JPH08129715A - 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH08129715A JPH08129715A JP26974594A JP26974594A JPH08129715A JP H08129715 A JPH08129715 A JP H08129715A JP 26974594 A JP26974594 A JP 26974594A JP 26974594 A JP26974594 A JP 26974594A JP H08129715 A JPH08129715 A JP H08129715A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果型ヘッドと誘導型ヘッドとを基
板上に積み重ねて形成した複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、実効的な記録トラック幅の拡がりを抑制
するとともに記録効率も向上させる。 【構成】 磁気抵抗効果型ヘッドの上部シールド層とな
る第１の薄膜を成膜した後、該第１の薄膜をエッチング
整形する前に誘導型ヘッドの下部コア層となる第２の薄
膜を成膜し、前記第２の薄膜上の所定の部位に所定の平
面形状を有する誘導型ヘッドの下部絶縁層、コイル層、
上部絶縁層、ギャップスペーサ層及び上部コア層を順次
形成し、前記上部コア層のトラック幅規制部上を除い
て、該上部コア層上及び前記上部絶縁層上にレジスト層
を形成し、前記上部コア層のトラック幅規制部及び前記
レジスト層ををマスクとして前記第２の薄膜をエッチン
グ整形する。
板上に積み重ねて形成した複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、実効的な記録トラック幅の拡がりを抑制
するとともに記録効率も向上させる。 【構成】 磁気抵抗効果型ヘッドの上部シールド層とな
る第１の薄膜を成膜した後、該第１の薄膜をエッチング
整形する前に誘導型ヘッドの下部コア層となる第２の薄
膜を成膜し、前記第２の薄膜上の所定の部位に所定の平
面形状を有する誘導型ヘッドの下部絶縁層、コイル層、
上部絶縁層、ギャップスペーサ層及び上部コア層を順次
形成し、前記上部コア層のトラック幅規制部上を除い
て、該上部コア層上及び前記上部絶縁層上にレジスト層
を形成し、前記上部コア層のトラック幅規制部及び前記
レジスト層ををマスクとして前記第２の薄膜をエッチン
グ整形する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＨＤＤ（ハード・ディ
スク・ドライブ）等の磁気記録装置に使用される磁気ヘ
ッドに関するものである。
スク・ドライブ）等の磁気記録装置に使用される磁気ヘ
ッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＨＤＤ等の磁気記録装置に使用される磁
気ヘッドとして、磁気抵抗効果素子層及びシールド層を
備える再生用の磁気抵抗効果型ヘッドと磁気コア層及び
コイル層を備える記録用の誘導型ヘッドとを基板上に積
み重ねて形成した複合型の薄膜磁気ヘッドが、特公昭５
８−３６４０６号に開示されている。
気ヘッドとして、磁気抵抗効果素子層及びシールド層を
備える再生用の磁気抵抗効果型ヘッドと磁気コア層及び
コイル層を備える記録用の誘導型ヘッドとを基板上に積
み重ねて形成した複合型の薄膜磁気ヘッドが、特公昭５
８−３６４０６号に開示されている。
【０００３】かかる複合型薄膜薄膜ヘッドにおいて、磁
気抵抗効果型ヘッドの上部シールド層と誘導型ヘッドの
下部磁気コア層は、絶縁層を介して互いに分離されてい
てもよいが、製造プロセスの簡略化を図るためには、図
８に示すように両者を磁性薄膜の一体物７にて構成して
もよい。
気抵抗効果型ヘッドの上部シールド層と誘導型ヘッドの
下部磁気コア層は、絶縁層を介して互いに分離されてい
てもよいが、製造プロセスの簡略化を図るためには、図
８に示すように両者を磁性薄膜の一体物７にて構成して
もよい。
【０００４】図８は、該複合型薄膜磁気ヘッドの斜視図
であり、１は基板、２は磁気抵抗効果型ヘッドの下部シ
ールド層、３は下部シールド層と磁気抵抗効果素子層と
の間のギャップスペーサ層、４は磁気抵抗効果素子層、
５は磁気抵抗効果素子層に通電するための導体層、６は
磁気抵抗効果素子層と上部シールド層との間のギャップ
スペーサ層、７は上部シールド層兼誘導型ヘッドの下部
コア層、８はコイル層、９は上部コア層を示している。
なお、上部シールド層兼下部コア層７と上部コア層９と
の間にはギャップスペーサ層が介在しており、上部シー
ルド層兼下部コア層７とコイル層８との間及びコイル層
８と上部コア層９との間には絶縁層が介在しているが、
図示を省略している。
であり、１は基板、２は磁気抵抗効果型ヘッドの下部シ
ールド層、３は下部シールド層と磁気抵抗効果素子層と
の間のギャップスペーサ層、４は磁気抵抗効果素子層、
５は磁気抵抗効果素子層に通電するための導体層、６は
磁気抵抗効果素子層と上部シールド層との間のギャップ
スペーサ層、７は上部シールド層兼誘導型ヘッドの下部
コア層、８はコイル層、９は上部コア層を示している。
なお、上部シールド層兼下部コア層７と上部コア層９と
の間にはギャップスペーサ層が介在しており、上部シー
ルド層兼下部コア層７とコイル層８との間及びコイル層
８と上部コア層９との間には絶縁層が介在しているが、
図示を省略している。
【０００５】図８に示したような複合型薄膜磁気ヘッド
によって磁気ディスク等の記録媒体上に形成される記録
トラックの幅は、誘導型ヘッドの上部コア層９のトラッ
ク幅によって規制されるが、該複合型薄膜磁気ヘッドに
おいては上部シールド層兼下部コア層７が前記上部コア
層９のトラック幅の側方にも拡がっているため、記録電
流が大きくなるとギャップ部からの漏れ磁束がトラック
幅方向側方にまで拡がり、実効的な記録トラック幅が上
部コア層のトラック幅よりも拡くなることがある。
によって磁気ディスク等の記録媒体上に形成される記録
トラックの幅は、誘導型ヘッドの上部コア層９のトラッ
ク幅によって規制されるが、該複合型薄膜磁気ヘッドに
おいては上部シールド層兼下部コア層７が前記上部コア
層９のトラック幅の側方にも拡がっているため、記録電
流が大きくなるとギャップ部からの漏れ磁束がトラック
幅方向側方にまで拡がり、実効的な記録トラック幅が上
部コア層のトラック幅よりも拡くなることがある。
【０００６】このような実効記録トラック幅の拡大現象
は「記録にじみ」と称され、ＨＤＤ装置等において５０
００ＴＰＩにも達するような高トラック密度を実現する
ためには、すなわち５μｍ程度以下のトラック幅で記録
を行うためには、隣接トラックとのクロストーク等の原
因となる「記録にじみ」の問題が大きな障害となる。
は「記録にじみ」と称され、ＨＤＤ装置等において５０
００ＴＰＩにも達するような高トラック密度を実現する
ためには、すなわち５μｍ程度以下のトラック幅で記録
を行うためには、隣接トラックとのクロストーク等の原
因となる「記録にじみ」の問題が大きな障害となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、磁気抵抗効
果素子層及びシールド層を備える磁気抵抗効果型ヘッド
と磁気コア層及びコイル層を備える誘導型ヘッドとを基
板上に積み重ねて形成し、前記磁気抵抗効果型ヘッドの
上部シールド層と前記誘導型ヘッドの下部コア層とを磁
性薄膜の一体物あるいは比較的薄い非磁性薄膜を介して
積層された磁性薄膜にて構成した複合型薄膜磁気ヘッド
の製造方法において、前記「記録にじみ」の問題が改善
されるような製造方法を明らかにするものである。
果素子層及びシールド層を備える磁気抵抗効果型ヘッド
と磁気コア層及びコイル層を備える誘導型ヘッドとを基
板上に積み重ねて形成し、前記磁気抵抗効果型ヘッドの
上部シールド層と前記誘導型ヘッドの下部コア層とを磁
性薄膜の一体物あるいは比較的薄い非磁性薄膜を介して
積層された磁性薄膜にて構成した複合型薄膜磁気ヘッド
の製造方法において、前記「記録にじみ」の問題が改善
されるような製造方法を明らかにするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による複合型薄膜
磁気ヘッドの製造方法は、 磁気抵抗効果素子層及びシ
ールド層を備える磁気抵抗効果型ヘッドと磁気コア層及
びコイル層を備える誘導型ヘッドとを基板上に積み重ね
て形成した複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
磁気抵抗効果型ヘッドの上部シールド層となる第１の薄
膜を成膜した後、該第１の薄膜をエッチング整形する前
に誘導型ヘッドの下部コア層となる第２の薄膜を成膜す
る工程と、前記第１及び第２の薄膜を前記上部シールド
層としての平面形状にエッチング整形する工程と、前記
第２の薄膜上の所定の部位に所定の平面形状を有する誘
導型ヘッドの下部絶縁層、コイル層、上部絶縁層、ギャ
ップスペーサ層及び上部コア層を順次形成する工程と、
前記上部コア層のトラック幅規制部上を除いて、該上部
コア層上及び前記上部絶縁層上にレジスト層を形成する
工程と、前記上部コア層のトラック幅規制部及び前記レ
ジスト層ををマスクとして前記第２の薄膜をエッチング
整形する工程と、前記レジスト層を除去する工程とを備
えることを特徴とするものである。
磁気ヘッドの製造方法は、 磁気抵抗効果素子層及びシ
ールド層を備える磁気抵抗効果型ヘッドと磁気コア層及
びコイル層を備える誘導型ヘッドとを基板上に積み重ね
て形成した複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
磁気抵抗効果型ヘッドの上部シールド層となる第１の薄
膜を成膜した後、該第１の薄膜をエッチング整形する前
に誘導型ヘッドの下部コア層となる第２の薄膜を成膜す
る工程と、前記第１及び第２の薄膜を前記上部シールド
層としての平面形状にエッチング整形する工程と、前記
第２の薄膜上の所定の部位に所定の平面形状を有する誘
導型ヘッドの下部絶縁層、コイル層、上部絶縁層、ギャ
ップスペーサ層及び上部コア層を順次形成する工程と、
前記上部コア層のトラック幅規制部上を除いて、該上部
コア層上及び前記上部絶縁層上にレジスト層を形成する
工程と、前記上部コア層のトラック幅規制部及び前記レ
ジスト層ををマスクとして前記第２の薄膜をエッチング
整形する工程と、前記レジスト層を除去する工程とを備
えることを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】上記本発明の製造方法によれば、下部コア層の
一部に上部コア層のトラック幅規制部と同一の平面形状
で対向する部分が形成され、該対向部、すなわち誘導型
ヘッドとしてのギャップ部からの漏れ磁束がトラック幅
方向の側方に拡がりにくくなり、前記「記録にじみ」の
問題が解消される。
一部に上部コア層のトラック幅規制部と同一の平面形状
で対向する部分が形成され、該対向部、すなわち誘導型
ヘッドとしてのギャップ部からの漏れ磁束がトラック幅
方向の側方に拡がりにくくなり、前記「記録にじみ」の
問題が解消される。
【００１０】また、上記本発明の製造方法によれば、上
部コア層のトラック幅規制部がレジスト層で覆われた部
分に比べて薄くなるため、上部コア層内を通る磁束がト
ラック幅規制部において厚さ方向に絞り込まれて、記録
効率が向上する。
部コア層のトラック幅規制部がレジスト層で覆われた部
分に比べて薄くなるため、上部コア層内を通る磁束がト
ラック幅規制部において厚さ方向に絞り込まれて、記録
効率が向上する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００１２】本発明実施例においては、まず、図２に示
すように、基板１上に磁気抵抗効果型ヘッドの下部シー
ルド層２、下部シールド層と磁気抵抗効果素子層との間
のギャップスペーサ層３、磁気抵抗効果素子層４、磁気
抵抗効果素子に通電するための導体層５、磁気抵抗効果
素子層と上部シールド層との間のギャップスペーサ層６
を順次形成した後、上部シールド層となる第１の薄膜７
１及び誘導型ヘッドの下部コア層となる第２の薄膜７２
を成膜し、該第１及び第２の薄膜７１、７２を上部シー
ルド層としての平面形状にエッチング整形する。
すように、基板１上に磁気抵抗効果型ヘッドの下部シー
ルド層２、下部シールド層と磁気抵抗効果素子層との間
のギャップスペーサ層３、磁気抵抗効果素子層４、磁気
抵抗効果素子に通電するための導体層５、磁気抵抗効果
素子層と上部シールド層との間のギャップスペーサ層６
を順次形成した後、上部シールド層となる第１の薄膜７
１及び誘導型ヘッドの下部コア層となる第２の薄膜７２
を成膜し、該第１及び第２の薄膜７１、７２を上部シー
ルド層としての平面形状にエッチング整形する。
【００１３】前記第１の薄膜７１の材料としてはＮｉＦ
ｅ合金等が用いられ、厚さは０．５〜３μｍである。前
記第２の薄膜７２の材料としてはＣｏＺｒＳｎ系の非晶
質合金等が用いられ、厚さは０．５〜５μｍである。
ｅ合金等が用いられ、厚さは０．５〜３μｍである。前
記第２の薄膜７２の材料としてはＣｏＺｒＳｎ系の非晶
質合金等が用いられ、厚さは０．５〜５μｍである。
【００１４】次に、図３に示すように、前記第２の薄膜
７２上の所定の部位に所定の平面形状を有する誘導型ヘ
ッドの下部絶縁層（図示省略）、コイル層８、上部絶縁
層（図示省略）、ギャップスペーサ層（図示省略）及び
上部コア層９を順次形成する。
７２上の所定の部位に所定の平面形状を有する誘導型ヘ
ッドの下部絶縁層（図示省略）、コイル層８、上部絶縁
層（図示省略）、ギャップスペーサ層（図示省略）及び
上部コア層９を順次形成する。
【００１５】前記上部コア層９の材料としてはＣｏＺｒ
Ｓｎ系の非晶質合金等が用いられ、厚さは１〜５μｍで
ある。
Ｓｎ系の非晶質合金等が用いられ、厚さは１〜５μｍで
ある。
【００１６】次に、図４に示すように、前記上部コア層
９のトラック幅規制部９１上を除いて、該上部コア層上
及び前記上部絶縁層上にレジスト層９２を形成する。
９のトラック幅規制部９１上を除いて、該上部コア層上
及び前記上部絶縁層上にレジスト層９２を形成する。
【００１７】次に、図５に示すように、前記上部コア層
のトラック幅規制部９１及び前記レジスト層９２ををマ
スクとして前記第２の薄膜をエッチング整形する。この
時、エッチングの深さは第２の薄膜の厚さと必ずしも一
致させる必要はなく、第２の薄膜の底層部が残っていて
もよいし、第１の薄膜の上層部にまで達してもよい。
のトラック幅規制部９１及び前記レジスト層９２ををマ
スクとして前記第２の薄膜をエッチング整形する。この
時、エッチングの深さは第２の薄膜の厚さと必ずしも一
致させる必要はなく、第２の薄膜の底層部が残っていて
もよいし、第１の薄膜の上層部にまで達してもよい。
【００１８】最後に、前記レジスト層を除去することに
より、図１に示すような複合型薄膜磁気ヘッドが得られ
る。
より、図１に示すような複合型薄膜磁気ヘッドが得られ
る。
【００１９】ここで、前記第１の薄膜７１と第２の薄膜
７２は、上記実施例のように異種の材料で構成されてい
てもよいし、同種の材料で構成されていてもよい。
７２は、上記実施例のように異種の材料で構成されてい
てもよいし、同種の材料で構成されていてもよい。
【００２０】また、前記第１の薄膜７１と第２の薄膜７
２の間の全面に非磁性薄膜を介在させてもよいし、図６
や図７に示すように、前記第１の薄膜７１と第２の薄膜
７２との間に局部的に非磁性薄膜７３を介在させてもよ
い。前記非磁性薄膜７３は前記第２の薄膜によって構成
される誘導型ヘッドの下部コア層７２と前記第１の薄膜
によって構成される磁気抵抗効果型ヘッドの上部シール
ド層７１との間の静磁的な結合状態を変化させて、前記
下部コア層７２内の磁区構造を制御するために設けられ
るものである。
２の間の全面に非磁性薄膜を介在させてもよいし、図６
や図７に示すように、前記第１の薄膜７１と第２の薄膜
７２との間に局部的に非磁性薄膜７３を介在させてもよ
い。前記非磁性薄膜７３は前記第２の薄膜によって構成
される誘導型ヘッドの下部コア層７２と前記第１の薄膜
によって構成される磁気抵抗効果型ヘッドの上部シール
ド層７１との間の静磁的な結合状態を変化させて、前記
下部コア層７２内の磁区構造を制御するために設けられ
るものである。
【００２１】
【発明の効果】本発明によって製造される複合型薄膜磁
気ヘッドを用いれば、実効的な記録トラック幅の拡がり
が抑制されるとともに記録効率も向上し、高トラック密
度の磁気記録システムを実現することが可能になる。
気ヘッドを用いれば、実効的な記録トラック幅の拡がり
が抑制されるとともに記録効率も向上し、高トラック密
度の磁気記録システムを実現することが可能になる。
【図１】本発明実施例による複合型薄膜磁気ヘッドの斜
視図である。
視図である。
【図２】本発明実施例による複合型薄膜磁気ヘッドの製
造工程を示す斜視図（その１）である。
造工程を示す斜視図（その１）である。
【図３】本発明実施例による複合型薄膜磁気ヘッドの製
造工程を示す斜視図である。
造工程を示す斜視図である。
【図４】本発明実施例による複合型薄膜磁気ヘッドの製
造工程を示す斜視図である。
造工程を示す斜視図である。
【図５】本発明実施例による複合型薄膜磁気ヘッドの製
造工程を示す斜視図である。
造工程を示す斜視図である。
【図６】本発明実施例による複合型薄膜磁気ヘッドの斜
視図である。
視図である。
【図７】本発明実施例による複合型薄膜磁気ヘッドの斜
視図である。
視図である。
【図８】従来例による複合型薄膜磁気ヘッドの斜視図で
ある。
ある。
１ 基板 ２ 下部シールド層 ３ 下部シールド層と磁気抵抗効果素子層との間のギ
ャップスペーサ層 ４ 磁気抵抗効果素子層 ５ 磁気抵抗効果素子層に通電するための導体層 ６ 磁気抵抗効果素子層と上部シールド層との間のギ
ャップスペーサ層 ７１ 上部シールド層（第１の薄膜） ７２ 下部コア層（第２の薄膜） ８ コイル層 ９ 上部コア層
ャップスペーサ層 ４ 磁気抵抗効果素子層 ５ 磁気抵抗効果素子層に通電するための導体層 ６ 磁気抵抗効果素子層と上部シールド層との間のギ
ャップスペーサ層 ７１ 上部シールド層（第１の薄膜） ７２ 下部コア層（第２の薄膜） ８ コイル層 ９ 上部コア層
Claims (3)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子層及びシールド層を備
える磁気抵抗効果型ヘッドと磁気コア層及びコイル層を
備える誘導型ヘッドとを基板上に積み重ねて形成した複
合型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、 磁気抵抗効果型ヘッドの上部シールド層となる第１の薄
膜を成膜した後、該第１の薄膜をエッチング整形する前
に誘導型ヘッドの下部コア層となる第２の薄膜を成膜す
る工程と、 前記第１及び第２の薄膜を前記上部シールド層としての
平面形状にエッチング整形する工程と、 前記第２の薄膜上の所定の部位に、所定の平面形状を有
する誘導型ヘッドの下部絶縁層、コイル層、上部絶縁
層、ギャップスペーサ層及び上部コア層を順次形成する
工程と、 前記上部コア層のトラック幅規制部上を除いて、該上部
コア層上及び前記上部絶縁層上にレジスト層を形成する
工程と、 前記上部コア層のトラック幅規制部及び前記レジスト層
ををマスクとして前記第２の薄膜をエッチング整形する
工程と、 前記レジスト層を除去する工程とを備えることを特徴と
する複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 前記第１の薄膜上に、中間層を介さずに
前記第２の薄膜を成膜する工程を備えることを特徴とす
る請求項１記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 前記第１の薄膜上の所定の部位に、所定
の平面形状を有する非磁性層を形成した後、前記第２の
薄膜を成膜する工程を備えることを特徴とする請求項１
記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26974594A JPH08129715A (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26974594A JPH08129715A (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08129715A true JPH08129715A (ja) | 1996-05-21 |
Family
ID=17476570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26974594A Pending JPH08129715A (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08129715A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6282776B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-09-04 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method of manufacturing the same |
| US6510024B2 (en) | 1998-06-30 | 2003-01-21 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method of manufacturing the same |
-
1994
- 1994-11-02 JP JP26974594A patent/JPH08129715A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6282776B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-09-04 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method of manufacturing the same |
| US6510024B2 (en) | 1998-06-30 | 2003-01-21 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method of manufacturing the same |
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