JPH0812896B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0812896B2 JPH0812896B2 JP60083836A JP8383685A JPH0812896B2 JP H0812896 B2 JPH0812896 B2 JP H0812896B2 JP 60083836 A JP60083836 A JP 60083836A JP 8383685 A JP8383685 A JP 8383685A JP H0812896 B2 JPH0812896 B2 JP H0812896B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- semiconductor device
- leads
- resin
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/479—Leadframes on or in insulating or insulated package substrates, interposers, or redistribution layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/451—Multilayered leadframes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はポリイミド系フィルム上にインナーリードと
アウターリードが一体化形成されたリードフレームに半
導体デバイスが搭載された半導体装置に関する。
アウターリードが一体化形成されたリードフレームに半
導体デバイスが搭載された半導体装置に関する。
従来の技術 従来の半導体装置搭載用リードフレームは、Fe−Ni−
Co合金、Fe−Ni合金、Cu系合金を、その材料としてい
た。しかし、最近では、半導体デバイスを搭載したパッ
ケージの高密度実装が要求されるなかで、材料の改善は
おこなわれずに、寸法の縮小化に力点のおかれたパッケ
ージ設計に努力が注がれてきていた。従って寸法の小型
化は、必然的に金属性リードフレームの薄型指向へとつ
ながり、その結果として半導体デバイスを搭載したパッ
ケージのアウターリードの折り曲げ強度の低下や、アウ
ターリードフォーミング後のリード変形が起こってい
た。
Co合金、Fe−Ni合金、Cu系合金を、その材料としてい
た。しかし、最近では、半導体デバイスを搭載したパッ
ケージの高密度実装が要求されるなかで、材料の改善は
おこなわれずに、寸法の縮小化に力点のおかれたパッケ
ージ設計に努力が注がれてきていた。従って寸法の小型
化は、必然的に金属性リードフレームの薄型指向へとつ
ながり、その結果として半導体デバイスを搭載したパッ
ケージのアウターリードの折り曲げ強度の低下や、アウ
ターリードフォーミング後のリード変形が起こってい
た。
発明が解決しようとする問題点 リードフレームの材料がFe−Ni−Co合金やFe−Ni合
金、Cu系合金の場合、半導体デバイスを封止するモール
ド材（エポキシ系樹脂）との熱膨張係数が、Fe−Ni合金
で、4.4ppm/℃、樹脂で25ppm/℃と、大きく異なるため
に熱衝撃や温度サイクル等の環境試験で、樹脂とリード
フレームの境界面が剥離を生じ、この種の樹脂と金属の
組合わせにおいて、高湿の雰囲気での使用は、半導体デ
バイスの不良を誘発する主原因となっていた。
金、Cu系合金の場合、半導体デバイスを封止するモール
ド材（エポキシ系樹脂）との熱膨張係数が、Fe−Ni合金
で、4.4ppm/℃、樹脂で25ppm/℃と、大きく異なるため
に熱衝撃や温度サイクル等の環境試験で、樹脂とリード
フレームの境界面が剥離を生じ、この種の樹脂と金属の
組合わせにおいて、高湿の雰囲気での使用は、半導体デ
バイスの不良を誘発する主原因となっていた。
また、樹脂封入の際、細線ワイヤー長が長いとワイヤ
ー形状が変形し、半導体デバイスや、隣接するワイヤー
同士が接触するという問題があった。
ー形状が変形し、半導体デバイスや、隣接するワイヤー
同士が接触するという問題があった。
本発明は、従来例に見られた上述の問題点を一挙に解
決すると共に、広範囲の樹脂との組合わせを可能にする
ものである。
決すると共に、広範囲の樹脂との組合わせを可能にする
ものである。
問題点を解決するための手段 本発明は要約すると、ポリイミド系フィルム上に、C
u,Cu系合金または有機導電性材料によりインナーリー
ド、アウターリードおよび配線パターンを施したリード
フレームを準備し、そこに半導体デバイスを装着して樹
脂封止を行い、さらにインナーリードとアウターリード
との一部をポリイミド系テープで覆い、かつ、アウター
リードを覆うポリイミドテープの少なくともリード間の
箇所に、はんだ逃げ孔を設けた半導体装置である。
u,Cu系合金または有機導電性材料によりインナーリー
ド、アウターリードおよび配線パターンを施したリード
フレームを準備し、そこに半導体デバイスを装着して樹
脂封止を行い、さらにインナーリードとアウターリード
との一部をポリイミド系テープで覆い、かつ、アウター
リードを覆うポリイミドテープの少なくともリード間の
箇所に、はんだ逃げ孔を設けた半導体装置である。
作用 ポリイミドテープまたはポリイミドシート上に薄い金
属あるいは導電材料が電極リードとして形成されたリー
ドフレームを用いるために、これに半導体デバイスを樹
脂封止した場合の樹脂封止特性がよく、耐熱性にもすぐ
れる。
属あるいは導電材料が電極リードとして形成されたリー
ドフレームを用いるために、これに半導体デバイスを樹
脂封止した場合の樹脂封止特性がよく、耐熱性にもすぐ
れる。
実施例 次に、本発明を実施例により詳しく述べる。
第１図は、本発明の実施例の半導体装置を示した全体
外観斜視図である。リードフレーム１は、耐熱性（300
℃以上）を有し、熱膨張係数が約30〜40ppm/℃で厚さ0.
05〜0.5mmのポリイミド系テープ２と、電気的導通を図
るために熱膨張係数が約17ppm/℃で厚さ0.03〜0.25mmの
CuまたはCu系合金からなる配線パターンのリード３で形
成されている。これにトランスファーモールドで熱膨張
係数が約25ppm/℃のエポキシ系樹脂４により形成する。
なお、エポキシ封止樹脂４が装着される前のリードフレ
ーム１は図示しないが、リード３を構成するインナーリ
ードとアウターリードとがリードフレーム１と一体化形
成されている。インナーリードはエポキシ系樹脂４で封
止されたリード３の部分であり、アウターリードはエポ
キシ系樹脂４の外側の部分を指す。したがって、第１図
に符号３で示されたリードの箇所はアウターリードの部
分を示し、かつ、アウターリード（リード３）が折り曲
げられた状態を示している。
外観斜視図である。リードフレーム１は、耐熱性（300
℃以上）を有し、熱膨張係数が約30〜40ppm/℃で厚さ0.
05〜0.5mmのポリイミド系テープ２と、電気的導通を図
るために熱膨張係数が約17ppm/℃で厚さ0.03〜0.25mmの
CuまたはCu系合金からなる配線パターンのリード３で形
成されている。これにトランスファーモールドで熱膨張
係数が約25ppm/℃のエポキシ系樹脂４により形成する。
なお、エポキシ封止樹脂４が装着される前のリードフレ
ーム１は図示しないが、リード３を構成するインナーリ
ードとアウターリードとがリードフレーム１と一体化形
成されている。インナーリードはエポキシ系樹脂４で封
止されたリード３の部分であり、アウターリードはエポ
キシ系樹脂４の外側の部分を指す。したがって、第１図
に符号３で示されたリードの箇所はアウターリードの部
分を示し、かつ、アウターリード（リード３）が折り曲
げられた状態を示している。
エポキシ系封止樹脂４の内部は、第１図のＡ−Ａ線に
沿った第２図の断面図に示すように、インナーリード先
端部５がバンプ付き構造をなしており、さらにその表面
は、0.5〜5.0μｍの厚みのAuメッキか、無酸化銅の塊に
なっている。このインナーリード先端部５が半導体デバ
イス７上のAlボンディングパッド６に熱圧着または、サ
ーモソニック法で接続されている。これらリードフレー
ム１はトランスファーモールド法で樹脂成形を行うため
に、第３図に示す封止連体形状図のように、所要の寸法
に切断される。しかし、一貫自動化ラインでは、定尺に
切断する必要はない。
沿った第２図の断面図に示すように、インナーリード先
端部５がバンプ付き構造をなしており、さらにその表面
は、0.5〜5.0μｍの厚みのAuメッキか、無酸化銅の塊に
なっている。このインナーリード先端部５が半導体デバ
イス７上のAlボンディングパッド６に熱圧着または、サ
ーモソニック法で接続されている。これらリードフレー
ム１はトランスファーモールド法で樹脂成形を行うため
に、第３図に示す封止連体形状図のように、所要の寸法
に切断される。しかし、一貫自動化ラインでは、定尺に
切断する必要はない。
さらにテスティングは、テープ状のままか、リード３
とポリイミド系テープ２が一体のままで、リードフォー
ミング後に行う。
とポリイミド系テープ２が一体のままで、リードフォー
ミング後に行う。
組立工程における送り方法は、ポリイミド系テープの
両端に設けられた送り孔８を用いて行い、裏側はリード
３と同じ金属材料で補強する。また、はんだ付けに適合
できるように、リードフレーム１基体のポリイミド系テ
ープ２の一部に、はんだ逃げ孔９をスリット状に設けて
おくとよい。
両端に設けられた送り孔８を用いて行い、裏側はリード
３と同じ金属材料で補強する。また、はんだ付けに適合
できるように、リードフレーム１基体のポリイミド系テ
ープ２の一部に、はんだ逃げ孔９をスリット状に設けて
おくとよい。
発明の効果 本発明はポリイミド系のリードフレームにその熱膨張
係数と近いCuの導電層を形成し、さらにそのリードフレ
ームを熱膨張係数に近いエポキシ系樹脂で封止するの
で、温度変化に対しての信頼性が低下しない。また、Cu
系のリードをラミネートしたポリイミド系テープを用い
ているので、薄型小型パッケージ等で問題になってい
る。リード断線やリード変形が皆無になる。また、半導
体デバイスとリードの接続には、ワイヤーではなくバン
プにより行っているため、封止の際のワイヤー同士が接
触するということはなくなる。なお、アウターリード
は、リード箔とポリイミドテープを薄型化すれば、フレ
キシビリティーの高いアウターリードが実現でき、逆に
両者に厚い材料を用いれば、現状見られるような、機械
的に強固なアウターリードが実現できる。
係数と近いCuの導電層を形成し、さらにそのリードフレ
ームを熱膨張係数に近いエポキシ系樹脂で封止するの
で、温度変化に対しての信頼性が低下しない。また、Cu
系のリードをラミネートしたポリイミド系テープを用い
ているので、薄型小型パッケージ等で問題になってい
る。リード断線やリード変形が皆無になる。また、半導
体デバイスとリードの接続には、ワイヤーではなくバン
プにより行っているため、封止の際のワイヤー同士が接
触するということはなくなる。なお、アウターリード
は、リード箔とポリイミドテープを薄型化すれば、フレ
キシビリティーの高いアウターリードが実現でき、逆に
両者に厚い材料を用いれば、現状見られるような、機械
的に強固なアウターリードが実現できる。
第１図、第２図、第３図はそれぞれ本発明の半導体装置
の実施例の外観斜視図、要部断面図、封止連体形状図で
ある。 １……リードフレーム、２……ポリイミド系テープ、３
……CuまたはCu系合金リード、４……エポキシ系封止樹
脂、５……インナーリード先端部、６……Alボンディン
グパッド、７……半導体デバイス、８……送り孔、９…
…はんだ逃げ孔。
の実施例の外観斜視図、要部断面図、封止連体形状図で
ある。 １……リードフレーム、２……ポリイミド系テープ、３
……CuまたはCu系合金リード、４……エポキシ系封止樹
脂、５……インナーリード先端部、６……Alボンディン
グパッド、７……半導体デバイス、８……送り孔、９…
…はんだ逃げ孔。
Claims (1)
- 【請求項１】ポリイミド系フィルム上に、半導体デバイ
スを接続するためのインナーリードとこれに連なるアウ
ターリードおよび、Cu,Cu系合金または有機導電性材料
により形成された配線パターンが一体化形成されたリー
ドフレームと、前記リードフレームに装着された半導体
デバイスと、前記インナーリードおよびアウターリード
の一部を覆うポリイミド系テープと、前記半導体デバイ
スおよびインナーリードが樹脂封止されたパッケージ
と、少なくとも前記アウターリードを覆う前記ポリイミ
ド系テープのアウターリード間に、はんだ逃げ孔を設け
たことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60083836A JPH0812896B2 (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60083836A JPH0812896B2 (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61242051A JPS61242051A (ja) | 1986-10-28 |
| JPH0812896B2 true JPH0812896B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=13813785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60083836A Expired - Lifetime JPH0812896B2 (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812896B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63260058A (ja) * | 1987-04-16 | 1988-10-27 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US4796078A (en) * | 1987-06-15 | 1989-01-03 | International Business Machines Corporation | Peripheral/area wire bonding technique |
| JPH02260447A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｉｃパッケージ |
| JPH02260445A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｉｃパッケージ |
| JP5169185B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2013-03-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61134045A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-21 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1985
- 1985-04-19 JP JP60083836A patent/JPH0812896B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61242051A (ja) | 1986-10-28 |
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