JPH10340807A - Ｍｎ−Ｃｏフェライト材料 - Google Patents
Ｍｎ−Ｃｏフェライト材料Info
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- JPH10340807A JPH10340807A JP9148224A JP14822497A JPH10340807A JP H10340807 A JPH10340807 A JP H10340807A JP 9148224 A JP9148224 A JP 9148224A JP 14822497 A JP14822497 A JP 14822497A JP H10340807 A JPH10340807 A JP H10340807A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
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- Dispersion Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 １ＭHz程度以上の高周波数域において低損失
であるフェライト材料を提供すること。 【解決手段】 Fe2O3 ：52〜55 mol％、CoＯ：0.4 〜1.
0 mol％を含み、残部が実質的にMnＯからなることを特
徴とするMn−Coフェライト材料である。
であるフェライト材料を提供すること。 【解決手段】 Fe2O3 ：52〜55 mol％、CoＯ：0.4 〜1.
0 mol％を含み、残部が実質的にMnＯからなることを特
徴とするMn−Coフェライト材料である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電源用トランス等
の磁心に用いられる、高周波数域で損失の少ないMn−Co
フェライト材料に関するものである。
の磁心に用いられる、高周波数域で損失の少ないMn−Co
フェライト材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フェライトと総称される酸化物磁性材料
のうち、軟質磁性フェライトは、小さな外部磁場でも十
分に磁化することから、電源や通信機器、計測制御機
器、磁気記録媒体、コンピュータなどの用途に広く用い
られている。それ故に、この種の用途に用いる材料に
は、キュリー温度が高いこと、保磁力が小さく透磁率が
高いこと、飽和磁束密度が大きいこと、低損失であるこ
と、など多くの特性が要求される。
のうち、軟質磁性フェライトは、小さな外部磁場でも十
分に磁化することから、電源や通信機器、計測制御機
器、磁気記録媒体、コンピュータなどの用途に広く用い
られている。それ故に、この種の用途に用いる材料に
は、キュリー温度が高いこと、保磁力が小さく透磁率が
高いこと、飽和磁束密度が大きいこと、低損失であるこ
と、など多くの特性が要求される。
【０００３】軟質磁性フェライトのうちMn−Zn系フェラ
イトは、高周波数域で使われるスイッチング電源に適用
できる電源用トランスの磁心材料として改良が進められ
ている。
イトは、高周波数域で使われるスイッチング電源に適用
できる電源用トランスの磁心材料として改良が進められ
ている。
【０００４】このMn−Zn系フェライトは、100kHz程度の
周波数域において、高透磁率でかつ低損失な特性を示
す。しかしながら、このMn−Zn系フェライトは、使用周
波数の高周波数化が進む今日では、周波数が高くなるに
伴い損失が大きくなるという欠点があった。かかる高周
波数化の傾向はこれからも続くと考えられ、１ＭHz程度
以上の高い周波数域でもなお低損失特性を示す軟質磁性
フェライトに対する要求が高まっている。
周波数域において、高透磁率でかつ低損失な特性を示
す。しかしながら、このMn−Zn系フェライトは、使用周
波数の高周波数化が進む今日では、周波数が高くなるに
伴い損失が大きくなるという欠点があった。かかる高周
波数化の傾向はこれからも続くと考えられ、１ＭHz程度
以上の高い周波数域でもなお低損失特性を示す軟質磁性
フェライトに対する要求が高まっている。
【０００５】これに対し、例えば、500kHz以上の周波数
域を対象とした材料として、特開平６−310320号公報な
どでは、Mn, Zn, Feの酸化物を基本成分とするMn−Zn系
フェライトに添加成分として種々の酸化物（たとえば、
CoO 0.3 mol%以下）を含有させてなる、300kHz〜数MHz
の周波数域で低損失を示す磁性材料が提案されている。
域を対象とした材料として、特開平６−310320号公報な
どでは、Mn, Zn, Feの酸化物を基本成分とするMn−Zn系
フェライトに添加成分として種々の酸化物（たとえば、
CoO 0.3 mol%以下）を含有させてなる、300kHz〜数MHz
の周波数域で低損失を示す磁性材料が提案されている。
【０００６】しかしながら、従来から比較的低い周波数
で用いられているMn−Zn系フェライト材料では、１ＭHz
程度以上の高周波数域における要求特性、とりわけ低損
失特性について未だ満足できる結果が得られていない。
で用いられているMn−Zn系フェライト材料では、１ＭHz
程度以上の高周波数域における要求特性、とりわけ低損
失特性について未だ満足できる結果が得られていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、１Ｍ
Hz程度以上の高周波数域において低損失であるフェライ
ト材料を提供することにある。
Hz程度以上の高周波数域において低損失であるフェライ
ト材料を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】さて、従来のMn−Znフェ
ライト材料の場合、飽和磁束密度およびキュリー温度
は、基本成分であるMnＯ：ZnＯ：Fe2O3 の比でほぼ決ま
ることが知られている。例えば、ZnＯの量が少ない領域
においてはZnＯ量の増加に伴い飽和磁束密度は増加する
が、これと同時にキュリー温度も低下する。また、損失
が極小となる温度も上記基本成分の比により決まること
が知られている。
ライト材料の場合、飽和磁束密度およびキュリー温度
は、基本成分であるMnＯ：ZnＯ：Fe2O3 の比でほぼ決ま
ることが知られている。例えば、ZnＯの量が少ない領域
においてはZnＯ量の増加に伴い飽和磁束密度は増加する
が、これと同時にキュリー温度も低下する。また、損失
が極小となる温度も上記基本成分の比により決まること
が知られている。
【０００９】また、低損失なMn−Znフェライト材料を得
るためには、損失を構成するヒステリシス損失、渦電流
損失、それ以外の残留損失をそれぞれ小さくすることが
必要である。これらの損失のうちヒステリシス損失は、
磁気異方性定数Ｋ1 と磁歪定数λに大きく支配され、こ
れらＫ1 とλはフェライトの組成により決まることが知
られている。例えば、Fe2O3 ＝52 mol％付近でZnＯ＝20
〜30 mol％である組成のMn−Znフェライトは、室温にお
いて、Ｋ1 ならびにλs が共にゼロに近くなり、この組
成では、透磁率が最大となるので、高透磁率が必要な機
器に適用されている (K.Ohta, J.Phys. Soc.Japan 18(1
963)685)。また、Fe2O3 ＝53〜54.5mol ％、ZnＯ＝8 〜
12 mol％、残部実質的にMnＯの組成となるMn−Znフェラ
イトは、従来の100kHz程度の周波数域であれば、80℃程
度で低損失な材料であり、スイッチング電源用フェライ
トとして適用されている (セラミックス28 (1993)937)
。
るためには、損失を構成するヒステリシス損失、渦電流
損失、それ以外の残留損失をそれぞれ小さくすることが
必要である。これらの損失のうちヒステリシス損失は、
磁気異方性定数Ｋ1 と磁歪定数λに大きく支配され、こ
れらＫ1 とλはフェライトの組成により決まることが知
られている。例えば、Fe2O3 ＝52 mol％付近でZnＯ＝20
〜30 mol％である組成のMn−Znフェライトは、室温にお
いて、Ｋ1 ならびにλs が共にゼロに近くなり、この組
成では、透磁率が最大となるので、高透磁率が必要な機
器に適用されている (K.Ohta, J.Phys. Soc.Japan 18(1
963)685)。また、Fe2O3 ＝53〜54.5mol ％、ZnＯ＝8 〜
12 mol％、残部実質的にMnＯの組成となるMn−Znフェラ
イトは、従来の100kHz程度の周波数域であれば、80℃程
度で低損失な材料であり、スイッチング電源用フェライ
トとして適用されている (セラミックス28 (1993)937)
。
【００１０】しかしながら、損失は周波数に伴い増大す
るため、さらに高周波数域で使用する材料には使用周波
数で損失が低いことが要求される。損失のなかでも渦電
流損失は、材料の電気抵抗に起因する損失であり、高周
波数域ではこの損失の占める割合が大きくなる。これに
ついては、フェライト粒界に高抵抗層を形成してコア全
体の電気抵抗を高めることにより、この損失を低減させ
ることができることが知られている。残留損失もまた、
高周波数域になるに従いその占める割合が増えると考え
られている。しかしながら、その原因については共鳴現
象等の説明もなされているが、現在までのところはっき
りしていない。従って、これら渦電流損失と残留損失を
共に低減することができれば、１ＭHz程度以上の高周波
数域でも低損失を示す材料が得られると考えられる。
るため、さらに高周波数域で使用する材料には使用周波
数で損失が低いことが要求される。損失のなかでも渦電
流損失は、材料の電気抵抗に起因する損失であり、高周
波数域ではこの損失の占める割合が大きくなる。これに
ついては、フェライト粒界に高抵抗層を形成してコア全
体の電気抵抗を高めることにより、この損失を低減させ
ることができることが知られている。残留損失もまた、
高周波数域になるに従いその占める割合が増えると考え
られている。しかしながら、その原因については共鳴現
象等の説明もなされているが、現在までのところはっき
りしていない。従って、これら渦電流損失と残留損失を
共に低減することができれば、１ＭHz程度以上の高周波
数域でも低損失を示す材料が得られると考えられる。
【００１１】そこで発明者らは、このような知見に基づ
き、上記目的の実現に向け、１ＭHz程度以上の高周波数
域で低損失を示す組成を探索した。その結果、ZnＯを含
まない組成でかつCoＯを含む組成が低損失化に有効であ
ることを新たに見出し、以下に示す成分組成のフェライ
ト材料を想到するに至った。
き、上記目的の実現に向け、１ＭHz程度以上の高周波数
域で低損失を示す組成を探索した。その結果、ZnＯを含
まない組成でかつCoＯを含む組成が低損失化に有効であ
ることを新たに見出し、以下に示す成分組成のフェライ
ト材料を想到するに至った。
【００１２】即ち、本発明は、Fe2O3 ：52〜55 mol％、
CoＯ：0.4 〜1.0 mol％を含み、残部が実質的にMnＯか
らなることを特徴とするMn−Coフェライト材料を提供す
る。
CoＯ：0.4 〜1.0 mol％を含み、残部が実質的にMnＯか
らなることを特徴とするMn−Coフェライト材料を提供す
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、この発明において、主成分
組成を前記の範囲に限定した理由について説明する。 ・CoO ：0.4 〜1.0 mol％ 先に述べたように、高周波数域において、ZnＯを含まな
い組成でかつCoＯを含む組成にすれば、極小温度での損
失の絶対値は低くなる。この低損失化に対するCoの効果
は、少量でも現れる。しかしながら、CoＯ含有量が0.4m
ol％未満であると、周波数１ＭHz・50mTの最大磁束密度
で測定した場合の損失が100kW/m3以下であっても、コア
に一旦 100Ａ/m程度の直流磁界を加えて再度同条件で測
定すると、損失は100kW/m3以上に劣化するという現象が
生じる。この損失劣化現象は、例えばトランスを直流重
畳で使用する場合にも生じると予想され、好ましくな
い。そこで本発明では、CoＯ含有量の下限値は 0.4 mol
％とした。一方、CoＯ含有量が 1.0 mol％を超えると損
失がかえって増大する。そこで、CoＯ含有量は 1.0 mol
％を上限とした。
組成を前記の範囲に限定した理由について説明する。 ・CoO ：0.4 〜1.0 mol％ 先に述べたように、高周波数域において、ZnＯを含まな
い組成でかつCoＯを含む組成にすれば、極小温度での損
失の絶対値は低くなる。この低損失化に対するCoの効果
は、少量でも現れる。しかしながら、CoＯ含有量が0.4m
ol％未満であると、周波数１ＭHz・50mTの最大磁束密度
で測定した場合の損失が100kW/m3以下であっても、コア
に一旦 100Ａ/m程度の直流磁界を加えて再度同条件で測
定すると、損失は100kW/m3以上に劣化するという現象が
生じる。この損失劣化現象は、例えばトランスを直流重
畳で使用する場合にも生じると予想され、好ましくな
い。そこで本発明では、CoＯ含有量の下限値は 0.4 mol
％とした。一方、CoＯ含有量が 1.0 mol％を超えると損
失がかえって増大する。そこで、CoＯ含有量は 1.0 mol
％を上限とした。
【００１４】また、CoＯ置換の効果として、磁気異方性
定数K1の温度変化を小さくする効果が知られている。即
ち、一般的なMn−Znフェライトにおいて、K1の温度変化
は、低温で大きく負であり、温度上昇に伴いゼロに近づ
き室温以上で正となる。損失は、K1が０となる温度付近
で極小となり、それ以外の温度では磁気異方性定数K1の
絶対値の大きさに比例して大きくなる。これに対し、Mn
−Znフェライトの主相であるスピネル化合物の構成元素
イオンの一部をCoイオンで置換すると、そのCoイオンは
K1に対して正の寄与をするため、K1はその絶対値が−50
℃〜150 ℃程度の温度範囲において小さくなり、その結
果、損失の温度変化が小さくなる。このようなCoＯ置換
の効果は、本発明のように亜鉛を含まないMn−Coフェラ
イトにおいても見られ、このMn−Coフェライトの損失温
度係数は、Mn−Znフェライトの場合と同様に小さい。た
だし、CoＯを含むことにより損失極小温度は低下する傾
向があるため、Fe2O3 量を後述するように調整する必要
がある。
定数K1の温度変化を小さくする効果が知られている。即
ち、一般的なMn−Znフェライトにおいて、K1の温度変化
は、低温で大きく負であり、温度上昇に伴いゼロに近づ
き室温以上で正となる。損失は、K1が０となる温度付近
で極小となり、それ以外の温度では磁気異方性定数K1の
絶対値の大きさに比例して大きくなる。これに対し、Mn
−Znフェライトの主相であるスピネル化合物の構成元素
イオンの一部をCoイオンで置換すると、そのCoイオンは
K1に対して正の寄与をするため、K1はその絶対値が−50
℃〜150 ℃程度の温度範囲において小さくなり、その結
果、損失の温度変化が小さくなる。このようなCoＯ置換
の効果は、本発明のように亜鉛を含まないMn−Coフェラ
イトにおいても見られ、このMn−Coフェライトの損失温
度係数は、Mn−Znフェライトの場合と同様に小さい。た
だし、CoＯを含むことにより損失極小温度は低下する傾
向があるため、Fe2O3 量を後述するように調整する必要
がある。
【００１５】・Fe2O3 ：52〜55 mol％ Fe2O3 の含有量が少なすぎると、飽和磁束密度やキュリ
ー温度が低下する。さらに、損失が極小となる温度が高
温側にシフトすることにより、スイッチング電源等の動
作温度である80℃付近において損失が大きくなる。この
ため、Fe2O3 の含有量は、55 mol％を上限とした。一
方、先に述べたように、CoＯを含むと損失極小温度が低
くなるため、CoＯの含有量が増えるにしたがってFe2O3
の含有量を減じる必要がある。そのため、損失極小温度
を50〜100 ℃の温度範囲内とするには、CoＯの含有量が
0.4 mol％の場合には Fe2O3の含有量を54〜55 mol％、
CoＯの含有量が最大 1.0 mol％の場合には Fe2O3の含有
量を52〜53 mol％、とすることが好適である。そこで、
上記CoＯ含有量の上限および下限に対応する値から、52
mol％をFe2O3 含有量の下限とした。
ー温度が低下する。さらに、損失が極小となる温度が高
温側にシフトすることにより、スイッチング電源等の動
作温度である80℃付近において損失が大きくなる。この
ため、Fe2O3 の含有量は、55 mol％を上限とした。一
方、先に述べたように、CoＯを含むと損失極小温度が低
くなるため、CoＯの含有量が増えるにしたがってFe2O3
の含有量を減じる必要がある。そのため、損失極小温度
を50〜100 ℃の温度範囲内とするには、CoＯの含有量が
0.4 mol％の場合には Fe2O3の含有量を54〜55 mol％、
CoＯの含有量が最大 1.0 mol％の場合には Fe2O3の含有
量を52〜53 mol％、とすることが好適である。そこで、
上記CoＯ含有量の上限および下限に対応する値から、52
mol％をFe2O3 含有量の下限とした。
【００１６】以上説明したように、本発明は、基本的に
スピネルを形成する主成分組成に関するものであり、こ
れら構成元素はすべて結晶粒内に固溶すると考えられ
る。本発明では、これらの金属酸化物の他に、SiO2やCa
O 等のように焼結体の結晶粒界に析出してガラス相を形
成する酸化物、あるいは同様に結晶粒界に析出して粒界
抵抗を高めるZr, Hf, Mo, Nb, Ｖ, Ti等の酸化物を添加
することは、渦電流損失の低減に寄与するために好まし
い。特に、SiO2およびCaO は、焼結性を高め、結晶粒界
相を高抵抗化して損失低減に寄与する。
スピネルを形成する主成分組成に関するものであり、こ
れら構成元素はすべて結晶粒内に固溶すると考えられ
る。本発明では、これらの金属酸化物の他に、SiO2やCa
O 等のように焼結体の結晶粒界に析出してガラス相を形
成する酸化物、あるいは同様に結晶粒界に析出して粒界
抵抗を高めるZr, Hf, Mo, Nb, Ｖ, Ti等の酸化物を添加
することは、渦電流損失の低減に寄与するために好まし
い。特に、SiO2およびCaO は、焼結性を高め、結晶粒界
相を高抵抗化して損失低減に寄与する。
【００１７】次に、本発明にかかるフェライト材料を製
造する方法について説明する。まず、本発明の成分組成
となるように原料を配合し、次いで、その混合粉を仮焼
したのち、アトライターやボールミル等の粉砕手段によ
り粉砕し、その後、その粉砕粉を所望のコア形状に成形
してから焼成することにより、低損失な磁心材料を得
る。このときの焼成温度は、成分により異なるが、おお
むね1100℃から1250℃とする。この理由は、焼成温度が
低すぎると焼結が進まず、一方高すぎると、焼結密度が
上がるものの異常粒成長が発生して、コアの損失を著し
く劣化させるからである。また、この焼成過程では、酸
素・窒素混合雰囲気が望ましく、その酸素分圧をコント
ロールすることにより、粒界相の形成を制御して抵抗を
高めることができる。
造する方法について説明する。まず、本発明の成分組成
となるように原料を配合し、次いで、その混合粉を仮焼
したのち、アトライターやボールミル等の粉砕手段によ
り粉砕し、その後、その粉砕粉を所望のコア形状に成形
してから焼成することにより、低損失な磁心材料を得
る。このときの焼成温度は、成分により異なるが、おお
むね1100℃から1250℃とする。この理由は、焼成温度が
低すぎると焼結が進まず、一方高すぎると、焼結密度が
上がるものの異常粒成長が発生して、コアの損失を著し
く劣化させるからである。また、この焼成過程では、酸
素・窒素混合雰囲気が望ましく、その酸素分圧をコント
ロールすることにより、粒界相の形成を制御して抵抗を
高めることができる。
【００１８】
【実施例】基本成分が表１に示す最終組成となるよう
に、各成分の原料酸化物を配合し、次いで、ボールミル
を用いて湿式混合を16時間かけて行い、その後、乾燥し
て原料酸化物を得た。次に、この原料混合粉に対し、大
気雰囲気中、975 ℃で３時間の仮焼を行い、こうして得
られた仮焼粉に、最終組成でSiO2が0.03wt％、CaＯが0.
15wt％、Ta2O 5 が0.05wt％となるようにSiO2、CaＯおよ
びTa2O5 を添加した後、再びボールミルを用いて湿式混
合粉砕して乾燥させた。その乾燥粉末にポリビニルアル
コール５wt％水溶液を10wt％加えて造粒し、次いで、外
径19mm、内径10mm、高さ５mmのリング状に成形し、その
後、酸素分圧を制御した窒素・空気混合ガス中、1180℃
で２時間の焼成を行った。
に、各成分の原料酸化物を配合し、次いで、ボールミル
を用いて湿式混合を16時間かけて行い、その後、乾燥し
て原料酸化物を得た。次に、この原料混合粉に対し、大
気雰囲気中、975 ℃で３時間の仮焼を行い、こうして得
られた仮焼粉に、最終組成でSiO2が0.03wt％、CaＯが0.
15wt％、Ta2O 5 が0.05wt％となるようにSiO2、CaＯおよ
びTa2O5 を添加した後、再びボールミルを用いて湿式混
合粉砕して乾燥させた。その乾燥粉末にポリビニルアル
コール５wt％水溶液を10wt％加えて造粒し、次いで、外
径19mm、内径10mm、高さ５mmのリング状に成形し、その
後、酸素分圧を制御した窒素・空気混合ガス中、1180℃
で２時間の焼成を行った。
【００１９】このようにして得られた焼結体試料に巻線
を施し (１次側２巻，２次側１巻)、１ＭHzの周波数で
最大磁束密度50mTの条件、ならびに２ＭHzの周波数で最
大磁束密度25mTの条件下で、損失を交流ＢＨトレーサー
により40〜120 ℃で20℃きざみで測定した。損失の極小
値とそれを示す温度を曲線近似により求めて表１に併せ
て示す。なお、この表中の極小温度で＊を付けたもの
は、測定温度範囲で損失値が極小値を示さなかったもの
である。この表に示す結果から明らかなように、本発明
による組成範囲内のものは、各周波数で損失が小さくな
っていることがわかる。
を施し (１次側２巻，２次側１巻)、１ＭHzの周波数で
最大磁束密度50mTの条件、ならびに２ＭHzの周波数で最
大磁束密度25mTの条件下で、損失を交流ＢＨトレーサー
により40〜120 ℃で20℃きざみで測定した。損失の極小
値とそれを示す温度を曲線近似により求めて表１に併せ
て示す。なお、この表中の極小温度で＊を付けたもの
は、測定温度範囲で損失値が極小値を示さなかったもの
である。この表に示す結果から明らかなように、本発明
による組成範囲内のものは、各周波数で損失が小さくな
っていることがわかる。
【００２０】
【表１】
【００２１】また、上記測定に供したコアに対し、巻線
を施して電流を流し15Ａ/mの直流磁界を加えた後、再度
１ＭHzの周波数で最大磁束密度50mTの条件で80℃におい
て損失の測定を行った。その測定結果を、磁場印加前に
測定した損失値と併せて表２に示す。この表に示す結果
から明らかなように、CoＯ含有量が 0.4 mol％より少な
い場合に磁場印加後の損失劣化が大きくなっていること
がわかる。
を施して電流を流し15Ａ/mの直流磁界を加えた後、再度
１ＭHzの周波数で最大磁束密度50mTの条件で80℃におい
て損失の測定を行った。その測定結果を、磁場印加前に
測定した損失値と併せて表２に示す。この表に示す結果
から明らかなように、CoＯ含有量が 0.4 mol％より少な
い場合に磁場印加後の損失劣化が大きくなっていること
がわかる。
【００２２】
【表２】
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ス
イッチング電源トランス等の磁心に適した、１ＭＨｚ程
度以上の周波数において、従来の材料と比較して格段と
損失の小さいMn−Co系フェライト材料を提供することが
できる。
イッチング電源トランス等の磁心に適した、１ＭＨｚ程
度以上の周波数において、従来の材料と比較して格段と
損失の小さいMn−Co系フェライト材料を提供することが
できる。
Claims (1)
- 【請求項１】Fe2O3 ：52〜55 mol％、 CoＯ ：0.4 〜1.0 mol％を含み、残部が実質的にMnＯ
からなることを特徴とするMn−Coフェライト材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14822497A JP3790606B2 (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | Ｍｎ−Ｃｏフェライト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14822497A JP3790606B2 (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | Ｍｎ−Ｃｏフェライト材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10340807A true JPH10340807A (ja) | 1998-12-22 |
| JP3790606B2 JP3790606B2 (ja) | 2006-06-28 |
Family
ID=15448060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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1997
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