JPH0812421B2 - ポジ型フオトレジスト組成物 - Google Patents
ポジ型フオトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPH0812421B2 JPH0812421B2 JP556887A JP556887A JPH0812421B2 JP H0812421 B2 JPH0812421 B2 JP H0812421B2 JP 556887 A JP556887 A JP 556887A JP 556887 A JP556887 A JP 556887A JP H0812421 B2 JPH0812421 B2 JP H0812421B2
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- JP
- Japan
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- group
- resist
- positive photoresist
- photoresist composition
- compound
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は一般に幅射線に感応するポジ型フオトレジス
ト組成物に関するものであり、詳しくはアルカリ可溶性
樹脂及び1,2−ナフトキノンジアジド基を含む化合物か
ら成るポジ型フオトレジスト組成物の改良に関するもの
である。
ト組成物に関するものであり、詳しくはアルカリ可溶性
樹脂及び1,2−ナフトキノンジアジド基を含む化合物か
ら成るポジ型フオトレジスト組成物の改良に関するもの
である。
（従来の技術） 集積回路の高集積度化は年々加速度的に進み、現在で
は集積度10万以上のいわゆる超LSIの時代となり、1.2μ
ｍルールさらにはサブミクロンルールの設計の時代にな
つている。それに伴いフオトリソグラフイー技術に対す
る要求も年々厳しくなつて来ている。このフオトリソグ
ラフイー技術に於て、従来使用されてきたレジストはそ
の大部分が、環化ポリイソプレンゴムに光架橋剤として
ビスアジド化合物を添加して得られるネガ型レジストで
ある。しかしこのタイプのレジストは現像時の膨潤によ
り解像力に限度があり、３μｍ以上の解像力を得ること
は難しい。
は集積度10万以上のいわゆる超LSIの時代となり、1.2μ
ｍルールさらにはサブミクロンルールの設計の時代にな
つている。それに伴いフオトリソグラフイー技術に対す
る要求も年々厳しくなつて来ている。このフオトリソグ
ラフイー技術に於て、従来使用されてきたレジストはそ
の大部分が、環化ポリイソプレンゴムに光架橋剤として
ビスアジド化合物を添加して得られるネガ型レジストで
ある。しかしこのタイプのレジストは現像時の膨潤によ
り解像力に限度があり、３μｍ以上の解像力を得ること
は難しい。
上記要求に応える事が出来るのはポジ型フオトレジス
トである。ポジ型フオトレジスト組成物はアルカリ可溶
性の樹脂と感光性物質、一般には置換されたナフトキノ
ンジアジド基を含む化合物をともに含むものである。ナ
フトキノンジアジドは照射時に下式のように紫外線を吸
収し、カルベンを経てケテンを生じ、系中に存在する水
分と反応してインデンカルボン酸と成り、これが現像液
のアルカリ水に溶解する現像を応用している。
トである。ポジ型フオトレジスト組成物はアルカリ可溶
性の樹脂と感光性物質、一般には置換されたナフトキノ
ンジアジド基を含む化合物をともに含むものである。ナ
フトキノンジアジドは照射時に下式のように紫外線を吸
収し、カルベンを経てケテンを生じ、系中に存在する水
分と反応してインデンカルボン酸と成り、これが現像液
のアルカリ水に溶解する現像を応用している。
このようにポジ型フオトレジストは、現像液としてア
ルカリ水溶液を用いるのでネガ型の場合と異なりレジス
トが膨潤せず、従つて解像力を高めることが可能なので
ある。
ルカリ水溶液を用いるのでネガ型の場合と異なりレジス
トが膨潤せず、従つて解像力を高めることが可能なので
ある。
このようにポジ型フオトレジストは、ネガ型レジスト
と比較すれば一般に非膨潤、高解像力を特徴とするレジ
ストとして登場し広く超LSIの製造に使用されてきた。
と比較すれば一般に非膨潤、高解像力を特徴とするレジ
ストとして登場し広く超LSIの製造に使用されてきた。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながらこのように高解像力を誇るポジ型フオト
レジストであるが、反射率の高い基板上にパターニング
しようとすると基板からの反射光の影響を受け像がぼや
け（ハレーシヨン）、線幅のコントロールが著しく困難
になることが明らかとなつた。この現象は基板に段差が
ある場合一層顕著となり、この問題点を克服したレジス
トの出現が望まれていた。
レジストであるが、反射率の高い基板上にパターニング
しようとすると基板からの反射光の影響を受け像がぼや
け（ハレーシヨン）、線幅のコントロールが著しく困難
になることが明らかとなつた。この現象は基板に段差が
ある場合一層顕著となり、この問題点を克服したレジス
トの出現が望まれていた。
このような問題点を解決するためには吸光性材料を添
加させることは公知でありたとえば特公昭51-37562号公
報に開示されている。しかしながらレジストの他の性能
に全く或いは実用上差し支えない範囲でしか影響を与え
ない吸光性材料を選択することは非常に困難である。例
えば親油性の強い吸光性材料を添加するとレジスト液に
は容易に溶解するが実際に使用しようとするとレジスト
膜全体の親油性が上がり、通常ポジ型レジストの現像液
がアルカリ水溶液であるため現像液に対する溶解性が低
下しその結果として感度の低下をきたし、またスカム発
生の原因となる。しかも吸光性が有るため感光剤の光の
使用効率が低下しその面からも感度の低下が見られ全体
として感度の低下は著しいものとなる。しかしながら親
水性の吸光性材料のレジスト液に対する溶解度は低く十
分な吸光度を得ることが難しい。本発明者等は特にこの
点に留意し鋭意検討を進めた結果特定の構造を持つ吸光
性材料を選択すれば基板からの反射の影響を防ぐに十分
な量を溶解させることが出来、しかも感度の低下を実用
上差し支えない範囲に留めることが出来ることを見いだ
し本発明に到達したものである。
加させることは公知でありたとえば特公昭51-37562号公
報に開示されている。しかしながらレジストの他の性能
に全く或いは実用上差し支えない範囲でしか影響を与え
ない吸光性材料を選択することは非常に困難である。例
えば親油性の強い吸光性材料を添加するとレジスト液に
は容易に溶解するが実際に使用しようとするとレジスト
膜全体の親油性が上がり、通常ポジ型レジストの現像液
がアルカリ水溶液であるため現像液に対する溶解性が低
下しその結果として感度の低下をきたし、またスカム発
生の原因となる。しかも吸光性が有るため感光剤の光の
使用効率が低下しその面からも感度の低下が見られ全体
として感度の低下は著しいものとなる。しかしながら親
水性の吸光性材料のレジスト液に対する溶解度は低く十
分な吸光度を得ることが難しい。本発明者等は特にこの
点に留意し鋭意検討を進めた結果特定の構造を持つ吸光
性材料を選択すれば基板からの反射の影響を防ぐに十分
な量を溶解させることが出来、しかも感度の低下を実用
上差し支えない範囲に留めることが出来ることを見いだ
し本発明に到達したものである。
（問題点を解決するための手段） すなわち、本発明の要旨は、アルカリ可溶性樹脂及び
1,2−ナフトキノンジアジド基を含む化合物から成るポ
ジ型フオトレジスト組成物に、下記構造式で表される吸
光性材料を全固形物の0.1〜10wt％含むことを特徴とす
るポジ型フオトレジスト組成物に存する。
1,2−ナフトキノンジアジド基を含む化合物から成るポ
ジ型フオトレジスト組成物に、下記構造式で表される吸
光性材料を全固形物の0.1〜10wt％含むことを特徴とす
るポジ型フオトレジスト組成物に存する。
（式中R1はC1〜C6のアルキル基を示し、R2は置換されて
いてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール
基、−(CH2)CO2R3基（R3はC1〜C6のアルキル基を示
す）、Arは置換されていても良いアリール基を示す。） これらの置換基としてはたとえばアルキル基、アリー
ル基、ハロゲン原子、アルキルオキシカルボニル基、ア
リールオキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル
基、アリールアミノカルボニル基、アリールスルホキシ
基、ニトロ基等があげられる。
いてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール
基、−(CH2)CO2R3基（R3はC1〜C6のアルキル基を示
す）、Arは置換されていても良いアリール基を示す。） これらの置換基としてはたとえばアルキル基、アリー
ル基、ハロゲン原子、アルキルオキシカルボニル基、ア
リールオキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル
基、アリールアミノカルボニル基、アリールスルホキシ
基、ニトロ基等があげられる。
以下本発明を説明するに、本発明においては３−シア
ノ−６−ヒドロキシ−２−ピリドン環およびアゾ基の存
在が特に重要であり、該ピリドン環の部分が適度の親水
性を持ち、分子の他の部分の親油的性質とうまくバラン
スを保つてレジストへの溶解度を保ちつつ、感度の著し
い低下を防いでいるのである。またアゾ基は発色団とし
て重要である。本発明の吸光性材料の実例としては次の
ようなものがあげられるがこれに限定されるものでない
ことはもちろんである。
ノ−６−ヒドロキシ−２−ピリドン環およびアゾ基の存
在が特に重要であり、該ピリドン環の部分が適度の親水
性を持ち、分子の他の部分の親油的性質とうまくバラン
スを保つてレジストへの溶解度を保ちつつ、感度の著し
い低下を防いでいるのである。またアゾ基は発色団とし
て重要である。本発明の吸光性材料の実例としては次の
ようなものがあげられるがこれに限定されるものでない
ことはもちろんである。
化合物Ｉ 化合物II このような吸光性材料は公知の方法、例えば下記反応
式に従つて容易に合成することができるが、かならずし
もこの方法に限定されるものではない。
式に従つて容易に合成することができるが、かならずし
もこの方法に限定されるものではない。
式中R1、R2、Arは特許請求の範囲に記載したものと同一
の基を示し、Ｘ、ＹはC1〜C4のアルキル基を示し同一で
も異なつていてもよい。
の基を示し、Ｘ、ＹはC1〜C4のアルキル基を示し同一で
も異なつていてもよい。
この吸光性材料の添加量は全固形分量に対して0.1〜1
0wt％、好ましくは0.5〜8wt％である。添加量がこれよ
り少いとハレーシヨン防止効果が充分でなく、これより
多いと析出等をおこしまた感度の低下が著しく好ましく
ない。
0wt％、好ましくは0.5〜8wt％である。添加量がこれよ
り少いとハレーシヨン防止効果が充分でなく、これより
多いと析出等をおこしまた感度の低下が著しく好ましく
ない。
アルカリ可溶性樹脂はフエノール、クレゾール、エチ
ルフエノール、ｔ−ブチルフエノール、キシレノール、
ナフトール、1,4−ジヒドロキシベンゼン、1,3−ジヒド
ロキシベンゼン等のヒドロキシ芳香族化合物をフオルム
アルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、フ
ルフラール等のアルデヒド縮重合させたいわゆるノボラ
ック樹脂や、ポリヒドロキシスチレンやその誘導体等が
好適に用いられる。又必要に応じてこれにアルカリ不溶
性の樹脂、例えばポリメチルメタクリレート、スチレン
等をブレンドして全体としてアルカリ可溶性としてもよ
い。
ルフエノール、ｔ−ブチルフエノール、キシレノール、
ナフトール、1,4−ジヒドロキシベンゼン、1,3−ジヒド
ロキシベンゼン等のヒドロキシ芳香族化合物をフオルム
アルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、フ
ルフラール等のアルデヒド縮重合させたいわゆるノボラ
ック樹脂や、ポリヒドロキシスチレンやその誘導体等が
好適に用いられる。又必要に応じてこれにアルカリ不溶
性の樹脂、例えばポリメチルメタクリレート、スチレン
等をブレンドして全体としてアルカリ可溶性としてもよ
い。
1,2−ナフトキノンジアジド基を含む化合物としては
特に限定されるものではないが、例えばJ.Kosar著“Lig
ht-sensitive Systems"（John Wiley ＆ Sons,Inc）343
〜351頁に開示されている化合物があげられる。好適に
は1,2−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、1,2−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エス
テル、1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エ
ステル等をあげることができる。更に好適には1,2−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸、或いは1,2−ナ
フトキノンジアジド−４−スルホン酸とポリヒドロキシ
芳香族化合物とのエステルが用いられる。ポリヒドロキ
シ芳香族化合物としては2,3,4−トリヒドロキシベンゾ
フエノン、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフエノ
ン、ケルセチン等が好適に用いられる。
特に限定されるものではないが、例えばJ.Kosar著“Lig
ht-sensitive Systems"（John Wiley ＆ Sons,Inc）343
〜351頁に開示されている化合物があげられる。好適に
は1,2−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、1,2−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エス
テル、1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エ
ステル等をあげることができる。更に好適には1,2−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸、或いは1,2−ナ
フトキノンジアジド−４−スルホン酸とポリヒドロキシ
芳香族化合物とのエステルが用いられる。ポリヒドロキ
シ芳香族化合物としては2,3,4−トリヒドロキシベンゾ
フエノン、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフエノ
ン、ケルセチン等が好適に用いられる。
アルカリ可溶性樹脂と、1,2−ナフトキノンジアジド
基を含む化合物との割合は樹脂100重量部に対して該化
合物５〜100重量部、好ましくは10〜60重量部である。
基を含む化合物との割合は樹脂100重量部に対して該化
合物５〜100重量部、好ましくは10〜60重量部である。
通常はこれらを適当な溶媒に溶解して用いる。溶媒と
しては該感光剤、該樹脂に対して、十分な溶解度を持
ち、良好な塗膜性を与える溶媒であれば特に制限は無い
が、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルセロ
ソルブアセテート、エチルセロソルブアセテートなどの
セロソルブ系溶媒、ブチルアセテート、アミルアセテー
ト等のエステル系の溶媒、又はジメチルフオルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の
高極性溶媒、或いはこれらの混合溶媒、或いは更に芳香
族炭化水素を添加したもの等があげられる。
しては該感光剤、該樹脂に対して、十分な溶解度を持
ち、良好な塗膜性を与える溶媒であれば特に制限は無い
が、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルセロ
ソルブアセテート、エチルセロソルブアセテートなどの
セロソルブ系溶媒、ブチルアセテート、アミルアセテー
ト等のエステル系の溶媒、又はジメチルフオルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の
高極性溶媒、或いはこれらの混合溶媒、或いは更に芳香
族炭化水素を添加したもの等があげられる。
上記レジスト組成物を公知の方法により、基板に塗布
後、所定のパターンに露光し、現像することにより高反
射率の部分においても良好なレジスト像を得ることが出
来る。
後、所定のパターンに露光し、現像することにより高反
射率の部分においても良好なレジスト像を得ることが出
来る。
本発明のポジ型フオトレジスト組成物の現像液には、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水などの無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピル
アミン等の第一級アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−
プロピルアミン等の第二級アミン類、トリエチルアミ
ン、メチルジメチルアミン等の第三級アミン類、テトラ
メチルアンモニウムハイドロオキシド、トリメチルヒド
ロキシエチルアンモニウムハイドロオキシド等の第四級
アンモニウム塩、若しくはこれにアルコール、界面活性
剤等を添加した物を使用することができる。
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水などの無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピル
アミン等の第一級アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−
プロピルアミン等の第二級アミン類、トリエチルアミ
ン、メチルジメチルアミン等の第三級アミン類、テトラ
メチルアンモニウムハイドロオキシド、トリメチルヒド
ロキシエチルアンモニウムハイドロオキシド等の第四級
アンモニウム塩、若しくはこれにアルコール、界面活性
剤等を添加した物を使用することができる。
本発明のポジ型フオトレジスト組成物は超LSIの製造
のみならず一般のIC製造用、さらにはマスク製作用、あ
るいはオフセツト印刷用としても有用である。
のみならず一般のIC製造用、さらにはマスク製作用、あ
るいはオフセツト印刷用としても有用である。
（実施例） 次に具体例を挙げて本発明を更にくわしく説明する
が、本発明はその要旨を越えないかぎりは実施例により
何等制約は受けない。
が、本発明はその要旨を越えないかぎりは実施例により
何等制約は受けない。
実施例１ ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２、５−キシレノ
ールをしゆう酸を触媒としてホルムアルデヒドで縮合し
て得られたノボラツク樹脂（ｍ−クレゾール/p−クレゾ
ール/2,5−キシレノール＝3/4/3、Mw＝6,500）100重量
部と、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフエノンの
1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル
（平均エステル化率75％）33重量部をエチルセロソルブ
315重量部に溶解しフオトレジスト基剤を調整する。
ールをしゆう酸を触媒としてホルムアルデヒドで縮合し
て得られたノボラツク樹脂（ｍ−クレゾール/p−クレゾ
ール/2,5−キシレノール＝3/4/3、Mw＝6,500）100重量
部と、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフエノンの
1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル
（平均エステル化率75％）33重量部をエチルセロソルブ
315重量部に溶解しフオトレジスト基剤を調整する。
このフオトレジスト基材に３重量部（レジスト中の全
固形物の2.2wt％）の３−シアノ−６−ヒドロキシ−５
−（ｐ−イソブチルオキシカルボニルフエニルアゾ）−
４−メチル−１−プロピル−２−ピリドン（化合物Ｉ）
を溶解する。
固形物の2.2wt％）の３−シアノ−６−ヒドロキシ−５
−（ｐ−イソブチルオキシカルボニルフエニルアゾ）−
４−メチル−１−プロピル−２−ピリドン（化合物Ｉ）
を溶解する。
このようにして得たフオトレジスト組成物をシリコン
ウエハー上に膜厚1.0μに塗布し90℃30分クリーンオー
ブン中でプリベーク後縮小投影露光装置（“キヤノンFP
A141"）を用いて露光し、2.38wt％テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキシド水溶液で25℃１分間現像する。
露光部分の膜厚が丁度０となる露光量（Eth）を求め、
その逆数をもつて感度と定義した。表１には吸光性材料
を含まないフオトレジスト基材の感度に対する相対値で
表した。またこのレジストを１μｍの段差のあるA1蒸着
基板に塗布、パターン露光、現像を行いレジスト像をSE
Mで観察した結果、段差部でもレジストの細りはみられ
ずハレーシヨン防止能は充分であつた。
ウエハー上に膜厚1.0μに塗布し90℃30分クリーンオー
ブン中でプリベーク後縮小投影露光装置（“キヤノンFP
A141"）を用いて露光し、2.38wt％テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキシド水溶液で25℃１分間現像する。
露光部分の膜厚が丁度０となる露光量（Eth）を求め、
その逆数をもつて感度と定義した。表１には吸光性材料
を含まないフオトレジスト基材の感度に対する相対値で
表した。またこのレジストを１μｍの段差のあるA1蒸着
基板に塗布、パターン露光、現像を行いレジスト像をSE
Mで観察した結果、段差部でもレジストの細りはみられ
ずハレーシヨン防止能は充分であつた。
またハレーシヨン防止能の他の目やすとしてこのレジ
スト組成物を1.0μｍの厚さに石英ウエーハー上に塗布
し、高圧水銀燈で照射し感光剤を完全にブリーチした後
波長436nm（縮小投影露光装置の露光波長）における透
過率を測定した。Ｔλ＝436＝36％であつた。
スト組成物を1.0μｍの厚さに石英ウエーハー上に塗布
し、高圧水銀燈で照射し感光剤を完全にブリーチした後
波長436nm（縮小投影露光装置の露光波長）における透
過率を測定した。Ｔλ＝436＝36％であつた。
実施例２ 化合物Ｉのかわりに５−（ｍ−クロロフエニルアゾ）
−３−シアノ−６−ヒドロキシ−４−メチル−１−（２
−エチルヘキシル）−２−ピリドン（化合物II）を３重
量部（全固形物の2.2％）用いた以外は実施例１と同様
に評価した。結果を表１に示す。
−３−シアノ−６−ヒドロキシ−４−メチル−１−（２
−エチルヘキシル）−２−ピリドン（化合物II）を３重
量部（全固形物の2.2％）用いた以外は実施例１と同様
に評価した。結果を表１に示す。
比較例１ 化合物Ｉのかわりに親水性が充分でない吸光剤Ｎ−メ
チル−４−シクロヘキシルアミノ−1,8−ナフタリンジ
カルボン酸イミド（化合物III） 1,3重量部を加え実施例と同様に評価した。結果を表１
に示すが感度の低下が著しかつた。
チル−４−シクロヘキシルアミノ−1,8−ナフタリンジ
カルボン酸イミド（化合物III） 1,3重量部を加え実施例と同様に評価した。結果を表１
に示すが感度の低下が著しかつた。
比較例２ 化合物Ｉのかわりに親水性のきわめて強い３−メチル
−５−ヒドロキシ−１−（2,5−ジクロロ−４−スルホ
フエニル）−４−（４スルホフエニルアゾ）−ピラゾー
ルジナトリウム塩（化合物IV） をフオトレジスト基材に溶解しようと試みたが事実上溶
解しなかつた。
−５−ヒドロキシ−１−（2,5−ジクロロ−４−スルホ
フエニル）−４−（４スルホフエニルアゾ）−ピラゾー
ルジナトリウム塩（化合物IV） をフオトレジスト基材に溶解しようと試みたが事実上溶
解しなかつた。
比較例３ 実施例１において化合物Ｉを0.07重量部（全固形分の
0.05％）用いるほかは同様に評価を行つた。ハレーシヨ
ン防止機能が充分でなかつた。
0.05％）用いるほかは同様に評価を行つた。ハレーシヨ
ン防止機能が充分でなかつた。
（発明の効果） 本発明の組成物によれば高反射率基板上においても線
幅制御性に優れ、感度、解像力、耐熱性等の諸特性に勝
れたフオトレジストが得られ、超LSI等の開発に大変好
適に用い得るものである。
幅制御性に優れ、感度、解像力、耐熱性等の諸特性に勝
れたフオトレジストが得られ、超LSI等の開発に大変好
適に用い得るものである。
Claims (1)
- 【請求項１】アルカリ可溶性樹脂及び1,2−ナフトキノ
ンジアジド基を含む化合物から成るポジ型フォトレジス
ト組成物に、下記構造式で表される吸光性材料を全固形
物の0.1〜10wt％含むことを特徴とするポジ型フォトレ
ジスト組成物。 （式中R1はC1〜C6のアルキル基を示し、R2は置換されて
いても良いアルキル基、置換されていても良いアリール
基、−(CH2)CO2R3基（R3はC1〜C6のアルキル基を示
す）、Arは置換されていても良いアリール基を示す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP556887A JPH0812421B2 (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP556887A JPH0812421B2 (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63173042A JPS63173042A (ja) | 1988-07-16 |
| JPH0812421B2 true JPH0812421B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=11614815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP556887A Expired - Lifetime JPH0812421B2 (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812421B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11228039B2 (en) * | 2017-09-25 | 2022-01-18 | University Of Maryland, College Park | Chromate based ceramic anode materials for solid oxide fuel cells |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2640137B2 (ja) * | 1989-02-28 | 1997-08-13 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
-
1987
- 1987-01-13 JP JP556887A patent/JPH0812421B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11228039B2 (en) * | 2017-09-25 | 2022-01-18 | University Of Maryland, College Park | Chromate based ceramic anode materials for solid oxide fuel cells |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63173042A (ja) | 1988-07-16 |
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