JPH0738307A - フィルタ及びその形成方法 - Google Patents

フィルタ及びその形成方法

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JPH0738307A
JPH0738307A JP5294715A JP29471593A JPH0738307A JP H0738307 A JPH0738307 A JP H0738307A JP 5294715 A JP5294715 A JP 5294715A JP 29471593 A JP29471593 A JP 29471593A JP H0738307 A JPH0738307 A JP H0738307A
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JP
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housing
cover
filter
rod
metal layer
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JP5294715A
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English (en)
Inventor
Richard D Scott
リチャード・ディー・スコット
Neal R Knutson
ニール・アール・ナトソン
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TDY Industries LLC
Original Assignee
Teledyne Industries Inc
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/38—Coating with copper
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 製造が容易でかつ製造コストが低く、かつ軽
い材料によって製造された高性能のフィルタを提供す
る。 【構成】 フィルタ２００は、ハウジング２０１及びカ
バー２０２を有する。ハウジング２０１は、その内部に
ロッド２０４が配置され、キャビティ２０３を画定す
る。各ロッド２０４は、ハウジング２０１に一体的に形
成された片方の端部を有する。ロッド２０４のもう一方
の端部は、キャビティ内に伸び、カバー２０２と機能的
な結合が行われる。即ち、ハウジング２０１はほゞ表面
全体がメッキされる。カバー２０２は、カバー２０２を
貫通する複数の孔２０６及び２０７を有する。孔２０６
はロッド２０４と整合している。導電性のネジからなる
同調デバイス２０８は、例えば、開孔部２０５Ｂと機能
的な関係を保ちながら配置されるように孔２０６Ｂに挿
入され同調用波数を調整する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波用フィルタに
関し、特にコンバインフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】フィルタは、“パスバンド”と呼ばれる
特定の周波数の電気信号を通過させ、それ以外の周波数
の電気信号を通過させないかまたは減衰させる電気回路
である。図１は、１９８７年２月１４日に発行されたSo
kolaらによる米国特許第４，４３８，９７７号の明細書
に記載された従来のバンドパスフィルタ１００を表して
いる。フィルタ１００は選択的に（即ち領域１４０を除
いて）導電性材料をメッキされた絶縁材料からなるブロ
ック１１０を含む。ブロック１１０は、上面から底面に
延在する孔１０１〜１０６を有する。孔１０１〜１０６
にも、導電性材料がメッキされている。
【０００３】図１のメッキされた孔１０１〜１０６を備
えた同軸の共振器の結合は、隣接する同軸の共振器の間
の絶縁材料の幅を変えることによって実行される。より
詳しくは、隣接する孔１０１〜１０６の間の絶縁材料の
幅は、溝１１０〜１１４を用いることで調整される。入
力電極１２４と出力電極１２５及び対応する入力コネク
タ１２０と出力コネクタ１２２によって、ＲＦ信号は図
１のフィルタ１００と容量性に連結される。孔１０１〜
１０６によって提供された同軸の共振器の共振周波数
は、孔の深さ、ブロック１１０の孔の方向の厚み、及び
フィルタ１００の上面の孔１０４の周りから除去された
メッキの量によって主に決定される。フィルタ１００
は、各々のメッキされた孔の上部の周りを更にメッキす
ることで同調される。
【０００４】フィルタ１００は、バリウム酸化物、チタ
ン酸化物、ジルコニウム酸化物のような高価な絶縁材料
で製造されている。更に、これらの絶縁材料はその重量
が大きく、スペースのようなペイロードを含む、重量を
それ以上増やすことのできない応用例には適していな
い。更に、絶縁ブロック１１０を所望の寸法に加工し、
フィルタ１００を同調するためにメッキを除去すること
は、特別な設備とより一層の労力を必要とするので、製
造コストを増加することになる。
【０００５】更に、Sokolaらによる上述された特許明細
書に記載されたブロック１１０のような固体の絶縁ブロ
ックを用いることによって、挿入損失即ち使用される絶
縁材料の種類によって大きく変化する信号のフィルタ通
過時のエネルギー損失が生じる。より詳しくは、フィル
タの挿入損失は、Ｑ因子に反比例することが公知であ
る。即ち、Ｑ因子が大きいほど、挿入損失が小さい。次
の等式は、フィルタ１００の全体のＱ因子Ｑｔｏｔａｌ
を表している。
【０００６】 １／Ｑｔｏｔａｌ＝１／Ｑｃ＋１／Ｑｄ（式１）
【０００７】ここで、Ｑｃはメッキされた導電材料のＱ
因子を表し、Ｑｄは絶縁ブロック１００のＱ因子を表し
ている。Ｑｃは、約１０００である。しかし、Ｑｄは１
５００〜８０００までの範囲で変化する。これらの値を
式１に代入することによって、６００〜８８８までの範
囲で変化するＱｔｏｔａｌが求められる。絶縁材料のＱ
因子Ｑｄが高いほど、全体のＱ因子Ｑｔｏｔａｌが高く
なるが、式１は、Ｑｄの値にかかわらず、フィルタ１０
０内の絶縁材料が、全体のＱ因子Ｑｔｏｔａｌを必然的
に減少させ、従ってフィルタ１００の挿入損失を増加さ
せることを表している。
【０００８】従って、製造が容易でかつ製造コストが低
く、かつ軽い材料によって製造された高性能のフィルタ
が望まれる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、製造
が容易でかつ製造コストが低く、かつ軽い材料によって
製造された高性能のフィルタを提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述の目的は、キャビテ
ィを画定するハウジングと、前記ハウジングに一体形成
された第１端部と、前記キャビティ内に配置された第２
端部とを備えたロッドと、前記ハウジングに締着可能な
カバーとを有し、前記ロッドの前記第２端部が前記カバ
ーと機能的な関係に配置されていることを特徴とするフ
ィルタを提供すること、及び一体形成された少なくとも
１つのロッドを備えたハウジングをモールド形成する過
程と、前記ハウジンクに導電性材料をメッキする過程
と、前記ハウジングに締着可能なカバーを形成する過程
とを有することを特徴とするフィルタの形成方法を提供
することによって達成される。
【００１１】
【作用】本発明は、高性能かつ低コストのフィルタを提
供し、かつこのフィルタを製造するための効率の良い方
法を提供する。
【００１２】フィルタはハウジング及びカバーを有す
る。ハウジングは１個または複数のロッドが配置される
キャビティを画定し、各ロッドの片方の端部はハウジン
グに一体的に形成されている。キャビティの上に配置さ
れたカバーは、ハウジングに固定されている。入力信号
リード及び出力信号リードは、ハウジング及び予め決め
られたロッドに接続されている。本発明の他の実施例で
は、入力信号リード及び出力信号リードはハウジングに
連結され、かつ予め決められたロッドに容量性または誘
導性に接続されている。ある実施例では、ハウジング及
びカバーは所望の熱特性を有するプラスチック等のモー
ルド形成可能な材料によって形成され、次に導電層をメ
ッキされる。他の実施例では、ハウジングはモールド形
成可能な材料によって形成され、次に導電層をメッキさ
れ、カバーはアルミニウムなどの適切な導電材料によっ
て形成されている。
【００１３】本発明は、従来のフィルタで用いられてい
た高価な絶縁材料を用いないことによって、製造コスト
を大きく低下させることができる。更に、ハウジングが
モールド形成可能なために、固体の絶縁フィルタの加工
及び同調に関する従来の製造コストを省くことが可能と
なり、更にコストを低下させることができる。
【００１４】更に本発明は、（同軸の共振器として働
く）ロッドを分離する絶縁材料として、空気を使用する
ことによって、フィルタの電気的性能を改良する。より
詳しくは、従来のフィルタで用いられた絶縁材料のＱ因
子を除去することができる。即ち、本発明に基づくフィ
ルタの全体のＱ因子が増加し、挿入損失が減少する。
【００１５】更に、空気の電気的特性は固体の絶縁材料
に比べて温度による変化が少ないので、本発明は従来の
フィルタのようなドリフトを減少させる。また、本発明
に基づくフィルタは、プラスチックなどの軽量の材料か
ら形成されたハウジングと、絶縁材料として空気を用い
ているので、非常に軽量である。
【００１６】
【実施例】図２に示された本発明に基づくフィルタ２０
０は、ハウジング２０１及びカバー２０２を有する。ハ
ウジング２０１は、その内部にロッド２０４が配置され
るキャビティ２０３を画定する。各ロッド２０４は、ハ
ウジング２０１に一体的に形成された片方の端部を有す
る。ロッド２０４のもう一方の端部は、キャビティ２０
３内に延在し、かつカバー２０２と機能的な関係を保つ
ように配置されている。
【００１７】図３Ａに示された本発明の実施例では、ハ
ウジング２０１は、アルミニウムと同程度の強度及び熱
膨張特性を有する射出成形されたプラスチック製のフレ
ーム構造２０１Ａを有する。この熱膨張特性により、フ
レーム構造２０１Ａに導電層２０１Ｂをメッキすること
ができる。フレーム構造２０１Ａをメッキする過程が、
以下により詳しく説明される。上述された特性を有する
プラスチックは、General Electric社から入手可能な商
標名“ULTEM”樹脂のグラスファイバによって強化され
たポリエーテルミド（polyethermide）樹脂である。本
発明の他の実施例は、上述された特性を有するモールド
形成可能な他の材料を用いることもできる。
【００１８】導電層２０１Ｂ、特にロッド２０４の開口
部２０５（図２）の小さな不連続性またはギャップは、
メッキ過程の間に発生するが、しかしフィルタ２００の
性能に影響を及ぼすことはない。キャビティ２０３の内
側のハウジング２０１の表面と、ハウジング２０１のリ
ップ部２０１′と、コネクタ（図示されていないが、し
かし図８Ａ〜８Ｃに詳しく表示されている）が配置され
た領域のみがメッキさればならない。しかし、選択的に
メッキするためには、製造コストを増加させるメッキ用
のマスクが必要である。従って、ハウジング２０１はほ
ぼその表面全体がメッキされている。
【００１９】カバー２０２は、カバー２０２を貫通する
複数の孔２０６及び２０７を有する。孔２０６はロッド
２０４と整合している。例えば、孔２０６Ｂは、ロッド
２０４Ｂの開孔部２０５Ｂと整合している。ある実施例
では、導電性のネジからなる同調デバイス２０８は、例
えば、開孔部２０５Ｂと機能的な関係を保ちながら配置
されるように孔２０６Ｂに挿入されている。同調デバイ
ス２０８が、（ロッド２０４Ｂと接触せずに）開孔部２
０５Ｂ内により深く延出するほど、メッキされたロッド
２０４Ｂによって形成された共振器の周波数が低くな
る。逆に、同調デバイス２０８が開孔部２０５Ｂ内によ
り浅く延出するほど、共振器の周波数が高くなる。即
ち、孔２０６に同調デバイス２０８を挿入することによ
って、フィルタ２０８の周波数が調整される。開孔部２
０５の深さは変えることができる。典型的には、開孔部
２０５は、所望の静電容量と周波数とを提供するよう
に、同調デバイス２０８が挿入されるための充分な深さ
を有するように形成される。
【００２０】本発明のある実施例では、製造中にハウジ
ング２０１の収縮を最小にするために、図３Ｂに示すよ
うにハウジング２０１の全ての壁は等しい厚さを有す
る。即ち、図３Ｂに示された実施例では、ハウジング２
０１は、ロッド２０４のキャビティ２０３の内側の開孔
部２０５と、ロッド２０４のキャビティ２０３の外側の
開孔部２０５′とを有する。図３Ｃ及び３Ｄに示された
本発明の他の実施例は、ロッド２０４に開孔部２０５を
備えず、カバー２０２の突出部２０９（図４に詳しく示
されている）によって所望の周波数に同調される。
【００２１】図２を再び参照すると、孔２０７は孔２０
６に隣接して配置されている。このようにして、同調デ
バイス２０８が孔２０７Ｂに螺合されたとき、例えば同
調デバイス２０８はロッド２０４Ａとロッド２０４Ｂと
の間のキャビティ２０３内に延出することになる。同調
デバイス２０８がキャビティ２０３内により深く延出す
るほど、ロッド２０４Ａとロッド２０４Ｂとの間の誘導
性結合が大きくなり、従ってフィルタ２０３の帯域幅が
増加する。逆に、同調デバイス２０８がキャビティ２０
３内により浅く延出するほど、ロッド２０４Ａとロッド
２０４Ｂとの間の誘導性結合が減少し、従ってフィルタ
２００の帯域幅が減少する。即ち、同調デバイス２０８
を孔２０７内に提供することによって、フィルタ２００
の帯域幅を調整することができる。孔２０７内の同調デ
バイス２０８の個数はｎ−１であり、ここでｎはロッド
２０４の個数を表している。同調デバイス２０８は、真
鍮、鉄、アルミニウムまたはプラスチックのような基層
から形成され、そして銀のような導電性材料をメッキさ
れている。フィルタ２００の同調が終了した後に、同調
デバイス２０８はエポキシ樹脂によって固定される。
【００２２】ハウジング２０１及びロッド２０４は、通
常のモールディング過程によって単一のピースから形成
される。射出形成及び圧縮形成を含むモールディング過
程は、当業者には良く知られているので、ここではこれ
以上詳しく説明しない。既に述べられたように、ハウジ
ング２０１及びロッド２０４は導電層２０１Ｂ（図３Ａ
〜３Ｄ）をメッキされる。ハウジングのフレーム構造２
０１Ａを形成するためにULTEM樹脂を用いた実施例で
は、導電層２０１Ｂは２つの方法の内の何れかを用いて
メッキされる。ある方法では、導電層２０１Ｂは真空蒸
着法によって堆積された３つの層を有する。図５Ａに示
すように真空蒸着法では、過程５０１によってアルミニ
ウムなどの第１金属層がハウジングのフレーム構造２０
１Ａの表面に約１μｍの厚さで堆積される。次に過程５
０２によって、例えば銅またはニッケルからなる中間層
が約４μｍの厚さに堆積され、過程５０３によって堆積
される好ましくは銀からなる最終金属層と第１金属層と
の間の粘着層を提供する。一般的に、最終金属層は約１
６から２４μｍの厚さを有する。
【００２３】図５Ｂに示された導電層２０１Ｂを提供す
るための他の方法では、ハウジングのフレーム構造２０
１Ａは、その表面をグリットブラストまたはリードブラ
ストされることによって、過程５０４でのメッキのため
の準備をされる。次に過程５０５で、例えば無電解の銅
からなる第１金属層が約１μｍの最小の厚さを有して堆
積される。第１金属層の堆積に続いて、例えば銀からな
る最終金属層が、第１金属層の上に約１６〜２４μｍの
厚さを有して堆積される。最終金属層（過程５０３及び
５０６）には、銀、銅またはアルミニウムのような他の
金属が含まれてもよい。
【００２４】以下に示された表１は、（本実施例ではUL
TEMで形成され、上述された２つの方法の内の何れかの
方法によってメッキされた）ハウジング２０１の性能特
性、即ち従来のアルミニウム製のハウジングと同程度の
熱変化に対する安定性を表している。フィルタは空気に
よって同調されるかまたは絶縁材料によって同調される
ことが当業者には良く知られている。図６Ａに示された
空気によって同調されたフィルタでは、同調デバイス２
０８はカバー２０２に螺合されてロッド２０４の開孔部
２０５内に延出している。同調デバイス２０８はロッド
２０４と接触せず、従って空気を介して同調デバイス２
０８とロッド２０４との間の容量性の結合が提供され
る。上述されたように、同調デバイス２０８のロッド２
０４に対する位置がロッド２０４によって提供された共
振器の周波数を決定する。図６Ｂの絶縁材料によって同
調されたフィルタでは、同調デバイス２０８はカバー２
０２に螺合されてロッド２０４の開孔部２０５に配置さ
れた絶縁スリーブ２１２内に延出している。従って、容
量性の結合が絶縁スリーブ２１２を介してロッド２０４
と同調デバイス２０８との間に提供される。同調デバイ
ス２０８が、絶縁スリーブ２１２によってロッド２０４
に確保されているので、この構造は図６Ａに示された構
造に比べより安定している。ある実施例では、絶縁スリ
ーブ２１２はTEFLONから形成されている。他の実施例で
は、他の低損失の絶縁材料がスリーブ２１２を形成する
ために用いられている。以下の表１は、空気によって同
調されたフィルタと絶縁材料によって同調されたフィル
タとを比較している。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１に示すように、ハウジング２０１は、
空気によって同調されている場合、従来のアルミニウム
製のハウジングと同程度の性能特性を有する。ハウジン
グ２０１は絶縁材料によって同調されているとき、従来
のアルミニウム製のハウジングと比べ充分に改良された
性能特性を有する。ハウジング２０１はモールド形成さ
れているので、その製造コストは従来のアルミニウム製
のハウジングの加工コストに比べ充分低くなっている。
即ち、本発明は、従来のアルミニウムフィルタの製造コ
ストに比べ僅かなコストによって、従来のアルミニウム
フィルタと同程度若しくはそれ以上の性能を有するフィ
ルタを提供することができる。
【００２７】本発明のある実施例では、カバー２０２は
ハウジング２０１と同様に射出成形され、次に導電層を
メッキされる。カバー２０２のキャビティ２０３に対す
る表面２０２Ａと、孔２０６及び２０７のみをメッキす
る必要がある。言い換えれば、カバー２０２のその他の
表面２０２Ｂと２０２Ｃはメッキされる必要はない。し
かし、選択的にメッキすることは、製造コストを増加さ
せるメッキ用のマスクを必要とする。従って、カバー２
０２は、概ねその全表面がメッキされる。
【００２８】図４に示された本発明の他の実施例では、
突出部２０９がカバー２０２と一体的に形成され、同調
デバイス２０８（図２）と等しい機能を提供する。この
ような突出部２０９を備えたカバー２０２は、フィルタ
２００の周波数と帯域幅とを予め同調する。ロッド２０
４は概ねフィルタ２００内で一定の長さを有するので
（図２）、カバー２０２に亘って突出部２０９の長さが
変化している。より詳しくは、フィルタ２００の両端の
ロッドでは周波数を同調するためにより多くの静電容量
が必要とされるので、両端の突出部２０９Ａは突出部２
０９Ｃよりも長い。フィルタはその中央で最小の静電容
量を必要とするので、突出部２０９Ｅは突出部２０９Ｃ
よりも短い。従って、突出部２０９Ａ、２０９Ｃ及び２
０９Ｅの端部は、図４に示すようにほぼ放物線に沿って
並んでいる。突出部２０９Ｂ及び２０９Ｄは帯域幅を同
調するので、等しい長さを有する。
【００２９】本発明の更に他の実施例では、カバー２０
２はアルミニウムなどの導電性材料によって形成されて
いる。この実施例のカバー２０２を形成するためには、
材料の平板を機械加工するかまたは打ち抜くことのみが
必要となるので、その製造コストは、同じ部分を射出成
形するための製造コストと同程度である。
【００３０】本発明でプラスチック材料を用いることに
よって、弾発係合アセンブリの利点が提供される。より
詳しくは、図７Ａ、７Ｂ及び７Ｃに示されたタブ７１
４、７１５及び７１６の各々がハウジング２０１または
カバー２０２（図２）の何れか一方と共にモールド形成
される。タブを備えていない要素には、タブを保持する
ための適切な窪みが備えられている。図７Ａは、一定の
断面積を有するタブ７１４が示されている。図７Ｂには
先細りの断面を有するタブ７１５が示されており、一方
図７Ｃには先細りの幅を備えたタブ７１６が示されてい
る。当業者には明らかなように、可撓性を有するタブを
提供することによって、ひずみが最小にされる。可撓性
は、タブの厚み、幅または厚みと幅の両方を先細りにす
ることによって達成される。更に、厚みを先細りにする
ことによって、タブへの応力をより均一に分布させるこ
とができる。
【００３１】従来のアルミニウム製のフィルタは、カバ
ーをハウジングに保持するために金属製のネジを使用し
ている。しかし、本発明に基づけば、タブ７１４、７１
５または７１６を用いることによって、これらの金属製
のネジを省略し、従ってフィルタ内で使用される構成要
素の数を大きく減少させることができる。従って、一組
の部材、即ちハウジング２０１とカバー２０２は、組立
ラインまたは最終的に使用する段階で迅速かつ経済的に
組み立てることができる。
【００３２】本発明の他の実施例では、ハウジング２０
１とカバー２０２は、任意の購入可能な導電性の接着剤
によって互いに接着される。これらの接着剤は、例えば
銀を満たされたエポキシ樹脂または導電性のＲＴＶであ
る。他の実施例では、ハウジング２０１とカバー２０２
は、メッキされる前に溶剤と共に接着され、溶剤が蒸発
した後に、その間に中間材料が存在しない樹脂間の接着
が形成される。溶剤には典型的に塩化メチレンが用いら
れる。
【００３３】接着剤または溶剤を用いる実施例では、ハ
ウジング２０１とカバー２０２は、モールド形成された
直後にこれらの２つの構成要素を嵌合させるような予め
決められた形状に形成される。図７Ｄ〜７Ｉは、ハウジ
ング２０１とカバー２０２とを接着する接着剤または溶
剤の何れかのための接合構造を表している。図７Ｄは、
丸い舌片と溝の構造を表し、図７Ｅは２つのスカーフを
表し、図７Ｆは円筒形の舌片と溝の構造を表し、図７Ｇ
は従来の舌片と溝の構造を表し、図７Ｈはスカーフの舌
片及び溝の構造を表し、図７Ｉは壁状の舌片及び溝の構
造を表している。ハウジング２０１及びカバー２０２に
タブを形成するような接着剤及び溶剤による接着は、従
来技術のネジを省略し、従ってフィルタを組み立てるた
めのコストを大きく低下させる。
【００３４】本発明の更に他の実施例では、ネジ山を形
成されたファスナ、即ちハウジング２０１に用いられる
プラスチック材料に形成されたモールド形成されたネジ
山または自動ネジ切りネジが、ハウジング２０１とカバ
ー２０２とを共に確保する。他の実施例では、モールド
形成された挿入物、超音波による挿入物、超音波ボンデ
ィング、または超音波ステーキが用いられる。これらの
方法は、General Electric Plasticsによる、刊行物“U
LTEM Resin Design Guide”に記載されており、この刊
行物はここで言及したことによって本出願の一部とされ
たい。
【００３５】図８Ａ〜８Ｃは、本発明に基づくフィルタ
へＲＦ信号を提供するための方法を表している。図８Ａ
は、直接タップ構造を表している。図８Ａに示すよう
に、従来の方法によってハウジング８０１に締着された
コネクタ８２０は、その一方の端部がコネクタ８２０の
中心の導体８２３にはんだ付けされ、かつそのもう一方
の端部が点８２２Ａでロッド８０４にはんだ付けされた
リボン８２１によって直接連結されている。図８Ｂは、
容量性連結構造を示している。図８Ｂでは、コネクタ８
２０は、その一方の端部が中心の導体８２３にはんだ付
けされ、かつそのもう一方の端部がロッド８０４に締着
されたキャパシタンス８２４に連結されたリボン８２１
によってロッド８０４に容量性に連結されている。最後
に、図８Ｃは、誘導性連結（ループ）構造を示してい
る。図８Ｃに示すように、コネクタ８２０は、その一方
の端部が中心の導体８２３にはんだ付けされ、かつもう
一方の端部が点８２２Ｂでハウジング８０１にはんだ付
けされたリボン８２１によってロッド８０４と誘導性に
連結されている。本発明の他の実施例ではリボン８２１
は導線からなる。
【００３６】図９Ａに示す本発明の実施例では、ハウジ
ング９０１のロッド９０４は、アイリス（iris）と呼ば
れている壁９１０によって分離されている。アイリス９
１０の高さは、（孔２０７の同調デバイス２０８（図
２）の代わりにまたは同調デバイスと共に用いられて）
フィルタの帯域幅を決定する。ハウジング９０１、ロッ
ド９０４及びアイリス９１０は、従来の方法によって一
体的にモールド形成される。
【００３７】図９Ａは、本発明に基づく多重化されたフ
ィルタ９００の断面図を表している。多重化動作の間、
単一の共振器９０４′は、複数の信号を同時に受信また
は伝達する。図９Ｂは、コネクタ９２０（これらのコネ
クタをフィルタのロッドに連結するための方法を表す図
８Ａ〜８Ｃを参照のこと）を備えた（図９Ａのカバー９
０２を取り除かれた）フィルタ９００の平面図である。
【００３８】図１０は、本発明に基づく多重化フィルタ
の等価回路を表している。図９Ｂ及び１０では、入力信
号ｆ０１及びｆ０２が、各々コネクタ９２０Ａ及び９２
０Ｂを通してフィルタ９００に提供されている。コネク
タ９２０Ａ及び９２０Ｂは、図１０Ａに示された接続部
１００４及び１００３に各々対応している。図９Ｂのメ
ッキされたロッド９０４によって提供された同軸の共振
器は、図１０Ａの短絡した伝達ライン１００１に対応し
ている。静電容量１００２は、メッキされたロッド９０
４（図９Ｂ）によって提供された同軸の共振器と同調デ
バイス９０８（図９Ａ）との間の静電容量を表してい
る。出力信号は、図９Ｂのコネクタ９２０Ｃに対応する
接続部１０００に出力される。各伝達ライン１００１
は、電気長θを有し、伝達ライン１００１N、１００１
0、及び１００１′Nの各々は、伝達ライン毎に変わるタ
ップポイント長θｔを有する。図１０Ａに示された多重
化構造は、共通の共振器を備えた二信構造と呼ばれてい
る。
【００３９】図１０Ｂは、ライン１０００及び伝達ライ
ン１００１0（図１０Ａ）が、ｆ０１の４分の１波長
（λ／４）を伝達する伝達ライン１００５Ａと、ｆ０２
の４分の１波長（λ／４）を伝達する伝達ライン１００
５Ｂに置き換えられた４分の１波長（λ／４）二信構造
を表している。４分の１波長（λ／４）二信構造のより
詳しい説明は、John Wiley and SonのR. Brown、R. Sha
rpe、W. Hughes及びR. Postによる“Lines, Waves and
Antennas: The Transminssion of Electrical Energy”
第２版（１９７３年）の１４７頁に記載されており、こ
の文献はここで言及したことによって本出願の一部とさ
れたい。
【００４０】これまでの説明は単なる例示であって限定
を意図するものではない。例えば、これまで説明されて
きた実施例はフィルタ内の複数の共振器を表している
が、本発明は単一の共振器または任意の個数の共振器と
共に動作する。当業者は、これまでの詳細な説明及び添
付の図面に基づいて本発明の技術的視点を逸脱すること
なしに他の方法及び構造を実施することが可能である。
本発明は添付の請求項によってのみ限定される。
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、製造が容易でかつ製造
コストが低く、かつ軽い材料によって製造された高性能
のフィルタを提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】固体の絶縁ブロックから形成された従来技術の
フィルタを表す図である。
【図２】本発明に基づくフィルタの分解斜視図である。
【図３】図３は、Ａ〜Ｄからなり、Ａ〜Ｄは、本発明に
基づくフィルタの部分断面図である。
【図４】本発明に基づくカバーの実施例の断面図であ
る。
【図５】図５は、Ａ及びＢからなり、Ａ及びＢは、本発
明に基づくハウジング及びまたはカバーをメッキする過
程を表した流れ図である。
【図６】図６は、Ａ及びＢからなり、Ａ及びＢは、本発
明に基づく共振器即ちロッドを同調する２つの方法を表
す図である。
【図７】図７は、Ａ〜Ｉからなり、Ａ〜Ｉは、カバーを
ハウジングに固定するための本発明に基づく種々の手段
を表す図である。
【図８】図８は、Ａ〜Ｃからなり、Ａ〜Ｃは、コネクタ
をロッドに連結する種々の方法を表す図である。
【図９】図９は、Ａ及びＢからなり、Ａは、本発明に基
づく多重化フィルタの断面図であり、Ｂは、本発明に基
づく多重化フィルタの平面図である。
【図１０】図１０は、Ａ及びＢからなり、Ａは、本発明
の多重化フィルタの等価回路を表す図であり、Ｂは、４
分の１波長二信フィルタ構造の等価回路を表す図であ
る。
【符号の説明】
１００ バンドパスフィルタ １０１〜１０６ 孔 １０９ ブロック １１０〜１１４ 溝 １２０ 入力コネクタ １２２ 出力コネクタ １２４ 入力電極 １２５ 出力電極 ２００ フィルタ ２０１ ハウジング ２０１′ ハウジング２０１のリップ部 ２０１Ａ フレーム構造 ２０１Ｂ 導電層 ２０２Ａ〜２０２Ｃ カバーの表面 ２０３ キャビティ ２０４Ａ〜２０４Ｃ ロッド ２０５Ａ〜２０５Ｃ ロッドの開口部 ２０６Ａ〜２０６Ｃ 孔 ２０７Ａ〜２０７Ｄ 孔 ２０８ 同調デバイス ２０９Ａ〜２０９Ｅ カバーの突出部 ２１２ 絶縁スリーブ ７１４〜７１６ タブ ８０１ ハウジング ８０４ ロッド ８２０ コネクタ ８２１ リボン ８２２Ａ〜８２２Ｂ 点 ８２３ コネクタの中心の導体 ８２４ キャパシタンス ９０１ ハウジング ９０４ ハウジングのロッド ９０４′ 共振器 ９１０ アイリス（壁） ９２０Ａ〜９２０Ｃ コネクタ １０００ 接続部 １００１0〜１００１N 伝達ライン １００１′1〜１００１′N 伝達ライン １００２0〜１００２N 静電容量 １００２′1〜１００２′N 静電容量 １００３〜１００５ 接続部 １００５Ａ、１００５Ｂ 伝達ライン
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年９月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
フロントページの続き (72)発明者 ニール・アール・ナトソン アメリカ合衆国カリフォルニア州94043・ ジュドロウェイ 3571

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フィルタであって、 キャビティを画定するハウジングと、 前記ハウジングに一体形成された第１端部と、前記キャ
    ビティ内に配置された第２端部とを備えたロッドと、 前記ハウジングに締着可能なカバーとを有し、 前記ロッドの前記第２端部が前記カバーと機能的な関係
    に配置されていることを特徴とするフィルタ。
  2. 【請求項２】 前記ロッドが前記第２端部に開口部を
    有することを特徴とする請求項１に記載のフィルタ。
  3. 【請求項３】 前記ロッドとの間に容量性の結合を提
    供するべく前記ロッドと機能的な関係に配置されるよう
    に前記カバーに取着可能な同調要素を更に有することを
    特徴とする請求項１に記載のフィルタ。
  4. 【請求項４】 前記ロッドに隣接して配置されるよう
    に前記カバーに取着可能な同調要素を更に有することを
    特徴とする請求項１に記載のフィルタ。
  5. 【請求項５】 前記同調要素と前記ロッドとの間の容
    量性の結合を提供するべく前記ロッドと機能的な関係に
    配置された一体形成された突出部を前記カバーが有する
    ことを特徴とする請求項１に記載のフィルタ。
  6. 【請求項６】 前記カバーが、前記ロッドに隣接して
    配置されるように一体形成された突出部を有することを
    特徴とする請求項１に記載のフィルタ。
  7. 【請求項７】 前記ハウジング及び前記ロッドが、所
    望の温度特性を備えたプラスチックからモールド形成さ
    れることを特徴とする請求項１に記載のフィルタ。
  8. 【請求項８】 前記プラスチックが予め決められた強
    度を有することを特徴とする請求項７に記載のフィル
    タ。
  9. 【請求項９】 前記ハウジングが更に、前記プラスチ
    ックにメッキされた導電性材料を有することを特徴とす
    る請求項８に記載のフィルタ。
  10. 【請求項１０】 前記導電性材料が銀を含むことを特
    徴とする請求項９に記載のフィルタ。
  11. 【請求項１１】 前記カバーがモールド形成された前
    記プラスチックからなることを特徴とする請求項９に記
    載のフィルタ。
  12. 【請求項１２】 前記プラスチックが導電性材料をメ
    ッキされていることを特徴とする請求項１１に記載のフ
    ィルタ。
  13. 【請求項１３】 前記カバーが導電性材料から形成さ
    れていることを特徴とする請求項９に記載のフィルタ。
  14. 【請求項１４】 前記ハウジング及び前記カバーが弾
    発係合アセンブリを形成することを特徴とする請求項１
    に記載のフィルタ。
  15. 【請求項１５】 前記ハウジングがタブを有すること
    を特徴とする請求項１４に記載のフィルタ。
  16. 【請求項１６】 前記カバーがタブを有することを特
    徴とする請求項１４に記載のフィルタ。
  17. 【請求項１７】 フィルタの形成方法であって、 一体形成された少なくとも１つのロッドを備えたハウジ
    ングをモールド形成する過程と、 前記ハウジンクに導電性材料をメッキする過程と、 前記ハウジングに締着可能なカバーを形成する過程とを
    有することを特徴とするフィルタの形成方法。
  18. 【請求項１８】 前記ハウジングの前記表面を粗くす
    る過程と、 前記ハウジングに第１金属層を形成する過程と、 前記第１金属層の上に第２金属層を形成する過程とを有
    することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記第２金属層が銀からなることを
    特徴とする請求項１８に記載の方法。
  20. 【請求項２０】 前記メッキする過程が、 前記ハウジングの前記表面に第１金属層を堆積する過程
    と、 前記第１金属層の上に中間金属層を堆積する過程と、 前記中間金属層の上に最終金属層を堆積する過程とを有
    し、 前記中間層金属が前記第１金属層と前記最終金属層との
    間の粘着力を提供することを特徴とする請求項１７に記
    載の方法。
  21. 【請求項２１】 前記最終金属層が銀からなることを
    特徴とする請求項２０に記載の方法。
  22. 【請求項２２】 カバーを形成する過程が、 前記カバーをモールド形成する過程と、 前記カバーに導電性材料をメッキする過程からなること
    を特徴とする請求項１７に記載の方法。
  23. 【請求項２３】 カバーを形成する過程が、前記カバ
    ーを導電性材料から機械加工または打ち抜き加工する過
    程を有することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
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