JPH0812308B2 - 光コネクタフェルールの研磨方法 - Google Patents
光コネクタフェルールの研磨方法Info
- Publication number
- JPH0812308B2 JPH0812308B2 JP2217165A JP21716590A JPH0812308B2 JP H0812308 B2 JPH0812308 B2 JP H0812308B2 JP 2217165 A JP2217165 A JP 2217165A JP 21716590 A JP21716590 A JP 21716590A JP H0812308 B2 JPH0812308 B2 JP H0812308B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical connector
- ferrule
- connector ferrule
- tip
- polishing
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Coupling Of Light Guides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、光コネクタフェルールの先端を凸状球面に
研磨する研磨方法に関し、光ファイバ面とフェルールを
段差なく研磨すると共に光ファイバ面を超精密に研磨し
て反射減衰量の向上を企図したものである。
研磨する研磨方法に関し、光ファイバ面とフェルールを
段差なく研磨すると共に光ファイバ面を超精密に研磨し
て反射減衰量の向上を企図したものである。
＜従来の技術＞ 従来より、光ファイバ相互間の接続や切り離しを容易
に行なうために、各種の光コネクタが用いられている。
光コネクタには、光ファイバをセラミックス製の円筒棒
（フェルール）の中心に接着固定し光コネクタフェルー
ルとし、この光コネクタフェルールを精密な内径を有す
る中空円筒（スリーブ）内に挿入し、光コネクタフェル
ールの先端同士を突当てる方式の単心コネクタが知られ
ている。この光コネクタは優れた接続特性を有するため
に、特に光通信の分野で広く使用されている。光コネク
タは光コネクタフェルールを直接突き合わせる方式のた
め、光コネクタフェルールの先端を精密に研磨して接続
損失を低くすると共に反射戻り光を少なくしている。
に行なうために、各種の光コネクタが用いられている。
光コネクタには、光ファイバをセラミックス製の円筒棒
（フェルール）の中心に接着固定し光コネクタフェルー
ルとし、この光コネクタフェルールを精密な内径を有す
る中空円筒（スリーブ）内に挿入し、光コネクタフェル
ールの先端同士を突当てる方式の単心コネクタが知られ
ている。この光コネクタは優れた接続特性を有するため
に、特に光通信の分野で広く使用されている。光コネク
タは光コネクタフェルールを直接突き合わせる方式のた
め、光コネクタフェルールの先端を精密に研磨して接続
損失を低くすると共に反射戻り光を少なくしている。
以下、従来の光コネクタフェルールの先端の研磨方法
を説明する。
を説明する。
第一方法 樹脂系のフィルムに一定張力を付与し、このフィルム
面に光コネクタフェルールの先端を押圧し、フィルム面
上にダイヤモンドスラリーを供給し、光コネクターフェ
ルールの先端をフィルム面に対し相対的に摺動させて光
コネクターフェルールの先端を研磨している。
面に光コネクタフェルールの先端を押圧し、フィルム面
上にダイヤモンドスラリーを供給し、光コネクターフェ
ルールの先端をフィルム面に対し相対的に摺動させて光
コネクターフェルールの先端を研磨している。
ダイヤモンド粒子は硬く鋭い刃先を有するので、セラ
ミックスや光ファイバ等の硬脆材料に対しても能率良く
研磨することができる。
ミックスや光ファイバ等の硬脆材料に対しても能率良く
研磨することができる。
第二方法 回転定盤の上にゴム状の弾性シートを設置し、アルミ
ナ等の微細粒子を塗布・固定した研磨シートを弾性シー
ト上に載せてこれを研磨定盤とし、研磨定盤に光コネク
タフェルールの先端を押しつけて研磨を行っている。
ナ等の微細粒子を塗布・固定した研磨シートを弾性シー
ト上に載せてこれを研磨定盤とし、研磨定盤に光コネク
タフェルールの先端を押しつけて研磨を行っている。
この方法では、ゴム状の弾性シートの撓みを利用して
光コネクタフェルールの先端を球面に研磨することが可
能で、且つアルミナ等の粒子が微細であることから光フ
ァイバの表面も平滑に研磨することができる。
光コネクタフェルールの先端を球面に研磨することが可
能で、且つアルミナ等の粒子が微細であることから光フ
ァイバの表面も平滑に研磨することができる。
従来、主に上述した二つの方法によって光コネクタフ
ェルールの先端の研磨が行なわれている。
ェルールの先端の研磨が行なわれている。
＜発明が解決しようとする課題＞ しかしながら、前述した研磨方法では以下に示す問題
があった。
があった。
第３図には第一方法で研磨した光コネクタフェルール
先端の拡大状態を示してある。
先端の拡大状態を示してある。
第一方法では、研磨剤としてダイヤモンドスラリーを
用いているので、光ファイバ31の面にはダイヤモンド粒
子によるミクロの引掻き痕32が多数形成され、光ファイ
バ31の面には加工歪による残留応力が形成されていた。
この結果、光ファイバ面の極表層部の屈折率が僅かに増
大し、屈折率の異なる境界層で光が反射して戻り光とな
り、本来の光信号のノイズとなったり、半導体等の光源
に悪影響を及ぼす等の問題があった。尚、図中33はフェ
ルールである。
用いているので、光ファイバ31の面にはダイヤモンド粒
子によるミクロの引掻き痕32が多数形成され、光ファイ
バ31の面には加工歪による残留応力が形成されていた。
この結果、光ファイバ面の極表層部の屈折率が僅かに増
大し、屈折率の異なる境界層で光が反射して戻り光とな
り、本来の光信号のノイズとなったり、半導体等の光源
に悪影響を及ぼす等の問題があった。尚、図中33はフェ
ルールである。
第４図には、第二方法で研磨した光コネクタフェルー
ル先端の拡大状態を示してある。
ル先端の拡大状態を示してある。
第二方法では、フェルール41がジルコニア等の硬いセ
ラミックスで構成され、中心部の光ファイバ42に比べて
フェルールが研磨されにくいために光コネクタフェルー
ルの先端は光ファイバ42の部位が優先的に研磨され、光
コネクタフェルールの先端の中心に引込み量が0.1μｍ
程度あると、光コネクタフェルール同士を突き合わせた
時に光ファイバ先端間に隙間が生じ、信号伝達時に光の
反射が発生して光回路全体に悪影響を及ぼす等の問題が
あった。また、研磨終了直後に0.1μｍ程度の引込みが
生じなくても、光コネクタを接続状態で使用している間
に環境条件が高温高湿から低温等のサイクルを経ると、
次第に光ファイバ間に隙間が生じるようになるので、研
磨直後の光コネクタフェルールの先端の光ファイバの引
込み量は0.05μｍ以下にする必要がある。
ラミックスで構成され、中心部の光ファイバ42に比べて
フェルールが研磨されにくいために光コネクタフェルー
ルの先端は光ファイバ42の部位が優先的に研磨され、光
コネクタフェルールの先端の中心に引込み量が0.1μｍ
程度あると、光コネクタフェルール同士を突き合わせた
時に光ファイバ先端間に隙間が生じ、信号伝達時に光の
反射が発生して光回路全体に悪影響を及ぼす等の問題が
あった。また、研磨終了直後に0.1μｍ程度の引込みが
生じなくても、光コネクタを接続状態で使用している間
に環境条件が高温高湿から低温等のサイクルを経ると、
次第に光ファイバ間に隙間が生じるようになるので、研
磨直後の光コネクタフェルールの先端の光ファイバの引
込み量は0.05μｍ以下にする必要がある。
上述した様に、従来の第一方法，第二方法による研磨
では、光ファイバ31の表面に加工歪が残留したり、光コ
ネクタフェルールの先端に光ファイバ42の引込み43が発
生し、超高品質の光コネクタフェルールを研磨する技術
とはなっていなかった。
では、光ファイバ31の表面に加工歪が残留したり、光コ
ネクタフェルールの先端に光ファイバ42の引込み43が発
生し、超高品質の光コネクタフェルールを研磨する技術
とはなっていなかった。
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、光ファイ
バ表面への加工歪の発生と、光コネクタフェルールコネ
クタフェルールの表面からの光ファイバの引込みの発生
とを同時に無くして光コネクタフェルールの先端を超高
品質に研磨することができる光コネクタフェルールの研
磨方法を提供することを目的とする。
バ表面への加工歪の発生と、光コネクタフェルールコネ
クタフェルールの表面からの光ファイバの引込みの発生
とを同時に無くして光コネクタフェルールの先端を超高
品質に研磨することができる光コネクタフェルールの研
磨方法を提供することを目的とする。
＜課題を解決するための手段＞ 上記目的を達成するための本発明の光コネクタフェル
ールの研磨方法は、セラミックス製フェルールにフェル
ール穴を設け、該フェルール穴に光ファイバを挿入固定
してなる光コネクタフェルールの先端を凸状球面に研磨
する光コネクタフェルールの研磨方法であって、セルロ
ース系の樹脂フィルムに一定張力を付与し、前記光コネ
クタフェルールの先端を前記樹脂フィルムのフィルム面
に押圧し、平均粒子径が5nmから30nmのSiO2の超微粒子
を研磨液中に0.1％から５％分散させた研磨剤を用い、
該研磨剤を前記フィルム面に供給しながら前記光コネク
タフェルール先端と前記フィルム面とを相対的に摺動さ
せて前記光コネクタフェルールの先端を研磨することを
特徴とする。
ールの研磨方法は、セラミックス製フェルールにフェル
ール穴を設け、該フェルール穴に光ファイバを挿入固定
してなる光コネクタフェルールの先端を凸状球面に研磨
する光コネクタフェルールの研磨方法であって、セルロ
ース系の樹脂フィルムに一定張力を付与し、前記光コネ
クタフェルールの先端を前記樹脂フィルムのフィルム面
に押圧し、平均粒子径が5nmから30nmのSiO2の超微粒子
を研磨液中に0.1％から５％分散させた研磨剤を用い、
該研磨剤を前記フィルム面に供給しながら前記光コネク
タフェルール先端と前記フィルム面とを相対的に摺動さ
せて前記光コネクタフェルールの先端を研磨することを
特徴とする。
＜作用＞ 水との親和性の良いセルロース系の樹脂フィルムを研
磨シートとし、平均粒子径が5nmから30nmのSiO2超微粒
子を研磨液中に0.1％から５％分散した研磨剤を用いる
ことで、硬くて研磨しにくいセラミックス製のフェルー
ルが光ファイバより研磨し易くなる。
磨シートとし、平均粒子径が5nmから30nmのSiO2超微粒
子を研磨液中に0.1％から５％分散した研磨剤を用いる
ことで、硬くて研磨しにくいセラミックス製のフェルー
ルが光ファイバより研磨し易くなる。
＜実 施 例＞ 第１図には本発明の実施例に係る研磨方法の説明図を
示してある。
示してある。
シート状のセルロース系樹脂フィルム１がリング状金
具２と薄板の押えリング３とで挾持されている。回転定
盤４の外周部に形成されたねじ部4aにリング状金具２を
締め込んで固定すると、回転定盤４の上面に形成された
リング状突起4bにより樹脂フィルム１は一定の張力で引
張られる。
具２と薄板の押えリング３とで挾持されている。回転定
盤４の外周部に形成されたねじ部4aにリング状金具２を
締め込んで固定すると、回転定盤４の上面に形成された
リング状突起4bにより樹脂フィルム１は一定の張力で引
張られる。
図示しない回転装置にはチャック５が設けられ、チャ
ック５には光コネクタフェルール６が保持されている。
光コネクタフェルール６は、セラミックスであるジルコ
ニア製のフェルール７と、フェルール７の中心に固定さ
れた光ファイバ８とで構成され、光コネクタフェルール
６の先端は樹脂フィルム１に一定量押し込まれている
（押圧されている）。
ック５には光コネクタフェルール６が保持されている。
光コネクタフェルール６は、セラミックスであるジルコ
ニア製のフェルール７と、フェルール７の中心に固定さ
れた光ファイバ８とで構成され、光コネクタフェルール
６の先端は樹脂フィルム１に一定量押し込まれている
（押圧されている）。
図中９は光コネクタフェルール６の先端と樹脂フィル
ム１の当接部に研磨剤10を供給する研磨剤供給ノズルで
ある。研磨剤10は、SiO2の超微粒子が研磨液中に分散さ
れたもので、SiO2の超微粒子は、平均粒子径が５〜30nm
程度のものとなっている。粒子径が5nm〜30nm程度の超
微粒子は、水に十分に分散させた状態で一部コロイド状
態になり、0.1〜５％の濃度で懸濁したものを研磨剤と
して用いる。
ム１の当接部に研磨剤10を供給する研磨剤供給ノズルで
ある。研磨剤10は、SiO2の超微粒子が研磨液中に分散さ
れたもので、SiO2の超微粒子は、平均粒子径が５〜30nm
程度のものとなっている。粒子径が5nm〜30nm程度の超
微粒子は、水に十分に分散させた状態で一部コロイド状
態になり、0.1〜５％の濃度で懸濁したものを研磨剤と
して用いる。
上記構成による具体的な研磨方法を説明する。
光コネクタフェルール６の先端を樹脂フィルム１に一
定量押し込み、樹脂フィルム１のフィルム面に研磨剤供
給ノズル９から研磨剤10を滴下させる。回転定盤４を回
転させると共にチェック７を回転させ、更に回転定盤４
を径方向に揺動させ、樹脂フィルム１に対し光コネクタ
フェルール６の先端を相対的に摺動させて予め形成され
ている光コネクタフェルール６の先端を研磨する。この
ような研磨操作を行うことにより、表層部を0.1μｍ前
後の僅かな量を加工する。従って、例えば前述した第一
方法もしくは第二方法により、予め10〜60mm程度の曲率
半径に形成された光コネクタフェルール６の形状精度を
崩すことなく研磨することができる。
定量押し込み、樹脂フィルム１のフィルム面に研磨剤供
給ノズル９から研磨剤10を滴下させる。回転定盤４を回
転させると共にチェック７を回転させ、更に回転定盤４
を径方向に揺動させ、樹脂フィルム１に対し光コネクタ
フェルール６の先端を相対的に摺動させて予め形成され
ている光コネクタフェルール６の先端を研磨する。この
ような研磨操作を行うことにより、表層部を0.1μｍ前
後の僅かな量を加工する。従って、例えば前述した第一
方法もしくは第二方法により、予め10〜60mm程度の曲率
半径に形成された光コネクタフェルール６の形状精度を
崩すことなく研磨することができる。
平均粒子径が5nm〜30nm程度の超微粒子は、水に十分
に分散させた状態では一部コロイド状態になる。このよ
うなコロイド状態の研磨剤10と、水との親和性の良いOH
基を持ったセルロース系の樹脂フィルム１とを組合わせ
て使用した場合、研磨中に被研磨面とフィルム１の面と
の間に研磨剤10が挟まれて研磨剤10が高温高圧力にな
り、その結果、コロイドが一種のゲル状になって高密度
の微粒子が被研磨面に作用してジルコニアセラミックス
に対する加工能率が高まる。
に分散させた状態では一部コロイド状態になる。このよ
うなコロイド状態の研磨剤10と、水との親和性の良いOH
基を持ったセルロース系の樹脂フィルム１とを組合わせ
て使用した場合、研磨中に被研磨面とフィルム１の面と
の間に研磨剤10が挟まれて研磨剤10が高温高圧力にな
り、その結果、コロイドが一種のゲル状になって高密度
の微粒子が被研磨面に作用してジルコニアセラミックス
に対する加工能率が高まる。
光ファイバ８のような石英材料はコロイド状態の超微
粒子では研磨されにくい。一例として、ジルコニア及び
石英それぞれについて加工能率を調べた実験結果でも、
加工能率比はジルコニアが３に対し石英は１であった。
粒子では研磨されにくい。一例として、ジルコニア及び
石英それぞれについて加工能率を調べた実験結果でも、
加工能率比はジルコニアが３に対し石英は１であった。
一方、前述したように、従来の第一方法及び第二方法
で得るられた光コネクタフェルールの先端の形状は、第
３図、第４図に示したようになる。即ち、第一方法では
光ファイバ31の面に引掻き痕32が多数形成されて光の反
射減衰量も30dB前後となり、第二方法では光ファイバ42
の引込み量が0.1μｍ以上になる。
で得るられた光コネクタフェルールの先端の形状は、第
３図、第４図に示したようになる。即ち、第一方法では
光ファイバ31の面に引掻き痕32が多数形成されて光の反
射減衰量も30dB前後となり、第二方法では光ファイバ42
の引込み量が0.1μｍ以上になる。
本発明方法を用いて、前述した第一方法及び第二方法
で得られた試料を研磨した結果を第２図に示す。
で得られた試料を研磨した結果を第２図に示す。
図に示すように、前述した第一方法及び第二方法のい
ずれの試料を用いた場合でも、研磨によって光ファイバ
８が突出する傾向にあるが、これは先にも述べた加工能
率の違いによる結果である。ただし、この状態からさら
に研磨時間を増やしても光ファイバ８の突出量はこれ以
上には増加しない。これは、光ファイバが突出すること
により樹脂フィルム１との接触面圧がフェルール７の面
より高くなるため優先的に加工されるためである。ま
た、フェルール７と光ファイバ８の段差は10nm以下であ
り、光ファイバ８の表面の平均粗さは1nm以下である。
この時の光コネクタフェルール６の反射減衰量は40数dB
以上が得られる。
ずれの試料を用いた場合でも、研磨によって光ファイバ
８が突出する傾向にあるが、これは先にも述べた加工能
率の違いによる結果である。ただし、この状態からさら
に研磨時間を増やしても光ファイバ８の突出量はこれ以
上には増加しない。これは、光ファイバが突出すること
により樹脂フィルム１との接触面圧がフェルール７の面
より高くなるため優先的に加工されるためである。ま
た、フェルール７と光ファイバ８の段差は10nm以下であ
り、光ファイバ８の表面の平均粗さは1nm以下である。
この時の光コネクタフェルール６の反射減衰量は40数dB
以上が得られる。
上述したように、セルロース系の樹脂フィルム１と、
SiO2超微粒子を研磨液中に分散させた研磨剤10とを組合
せて、他の研磨方法で形成された先端が凸球面状の光コ
ネクタフェルール６の先端を研磨することにより、フェ
ルール７と光ファイバ８の段差が0.05μｍ以下で、反射
減衰が40dB以上の光コネクタフェルール６が得られる。
これは、従来の第一方法に対して反射減衰量が一桁以上
向上し、第二方法に対しての光ファイバ８の引込みの問
題を解決したことになる。
SiO2超微粒子を研磨液中に分散させた研磨剤10とを組合
せて、他の研磨方法で形成された先端が凸球面状の光コ
ネクタフェルール６の先端を研磨することにより、フェ
ルール７と光ファイバ８の段差が0.05μｍ以下で、反射
減衰が40dB以上の光コネクタフェルール６が得られる。
これは、従来の第一方法に対して反射減衰量が一桁以上
向上し、第二方法に対しての光ファイバ８の引込みの問
題を解決したことになる。
尚、上記一実施例では本発明の研磨方法を、光コネク
タフェルールの先端の研磨に用いたが、他のSiC、Al
2O3、Si3N4等のセラミックスやSiウエハなどの結晶材料
の表面の無歪鏡面研磨にも本発明の研磨方法を適用でき
る。
タフェルールの先端の研磨に用いたが、他のSiC、Al
2O3、Si3N4等のセラミックスやSiウエハなどの結晶材料
の表面の無歪鏡面研磨にも本発明の研磨方法を適用でき
る。
＜発明の効果＞ 本発明の光コネクタフェルールの研磨方法は、セルロ
ース系の樹脂フィルムとSiO2の超微粒子を研磨液中に分
散させた研磨剤とを組合わせ、この研磨剤を樹脂フィル
ム面に供給しながら光コネクタフェルールの先端と樹脂
フィルム面とを相対的に摺動させて光コネクタフェルー
ルの先端を研磨するようにしたもので、水との親和性の
良いセルロース系の樹脂フィルム上でコロイド状の超微
粒子がセラミックス製のフェルールに有効に作用して研
磨能率を高め、また、フェルールより加工能率の低い光
ファイバの加工には必然的に生じる面圧の違いによって
光ファイバ面を平滑に研磨し、加工性の異なるフェルー
ルと光ファイバとを均等に加工することができる。この
結果、光ファイバ面に形成された引掻き痕等の加工変質
層を除去することができ、光の反射減衰量が高く、且つ
フェルール面とファイバ面との段差の極めて少ない高精
度の光コネクタフェルールが得られる。
ース系の樹脂フィルムとSiO2の超微粒子を研磨液中に分
散させた研磨剤とを組合わせ、この研磨剤を樹脂フィル
ム面に供給しながら光コネクタフェルールの先端と樹脂
フィルム面とを相対的に摺動させて光コネクタフェルー
ルの先端を研磨するようにしたもので、水との親和性の
良いセルロース系の樹脂フィルム上でコロイド状の超微
粒子がセラミックス製のフェルールに有効に作用して研
磨能率を高め、また、フェルールより加工能率の低い光
ファイバの加工には必然的に生じる面圧の違いによって
光ファイバ面を平滑に研磨し、加工性の異なるフェルー
ルと光ファイバとを均等に加工することができる。この
結果、光ファイバ面に形成された引掻き痕等の加工変質
層を除去することができ、光の反射減衰量が高く、且つ
フェルール面とファイバ面との段差の極めて少ない高精
度の光コネクタフェルールが得られる。
第１図は本発明の一実施例に係る研磨方法の説明図、第
２図，第３図，第４図は光コネクタフェルール先端の拡
大図である。 図面中、 １は樹脂フィルム、 ２はリング状金具、 ３は押えリング、 ４は回転定盤、 ５はチャック、 ６は光コネクタフェルール、 ７はフェルール、 ８は光ファイバ、 ９は研磨剤供給ノズル、 10は研磨剤である。
２図，第３図，第４図は光コネクタフェルール先端の拡
大図である。 図面中、 １は樹脂フィルム、 ２はリング状金具、 ３は押えリング、 ４は回転定盤、 ５はチャック、 ６は光コネクタフェルール、 ７はフェルール、 ８は光ファイバ、 ９は研磨剤供給ノズル、 10は研磨剤である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−137107（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−205618（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−109969（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−256906（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−151261（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】セラミックス製フェルールにフェルール穴
を設け、該フェルール穴に光ファイバを挿入固定してな
る光コネクタフェルールの先端を凸状球面に研磨する光
コネクタフェルールの研磨方法であって、セルロース系
の樹脂フィルムに一定張力を付与し、前記光コネクタフ
ェルールの先端を前記樹脂フィルムのフィルム面に押圧
し、平均粒子径が5nmから30nmのSiO2の超微粒子を研磨
液中に0.1％から５％分散させた研磨剤を用い、該研磨
剤を前記フィルム面に供給しながら前記光コネクタフェ
ルールの先端と前記フィルム面とを相対的に摺動させて
前記光コネクタフェルールの先端を研磨することを特徴
とする光コネクタフェルールの研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2217165A JPH0812308B2 (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | 光コネクタフェルールの研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2217165A JPH0812308B2 (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | 光コネクタフェルールの研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04100008A JPH04100008A (ja) | 1992-04-02 |
| JPH0812308B2 true JPH0812308B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=16699879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2217165A Expired - Lifetime JPH0812308B2 (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | 光コネクタフェルールの研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812308B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0829639A (ja) * | 1994-07-13 | 1996-02-02 | Seiko Giken:Kk | 光ファイバ端面の球面研磨装置の研磨基盤および光ファイバ端面の球面研磨方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61137107A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光コネクタ用研磨盤 |
| JPS63109969A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-14 | Seiko Giken:Kk | 光フアイバの端面成形研磨方法 |
| JPS63205618A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光フアイバコネクタの研摩方法 |
| JPH0318124Y2 (ja) * | 1987-03-26 | 1991-04-17 | ||
| JPS63256906A (ja) * | 1987-04-14 | 1988-10-24 | Seiko Giken:Kk | 光フアイバの接続方法およびこれを実施するための光フアイバ研磨装置と光フアイバ接続装置 |
-
1990
- 1990-08-20 JP JP2217165A patent/JPH0812308B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04100008A (ja) | 1992-04-02 |
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