JPH0812281B2 - 光減衰板 - Google Patents
光減衰板Info
- Publication number
- JPH0812281B2 JPH0812281B2 JP60252643A JP25264385A JPH0812281B2 JP H0812281 B2 JPH0812281 B2 JP H0812281B2 JP 60252643 A JP60252643 A JP 60252643A JP 25264385 A JP25264385 A JP 25264385A JP H0812281 B2 JPH0812281 B2 JP H0812281B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 誘電体多層膜は設計による波長依存性の変更がかなり
自由であるので、これを光減衰膜と組み合わせることに
より、所望の減衰波長特性を有する光減衰板を作成する
ことが可能になる。
自由であるので、これを光減衰膜と組み合わせることに
より、所望の減衰波長特性を有する光減衰板を作成する
ことが可能になる。
本発明は光減衰板、特に波長特性の選択の自由度が大
きい光減衰板に係る。
きい光減衰板に係る。
光減衰板は光学測定装置その他の光学系において光を
減衰して所期の光量に調整するために用いられ、通常、
ガラス等の基板の表面に金属膜を蒸着し、その厚さを調
整して所望の光減衰量を得ている。
減衰して所期の光量に調整するために用いられ、通常、
ガラス等の基板の表面に金属膜を蒸着し、その厚さを調
整して所望の光減衰量を得ている。
上記の如き光減衰板の特性は金属膜の特性に依存す
る。使用する光の波長帯域が狭い場合には比較的問題は
ないが、広い波長帯域にわたる光を減衰する必要がある
場合には、金属膜の減衰特性が波長に関して必ずしも一
定ではないので、波長によって減衰量が一定でない光が
得られ、用途によっては問題がある。
る。使用する光の波長帯域が狭い場合には比較的問題は
ないが、広い波長帯域にわたる光を減衰する必要がある
場合には、金属膜の減衰特性が波長に関して必ずしも一
定ではないので、波長によって減衰量が一定でない光が
得られ、用途によっては問題がある。
本発明は、上記問題点を解決するものであり、その基
本構成を第１図に示す。光減衰膜２を被着した基板１の
裏面もしくは同じ面に誘電体多層膜3,4,5,6を形成す
る。なお、図では光減衰膜２の裏面に誘電体多層膜を形
成した場合を示している。
本構成を第１図に示す。光減衰膜２を被着した基板１の
裏面もしくは同じ面に誘電体多層膜3,4,5,6を形成す
る。なお、図では光減衰膜２の裏面に誘電体多層膜を形
成した場合を示している。
こうして、本発明は光減衰膜（2,12）を被着した基板
（1,11）からなる光減衰板の該光減衰膜と同一面または
裏面に誘電体多層膜（3,4,5,6;13,14,15,16,17,18）を
形成して、前記光減衰板の減衰−波長依存性をなくしま
たは低減したことを特徴とする光減衰板を提供する。
（1,11）からなる光減衰板の該光減衰膜と同一面または
裏面に誘電体多層膜（3,4,5,6;13,14,15,16,17,18）を
形成して、前記光減衰板の減衰−波長依存性をなくしま
たは低減したことを特徴とする光減衰板を提供する。
誘電体多層膜は反射防止膜その他に用いられているの
で、その特性についてはすでに評価、解明され、誘電体
の種類、膜厚、膜の構成を適当に選択することによって
かなり自由に波長特性を設計できることが知られてい
る。そこで、適当な誘電体多層膜を選択することによっ
て従来の光減衰板の光減衰特性（光透過率特性）の波長
依存性を相殺することが可能である。
で、その特性についてはすでに評価、解明され、誘電体
の種類、膜厚、膜の構成を適当に選択することによって
かなり自由に波長特性を設計できることが知られてい
る。そこで、適当な誘電体多層膜を選択することによっ
て従来の光減衰板の光減衰特性（光透過率特性）の波長
依存性を相殺することが可能である。
第１図は本発明の実施例をなす10dB光減衰板を示す。
同図中、１はガラス基板、２はチタン膜、３と５はTiO2
膜、４と６はSiO2膜である。膜厚はチタン膜２が約50n
m、そして誘電体多層膜が設計中心波長λ＝800nmのλ/4
＝1.00で規格化してそれぞれTiO2膜が0.216,SiO2膜４が
0.331,TiO2膜５が1.848,SiO2膜６が0.864である。ガラ
ス基板１は厚さ0.5〜1mm程度である。
同図中、１はガラス基板、２はチタン膜、３と５はTiO2
膜、４と６はSiO2膜である。膜厚はチタン膜２が約50n
m、そして誘電体多層膜が設計中心波長λ＝800nmのλ/4
＝1.00で規格化してそれぞれTiO2膜が0.216,SiO2膜４が
0.331,TiO2膜５が1.848,SiO2膜６が0.864である。ガラ
ス基板１は厚さ0.5〜1mm程度である。
この光減衰板を製造するに当っては、ガラス基板（BK
−７）１の両表面を研磨および洗浄後、電子ビーム蒸着
装置を用いて、ガラス基板１の一面にチタン膜２を堆積
して10dB光減衰膜とし、次いで光減衰膜と反対側表面に
TiO2膜3,SiO2膜4,TiO2膜5,SiO2膜６を順に堆積して誘電
体多層膜を形成する。この誘電体多層膜は光減衰膜の上
に形成してもよく、また逆に誘電体多層膜上に光減衰膜
を形成してもよい。
−７）１の両表面を研磨および洗浄後、電子ビーム蒸着
装置を用いて、ガラス基板１の一面にチタン膜２を堆積
して10dB光減衰膜とし、次いで光減衰膜と反対側表面に
TiO2膜3,SiO2膜4,TiO2膜5,SiO2膜６を順に堆積して誘電
体多層膜を形成する。この誘電体多層膜は光減衰膜の上
に形成してもよく、また逆に誘電体多層膜上に光減衰膜
を形成してもよい。
このような光減衰膜の減衰特性を評価するには、特定
波長の光を光減衰板を通した場合と通さない場合の受光
強度を比較し、かつ波長を連続的に変えることによって
行なうことができる。
波長の光を光減衰板を通した場合と通さない場合の受光
強度を比較し、かつ波長を連続的に変えることによって
行なうことができる。
第２図は、第１図と同じようにガラス基板上にチタン
膜を形成し、但し誘電体多層膜をその後形成しない従来
通りの光減衰板について減衰−波長依存特性を調べたも
のである。第２図に見られるように波長の増加とともに
ロスが減少し、波長1300nmでは、設計波長800〜850nm付
近に対して0.5dBの減少となる。このようなロスの波長
依存性は使用目的によっては決して無視できないもので
ある。
膜を形成し、但し誘電体多層膜をその後形成しない従来
通りの光減衰板について減衰−波長依存特性を調べたも
のである。第２図に見られるように波長の増加とともに
ロスが減少し、波長1300nmでは、設計波長800〜850nm付
近に対して0.5dBの減少となる。このようなロスの波長
依存性は使用目的によっては決して無視できないもので
ある。
第２図を見ると、チタン膜の減衰（ロス）の波長依存
性は800nm〜1300nmの波長領域において僅かに波こそ打
っているがほぼ単調に減小しつづけている。第３図は第
１図に関連して説明した誘電体多層膜の減衰特性を示し
ているが、波長800nm〜1300nmに関してほぼ単調に減衰
量（ロス）が増加している。そこで、この誘電体多層膜
を前記のチタン膜と組み合わせて使用すれば、波長800n
m〜1300nmにおける減衰特性を波長に依存せずほぼ一定
にすることが可能になると考えられる。
性は800nm〜1300nmの波長領域において僅かに波こそ打
っているがほぼ単調に減小しつづけている。第３図は第
１図に関連して説明した誘電体多層膜の減衰特性を示し
ているが、波長800nm〜1300nmに関してほぼ単調に減衰
量（ロス）が増加している。そこで、この誘電体多層膜
を前記のチタン膜と組み合わせて使用すれば、波長800n
m〜1300nmにおける減衰特性を波長に依存せずほぼ一定
にすることが可能になると考えられる。
第４図は、このような考えに基づいて作成した、第１
図に示した光減衰板の減衰−波長依存特性である。同図
から、波長700nm〜1300nmにおいてほぼ一定の減衰特性
が達成されていることが見られる。
図に示した光減衰板の減衰−波長依存特性である。同図
から、波長700nm〜1300nmにおいてほぼ一定の減衰特性
が達成されていることが見られる。
第５図は本発明の別の実施例をなす20dB光減衰板を示
す。同図中、11はガラス基板、12はチタン膜、13〜18は
６層からなる誘電体多層膜であり、13,15,17がTiO2膜、
14,16,18がSiO2膜である。膜厚は、チタン膜12が約100n
mであり、誘電体多層膜は設計中心波長λ＝850nmのλ/4
＝1.00で規格化してそれぞれTiO2膜13が0.20,SiO2膜14
が0.33,TiO2膜15が1.80,SiO2膜16が1.85,TiO2膜17が1.4
0,SiO2膜18が0.85である。ガラス基板11は厚さ0.5〜1mm
程度である。
す。同図中、11はガラス基板、12はチタン膜、13〜18は
６層からなる誘電体多層膜であり、13,15,17がTiO2膜、
14,16,18がSiO2膜である。膜厚は、チタン膜12が約100n
mであり、誘電体多層膜は設計中心波長λ＝850nmのλ/4
＝1.00で規格化してそれぞれTiO2膜13が0.20,SiO2膜14
が0.33,TiO2膜15が1.80,SiO2膜16が1.85,TiO2膜17が1.4
0,SiO2膜18が0.85である。ガラス基板11は厚さ0.5〜1mm
程度である。
この光減衰板は、第１図の光減衰板と同様の手法で作
成することができる。
成することができる。
この光減衰膜についても第１図の光減衰板の場合と同
様の手法で減衰特性を評価した場合の結果を第６図〜第
８図に示す。
様の手法で減衰特性を評価した場合の結果を第６図〜第
８図に示す。
第６図および第８図の・印は誘電体多層膜を適用しな
い従来の20dB光減衰板の光減衰特性の波長依存性を示
す。この光減衰板は850nmを設計中心波長としている
が、波長700nmから波長の増加とともに減衰（ロス）が
減少し、波長1400nmでは波長700nmに対して4.5dBの減衰
の減少が認められる。第７図は第５図に示した６層から
なる誘電体多層膜の減衰特性であるが、波長700nm〜140
0nmにおいて減衰はほぼ単調に増加する傾向がみられ
る。そして、第８図の○印は第７図の減衰特性を有する
誘電体多層膜を第６図の減衰特性を有する20dB光減衰板
に適用した場合の最終的な減衰特性すなわち第５図の光
減衰板の減衰特性である。こうして誘電体多層膜を適用
することにより、波長700nm〜1400nmにおいて減衰が4.5
dBから1.5dBに減少していることが認められる。
い従来の20dB光減衰板の光減衰特性の波長依存性を示
す。この光減衰板は850nmを設計中心波長としている
が、波長700nmから波長の増加とともに減衰（ロス）が
減少し、波長1400nmでは波長700nmに対して4.5dBの減衰
の減少が認められる。第７図は第５図に示した６層から
なる誘電体多層膜の減衰特性であるが、波長700nm〜140
0nmにおいて減衰はほぼ単調に増加する傾向がみられ
る。そして、第８図の○印は第７図の減衰特性を有する
誘電体多層膜を第６図の減衰特性を有する20dB光減衰板
に適用した場合の最終的な減衰特性すなわち第５図の光
減衰板の減衰特性である。こうして誘電体多層膜を適用
することにより、波長700nm〜1400nmにおいて減衰が4.5
dBから1.5dBに減少していることが認められる。
本発明により、光減衰板の減衰の波長依存性を補正し
た光減衰板を作成することが可能である。こうして、本
発明の光減衰板は広い波長範囲を使用する光学系におい
て使用でき、非常に有用である。
た光減衰板を作成することが可能である。こうして、本
発明の光減衰板は広い波長範囲を使用する光学系におい
て使用でき、非常に有用である。
第１図は実施例の10dB光減衰板の模式断面図、第２図は
従来の10dB光減衰板の減衰特性を表わすグラフ図、第３
図は補正用誘電体多層膜の減衰特性を表わすグラフ図、
第４図は実施例の10dB光減衰板の減衰特性を表わすグラ
フ図、第５図は別の実施例の20dB光減衰板の模式断面
図、第６図は従来の20dB光減衰板の減衰特性を表わすグ
ラフ図、第７図は補正用誘電体多層膜の減衰特性を表わ
すグラフ図、第８図は第５図の実施例および従来例の20
dB光減衰板の減衰特性を表わすグラフ図である。 １……ガラス基板、11……ガラス板、 ２……チタン膜、12…… 3,5……TiO2膜、13,15,17……TiO2膜、 4,6……SiO2膜、14,16,18……SiO2膜。
従来の10dB光減衰板の減衰特性を表わすグラフ図、第３
図は補正用誘電体多層膜の減衰特性を表わすグラフ図、
第４図は実施例の10dB光減衰板の減衰特性を表わすグラ
フ図、第５図は別の実施例の20dB光減衰板の模式断面
図、第６図は従来の20dB光減衰板の減衰特性を表わすグ
ラフ図、第７図は補正用誘電体多層膜の減衰特性を表わ
すグラフ図、第８図は第５図の実施例および従来例の20
dB光減衰板の減衰特性を表わすグラフ図である。 １……ガラス基板、11……ガラス板、 ２……チタン膜、12…… 3,5……TiO2膜、13,15,17……TiO2膜、 4,6……SiO2膜、14,16,18……SiO2膜。
Claims (1)
- 【請求項１】光減衰膜（2,12）を被着した基板（1,11）
からなる光減衰板の該光減衰膜と同一面または裏面に誘
電体多層膜（3,4,5,6;13,14,15,16,17,18）を形成し
て、前記光減衰板の減衰−波長依存性をなくしまたは低
減したことを特徴とする光減衰板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60252643A JPH0812281B2 (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 光減衰板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60252643A JPH0812281B2 (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 光減衰板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62113107A JPS62113107A (ja) | 1987-05-25 |
| JPH0812281B2 true JPH0812281B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=17240203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60252643A Expired - Fee Related JPH0812281B2 (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 光減衰板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812281B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3829962B2 (ja) | 1998-01-22 | 2006-10-04 | 富士通株式会社 | 光アッテネータ並びに該光アッテネータを備えたシステム、光増幅器及び端局装置 |
| US7308185B2 (en) | 2004-12-13 | 2007-12-11 | Asml Holding N.V. | Ultra-thin high-precision glass optic |
| JP4552733B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-09-29 | ソニー株式会社 | スクリーン及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5932965Y2 (ja) * | 1979-01-19 | 1984-09-14 | 横河電機株式会社 | 光学干渉フィルタ |
| JPS57144504A (en) * | 1981-03-02 | 1982-09-07 | Murakami Kaimeidou:Kk | Reflector for car |
| JPS58128401U (ja) * | 1982-02-23 | 1983-08-31 | 日本電気株式会社 | 光減衰板 |
| JPS6015604A (ja) * | 1983-07-07 | 1985-01-26 | Nippon Soken Inc | 自動車用反射鏡 |
| JPS60154902U (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-16 | 富士通株式会社 | 光減衰板 |
-
1985
- 1985-11-13 JP JP60252643A patent/JPH0812281B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62113107A (ja) | 1987-05-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |