JPH08125405A - 共振器及びこの共振器より成るろ波器 - Google Patents
共振器及びこの共振器より成るろ波器Info
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- JPH08125405A JPH08125405A JP28412494A JP28412494A JPH08125405A JP H08125405 A JPH08125405 A JP H08125405A JP 28412494 A JP28412494 A JP 28412494A JP 28412494 A JP28412494 A JP 28412494A JP H08125405 A JPH08125405 A JP H08125405A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】簡潔で、耐震性に優れ、耐電圧特性が良好で、
共振周波数の設定範囲が広く、温度特性が良好な共振器
及びこの共振器より成るろ波器を実現する。 【構成】下端部が、外部導体１の下壁に固定され、上端
部が、外部導体１の上壁と適宜間隔を隔てて対向する固
体誘電体より成る円筒体２を設け、この円筒体の外周面
に付着させた金属薄層の下端部を外部導体の下壁に電気
的に接続して固定電極３を形成し、円筒状又は円柱状導
体より成る可動電極４を外部導体の上壁に取付けてあ
る。また、この可動電極４と固定電極３は同軸状に設け
られ、可動電極４の内端部が固定電極３の内部に挿入さ
れる軸長を変えることができるように形成し、外部導体
１に分布するインダクタンスと、固定電極と可動電極に
よって形成される可変共振容量素子の容量によって並列
共振回路が形成される。
共振周波数の設定範囲が広く、温度特性が良好な共振器
及びこの共振器より成るろ波器を実現する。 【構成】下端部が、外部導体１の下壁に固定され、上端
部が、外部導体１の上壁と適宜間隔を隔てて対向する固
体誘電体より成る円筒体２を設け、この円筒体の外周面
に付着させた金属薄層の下端部を外部導体の下壁に電気
的に接続して固定電極３を形成し、円筒状又は円柱状導
体より成る可動電極４を外部導体の上壁に取付けてあ
る。また、この可動電極４と固定電極３は同軸状に設け
られ、可動電極４の内端部が固定電極３の内部に挿入さ
れる軸長を変えることができるように形成し、外部導体
１に分布するインダクタンスと、固定電極と可動電極に
よって形成される可変共振容量素子の容量によって並列
共振回路が形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、無線通信装置又は放送
装置等における雑音の除去或は信号の分波又は合成等に
好適な新規の共振器及びこの共振器より成るろ波器に関
するものである。
装置等における雑音の除去或は信号の分波又は合成等に
好適な新規の共振器及びこの共振器より成るろ波器に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】短波帯又は超短波帯のように、比較的低
い周波数帯においては、集中定数回路素子であるコイル
及びコンデンサによって構成された共振器、又は、例え
ば図４１及び図４２に要部の断面図を示すヘリカル共振
器が従来用いられている。図４１は、図４２のＢ−Ｂ断
面図、図４２は、図４１のＡ−Ａ断面図で、１は外部導
体、42はヘリカル共振素子で、一端を外部導体１の内壁
に機械的電気的に固定接続し、中間部分を空間において
コイル状に捲回し、他端に取り付けた容量形成電極43を
絶縁碍子441 及び442 を介して外部導体１の内壁に固定
してある。45は可動電極、46は駆動螺子、47はロックナ
ットである。駆動螺子46を正方向又は逆方向に回転させ
て可動電極45を前進又は後退させることにより、電極43
との間の容量を変化させて共振周波数を微細に調整する
ことができる。図４１及び図４２には、入出力結合素子
及び入出力端子を図示するのを省略してある。
い周波数帯においては、集中定数回路素子であるコイル
及びコンデンサによって構成された共振器、又は、例え
ば図４１及び図４２に要部の断面図を示すヘリカル共振
器が従来用いられている。図４１は、図４２のＢ−Ｂ断
面図、図４２は、図４１のＡ−Ａ断面図で、１は外部導
体、42はヘリカル共振素子で、一端を外部導体１の内壁
に機械的電気的に固定接続し、中間部分を空間において
コイル状に捲回し、他端に取り付けた容量形成電極43を
絶縁碍子441 及び442 を介して外部導体１の内壁に固定
してある。45は可動電極、46は駆動螺子、47はロックナ
ットである。駆動螺子46を正方向又は逆方向に回転させ
て可動電極45を前進又は後退させることにより、電極43
との間の容量を変化させて共振周波数を微細に調整する
ことができる。図４１及び図４２には、入出力結合素子
及び入出力端子を図示するのを省略してある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】集中定数回路素子であ
るコイル及びコンデンサによって構成される共振器は、
無負荷Ｑの高い共振器を製作することが困難である。図
４１及び図４２に示した従来の共振器は、ヘリカル共振
素子42を金属性の線材又は比較的細い丸棒状導体をコイ
ル状に捲回して形成してあるので、ヘリカル共振素子42
自体の放熱面積が狭いばかりでなく、外部導体１への熱
伝導性に劣るので、ヘリカル共振素子42において電力損
失によって生ずる熱が、ヘリカル共振素子42自体及び外
部導体１から効果的に放熱され難く、共振器の各構成素
子の温度上昇に基づく変形によって共振周波数が変動す
る欠点がある。ヘリカル共振素子42の両端部は、外部導
体１の内壁に直接又は間接的に支持固定されているが、
中間部分は支持体等に支持されることなく、自力でコイ
ル状の姿勢を保つように形成されているので、耐震性に
劣り、製作が困難で、コスト高となる。ヘリカル共振素
子42を形成する線材又は丸棒の直径が比較的大なる場合
には、ヘリカル共振素子42の温度上昇に基づくヘリカル
共振素子42自体の変形によって電極43を介して絶縁碍子
441 及び442 に機械的歪が繰り返し加えられ、絶縁碍子
441 及び442 が破損するに到る場合もある。又、ヘリカ
ル共振器は、インピ−ダンスが高いため、耐電圧特性に
劣る欠点がある。このようなヘリカル共振器を用いてろ
波器を構成するときは、上記ヘリカル共振器の有する各
種欠点がそのままろ波器の欠点として現れることとな
る。
るコイル及びコンデンサによって構成される共振器は、
無負荷Ｑの高い共振器を製作することが困難である。図
４１及び図４２に示した従来の共振器は、ヘリカル共振
素子42を金属性の線材又は比較的細い丸棒状導体をコイ
ル状に捲回して形成してあるので、ヘリカル共振素子42
自体の放熱面積が狭いばかりでなく、外部導体１への熱
伝導性に劣るので、ヘリカル共振素子42において電力損
失によって生ずる熱が、ヘリカル共振素子42自体及び外
部導体１から効果的に放熱され難く、共振器の各構成素
子の温度上昇に基づく変形によって共振周波数が変動す
る欠点がある。ヘリカル共振素子42の両端部は、外部導
体１の内壁に直接又は間接的に支持固定されているが、
中間部分は支持体等に支持されることなく、自力でコイ
ル状の姿勢を保つように形成されているので、耐震性に
劣り、製作が困難で、コスト高となる。ヘリカル共振素
子42を形成する線材又は丸棒の直径が比較的大なる場合
には、ヘリカル共振素子42の温度上昇に基づくヘリカル
共振素子42自体の変形によって電極43を介して絶縁碍子
441 及び442 に機械的歪が繰り返し加えられ、絶縁碍子
441 及び442 が破損するに到る場合もある。又、ヘリカ
ル共振器は、インピ−ダンスが高いため、耐電圧特性に
劣る欠点がある。このようなヘリカル共振器を用いてろ
波器を構成するときは、上記ヘリカル共振器の有する各
種欠点がそのままろ波器の欠点として現れることとな
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、外部導体の下
壁に下端部が固定され、上端部が適宜間隔を隔てて外部
導体の上壁と対向する固体誘電体より成る円筒体の外周
面に付着され、下端部が外部導体の下壁に電気的に接続
された金属薄層より成る固定電極と、固定電極と同軸状
に保たれ、固体誘電体より成る円筒体内への挿入長を変
えることが可能なように外部導体の上壁に取り付けられ
た円筒状又は円柱状導体より成る可動電極とによって形
成される可変共振容量素子を備えた共振器及びこの共振
器より成るろ波器を実現することによって、従来の共振
器及びろ波器の欠点を除こうとするものである。
壁に下端部が固定され、上端部が適宜間隔を隔てて外部
導体の上壁と対向する固体誘電体より成る円筒体の外周
面に付着され、下端部が外部導体の下壁に電気的に接続
された金属薄層より成る固定電極と、固定電極と同軸状
に保たれ、固体誘電体より成る円筒体内への挿入長を変
えることが可能なように外部導体の上壁に取り付けられ
た円筒状又は円柱状導体より成る可動電極とによって形
成される可変共振容量素子を備えた共振器及びこの共振
器より成るろ波器を実現することによって、従来の共振
器及びろ波器の欠点を除こうとするものである。
【０００５】
【実施例】図１（ａ）は、本発明の一実施例を示す断面
図［図１（ｂ）のＢ−Ｂ断面図］、図１（ｂ）は、図１
（ａ）のＡ−Ａ断面図で、１は外部導体で、図には角型
の立方体より成る場合を例示してあるが、有底円筒体で
形成してもよい。２は固体誘電体より成る円筒体で、下
端部を適当な接着剤を用いる等の手段によって外部導体
１の下壁に固定し、上端部は適当な間隔を隔てて外部導
体１の上壁と対向させてある。３は固定電極で、固体誘
電体より成る円筒体２の外周面に付着させた銀等の金属
薄層より成り、その下端部を半田付け等の手段によって
外部導体１の下壁に電気的に接続してある。４は可動電
極で、外周面に螺子を刻んだ円柱状又は円筒状導体（例
えば銀）より成り、固定電極３と同軸状に保って外部導
体１の上壁に設けた螺子孔に螺合させ、正方向又は逆方
向に回転させて前進又は後退させることによって、固体
誘電体より成る円筒体２内への挿入長、したがって、ま
た固定電極３内への挿入長を変えることができるように
形成してある。５はロックナットである。６は入力（又
は出力）端子、７は出力（又は入力）端子で、それぞれ
例えば同軸接栓より成り、各同軸接栓を形成する外部導
体を、共振器を形成する外部導体１に接続してある。８
は入力（又は出力）結合線で、一端を同軸接栓６の内部
導体に接続し、他端を固定電極３に接続してある。９は
出力（又は入力）結合線で、一端を同軸接栓７の内部導
体に接続し、他端を固定電極３に接続してある。10は共
振周波数の微調整素子で、例えば外部導体１の壁面に螺
合させた金属螺子より成る。11はロックナットである。
図［図１（ｂ）のＢ−Ｂ断面図］、図１（ｂ）は、図１
（ａ）のＡ−Ａ断面図で、１は外部導体で、図には角型
の立方体より成る場合を例示してあるが、有底円筒体で
形成してもよい。２は固体誘電体より成る円筒体で、下
端部を適当な接着剤を用いる等の手段によって外部導体
１の下壁に固定し、上端部は適当な間隔を隔てて外部導
体１の上壁と対向させてある。３は固定電極で、固体誘
電体より成る円筒体２の外周面に付着させた銀等の金属
薄層より成り、その下端部を半田付け等の手段によって
外部導体１の下壁に電気的に接続してある。４は可動電
極で、外周面に螺子を刻んだ円柱状又は円筒状導体（例
えば銀）より成り、固定電極３と同軸状に保って外部導
体１の上壁に設けた螺子孔に螺合させ、正方向又は逆方
向に回転させて前進又は後退させることによって、固体
誘電体より成る円筒体２内への挿入長、したがって、ま
た固定電極３内への挿入長を変えることができるように
形成してある。５はロックナットである。６は入力（又
は出力）端子、７は出力（又は入力）端子で、それぞれ
例えば同軸接栓より成り、各同軸接栓を形成する外部導
体を、共振器を形成する外部導体１に接続してある。８
は入力（又は出力）結合線で、一端を同軸接栓６の内部
導体に接続し、他端を固定電極３に接続してある。９は
出力（又は入力）結合線で、一端を同軸接栓７の内部導
体に接続し、他端を固定電極３に接続してある。10は共
振周波数の微調整素子で、例えば外部導体１の壁面に螺
合させた金属螺子より成る。11はロックナットである。
【０００６】このように構成した本発明共振器において
は、外部導体１における分布インダクタンス分と、固体
誘電体より成る円筒体２、固定電極３及び可動電極４に
よって形成される可変共振容量素子における容量分とに
よって、図２に等価回路図を示すような、並列共振回路
が形成される。図２において、Ｒは共振回路、T6は入力
（又は出力）端子、T7は出力（又は入力）端子、M6R は
入力（又は出力）磁界結合係数、MR7 は出力（又は入
力）磁界結合係数である。例えば同軸接栓６に高周波電
力を加えると、本発明共振器における電磁界分布は図１
（ａ）及び図１（ｂ）に示すようになる。図１（ａ）に
おける矢印を付した実線Ｅは電界ベクトルを、矢印を付
した実線Ｉは電流を、図１（ｂ）における破線Ｈは磁界
を、それぞれ表わす。本発明共振器におけるインダクタ
ンス分は比較的小で、容量分は比較的大であるから、低
インピ−ダンス形で耐電圧特性の良好な共振器となる。
可変共振容量素子を形成する固体誘電体より成る円筒体
２として誘電率が高く、誘電体損失がほぼ零程度にまで
少ない材質を用いることによって、固体誘電体より成る
円筒体２、固定電極３及び可動電極４より成る可変共振
容量素子のＱ(Qd)を無視することができ、又、本発明共
振器が蓄積し得る電磁エネルギは外部導体１の体積に対
応し、本発明共振器を構成する金属部分における抵抗を
極めて低くすることが可能であるから、非常に大きな無
負荷Ｑを得ることができる。本発明共振器における外部
導体１、固定電極３及び可動電極４を銅で形成した場合
における無負荷Ｑ(Qu)の大きさは、本発明共振器におけ
るインダクタンス分と容量分との比率によっても異なる
が、本発明者は試作品によって次式のような無負荷Ｑ(Q
u)の実験式を得ることができた。 Qu≒20fO 1/2・ SH ・・・・（１） 上式において、 fO：共振周波数(MHz) SH：外部導体１の高さ(cm)
は、外部導体１における分布インダクタンス分と、固体
誘電体より成る円筒体２、固定電極３及び可動電極４に
よって形成される可変共振容量素子における容量分とに
よって、図２に等価回路図を示すような、並列共振回路
が形成される。図２において、Ｒは共振回路、T6は入力
（又は出力）端子、T7は出力（又は入力）端子、M6R は
入力（又は出力）磁界結合係数、MR7 は出力（又は入
力）磁界結合係数である。例えば同軸接栓６に高周波電
力を加えると、本発明共振器における電磁界分布は図１
（ａ）及び図１（ｂ）に示すようになる。図１（ａ）に
おける矢印を付した実線Ｅは電界ベクトルを、矢印を付
した実線Ｉは電流を、図１（ｂ）における破線Ｈは磁界
を、それぞれ表わす。本発明共振器におけるインダクタ
ンス分は比較的小で、容量分は比較的大であるから、低
インピ−ダンス形で耐電圧特性の良好な共振器となる。
可変共振容量素子を形成する固体誘電体より成る円筒体
２として誘電率が高く、誘電体損失がほぼ零程度にまで
少ない材質を用いることによって、固体誘電体より成る
円筒体２、固定電極３及び可動電極４より成る可変共振
容量素子のＱ(Qd)を無視することができ、又、本発明共
振器が蓄積し得る電磁エネルギは外部導体１の体積に対
応し、本発明共振器を構成する金属部分における抵抗を
極めて低くすることが可能であるから、非常に大きな無
負荷Ｑを得ることができる。本発明共振器における外部
導体１、固定電極３及び可動電極４を銅で形成した場合
における無負荷Ｑ(Qu)の大きさは、本発明共振器におけ
るインダクタンス分と容量分との比率によっても異なる
が、本発明者は試作品によって次式のような無負荷Ｑ(Q
u)の実験式を得ることができた。 Qu≒20fO 1/2・ SH ・・・・（１） 上式において、 fO：共振周波数(MHz) SH：外部導体１の高さ(cm)
【０００７】図１には、本発明共振器の容量分を固体誘
電体より成る円筒体２、固定電極３及び可動電極４によ
って形成した場合を例示したが、集中定数回路素子より
成る可変容量コンデンサを用いるようにしてもよい。図
１には、入力（又は出力）端子６と固定電極３間及び出
力（又は入力）端子７と固定電極３間を各高周波的に結
合する手段として、結合線８及び９によってタップ結合
した場合を例示したが、図３に示すように、端子６と固
定電極３間を容量素子12を介して容量結合する手段を用
いるとと共に、端子７と固定電極３間を容量素子13を介
して容量結合する手段を用いてもよく、図４に示すよう
に、入出力結合手段としてプロ−ブ14及び15を用いる
か、図５に示すように、入出力結合手段としてル−プ16
及び17を用いてもよい。尚、図３ないし図５は、図１
（ｂ）における外部導体１の側壁のうち、下方（図面に
向かって）の側壁を除いて上方を見た断面図に相当し、
以下、図３ないし図５と同様の図面、例えば図６等も同
様の断面図である。図３ないし図５において、図面の説
明の際に言及することのなかった符号及び構成は、図１
と同様である。
電体より成る円筒体２、固定電極３及び可動電極４によ
って形成した場合を例示したが、集中定数回路素子より
成る可変容量コンデンサを用いるようにしてもよい。図
１には、入力（又は出力）端子６と固定電極３間及び出
力（又は入力）端子７と固定電極３間を各高周波的に結
合する手段として、結合線８及び９によってタップ結合
した場合を例示したが、図３に示すように、端子６と固
定電極３間を容量素子12を介して容量結合する手段を用
いるとと共に、端子７と固定電極３間を容量素子13を介
して容量結合する手段を用いてもよく、図４に示すよう
に、入出力結合手段としてプロ−ブ14及び15を用いる
か、図５に示すように、入出力結合手段としてル−プ16
及び17を用いてもよい。尚、図３ないし図５は、図１
（ｂ）における外部導体１の側壁のうち、下方（図面に
向かって）の側壁を除いて上方を見た断面図に相当し、
以下、図３ないし図５と同様の図面、例えば図６等も同
様の断面図である。図３ないし図５において、図面の説
明の際に言及することのなかった符号及び構成は、図１
と同様である。
【０００８】図６は、本発明の他の実施例を示す断面図
で、18及び19は伝送特性補償用のインダクタンス素子、
20は結合用容量素子で、他の符号及び構成は図１と同様
である。図７は、図６に示した共振器の等価回路図で、
Ｒは、外部導体１と可変共振容量素子によって形成され
る共振回路、T6及びT7は外部回路との接続端子で、他の
符号は図６と同様である。本実施例においては、外部回
路との接続端子６と７間に挿入された伝送特性補償用の
インダクタンス素子18及び19並びに両インダクタンス素
子18及び19の接続点と可変共振容量素子を形成する固定
電極３との間に挿入接続された容量素子20によって低域
通過ろ波回路が形成され、図８（横軸は周波数、縦軸は
減衰量）に伝送特性を示すように、共振周波数fOより低
い周波数領域における減衰特性曲線の勾配が急峻とな
り、共振周波数fOより高い周波数領域における減衰特性
曲線の勾配が緩やかとなると共に、共振周波数fOを含む
周波数領域に伝送阻止帯域が形成される。尚、結合用容
量素子20の容量に応じて、共振回路Ｒと結合用容量素子
20からなる回路の共振周波数fOが変化し、又、図１に示
した共振周波数微調整素子10と同様の調整素子を設ける
ことによって、共振周波数の微細調整を行うことができ
る。図９は、伝送特性補償用インダクタンス素子18及び
19の接続点と、可変共振容量素子を形成する固定電極３
との結合を、インダクタンス素子21を用いてタップ結合
により行うように形成した点、インダクタンス素子21の
インダクタンスに応じて、共振回路Ｒと結合用インダク
タンス素子21からなる回路の共振周波数fOが変化する点
が図６に示した実施例と異なり、他の符号、構成及び作
動は図６に示した実施例とほぼ同様である。図１０は、
図９に示した共振器の等価回路図で、インダクタンス素
子21を除く他の符号は、図７と同様である。図１１（横
軸及び縦軸は、図８と同様である）は、図９に示した共
振器の伝送特性を示す図で、図８に示した特性とほぼ同
様である。図１２もまた本発明の他の実施例を示す断面
図で、本実施例においては、図６に示した実施例におけ
る伝送特性補償用のインダクタンス素子18及び19を容量
素子22及び23で置き換えた点が図６に示した実施例と異
なり、他の符号及び構成は、図６に示した実施例と同様
である。図１３は、図１２に示した共振器の等価回路図
で、容量素子22及び23を除く他の符号は、図７と同様で
ある。図１４（横軸及び縦軸は、図８と同様である）
は、図１２に示した共振器の伝送特性を示す図で、本実
施例においては、共振周波数fOより低い周波数領域にお
ける減衰特性曲線の勾配が緩やかで、共振周波数fOより
高い周波数領域における減衰特性曲線の勾配が急峻で、
共振周波数fOを含む周波数領域に阻止帯域が形成され
る。図１５に示した実施例は、伝送特性補償素子として
容量素子22及び23を用いる点は図１２に示した実施例と
同様で、結合素子としてインダクタンス素子21を用いて
タップ結合を行うように形成した点は図９に示した実施
例と同様で、他の符号及び構成は、図１２に示した実施
例と同様である。図１６は、図１５に示した共振器の等
価回路図で、符号は、インダクタンス素子21を除いて図
１３と同様である。図１７（横軸及び縦軸は、図１４と
同様である）は、図１５に示した共振器の伝送特性を示
す図で、図１４に示した特性とほぼ同様である。図１８
ないし図２１もまた本発明の他の実施例を示す断面図
で、図１８は、図６に示した実施例における結合素子20
をプロ−ブ14で置き換え、図１９は、図６に示した実施
例における結合素子20をル−プ16で置き換え、図２０
は、図１２に示した実施例における結合素子20をプロ−
ブ14で置き換え、図２１は、図１２に示した実施例にお
ける結合素子20をル−プ16で置き換えたもので、各図に
おける他の符号及び構成は、図６又は図１２と同様であ
る。
で、18及び19は伝送特性補償用のインダクタンス素子、
20は結合用容量素子で、他の符号及び構成は図１と同様
である。図７は、図６に示した共振器の等価回路図で、
Ｒは、外部導体１と可変共振容量素子によって形成され
る共振回路、T6及びT7は外部回路との接続端子で、他の
符号は図６と同様である。本実施例においては、外部回
路との接続端子６と７間に挿入された伝送特性補償用の
インダクタンス素子18及び19並びに両インダクタンス素
子18及び19の接続点と可変共振容量素子を形成する固定
電極３との間に挿入接続された容量素子20によって低域
通過ろ波回路が形成され、図８（横軸は周波数、縦軸は
減衰量）に伝送特性を示すように、共振周波数fOより低
い周波数領域における減衰特性曲線の勾配が急峻とな
り、共振周波数fOより高い周波数領域における減衰特性
曲線の勾配が緩やかとなると共に、共振周波数fOを含む
周波数領域に伝送阻止帯域が形成される。尚、結合用容
量素子20の容量に応じて、共振回路Ｒと結合用容量素子
20からなる回路の共振周波数fOが変化し、又、図１に示
した共振周波数微調整素子10と同様の調整素子を設ける
ことによって、共振周波数の微細調整を行うことができ
る。図９は、伝送特性補償用インダクタンス素子18及び
19の接続点と、可変共振容量素子を形成する固定電極３
との結合を、インダクタンス素子21を用いてタップ結合
により行うように形成した点、インダクタンス素子21の
インダクタンスに応じて、共振回路Ｒと結合用インダク
タンス素子21からなる回路の共振周波数fOが変化する点
が図６に示した実施例と異なり、他の符号、構成及び作
動は図６に示した実施例とほぼ同様である。図１０は、
図９に示した共振器の等価回路図で、インダクタンス素
子21を除く他の符号は、図７と同様である。図１１（横
軸及び縦軸は、図８と同様である）は、図９に示した共
振器の伝送特性を示す図で、図８に示した特性とほぼ同
様である。図１２もまた本発明の他の実施例を示す断面
図で、本実施例においては、図６に示した実施例におけ
る伝送特性補償用のインダクタンス素子18及び19を容量
素子22及び23で置き換えた点が図６に示した実施例と異
なり、他の符号及び構成は、図６に示した実施例と同様
である。図１３は、図１２に示した共振器の等価回路図
で、容量素子22及び23を除く他の符号は、図７と同様で
ある。図１４（横軸及び縦軸は、図８と同様である）
は、図１２に示した共振器の伝送特性を示す図で、本実
施例においては、共振周波数fOより低い周波数領域にお
ける減衰特性曲線の勾配が緩やかで、共振周波数fOより
高い周波数領域における減衰特性曲線の勾配が急峻で、
共振周波数fOを含む周波数領域に阻止帯域が形成され
る。図１５に示した実施例は、伝送特性補償素子として
容量素子22及び23を用いる点は図１２に示した実施例と
同様で、結合素子としてインダクタンス素子21を用いて
タップ結合を行うように形成した点は図９に示した実施
例と同様で、他の符号及び構成は、図１２に示した実施
例と同様である。図１６は、図１５に示した共振器の等
価回路図で、符号は、インダクタンス素子21を除いて図
１３と同様である。図１７（横軸及び縦軸は、図１４と
同様である）は、図１５に示した共振器の伝送特性を示
す図で、図１４に示した特性とほぼ同様である。図１８
ないし図２１もまた本発明の他の実施例を示す断面図
で、図１８は、図６に示した実施例における結合素子20
をプロ−ブ14で置き換え、図１９は、図６に示した実施
例における結合素子20をル−プ16で置き換え、図２０
は、図１２に示した実施例における結合素子20をプロ−
ブ14で置き換え、図２１は、図１２に示した実施例にお
ける結合素子20をル−プ16で置き換えたもので、各図に
おける他の符号及び構成は、図６又は図１２と同様であ
る。
【０００９】図２２は、図１に示した本発明共振器を用
いて構成したろ波器を示す断面図（図２３のＢ−Ｂ断面
図）、図２３は、図２２のＡ−Ａ断面図で、両図におい
て、1Cは共通の外部導体、31ないし34は、図１において
説明したものと同様の固定電極、41ないし44もまた図１
において説明したものと同様の可動電極で、固定電極31
ないし34と共に可変共振要領素子を形成する。51ないし
54はロックナット、６は入力（又は出力）端子、７は出
力（又は入力）端子、８は入力（又は出力）結合線、９
は出力（又は入力）結合線、101 ないし104 は共振周波
数の微調整素子、111 ないし114 はロックナットで、こ
れらもまた図１に示したロックナット５、入力（又は出
力）端子６、出力（又は入力）端子７、タップ結合線８
及び９、共振周波数の微調整素子10、ロックナット11と
同様の構成である。図２４は、図２２及び図２３に示し
た本発明ろ波器の等価回路図で、R1ないしR4は共振回
路、T6は入力（又は出力）端子、T7は出力（又は入力）
端子、M61 は入力（又は出力）磁界結合係数、M47 は出
力（又は入力）磁界結合係数、M12 ないしM34 は段間磁
界結合係数である。図２５は、図２４に示した等価回路
図の変換等価回路図で、符号は図２４と同様である。図
２２ないし図２５には、入出力結合素子をタップ結合線
８及び９で形成した場合を例示してあるが、図３ないし
図５に示したコンデンサ12、13又はプロ−ブ14、15より
成る容量結合素子或はル−プ16、17より成る磁界結合素
子を用いても本発明を実施することができる。
いて構成したろ波器を示す断面図（図２３のＢ−Ｂ断面
図）、図２３は、図２２のＡ−Ａ断面図で、両図におい
て、1Cは共通の外部導体、31ないし34は、図１において
説明したものと同様の固定電極、41ないし44もまた図１
において説明したものと同様の可動電極で、固定電極31
ないし34と共に可変共振要領素子を形成する。51ないし
54はロックナット、６は入力（又は出力）端子、７は出
力（又は入力）端子、８は入力（又は出力）結合線、９
は出力（又は入力）結合線、101 ないし104 は共振周波
数の微調整素子、111 ないし114 はロックナットで、こ
れらもまた図１に示したロックナット５、入力（又は出
力）端子６、出力（又は入力）端子７、タップ結合線８
及び９、共振周波数の微調整素子10、ロックナット11と
同様の構成である。図２４は、図２２及び図２３に示し
た本発明ろ波器の等価回路図で、R1ないしR4は共振回
路、T6は入力（又は出力）端子、T7は出力（又は入力）
端子、M61 は入力（又は出力）磁界結合係数、M47 は出
力（又は入力）磁界結合係数、M12 ないしM34 は段間磁
界結合係数である。図２５は、図２４に示した等価回路
図の変換等価回路図で、符号は図２４と同様である。図
２２ないし図２５には、入出力結合素子をタップ結合線
８及び９で形成した場合を例示してあるが、図３ないし
図５に示したコンデンサ12、13又はプロ−ブ14、15より
成る容量結合素子或はル−プ16、17より成る磁界結合素
子を用いても本発明を実施することができる。
【００１０】図２２ないし図２５に示した本発明帯域通
過ろ波器の設計に当たっても、基準化低域通過ろ波器の
素子値を求め、この値から回路定数を定めて所要の伝送
特性を得ること従来の設計手法と同様で、以下、図２６
に回路図を、図２７（横軸は基準化周波数、縦軸は減衰
量、fCは基準化遮断周波数）に伝送特性の曲線図を、そ
れぞれ示すようなチエビシエフ形基準化低域通過ろ波器
の素子値g1ないしgnを基にして、通過域がチエビシエフ
形特性で、減衰域がワグナ形特性を呈する帯域通過ろ波
器を設計する場合について説明する。帯域通過ろ波器の
設計上許容される通過域内における電圧定在波比(VSWR)
をＳとすると、通過域内における許容リップルLrは、次
式で表わされる。
過ろ波器の設計に当たっても、基準化低域通過ろ波器の
素子値を求め、この値から回路定数を定めて所要の伝送
特性を得ること従来の設計手法と同様で、以下、図２６
に回路図を、図２７（横軸は基準化周波数、縦軸は減衰
量、fCは基準化遮断周波数）に伝送特性の曲線図を、そ
れぞれ示すようなチエビシエフ形基準化低域通過ろ波器
の素子値g1ないしgnを基にして、通過域がチエビシエフ
形特性で、減衰域がワグナ形特性を呈する帯域通過ろ波
器を設計する場合について説明する。帯域通過ろ波器の
設計上許容される通過域内における電圧定在波比(VSWR)
をＳとすると、通過域内における許容リップルLrは、次
式で表わされる。
【数１】 上式から許容リップルLrを求めると共に、回路次数ｎを
定めて式（３）から素子値g1を求め、式（４）から素子
値g2ないしgnを求める。
定めて式（３）から素子値g1を求め、式（４）から素子
値g2ないしgnを求める。
【数２】 ｋ＝２、３、−−−−、ｎ 式（３）及び式（４）において、
【数３】 尚、図２６において、RLは負荷抵抗で、回路次数ｎが奇
数の場合、 RL＝１ ・・・・（９） 回路次数ｎが偶数の場合、
数の場合、 RL＝１ ・・・・（９） 回路次数ｎが偶数の場合、
【数４】 式（３）及び式（４）から求めた素子値g1ないしgn、帯
域通過ろ波器の所要中心周波数fO及び通過帯域幅Bwr か
ら、入出力磁界結合係数及び段間磁界結合係数を式（1
1）及び式（12）で求めることができる。入出力磁界結
合係数をＭ01及びＭn,n+1 で表すと、
域通過ろ波器の所要中心周波数fO及び通過帯域幅Bwr か
ら、入出力磁界結合係数及び段間磁界結合係数を式（1
1）及び式（12）で求めることができる。入出力磁界結
合係数をＭ01及びＭn,n+1 で表すと、
【数５】 段間磁界結合係数をＭ12＝Ｍn-1,n 、Ｍ23＝Ｍ
n-2,n-1 、−−−−−で表し、これらをまとめてＭ
k,k+1 （ｋ＝１、２、−−−−−、ｎ−１）で表すと、
n-2,n-1 、−−−−−で表し、これらをまとめてＭ
k,k+1 （ｋ＝１、２、−−−−−、ｎ−１）で表すと、
【数６】 式（12）で求めた段間磁界結合係数Ｍk,k+1 と、図２８
とを用いて隣接する共振容量素子の中心間隔を求めるこ
とができる。図２８は、本発明者が試作品について実験
を重ねた結果得られた、段間磁界結合係数と隣接する共
振容量素子の中心間隔との関係の一例を示すもので、横
軸は、(d−0.3C)/W 但し、 ｄ：隣接する可変共振容量素子の中心間隔（図２２） Ｃ：可変共振容量素子を形成する固定電極の外径（図２
２） Ｗ：共通の外部導体の幅（図２３） 又、縦軸は、段間磁界結合係数Ｍk,k+1 である。
とを用いて隣接する共振容量素子の中心間隔を求めるこ
とができる。図２８は、本発明者が試作品について実験
を重ねた結果得られた、段間磁界結合係数と隣接する共
振容量素子の中心間隔との関係の一例を示すもので、横
軸は、(d−0.3C)/W 但し、 ｄ：隣接する可変共振容量素子の中心間隔（図２２） Ｃ：可変共振容量素子を形成する固定電極の外径（図２
２） Ｗ：共通の外部導体の幅（図２３） 又、縦軸は、段間磁界結合係数Ｍk,k+1 である。
【００１１】図２２ないし図２５に示した本発明帯域通
過ろ波器の伝送特性Ｌは、次式で示される。
過ろ波器の伝送特性Ｌは、次式で示される。
【数７】 上式において、 Ｌ：伝送損失 Ｔn(ｘ) はチェビシェフの多項式で、ｘ＜１ の場合、 Ｔn(ｘ) ＝cos(n cos-1 ｘ） ｘ＞１ の場合、 Ｔn(ｘ) ＝cosh(n cosh-1 ｘ） ｘ：基準化周波数で、
【数８】 f0 ：BPF の通過域における中心周波数 f：任意の伝送周波数 Bwr：許容通過周波数帯域幅 Ｓ：通過帯域内における許容電圧定在波比（VSWR) 図２９は、図２２ないし図２５に示した本発明ろ波器の
伝送特性の一例を示す図で、横軸は周波数、縦軸は減衰
量である。
伝送特性の一例を示す図で、横軸は周波数、縦軸は減衰
量である。
【００１２】図３０は、段間結合を電界結合で構成した
本発明帯域通過ろ波器を示す断面図（図２２と同様箇所
の断面図）で、1Cは共通の外部導体、31ないし34は固定
電極、４1 ないし44は可動電極、51ないし54はロックナ
ット、６は入力（又は出力）端子、７は出力（又は入
力）端子、2461は入力（又は出力）結合容量素子、2412
ないし2434は段間結合容量素子、2447は出力（又は入
力）結合容量素子である。図３１は、図３０に示した本
発明帯域通過ろ波器の等価回路図で、T6は入力（又は出
力）端子、R1ないしR4は共振回路、2461は入力（又は出
力）結合容量、2412ないし2434は段間結合容量、2447は
出力（又は入力）結合容量、T7は出力（又は入力）端子
である。図３２は、図３１に示した等価回路の変換等価
回路図で、符号は図３１と同様である。図３０には、入
出力結合素子を容量素子で形成した場合を例示してある
が、タップ結合線、プロ−ブ又はル−プ等の高周波結合
手段を用いてもよい。図３３は、図３０に示した本発明
帯域通過ろ波器の伝送特性の一例を示す図で、横軸は周
波数、縦軸は減衰量である。
本発明帯域通過ろ波器を示す断面図（図２２と同様箇所
の断面図）で、1Cは共通の外部導体、31ないし34は固定
電極、４1 ないし44は可動電極、51ないし54はロックナ
ット、６は入力（又は出力）端子、７は出力（又は入
力）端子、2461は入力（又は出力）結合容量素子、2412
ないし2434は段間結合容量素子、2447は出力（又は入
力）結合容量素子である。図３１は、図３０に示した本
発明帯域通過ろ波器の等価回路図で、T6は入力（又は出
力）端子、R1ないしR4は共振回路、2461は入力（又は出
力）結合容量、2412ないし2434は段間結合容量、2447は
出力（又は入力）結合容量、T7は出力（又は入力）端子
である。図３２は、図３１に示した等価回路の変換等価
回路図で、符号は図３１と同様である。図３０には、入
出力結合素子を容量素子で形成した場合を例示してある
が、タップ結合線、プロ−ブ又はル−プ等の高周波結合
手段を用いてもよい。図３３は、図３０に示した本発明
帯域通過ろ波器の伝送特性の一例を示す図で、横軸は周
波数、縦軸は減衰量である。
【００１３】図３４は、図６に示した本発明共振器を用
いて構成したろ波器を示す断面図［図３５のＡ−Ａ断面
図］、図３５は、図３４の右側面図で、両図において、
1Cは共通の外部導体、1S1 ないし1S3 は導体板より成る
隔壁、31ないし34は固定電極、41ないし44は可動電極、
54はロックナット、６及び７は外部回路との接続端子、
181 、191 ないし184 、194 は伝送特性補償用のインダ
クタンス素子、201 ないし204 は結合容量素子である。
図３６は、図３４に示したろ波器の等価回路図で、R1な
いしR4は、固定電極31ないし34及び可動電極41ないし44
より成る可変共振容量素子と共通の外部導体1Cによって
形成される共振回路、T6及びT7は外部回路との接続端
子、181 、1981ないし1983及び194 は伝送特性補償用の
インダクタンス素子で、1981は図３４におけるインダク
タンス素子191 と182 の合成インダクタンス素子、1982
はインダクタンス素子192 と183 の合成インダクタンス
素子、1983はインダクタンス素子193 と184 の合成イン
ダクタンス素子、201 ないし204 は結合用容量素子であ
る。図３４に示したろ波器の伝送特性は、このろ波器を
構成する各段の共振器の伝送特性、即ち、図８に示した
伝送特性とほぼ同様の伝送特性が重畳合成されたものと
なり、各段の共振器と結合用容量素子とより成る回路の
共振周波数（図８におけるfO）をfO1 ないしfO4 とする
と、これらの共振周波数を適宜調整して、例えば互いに
近付けることにより、減衰量の大きな阻止領域を持たせ
ることができ、各段の共振周波数fO1 ないしfO4 を適当
に離れた値に調整することにより、周波数範囲の広い阻
止領域を持たせることができる。図３７は、図９に示し
た共振器を用いて構成したろ波器の等価回路図で、211
ないし214 はタップ結合用インダクタンス素子で、他の
符号は図３６と同様である。図３７に示した等価回路図
で表される本発明ろ波器の伝送特性は、このろ波器を構
成する各段の共振器の伝送特性、即ち、図１１に示した
伝送特性とほぼ同様の伝送特性が重畳合成されたものと
なり、各段の共振周波数を適宜調整することにより、合
成阻止領域の減衰量及び周波数範囲を適宜調整すること
ができる。図３８は、図１５に示した本発明共振器を用
いて構成したろ波器を示す断面図で、221 、231 ないし
224 、234 は伝送特性補償用の容量素子、211 ないし21
4はタップ結合用のインダクタンス素子で、他の符号及
び構成は、図３４と同様である。図３９は、図３８に示
したろ波器の等価回路図で、R1ないしR4は共振回路、T6
及びT7は外部回路との接続端子、221 、2321ないし2323
及び234 は伝送特性補償用の容量素子で、2321は図３８
における容量素子231 と222 の合成容量素子、2322は容
量素子232 と223 の合成容量素子、2323は容量素子233
と224 の合成容量素子、211 ないし214 はタップ結合用
のインダクタンス素子である。図３８に示した本発明ろ
波器の伝送特性は、このろ波器を構成する各段の共振器
の伝送特性、即ち、図１７に示した伝送特性とほぼ同様
の伝送特性が重畳合成されたものとなり、各段の共振周
波数を適宜調整することにより、合成阻止領域の減衰量
及び周波数範囲を適宜調整することができる。図４０
は、図１２に示した共振器を用いて構成したろ波器の等
価回路図で、201 ないし204 は結合用容量素子で、他の
符号は図３９と同様である。図４０に示した等価回路図
で表される本発明ろ波器の伝送特性は、このろ波器を構
成する各段の共振器の伝送特性、即ち、図１４に示した
伝送特性とほぼ同様の伝送特性が重畳合成されたものと
なり、各段の共振周波数を適宜調整することにより、合
成阻止領域の減衰量及び周波数範囲を適宜調整すること
ができる。図２２以降の図面について説明した本発明ろ
波器は、可変共振容量素子を４個設けた場合、即ち、回
路次数ｎが４の場合であるが、回路次数は、これを適宜
増減して本発明を実施することができる。又、図２２以
降の図面について説明した本発明ろ波器は、コムライン
形ろ波器の場合であるが、インタディジタル形ろ波器に
も本発明を実施することができる。
いて構成したろ波器を示す断面図［図３５のＡ−Ａ断面
図］、図３５は、図３４の右側面図で、両図において、
1Cは共通の外部導体、1S1 ないし1S3 は導体板より成る
隔壁、31ないし34は固定電極、41ないし44は可動電極、
54はロックナット、６及び７は外部回路との接続端子、
181 、191 ないし184 、194 は伝送特性補償用のインダ
クタンス素子、201 ないし204 は結合容量素子である。
図３６は、図３４に示したろ波器の等価回路図で、R1な
いしR4は、固定電極31ないし34及び可動電極41ないし44
より成る可変共振容量素子と共通の外部導体1Cによって
形成される共振回路、T6及びT7は外部回路との接続端
子、181 、1981ないし1983及び194 は伝送特性補償用の
インダクタンス素子で、1981は図３４におけるインダク
タンス素子191 と182 の合成インダクタンス素子、1982
はインダクタンス素子192 と183 の合成インダクタンス
素子、1983はインダクタンス素子193 と184 の合成イン
ダクタンス素子、201 ないし204 は結合用容量素子であ
る。図３４に示したろ波器の伝送特性は、このろ波器を
構成する各段の共振器の伝送特性、即ち、図８に示した
伝送特性とほぼ同様の伝送特性が重畳合成されたものと
なり、各段の共振器と結合用容量素子とより成る回路の
共振周波数（図８におけるfO）をfO1 ないしfO4 とする
と、これらの共振周波数を適宜調整して、例えば互いに
近付けることにより、減衰量の大きな阻止領域を持たせ
ることができ、各段の共振周波数fO1 ないしfO4 を適当
に離れた値に調整することにより、周波数範囲の広い阻
止領域を持たせることができる。図３７は、図９に示し
た共振器を用いて構成したろ波器の等価回路図で、211
ないし214 はタップ結合用インダクタンス素子で、他の
符号は図３６と同様である。図３７に示した等価回路図
で表される本発明ろ波器の伝送特性は、このろ波器を構
成する各段の共振器の伝送特性、即ち、図１１に示した
伝送特性とほぼ同様の伝送特性が重畳合成されたものと
なり、各段の共振周波数を適宜調整することにより、合
成阻止領域の減衰量及び周波数範囲を適宜調整すること
ができる。図３８は、図１５に示した本発明共振器を用
いて構成したろ波器を示す断面図で、221 、231 ないし
224 、234 は伝送特性補償用の容量素子、211 ないし21
4はタップ結合用のインダクタンス素子で、他の符号及
び構成は、図３４と同様である。図３９は、図３８に示
したろ波器の等価回路図で、R1ないしR4は共振回路、T6
及びT7は外部回路との接続端子、221 、2321ないし2323
及び234 は伝送特性補償用の容量素子で、2321は図３８
における容量素子231 と222 の合成容量素子、2322は容
量素子232 と223 の合成容量素子、2323は容量素子233
と224 の合成容量素子、211 ないし214 はタップ結合用
のインダクタンス素子である。図３８に示した本発明ろ
波器の伝送特性は、このろ波器を構成する各段の共振器
の伝送特性、即ち、図１７に示した伝送特性とほぼ同様
の伝送特性が重畳合成されたものとなり、各段の共振周
波数を適宜調整することにより、合成阻止領域の減衰量
及び周波数範囲を適宜調整することができる。図４０
は、図１２に示した共振器を用いて構成したろ波器の等
価回路図で、201 ないし204 は結合用容量素子で、他の
符号は図３９と同様である。図４０に示した等価回路図
で表される本発明ろ波器の伝送特性は、このろ波器を構
成する各段の共振器の伝送特性、即ち、図１４に示した
伝送特性とほぼ同様の伝送特性が重畳合成されたものと
なり、各段の共振周波数を適宜調整することにより、合
成阻止領域の減衰量及び周波数範囲を適宜調整すること
ができる。図２２以降の図面について説明した本発明ろ
波器は、可変共振容量素子を４個設けた場合、即ち、回
路次数ｎが４の場合であるが、回路次数は、これを適宜
増減して本発明を実施することができる。又、図２２以
降の図面について説明した本発明ろ波器は、コムライン
形ろ波器の場合であるが、インタディジタル形ろ波器に
も本発明を実施することができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明共振器は、共振容量素子を容量可
変形に形成してあるので、共振周波数を広範囲に亙って
設定可能で、又、可変共振容量素子の放熱面積が比較的
広く、可変共振容量素子と外部導体間の熱伝導性が良好
であるから、共振容量素子及び外部導体から効果的に熱
放射が行われ、共振器各部の温度上昇が低く抑えられ、
温度上昇による各部の変形に基づく共振周波数の変動が
極めて小となる。又、構成が極めて簡潔で、機械的に堅
牢であるから、耐震性に優れており、共振器のインピ−
ダンスが低く、耐電圧特性が良好である等の特長を有
し、本発明共振器より成るろ波器もまた上記と同様の特
長を有する。
変形に形成してあるので、共振周波数を広範囲に亙って
設定可能で、又、可変共振容量素子の放熱面積が比較的
広く、可変共振容量素子と外部導体間の熱伝導性が良好
であるから、共振容量素子及び外部導体から効果的に熱
放射が行われ、共振器各部の温度上昇が低く抑えられ、
温度上昇による各部の変形に基づく共振周波数の変動が
極めて小となる。又、構成が極めて簡潔で、機械的に堅
牢であるから、耐震性に優れており、共振器のインピ−
ダンスが低く、耐電圧特性が良好である等の特長を有
し、本発明共振器より成るろ波器もまた上記と同様の特
長を有する。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】本発明共振器の等価回路図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図４】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図５】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図６】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図７】本発明共振器の等価回路図である。
【図８】本発明共振器の伝送特性を示す図である。
【図９】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図１０】本発明共振器の等価回路図である。
【図１１】本発明共振器の伝送特性を示す図である。
【図１２】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図１３】本発明共振器の等価回路図である。
【図１４】本発明共振器の伝送特性を示す図である。
【図１５】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図１６】本発明共振器の等価回路図である。
【図１７】本発明共振器の伝送特性を示す図である。
【図１８】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図１９】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図２０】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図２１】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図２２】本発明ろ波器を示す断面図である。
【図２３】本発明ろ波器を示す断面図である。
【図２４】本発明ろ波器の等価回路図である。
【図２５】本発明ろ波器の等価回路図である。
【図２６】本発明ろ波器の設計手法を説明するための図
である。
である。
【図２７】本発明ろ波器の設計手法を説明するための図
である。
である。
【図２８】本発明ろ波器の設計手法を説明するための図
である。
である。
【図２９】本発明ろ波器の伝送特性を示す図である。
【図３０】本発明ろ波器を示す断面図である。
【図３１】本発明ろ波器の等価回路図である。
【図３２】本発明ろ波器の等価回路図である。
【図３３】本発明ろ波器の伝送特性を示す図である。
【図３４】本発明ろ波器を示す断面図である。
【図３５】本発明ろ波器を示す側面図である。
【図３６】本発明ろ波器の等価回路図である。
【図３７】本発明ろ波器の等価回路図である。
【図３８】本発明ろ波器を示す断面図である。
【図３９】本発明ろ波器の等価回路図である。
【図４０】本発明ろ波器の等価回路図である。
【図４１】従来のヘリカル共振器を示す断面図である。
【図４２】従来のヘリカル共振器を示す断面図である。
１ 外部導体 ２ 固体誘電体より成る円筒体 ３ 固定電極 ４ 可動電極 ５ ロックナット ６、７ 入出力端子 ８、９ 入出力結合線 10 共振周波数微調整素子 11 ロックナット 12、13 容量素子 14、15 プロ−ブ 16、17 ル−プ 18、19 伝送特性補償用インダクタンス素子 20 結合用容量素子 21 結合用インダクタンス素子 22、23 伝送特性補償用容量素子 1C 共通の外部導体 31〜34 固定電極 41〜44 可動電極 51〜54 ロックナット 101 〜114 共振周波数微調整素子 111 〜114 ロックナット 2461、2447 入出力結合容量素子 2412〜2434 段間結合容量素子 181 〜184 伝送特性補償用インダクタンス素子 191 〜194 伝送特性補償用インダクタンス素子 201 〜204 結合用容量素子 1S1 〜1S3 隔壁 221 〜224 伝送特性補償用容量素子 231 〜234 伝送特性補償用容量素子 211 〜214 結合用インダクタンス素子 42 ヘリカル共振素子 43 電極 441 、442 絶縁碍子 45 可動電極 46 駆動螺子 47 ロックナット
Claims (7)
- 【請求項１】外部導体の下壁に下端部が固定され、上端
部が適宜間隔を隔てて前記外部導体の上壁と対向する固
体誘電体より成る円筒体の外周面に付着され、下端部が
前記外部導体の下壁に電気的に接続された金属薄層より
成る固定電極と、 前記固定電極と同軸状に保たれ、前記固体誘電体より成
る円筒体内への挿入長を変えることが可能なように前記
外部導体の上壁に取り付けられた円筒状又は円柱状導体
より成る可動電極とによって形成される可変共振容量素
子を備えたことを特徴とする共振器。 - 【請求項２】外部導体の下壁に下端部が固定され、上端
部が適宜間隔を隔てて前記外部導体の上壁と対向する固
体誘電体より成る円筒体の外周面に付着され、下端部が
前記外部導体の下壁に電気的に接続された金属薄層より
成る固定電極と、前記固定電極と同軸状に保たれ、前記
固体誘電体より成る円筒体内への挿入長を変えることが
可能なように前記外部導体の上壁に取り付けられた円筒
状又は円柱状導体より成る可動電極とによって形成され
る可変共振容量素子と、 入力（又は出力）端子と前記可変共振容量素子を形成す
る固定電極とを高周波的に結合する手段と、 出力（又は入力）端子と前記可変共振容量素子を形成す
る固定電極とを高周波的に結合する手段とを備えたこと
を特徴とする共振器。 - 【請求項３】外部導体の下壁に下端部が固定され、上端
部が適宜間隔を隔てて前記外部導体の上壁と対向する固
体誘電体より成る円筒体の外周面に付着され、下端部が
前記外部導体の下壁に電気的に接続された金属薄層より
成る固定電極と、前記固定電極と同軸状に保たれ、前記
固体誘電体より成る円筒体内への挿入長を変えることが
可能なように前記外部導体の上壁に取り付けられた円筒
状又は円柱状導体より成る可動電極とによって形成され
る可変共振容量素子と、 外部回路に割り込み接続するための２個の端子間に挿入
された２個の伝送特性補償用インダクタンス素子又は容
量素子の直列回路と、 前記２個の伝送特性補償用インダクタンス素子相互又は
容量素子相互の接続点と前記可変共振容量素子を形成す
る固定電極とを高周波的に結合する手段とを備えたこと
を特徴とする共振器。 - 【請求項４】共通の外部導体の下壁に下端部が固定さ
れ、上端部が適宜間隔を隔てて前記外部導体の上壁と対
向する固体誘電体より成る円筒体の外周面に付着され、
下端部が前記共通の外部導体の下壁に電気的に接続され
た金属薄層より成る固定電極と、前記固定電極と同軸状
に保たれ、前記固体誘電体より成る円筒体内への挿入長
を変えることが可能なように前記共通の外部導体の上壁
に取り付けられた円筒状又は円柱状導体より成る可動電
極とによって形成され、互いに適宜間隔を隔てて配設さ
れる複数個の可変共振容量素子と、 外部回路に割り込み接続するための２個の端子間に挿入
された複数個の伝送特性補償用インダクタンス素子又は
容量素子の直列回路と、 前記複数個の伝送特性補償用インダクタンス素子相互又
は容量素子相互の各接続点に、前記複数個の可変共振容
量素子を各形成する固定電極を各別に高周波的に結合す
る手段とを備えたことを特徴とするろ波器。 - 【請求項５】共通の外部導体の下壁に下端部が固定さ
れ、上端部が適宜間隔を隔てて前記外部導体の上壁と対
向する固体誘電体より成る円筒体の外周面に付着され、
下端部が前記共通の外部導体の下壁に電気的に接続され
た金属薄層より成る固定電極と、前記固定電極と同軸状
に保たれ、前記固体誘電体より成る円筒体内への挿入長
を変えることが可能なように前記共通の外部導体の上壁
に取り付けられた円筒状又は円柱状導体より成る可動電
極とによって形成され、互いに適宜間隔を隔てて配設さ
れると共に、高周波的に縱続接続された複数個の可変共
振容量素子と、 前記複数個の可変共振容量素子のうち、初段（又は終
段）の可変共振容量素子を形成する固定電極を入力（又
は出力）端子に高周波的に結合する手段と、 前記複数個の可変共振容量素子のうち、終段（又は初
段）の可変共振容量素子を形成する固定電極を出力（又
は入力）端子に高周波的に結合する手段とを備えたこと
を特徴とするろ波器。 - 【請求項６】複数個の可変共振容量素子の縱続接続態様
が、磁界結合である請求項５に記載のろ波器。 - 【請求項７】複数個の可変共振容量素子の縱続接続態様
が、電界結合である請求項５に記載のろ波器。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28412494A JPH08125405A (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | 共振器及びこの共振器より成るろ波器 |
| PCT/JP1995/000629 WO1995027318A1 (en) | 1994-03-31 | 1995-03-31 | Resonator and filter using it |
| DE69529715T DE69529715T2 (de) | 1994-03-31 | 1995-03-31 | Resonator und diesen verwendendes filter |
| US08/556,905 US5691675A (en) | 1994-03-31 | 1995-03-31 | Resonator with external conductor as resonance inductance element and multiple resonator filter |
| KR1019950705375A KR100323895B1 (ko) | 1994-03-31 | 1995-03-31 | 공진기및이공진기를쓴여파기 |
| EP95913401A EP0703634B1 (en) | 1994-03-31 | 1995-03-31 | Resonator and filter using it |
| CN95190422A CN1111923C (zh) | 1994-03-31 | 1995-03-31 | 谐振器和应用该谐振器的滤波器 |
| FI955759A FI115425B (fi) | 1994-03-31 | 1995-11-29 | Resonaattori ja tätä käyttävä suodatin |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28412494A JPH08125405A (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | 共振器及びこの共振器より成るろ波器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08125405A true JPH08125405A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17674491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28412494A Pending JPH08125405A (ja) | 1994-03-31 | 1994-10-25 | 共振器及びこの共振器より成るろ波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08125405A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0738307A (ja) * | 1992-10-30 | 1995-02-07 | Teledyne Ind Inc | フィルタ及びその形成方法 |
| JP4121103B2 (ja) * | 1999-06-07 | 2008-07-23 | 本田技研工業株式会社 | エンジン自動停止始動制御装置 |
-
1994
- 1994-10-25 JP JP28412494A patent/JPH08125405A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0738307A (ja) * | 1992-10-30 | 1995-02-07 | Teledyne Ind Inc | フィルタ及びその形成方法 |
| JP4121103B2 (ja) * | 1999-06-07 | 2008-07-23 | 本田技研工業株式会社 | エンジン自動停止始動制御装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971028 |