μ−Ｔカーブ特性、Ｐcv−Ｔカーブ特性を得、目的の温
度特性を実現する。
【００１０】
【実施例】以下に本発明を実施例によって説明する。図
１は、後述する実施例１及び実施例２における焼結工程
の、特に冷却過程での温度と、その温度に連動して制御
する酸素分圧の関係を示す。図２（ａ）は、実施例１に
おいて、本発明が示した式における定数Ａとμ−Ｔカー
ブにおけるセカンドピークを示す温度との関係を示し、
図２（ｂ）は定数Ａとセカンドピークにおける初透磁率
の大きさとの関係を示す。図３（ａ）は、実施例２にお
いて、本発明が示した式における定数Ａと、最小の鉄損
（Ｐcv）となる温度との関係を示し、図３（ｂ）は、定
数Ａの最小の鉄損（Ｐcv）との関係を示す。
１は、後述する実施例１及び実施例２における焼結工程
の、特に冷却過程での温度と、その温度に連動して制御
する酸素分圧の関係を示す。図２（ａ）は、実施例１に
おいて、本発明が示した式における定数Ａとμ−Ｔカー
ブにおけるセカンドピークを示す温度との関係を示し、
図２（ｂ）は定数Ａとセカンドピークにおける初透磁率
の大きさとの関係を示す。図３（ａ）は、実施例２にお
いて、本発明が示した式における定数Ａと、最小の鉄損
（Ｐcv）となる温度との関係を示し、図３（ｂ）は、定
数Ａの最小の鉄損（Ｐcv）との関係を示す。
【００１１】（実施例１）本実施例は、高透磁率用のＭ
ｎ−Ｚｎ系フェライトの一例である。Ｆｅ2Ｏ3、ＭｎＯ
及びＺｎＯを主成分として構成するＭｎ−Ｚｎ系フェラ
イトにおいて、組成比は、Ｆｅ2Ｏ3５２．０モル％、Ｍ
ｎＯ２５．０モル％、残部をＺｎＯとする。
ｎ−Ｚｎ系フェライトの一例である。Ｆｅ2Ｏ3、ＭｎＯ
及びＺｎＯを主成分として構成するＭｎ−Ｚｎ系フェラ
イトにおいて、組成比は、Ｆｅ2Ｏ3５２．０モル％、Ｍ
ｎＯ２５．０モル％、残部をＺｎＯとする。
【００１２】上記組成比の粉末をボールミルにより混
合、予備焼成、造粒し成形焼結する。成形体は、外径３
０ｍｍ、内径１８ｍｍ、高さ５ｍｍに成形した。この材
料の望ましい焼結条件は、酸素０．５〜３．５％を含む
窒素雰囲気中で、焼結温度１３００〜１４００℃におい
て保持２〜１０時間であることが知られている。本実施
例における焼結保持条件は、酸素１．５％を含む窒素雰
囲気中で、焼結温度１３５０℃で２時間保持とした。
合、予備焼成、造粒し成形焼結する。成形体は、外径３
０ｍｍ、内径１８ｍｍ、高さ５ｍｍに成形した。この材
料の望ましい焼結条件は、酸素０．５〜３．５％を含む
窒素雰囲気中で、焼結温度１３００〜１４００℃におい
て保持２〜１０時間であることが知られている。本実施
例における焼結保持条件は、酸素１．５％を含む窒素雰
囲気中で、焼結温度１３５０℃で２時間保持とした。
【００１３】次に、別に定める冷却プログラムで示され
る焼結の冷却過程の温度Ｔに対する、酸素分圧PO2をｌ
ｏｇPO2＝−（Ａ／Ｔ）×１０-4＋Ｂで表す式に従っ
て、定数Ａの値を種々設定した。なお、Ｂは冷却過程の
雰囲気の酸素分圧の制御を始める温度と傾きによって決
まる定数である。加熱手段である電気炉の温度は、プロ
グラムコントローラで制御した。酸素分圧の制御は、前
記プログラムコントローラに連動したマスフローコント
ローラを使い、空気と窒素の流量を調節することによっ
て行った。
る焼結の冷却過程の温度Ｔに対する、酸素分圧PO2をｌ
ｏｇPO2＝−（Ａ／Ｔ）×１０-4＋Ｂで表す式に従っ
て、定数Ａの値を種々設定した。なお、Ｂは冷却過程の
雰囲気の酸素分圧の制御を始める温度と傾きによって決
まる定数である。加熱手段である電気炉の温度は、プロ
グラムコントローラで制御した。酸素分圧の制御は、前
記プログラムコントローラに連動したマスフローコント
ローラを使い、空気と窒素の流量を調節することによっ
て行った。
【００１４】図１には、設定した定数Ａの値に応じ、冷
却過程の各温度と、その温度に対応して制御すべき酸素
分圧の関係を示す。上記の焼結条件で得られた焼結体の
磁芯を試料とした。図２（ａ）には、前記式における定
数Ａの各値に対する、試料を周波数１ｋＨｚで測定した
初透磁率のセカンドピークを示す温度の依存性を、図２
（ｂ）には、定数Ａの各値に対する、セカンドピークに
おける初透磁率の依存性をそれぞれ示す。Ａ＝２０００
の時、及びＡ＝５００００の時、セカンドピークを示す
温度はそれぞれ−１０℃、５０℃、又初透磁率はそれぞ
れ７２００、及び１１８００である。Ａの値が２０００
〜５００００の範囲では、図２（ａ）及び図２（ｂ）に
明らかなとおり、周波数１ｋＨｚにおいて、Ａの増大と
ともにセカンドピークを示す温度は、より高温となる。
ピーク値すなわち初透磁率も、同様にＡとともに単調に
増加する。この結果から、セカンドピークを示す温度、
及びその温度における初透磁率の制御は、上記焼結条件
により安定に得られていることがわかる。
却過程の各温度と、その温度に対応して制御すべき酸素
分圧の関係を示す。上記の焼結条件で得られた焼結体の
磁芯を試料とした。図２（ａ）には、前記式における定
数Ａの各値に対する、試料を周波数１ｋＨｚで測定した
初透磁率のセカンドピークを示す温度の依存性を、図２
（ｂ）には、定数Ａの各値に対する、セカンドピークに
おける初透磁率の依存性をそれぞれ示す。Ａ＝２０００
の時、及びＡ＝５００００の時、セカンドピークを示す
温度はそれぞれ−１０℃、５０℃、又初透磁率はそれぞ
れ７２００、及び１１８００である。Ａの値が２０００
〜５００００の範囲では、図２（ａ）及び図２（ｂ）に
明らかなとおり、周波数１ｋＨｚにおいて、Ａの増大と
ともにセカンドピークを示す温度は、より高温となる。
ピーク値すなわち初透磁率も、同様にＡとともに単調に
増加する。この結果から、セカンドピークを示す温度、
及びその温度における初透磁率の制御は、上記焼結条件
により安定に得られていることがわかる。
【００１５】しかしながら、Ａの値を２０００以下に設
定して得た試料では、異常粒成長に起因すると思われる
低い磁気特性を示す結果となり、セカンドピークを示す
温度の制御は困難であった。又、Ａの値を５００００を
超えて設定した場合には、損失（tanδ／μ）が増大す
ることが判明した。
定して得た試料では、異常粒成長に起因すると思われる
低い磁気特性を示す結果となり、セカンドピークを示す
温度の制御は困難であった。又、Ａの値を５００００を
超えて設定した場合には、損失（tanδ／μ）が増大す
ることが判明した。
【００１６】（実施例２）本実施例は、トランス用低損
失特性のＭｎ−Ｚｎ系フェライトの一例について示す。
主成分として５３．０モル％のＦｅ2Ｏ3、３９．０モル
％のＭｎＯ、８．０モル％のＺｎＯからなるＭｎ−Ｚｎ
系フェライトに、副成分としてＳｉＯ2を０．０２重量
％、ＣａＯを０．０５重量％それぞれ添加し、前記実施
例１と同様の方法で成形体を焼結した。本実施例におけ
る焼結保持条件は、酸素０．５〜５．０％を含む窒素雰
囲気中で、焼結温度１２５０〜１３５０℃で２時間保持
とした。
失特性のＭｎ−Ｚｎ系フェライトの一例について示す。
主成分として５３．０モル％のＦｅ2Ｏ3、３９．０モル
％のＭｎＯ、８．０モル％のＺｎＯからなるＭｎ−Ｚｎ
系フェライトに、副成分としてＳｉＯ2を０．０２重量
％、ＣａＯを０．０５重量％それぞれ添加し、前記実施
例１と同様の方法で成形体を焼結した。本実施例におけ
る焼結保持条件は、酸素０．５〜５．０％を含む窒素雰
囲気中で、焼結温度１２５０〜１３５０℃で２時間保持
とした。
【００１７】本実施例では、前記実施例１と同様に、焼
結の冷却過程において冷却温度Ｔに対応して、酸素分圧
PO2をｌｏｇPO2＝−（Ａ／Ｔ）×１０-4＋Ｂで表す式に
従って、定数Ａの値を種々設定した。図１には、Ａ＝１
２０００の場合の、冷却過程の温度に対応して制御した
酸素分圧の関係を示す。その結果、得られた焼結体の試
料について、最大励振磁束密度（Ｂm）＝２００ｍＴ、
周波数１００ｋＨｚの条件で測定したＰCVが最小となる
温度と定数Ａの各値の関係を図３（ａ）に示す。図３
（ｂ）にはＰCVのレベルと定数Ａの各値との関係を示
す。Ａの値が２０００〜８００００の範囲では、図３に
明らかなとおり、Ａの増大とともに、ＰCVが最小となる
温度は単調に上昇する。又、ＰCVのレベルはＡが２００
００と４００００の間の値をとる時に最小となる。な
お、Ａ＝２０００〜８００００の範囲でＰCVは要求特性
基準とする５５０以下を示し、十分に満足する。なおＡ
が１０００の時、及び１０００００の時、ＰCVはそれぞ
れ７５０、及び９５０で、要求特性基準を満たす結果と
はならなかった。
結の冷却過程において冷却温度Ｔに対応して、酸素分圧
PO2をｌｏｇPO2＝−（Ａ／Ｔ）×１０-4＋Ｂで表す式に
従って、定数Ａの値を種々設定した。図１には、Ａ＝１
２０００の場合の、冷却過程の温度に対応して制御した
酸素分圧の関係を示す。その結果、得られた焼結体の試
料について、最大励振磁束密度（Ｂm）＝２００ｍＴ、
周波数１００ｋＨｚの条件で測定したＰCVが最小となる
温度と定数Ａの各値の関係を図３（ａ）に示す。図３
（ｂ）にはＰCVのレベルと定数Ａの各値との関係を示
す。Ａの値が２０００〜８００００の範囲では、図３に
明らかなとおり、Ａの増大とともに、ＰCVが最小となる
温度は単調に上昇する。又、ＰCVのレベルはＡが２００
００と４００００の間の値をとる時に最小となる。な
お、Ａ＝２０００〜８００００の範囲でＰCVは要求特性
基準とする５５０以下を示し、十分に満足する。なおＡ
が１０００の時、及び１０００００の時、ＰCVはそれぞ
れ７５０、及び９５０で、要求特性基準を満たす結果と
はならなかった。
【００１８】以上の事実は、焼結工程の冷却過程におい
て、温度と酸素分圧の関係を適切な条件とすることによ
って、ＰCVが最小となる温度及びＰCVを制御することが
可能であることを示す。
て、温度と酸素分圧の関係を適切な条件とすることによ
って、ＰCVが最小となる温度及びＰCVを制御することが
可能であることを示す。
【００１９】
【発明の効果】以上、説明したように、Ｍｎ−Ｚｎ系フ
ェライトの焼結工程の冷却過程において、酸素分圧PO2
を、冷却温度Ｔに対してｌｏｇPO2＝−（Ａ／Ｔ）×１
０-4＋Ｂで表す式に従って、定数Ａの値を所定の値に設
定することにより、副成分を添加する等、組成の調製に
頼ることなく、初透磁率のセカンドピークを示す温度、
及びその温度における初透磁率の制御することができ、
又、鉄損の温度特性の制御が可能であることを明らかに
した。
ェライトの焼結工程の冷却過程において、酸素分圧PO2
を、冷却温度Ｔに対してｌｏｇPO2＝−（Ａ／Ｔ）×１
０-4＋Ｂで表す式に従って、定数Ａの値を所定の値に設
定することにより、副成分を添加する等、組成の調製に
頼ることなく、初透磁率のセカンドピークを示す温度、
及びその温度における初透磁率の制御することができ、
又、鉄損の温度特性の制御が可能であることを明らかに
した。
【００２０】本実施例は、電気炉の温度をプログラムコ
ントローラによって制御し、酸素分圧の制御は、前記プ
ログラムコントローラに連動したマスフローコントロー
ラを使い、空気と窒素の流量を調節して焼結を行ったこ
とは、すでに述べたとおりである。制御された温度分布
と、その温度分布に連動して酸素分圧が保たれた空間を
有する、いわゆる連続炉を使用しても、同様な効果を得
ることができることはいうまでもない。
ントローラによって制御し、酸素分圧の制御は、前記プ
ログラムコントローラに連動したマスフローコントロー
ラを使い、空気と窒素の流量を調節して焼結を行ったこ
とは、すでに述べたとおりである。制御された温度分布
と、その温度分布に連動して酸素分圧が保たれた空間を
有する、いわゆる連続炉を使用しても、同様な効果を得
ることができることはいうまでもない。
【図１】本発明の冷却時の雰囲気の酸素分圧と冷却温度
との関係式における定数Ａの値に応じた冷却過程の温度
と、その温度に対応して制御すべき酸素分圧の関係を示
す図。
との関係式における定数Ａの値に応じた冷却過程の温度
と、その温度に対応して制御すべき酸素分圧の関係を示
す図。
【図２】図２（ａ）は、実施例１において、定数Ａの各
値に対する、周波数１ｋＨｚでの初透磁率のセカンドピ
ークを示す温度の依存性を示す図、図２（ｂ）は、図２
（ａ）と同じ条件で測定したセカンドピークの初透磁率
の、定数Ａに対する依存性を示す図。
値に対する、周波数１ｋＨｚでの初透磁率のセカンドピ
ークを示す温度の依存性を示す図、図２（ｂ）は、図２
（ａ）と同じ条件で測定したセカンドピークの初透磁率
の、定数Ａに対する依存性を示す図。
【図３】図３（ａ）は、実施例２において、Ｂm＝２０
０ｍＴ、周波数１００ｋＨｚの条件で測定したＰCVが最
小となる温度と定数Ａの関係を示す図、図３（ｂ）は、
図３（ａ）と同じ条件で測定したＰCVのレベルと定数Ａ
関係を示す図。
０ｍＴ、周波数１００ｋＨｚの条件で測定したＰCVが最
小となる温度と定数Ａの関係を示す図、図３（ｂ）は、
図３（ａ）と同じ条件で測定したＰCVのレベルと定数Ａ
関係を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｆ 1/34 Ｂ
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｆｅ2Ｏ3、ＭｎＯ及びＺｎＯを主成分と
して構成する酸化物磁性材料の焼結方法において、焼結
工程の冷却過程における雰囲気の酸素分圧をPO2、温度
をＴ、Ａ及びＢを定数として、焼結温度からの冷却過程
における各温度に応じて、ｌｏｇPO2＝−（Ａ／Ｔ）×
１０-4＋Ｂで表す式に従って、冷却過程の雰囲気の酸素
分圧PO2を制御することを特徴とする酸化物磁性材料の
焼結方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の酸化物磁性材料の焼結方
法において、Ａの値を２０００ないし５００００の範囲
とすることを特徴とする酸化物磁性材料の焼結方法。 - 【請求項３】 Ｆｅ2Ｏ3、ＭｎＯ及びＺｎＯを主成分と
し、少なくとも副成分としてＣａＯ、及びＳｉＯ2を含
有し、各含有率がＣａＯは０．０２ないし０．１５重量
％、ＳｉＯ2は０．００５ないし０．１重量％である酸
化物磁性材料の焼結方法において、焼結工程の冷却過程
における雰囲気の酸素分圧をPO2、温度をＴ、Ａ及びＢ
を定数とし、焼結温度からの冷却過程における各温度に
応じて、ｌｏｇPO2＝−（Ａ／Ｔ）×１０-4＋Ｂで表す
式に従って、冷却過程の雰囲気の酸素分圧PO2を制御
し、Ａの値を２０００ないし８００００の範囲とするこ
とを特徴とする酸化物磁性材料の焼結方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6289103A JPH08119727A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 酸化物磁性材料の焼結方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6289103A JPH08119727A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 酸化物磁性材料の焼結方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08119727A true JPH08119727A (ja) | 1996-05-14 |
Family
ID=17738836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6289103A Pending JPH08119727A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 酸化物磁性材料の焼結方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08119727A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008247675A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Tdk Corp | ＭｎＺｎ系フェライトの製造方法 |
-
1994
- 1994-10-27 JP JP6289103A patent/JPH08119727A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008247675A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Tdk Corp | ＭｎＺｎ系フェライトの製造方法 |
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