JPH08124952A - 両面実装型半導体装置の製造方法 - Google Patents
両面実装型半導体装置の製造方法Info
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- JPH08124952A JPH08124952A JP6284282A JP28428294A JPH08124952A JP H08124952 A JPH08124952 A JP H08124952A JP 6284282 A JP6284282 A JP 6284282A JP 28428294 A JP28428294 A JP 28428294A JP H08124952 A JPH08124952 A JP H08124952A
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- resin sealing
- sealing body
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子搭載部の両面に搭載固着した半導
体素子を封止した第１の樹脂封止体と第２の樹脂封止体
との密着性を向上させ、前記樹脂封止体の境界面での剥
離の発生を防止ぎ長期信頼性の優れた半導体装置を提供
することを目的とするものである。 【構成】 リードフレーム１の半導体素子搭載部１ａの
表面側に第１の半導体素子２ａを搭載し、第１の樹脂封
止体４ａを形成する樹脂封止を行って、しかる後、これ
をシランカッブリングの溶液に浸漬し、その表面にシラ
ンカッブリングの被膜層を形成するプライマー処理を行
って後、その裏面側に第２の半導体素子２ｂを搭載し、
第２の樹脂封止体４ｂを形成する樹脂封止を行い前記半
導体素子搭載部１ａの両面に搭載された半導体素子２
ａ、２ｂが一体的に封止された樹脂封止体４を形成する
ようにしている。
体素子を封止した第１の樹脂封止体と第２の樹脂封止体
との密着性を向上させ、前記樹脂封止体の境界面での剥
離の発生を防止ぎ長期信頼性の優れた半導体装置を提供
することを目的とするものである。 【構成】 リードフレーム１の半導体素子搭載部１ａの
表面側に第１の半導体素子２ａを搭載し、第１の樹脂封
止体４ａを形成する樹脂封止を行って、しかる後、これ
をシランカッブリングの溶液に浸漬し、その表面にシラ
ンカッブリングの被膜層を形成するプライマー処理を行
って後、その裏面側に第２の半導体素子２ｂを搭載し、
第２の樹脂封止体４ｂを形成する樹脂封止を行い前記半
導体素子搭載部１ａの両面に搭載された半導体素子２
ａ、２ｂが一体的に封止された樹脂封止体４を形成する
ようにしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、両面実装型半導体装置
の製造方法に係る、詳細には、リードフレームの半導体
素子搭載部の両面に半導体素子を搭載した両面実装型の
半導体装置の製造方法に関する。
の製造方法に係る、詳細には、リードフレームの半導体
素子搭載部の両面に半導体素子を搭載した両面実装型の
半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の半導体装置は、半導体素子搭載
部、内部リード、外部リード等を備えたリードフレーム
が用いられており、前記リードフレームの半導体素子搭
載部の表面側に第１の半導体素子を搭載し、第１の半導
体素子の電極端子と前記内部リードの表面側とを第１の
ボンディングワイヤ等によって接続し電気的導通回路の
形成を行って後、第１の半導体素子の搭載側のみを樹脂
封止して第１の樹脂封止体の形成を行い、つぎに、これ
を反転して、前記リードフレームの半導体素子搭載部の
裏面側に第２の半導体素子を搭載し、第２の半導体素子
の電極端子と内部リードの裏面側とを第２のボンディン
グワイヤ等によって接続し電気的導通回路を形成し、第
２の半導体素子側のみを樹脂封止して第２の樹脂封止体
の形成を行い一体的に封止された樹脂封止体を形成す
る。次に、不要部分の除去を行い外部リードを所要の形
状（Ｕ字、Ｊ字等）に成形して完成せしめる方法が提案
されている。（例えば、特開平５ー１２１４６２）
部、内部リード、外部リード等を備えたリードフレーム
が用いられており、前記リードフレームの半導体素子搭
載部の表面側に第１の半導体素子を搭載し、第１の半導
体素子の電極端子と前記内部リードの表面側とを第１の
ボンディングワイヤ等によって接続し電気的導通回路の
形成を行って後、第１の半導体素子の搭載側のみを樹脂
封止して第１の樹脂封止体の形成を行い、つぎに、これ
を反転して、前記リードフレームの半導体素子搭載部の
裏面側に第２の半導体素子を搭載し、第２の半導体素子
の電極端子と内部リードの裏面側とを第２のボンディン
グワイヤ等によって接続し電気的導通回路を形成し、第
２の半導体素子側のみを樹脂封止して第２の樹脂封止体
の形成を行い一体的に封止された樹脂封止体を形成す
る。次に、不要部分の除去を行い外部リードを所要の形
状（Ｕ字、Ｊ字等）に成形して完成せしめる方法が提案
されている。（例えば、特開平５ー１２１４６２）
【０００３】
【発明が解決しよとする課題】しかしながら、このよう
な半導体装置の実装においては、第１の半導体素子と第
２の半導体素子とを別々に樹脂封止を行うという方法が
用いられているため、第１の樹脂封止体の形成を行い第
２の樹脂封止体の形成を行う際に、前記第１の樹脂封止
体と第２の樹脂封止体との表面に離型剤が浮き出し、前
記第１の樹脂封止体と第２の樹脂封止体との境界面に前
記離型剤が介在し接合性が低下し、前記第１の樹脂封止
体と第２の樹脂封止体とが剥離するという問題があっ
た。
な半導体装置の実装においては、第１の半導体素子と第
２の半導体素子とを別々に樹脂封止を行うという方法が
用いられているため、第１の樹脂封止体の形成を行い第
２の樹脂封止体の形成を行う際に、前記第１の樹脂封止
体と第２の樹脂封止体との表面に離型剤が浮き出し、前
記第１の樹脂封止体と第２の樹脂封止体との境界面に前
記離型剤が介在し接合性が低下し、前記第１の樹脂封止
体と第２の樹脂封止体とが剥離するという問題があっ
た。
【０００４】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、リードフレームの第１の樹脂封止体と第２の
樹脂封止体との剥離を防止すると共に、これらの密着性
を向上させ、長期信頼性の優れた半導体装置を提供する
ことにある。
であって、リードフレームの第１の樹脂封止体と第２の
樹脂封止体との剥離を防止すると共に、これらの密着性
を向上させ、長期信頼性の優れた半導体装置を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成させる、
請求項１記載の半導体装置の製造方法は、半導体素子搭
載部の表面側に第１の半導体素子を搭載し、第１の樹脂
封止体を形成する樹脂封止を行って、しかる後、これを
シランカッブリング剤の溶液に浸漬し、その表面に前記
シランカッブリングの被膜層を形成するプライマー処理
を行って後、その裏面側に第２の半導体素子を搭載し、
第２の樹脂封止体を形成する樹脂封止を行って、前記半
導体素子搭載部の両面に搭載された半導体素子が一体的
に封止された樹脂封止体を形成するようにしている。ま
た、このプライマー処理は、第１の樹脂封止体を浸漬を
行うだけで良いので、作業効率を低下させることもな
い。また、半導体装置を実装する際に、シラン系の剥離
剤で被膜層を除去するようにすれば外部リードの酸化膜
の生成を防ぎ、半田濡れ性を向上させることができる。
ここで、シランカッブリング剤とは、分子中にメトキシ
基、エポキシ基、セロソルブ基等の無機質と化学結合す
る反応基と、ビニル基、エポキシ基、メタクリル基、ア
ミノ基、メルカプト基等の有機材料と化学結合する反応
基とを具備した有機ケイ素単科体をいう。
請求項１記載の半導体装置の製造方法は、半導体素子搭
載部の表面側に第１の半導体素子を搭載し、第１の樹脂
封止体を形成する樹脂封止を行って、しかる後、これを
シランカッブリング剤の溶液に浸漬し、その表面に前記
シランカッブリングの被膜層を形成するプライマー処理
を行って後、その裏面側に第２の半導体素子を搭載し、
第２の樹脂封止体を形成する樹脂封止を行って、前記半
導体素子搭載部の両面に搭載された半導体素子が一体的
に封止された樹脂封止体を形成するようにしている。ま
た、このプライマー処理は、第１の樹脂封止体を浸漬を
行うだけで良いので、作業効率を低下させることもな
い。また、半導体装置を実装する際に、シラン系の剥離
剤で被膜層を除去するようにすれば外部リードの酸化膜
の生成を防ぎ、半田濡れ性を向上させることができる。
ここで、シランカッブリング剤とは、分子中にメトキシ
基、エポキシ基、セロソルブ基等の無機質と化学結合す
る反応基と、ビニル基、エポキシ基、メタクリル基、ア
ミノ基、メルカプト基等の有機材料と化学結合する反応
基とを具備した有機ケイ素単科体をいう。
【０００６】
【発明の作用】請求項１記載の半導体装置の製造方法に
よれば、リードフレームの半導体素子搭載部に第１の半
導体素子を搭載固着すると共に、ワイヤボンデング法に
より、内部リードと前記半導体素子の電極端子との結線
を行い、第１の半導体素子を搭載面側にのみ樹脂封止を
行った後、第２の樹脂封止体の形成を行うに先立ち、プ
ライマー処理を行いその表面にシランカッブリングの被
膜層を形成しいるので、第２の樹脂封体の形成を行う際
に、その表面のシランカッブリングの被膜層が封止樹脂
及び露出した内部リードの表面とでカップリング反応を
起こし、これによって内部リード面及び第１の樹脂封止
体面と第２の樹脂封止体面との境界面に中間物質が生成
される。この中間物質が第１の樹脂封止体面と第２の樹
脂封止体面との接合性を著しく向上させる。
よれば、リードフレームの半導体素子搭載部に第１の半
導体素子を搭載固着すると共に、ワイヤボンデング法に
より、内部リードと前記半導体素子の電極端子との結線
を行い、第１の半導体素子を搭載面側にのみ樹脂封止を
行った後、第２の樹脂封止体の形成を行うに先立ち、プ
ライマー処理を行いその表面にシランカッブリングの被
膜層を形成しいるので、第２の樹脂封体の形成を行う際
に、その表面のシランカッブリングの被膜層が封止樹脂
及び露出した内部リードの表面とでカップリング反応を
起こし、これによって内部リード面及び第１の樹脂封止
体面と第２の樹脂封止体面との境界面に中間物質が生成
される。この中間物質が第１の樹脂封止体面と第２の樹
脂封止体面との接合性を著しく向上させる。
【０００７】
【実施例】続いて、本発明の実施の一例を添付した図面
に基づき詳細に説明する。図１は本発明の実施の一例に
係るリードフレームの平面図、図２（ａ）は本発明の実
施の一例に係る半導体装置の斜視図、（ｂ）は本発明の
実施の一例に係る半導体装置の断面図、図３は本発明の
実施の一例に係る半導体装置の実装工程を示す工程図で
ある。
に基づき詳細に説明する。図１は本発明の実施の一例に
係るリードフレームの平面図、図２（ａ）は本発明の実
施の一例に係る半導体装置の斜視図、（ｂ）は本発明の
実施の一例に係る半導体装置の断面図、図３は本発明の
実施の一例に係る半導体装置の実装工程を示す工程図で
ある。
【０００８】まず、図１、図２（ａ）、（ｂ）に示すよ
うに、本発明の実施の一例に係る半導体装置は、リード
フレーム１の半導体搭載部１ａの表面に第１の半導体素
子２ａを搭載固着し、第１のボンデングワイヤ３ａを介
して前記第１の半導体素子２ａの電極端子とリードフレ
ーム１の内部リード１ｂとを連接して電気的導通回路を
形成し、前記第１の半導体素子２ａの搭載面側のみ樹脂
封止を行って形成した第１の樹脂封止体４ａと、前記リ
ードフレーム１の半導体搭載部１ａの裏面に第２の半導
体素子２ｂを搭載固着し、第２のボンデングワイヤ３ｂ
を介して前記第２の半導体素子２ｂの電極端子とリード
フレーム１の内部リード１ｂとを連接して電気的導通回
路の形成を行い前記第２の半導体素子２ｂの搭載面側の
み樹脂封止を行って形成した第２の樹脂封止体４ｂと、
プライマー処理により生成された第１の樹脂封止体４ａ
と第２の樹脂封止体４ｂとの間に中間物質４ｃとを具備
し、前記リードフレーム１の半導体素子搭載部１ａの両
面に搭載された半導体素子が一体的に樹脂封止されたも
のである。
うに、本発明の実施の一例に係る半導体装置は、リード
フレーム１の半導体搭載部１ａの表面に第１の半導体素
子２ａを搭載固着し、第１のボンデングワイヤ３ａを介
して前記第１の半導体素子２ａの電極端子とリードフレ
ーム１の内部リード１ｂとを連接して電気的導通回路を
形成し、前記第１の半導体素子２ａの搭載面側のみ樹脂
封止を行って形成した第１の樹脂封止体４ａと、前記リ
ードフレーム１の半導体搭載部１ａの裏面に第２の半導
体素子２ｂを搭載固着し、第２のボンデングワイヤ３ｂ
を介して前記第２の半導体素子２ｂの電極端子とリード
フレーム１の内部リード１ｂとを連接して電気的導通回
路の形成を行い前記第２の半導体素子２ｂの搭載面側の
み樹脂封止を行って形成した第２の樹脂封止体４ｂと、
プライマー処理により生成された第１の樹脂封止体４ａ
と第２の樹脂封止体４ｂとの間に中間物質４ｃとを具備
し、前記リードフレーム１の半導体素子搭載部１ａの両
面に搭載された半導体素子が一体的に樹脂封止されたも
のである。
【０００９】次に、本発明の実施の一例に係る半導体装
置の製造方法について説明する。
置の製造方法について説明する。
【００１０】まず、慣用のプレス加工またはエッチング
加工法により、半導体素子搭載部１ａ、内部リード１ｂ
及び外部リード１ｃ等を具備したリードフレーム１の所
要の形状を形成を行った後、必要に応じて、その表面に
金属メッキ層の形成や内部リードを相互に連結するテー
ピング加工を行って図１に示すリードフレーム１を形成
する。
加工法により、半導体素子搭載部１ａ、内部リード１ｂ
及び外部リード１ｃ等を具備したリードフレーム１の所
要の形状を形成を行った後、必要に応じて、その表面に
金属メッキ層の形成や内部リードを相互に連結するテー
ピング加工を行って図１に示すリードフレーム１を形成
する。
【００１１】つぎに、図３（ａ）に示すように、前記リ
ードフレーム１の素子搭載部１ａの表面側に第１の半導
体素子２ａを搭載固着を行った後、第１の半導体素子２
ａの電極端子の一つに第１のボンデングワイヤ３ａの一
端を接続し、その他端を内部リード１ｂの表面側の一つ
に接続して電気的導通回路の形成を行う。
ードフレーム１の素子搭載部１ａの表面側に第１の半導
体素子２ａを搭載固着を行った後、第１の半導体素子２
ａの電極端子の一つに第１のボンデングワイヤ３ａの一
端を接続し、その他端を内部リード１ｂの表面側の一つ
に接続して電気的導通回路の形成を行う。
【００１２】つぎに、図３（ｂ）に示すように、前記第
１の半導体素子２ａと第１のボンデングワイヤ３ａと内
部リード１ｂの一端部側とを封止樹脂で素子搭載面側の
みを封止して第１の樹脂封止体４ａを形成する。ここ
で、樹脂封止に用いた樹脂封止金型Ｋの上型Ｋａ、下型
Ｋｂのいずれか一方をキャビティ（樹脂充填空間）のな
いものとし、慣用の樹脂封止方法と同様に行えばよい。
１の半導体素子２ａと第１のボンデングワイヤ３ａと内
部リード１ｂの一端部側とを封止樹脂で素子搭載面側の
みを封止して第１の樹脂封止体４ａを形成する。ここ
で、樹脂封止に用いた樹脂封止金型Ｋの上型Ｋａ、下型
Ｋｂのいずれか一方をキャビティ（樹脂充填空間）のな
いものとし、慣用の樹脂封止方法と同様に行えばよい。
【００１３】続いて、図３（ｃ）に示すように、第１の
樹脂封止体４ａを形成したリードフレーム１をテフロン
製のラックに載置し、全体を、ヘキサンとイソプロピル
アルコールにシランカップリング剤を溶かしたプライマ
ー溶液に、浸漬した後、常温で乾燥し、表面にシランカ
ップリングの被膜層を形成する。ここで、全面にシラン
カップリング層を形成するようにしたが外部リード１ｂ
等の不要領域を被覆してプライマー処理を行うこともで
きる。
樹脂封止体４ａを形成したリードフレーム１をテフロン
製のラックに載置し、全体を、ヘキサンとイソプロピル
アルコールにシランカップリング剤を溶かしたプライマ
ー溶液に、浸漬した後、常温で乾燥し、表面にシランカ
ップリングの被膜層を形成する。ここで、全面にシラン
カップリング層を形成するようにしたが外部リード１ｂ
等の不要領域を被覆してプライマー処理を行うこともで
きる。
【００１４】次に、図３（ｄ）に示すように、前記リー
ドフレーム１の素子搭載部１ａの裏面側に、第２の半導
体素子２ｂを搭載固着し、第２の半導体素子２ｂの電極
端子の一つに第２のボンデングワイヤ３ｂの一端を接続
し、その他端を内部リード１ｂの他面側の一つに接続し
て電気的導通回路の形成を行う。
ドフレーム１の素子搭載部１ａの裏面側に、第２の半導
体素子２ｂを搭載固着し、第２の半導体素子２ｂの電極
端子の一つに第２のボンデングワイヤ３ｂの一端を接続
し、その他端を内部リード１ｂの他面側の一つに接続し
て電気的導通回路の形成を行う。
【００１５】つぎに、図３（ｅ）に示すように、前記第
２の半導体素子２ａと第２のボンデングワイヤ３ｂと内
部リード１ｂの一端部側とを、封止樹脂で第２の半導体
素子搭載面側のみを封止して第１の樹脂封止体４ａが形
成される。前記半導体素子搭載部１ａの両面に搭載され
た半導体素子を一体的に樹脂封止された樹脂封止体４が
形成される。ここで、樹脂封止に用いた樹脂封止金型Ｋ
の上型Ｋａ、下型Ｋｂのいずれか一方にキャビティ（樹
脂充填空間）を設け、他方に第１の樹脂封止体４ａを収
納する空間を設けたものとし、慣用の樹脂封止方法と同
様に行えばよい。ここで、前記キャビティ内に封止樹脂
が充填されて、前記第１の樹脂封止体４ａと結合した第
２の樹脂封止体４ｂが形成されると共に、図２に示すよ
うな前記半導体素子搭載部１ａの両面に搭載された半導
体素子を一体的に樹脂封止された樹脂封止体４が形成さ
れる。
２の半導体素子２ａと第２のボンデングワイヤ３ｂと内
部リード１ｂの一端部側とを、封止樹脂で第２の半導体
素子搭載面側のみを封止して第１の樹脂封止体４ａが形
成される。前記半導体素子搭載部１ａの両面に搭載され
た半導体素子を一体的に樹脂封止された樹脂封止体４が
形成される。ここで、樹脂封止に用いた樹脂封止金型Ｋ
の上型Ｋａ、下型Ｋｂのいずれか一方にキャビティ（樹
脂充填空間）を設け、他方に第１の樹脂封止体４ａを収
納する空間を設けたものとし、慣用の樹脂封止方法と同
様に行えばよい。ここで、前記キャビティ内に封止樹脂
が充填されて、前記第１の樹脂封止体４ａと結合した第
２の樹脂封止体４ｂが形成されると共に、図２に示すよ
うな前記半導体素子搭載部１ａの両面に搭載された半導
体素子を一体的に樹脂封止された樹脂封止体４が形成さ
れる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の半導
体装置の製造方法によれば、第１の樹脂封止体４ａと第
２の樹脂封止体４ｂの境界面にプライマー処理により生
成された中間物質４ｃが介在させているので、第１の樹
脂封止体４ａと第２の樹脂封止体４ｂとの密着性が向上
し、長期信頼性の高い、高密度の薄型の半導体装置を得
ることができる。
体装置の製造方法によれば、第１の樹脂封止体４ａと第
２の樹脂封止体４ｂの境界面にプライマー処理により生
成された中間物質４ｃが介在させているので、第１の樹
脂封止体４ａと第２の樹脂封止体４ｂとの密着性が向上
し、長期信頼性の高い、高密度の薄型の半導体装置を得
ることができる。
【図１】本発明の実施の一例に係るリードフレームの平
面図である。
面図である。
【図２】（ａ）は本発明の実施の一例に係る半導体装置
の斜視図である。（ｂ）は本発明の実施の一例に係る半
導体装置の断面図である。
の斜視図である。（ｂ）は本発明の実施の一例に係る半
導体装置の断面図である。
【図３】本発明の実施の一例に係る半導体装置の実装工
程を示す工程図である。
程を示す工程図である。
１ リードフレーム １ａ 半導体素子搭載部 １ｂ 内部リード １ｃ 外部リード ２ａ 第１の半導体素子 ２ｂ 第２の半導体素子 ３ａ 第１のボンデングワイヤ ３ｂ 第２のボンデングワイヤ ４ 樹脂封止体 ４ａ 第１の樹脂封止体 ４ｂ 第２の樹脂封止体 ４ｃ 中間物質 Ｋ 樹脂封止金型 Ｋａ 上型 Ｋｂ 下型
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 25/07 25/18
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子搭載部と、前記半導体素子搭
載部に近接して放射状に配列した複数の内部リードと、
これに連接した外部リードとを具備したリードフレーム
が用いられており、前記半導体素子搭載部の表裏両面に
半導体素子を搭載した両面実装型半導体装置の製造方法
であって、前記リードフレームの半導体素子搭載部の表
面側に第１の半導体素子を搭載し、第１の樹脂封止体を
形成する樹脂封止を行って、これをシランカッブリング
の溶液に浸漬し、その全面又は一部に前記シランカッブ
リングの被膜層を形成するプライマー処理を行って後、
前記半導体素子搭載部の裏面側に第２の半導体素子を搭
載し、第２の樹脂封止体を形成する樹脂封止を行い前記
半導体素子搭載部の両面に搭載された半導体素子が一体
的に封止された樹脂封止体を形成することを特徴とする
両面実装型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6284282A JPH08124952A (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 両面実装型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6284282A JPH08124952A (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 両面実装型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124952A true JPH08124952A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17676517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6284282A Pending JPH08124952A (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 両面実装型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08124952A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017126774A (ja) * | 2011-04-04 | 2017-07-20 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-10-24 JP JP6284282A patent/JPH08124952A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017126774A (ja) * | 2011-04-04 | 2017-07-20 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US10290565B2 (en) | 2011-04-04 | 2019-05-14 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
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