JPS60226007A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS60226007A JPS60226007A JP8114384A JP8114384A JPS60226007A JP S60226007 A JPS60226007 A JP S60226007A JP 8114384 A JP8114384 A JP 8114384A JP 8114384 A JP8114384 A JP 8114384A JP S60226007 A JPS60226007 A JP S60226007A
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- gap
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- magnetic
- film
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドに関する。
従来の薄膜ヘッドは、基板面上に２〜２０μｍ程形成し
、その上にギャップ材としての非磁性膜を介在させ、さ
らにその上に磁性膜をたい積してヘラＰの磁気ギャップ
を形成したものが殆んどであった。
、その上にギャップ材としての非磁性膜を介在させ、さ
らにその上に磁性膜をたい積してヘラＰの磁気ギャップ
を形成したものが殆んどであった。
ヘッドのトラック幅はエツチング又は機械加工等の手法
により磁性膜を寸断することで得るものである。この場
合ヘッドのギャップ近傍の磁気コアの形状はギャップに
平行してその左右にコアのエツジ部があるために、この
エツジ部分でもチー、ゾ上の信号を拾ういわゆるコンタ
効果が発生し、忠実な信号再生を行う場合支障となるも
のであった。本来コンタ効果は、磁気ヘッドのギャップ
以外のコアのエツジ部等と磁気記録媒体に記録された信
号とが磁気的にカップルしヘッド巻線を通過することに
よってギャップの読信号と時間的にずれた信号を読むも
ので、この場合もヘッドのいわゆるアジマスロスの効果
があることは良く知られている。との効果を利用しギャ
ップと平行でないコアエツジを形成せしめコアエツジ部
での信号読シ砿＋＜＋菫Ｉ／ＲＬ艙山１俵ν しネｔＪ
＾−φ１〔発明の目的〕 本発明は、コンタ効果の発生しない薄膜磁気ヘッドを提
供することを目的とする。
により磁性膜を寸断することで得るものである。この場
合ヘッドのギャップ近傍の磁気コアの形状はギャップに
平行してその左右にコアのエツジ部があるために、この
エツジ部分でもチー、ゾ上の信号を拾ういわゆるコンタ
効果が発生し、忠実な信号再生を行う場合支障となるも
のであった。本来コンタ効果は、磁気ヘッドのギャップ
以外のコアのエツジ部等と磁気記録媒体に記録された信
号とが磁気的にカップルしヘッド巻線を通過することに
よってギャップの読信号と時間的にずれた信号を読むも
ので、この場合もヘッドのいわゆるアジマスロスの効果
があることは良く知られている。との効果を利用しギャ
ップと平行でないコアエツジを形成せしめコアエツジ部
での信号読シ砿＋＜＋菫Ｉ／ＲＬ艙山１俵ν しネｔＪ
＾−φ１〔発明の目的〕 本発明は、コンタ効果の発生しない薄膜磁気ヘッドを提
供することを目的とする。
本発明は、非磁性基板上に形成された非磁性層表面に下
部磁性層を埋設し、該下部磁性層上に、絶縁層、コイル
導体層、上部磁性層を順次積層してなる薄膜磁気ヘッド
において、該下部磁性層又は上部磁性層のうちの少なく
とも一方の膜厚が、トラック幅方向に直線的に変化して
いることを特徴とする薄膜磁気ヘッドである。
部磁性層を埋設し、該下部磁性層上に、絶縁層、コイル
導体層、上部磁性層を順次積層してなる薄膜磁気ヘッド
において、該下部磁性層又は上部磁性層のうちの少なく
とも一方の膜厚が、トラック幅方向に直線的に変化して
いることを特徴とする薄膜磁気ヘッドである。
これによりコンタ効果を防止することができる。
以下に本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。本
例においては非磁性基板１上に形成された非磁性層２の
表面に下部磁性層３を埋設し、該下部磁性層３上に、絶
縁層４、コイル導体層８、上部磁性層５を順次積層して
なる薄膜磁気ヘッドにおいて、該下部磁性層３又は該上
部磁性層５のうちの少なくとも一方の膜厚が、トラック
幅方向に直線的に変化してｂる。
例においては非磁性基板１上に形成された非磁性層２の
表面に下部磁性層３を埋設し、該下部磁性層３上に、絶
縁層４、コイル導体層８、上部磁性層５を順次積層して
なる薄膜磁気ヘッドにおいて、該下部磁性層３又は該上
部磁性層５のうちの少なくとも一方の膜厚が、トラック
幅方向に直線的に変化してｂる。
これにより、コンタ効果を防止する。
以下、本発明の一実施例のより具体的内容を図面を用い
て説明する。
て説明する。
第１図は、薄膜磁気ヘッドのヘッド摺動面より見た図、
第２図は第１図の磁路長方向の断面図である。１は非磁
性基板、２は非磁性層、３は非磁性薄層２の穴に埋込ま
れた下部コアとなる下部磁性層、４はヘッドギャップを
規定する絶縁層、５は上部コアとなる上部磁性層、８は
１ターンの信号コイル導体層、９は信号コイルの絶縁と
段差を埋めるための絶縁層、６は接着層、７は接着層６
で接着された保護板である。
第２図は第１図の磁路長方向の断面図である。１は非磁
性基板、２は非磁性層、３は非磁性薄層２の穴に埋込ま
れた下部コアとなる下部磁性層、４はヘッドギャップを
規定する絶縁層、５は上部コアとなる上部磁性層、８は
１ターンの信号コイル導体層、９は信号コイルの絶縁と
段差を埋めるための絶縁層、６は接着層、７は接着層６
で接着された保護板である。
以下、具体的な製造方法を説明する。最初に第３図、第
４図により、ギャップ形成面と上下薄膜コアのエツジ部
をギャッゾ線に対して非平行ならしめる方法を説明する
。
４図により、ギャップ形成面と上下薄膜コアのエツジ部
をギャッゾ線に対して非平行ならしめる方法を説明する
。
第３図はその方法を説明するための斜視図、第４図線第
３図のｐ−ｐ’線断面を図面右方向から見た図である。
３図のｐ−ｐ’線断面を図面右方向から見た図である。
第３図において、基板１１上に２つ９薄膜層１２ 、１
３が、その境界面が基板表面に対してαなる角度で重な
るように形成しである。また２つの薄膜層１２ 、１３
の表面は基板表面と平行になっている。
３が、その境界面が基板表面に対してαなる角度で重な
るように形成しである。また２つの薄膜層１２ 、１３
の表面は基板表面と平行になっている。
このように形成した２つの薄膜層１２ 、１３をその重
なりあう部分において、薄膜層１２．１３の境界面が基
板表面と接してできる直線ＡＡ’と角度βをなす直線Ｐ
Ｐ′で切断すると、第４図のような断面が得られる。
なりあう部分において、薄膜層１２．１３の境界面が基
板表面と接してできる直線ＡＡ’と角度βをなす直線Ｐ
Ｐ′で切断すると、第４図のような断面が得られる。
第４図より明らかなように、上述の方法によれば薄膜層
１２ 、１３の境界面のエツジがつくる直線ＲＲ′は、
基板表面および薄膜層表面のエツジがつくる直線ＰＰ’
、ＱＱ’と非平行となる。
１２ 、１３の境界面のエツジがつくる直線ＲＲ′は、
基板表面および薄膜層表面のエツジがつくる直線ＰＰ’
、ＱＱ’と非平行となる。
この方法を使って、第１図、第２図に示した実施例の薄
膜ヘッドを作るわけである。すなわち、第３図における
ＰＰ’線での切断は、円筒研削面に相当し、薄膜層１２
、１３がそれぞれ第１図の非磁性層２、下部コア３に
相当し、薄膜層１２ 、１３の表面がギャップ形成面と
すれば、第４図の直線ＲＲ’はノー−ちリ −７１＋
湛ｔ ａＲズ Ｌ ヨヒ！；Ｑ ｌ；→−−星 −（４
−τ☆π −マ ｎ）イツジに当る。また、第３図、第
４図の薄膜層１２を上部コア５、基板表面をギャップ形
成面とすれば、第４図の直線ＲＲ’はギャップ形成面と
非平行ならしめた上部コアのエツジに当る（ただし、こ
の場合は薄膜層１３はないものと考える）。
膜ヘッドを作るわけである。すなわち、第３図における
ＰＰ’線での切断は、円筒研削面に相当し、薄膜層１２
、１３がそれぞれ第１図の非磁性層２、下部コア３に
相当し、薄膜層１２ 、１３の表面がギャップ形成面と
すれば、第４図の直線ＲＲ’はノー−ちリ −７１＋
湛ｔ ａＲズ Ｌ ヨヒ！；Ｑ ｌ；→−−星 −（４
−τ☆π −マ ｎ）イツジに当る。また、第３図、第
４図の薄膜層１２を上部コア５、基板表面をギャップ形
成面とすれば、第４図の直線ＲＲ’はギャップ形成面と
非平行ならしめた上部コアのエツジに当る（ただし、こ
の場合は薄膜層１３はないものと考える）。
次に、第５図、第６図により、より具体的な製造方法を
説明する。第５図は下部コアの形成方法を説明するため
の工程図、第６図はウェーハエ程終了後のヘッド素子の
正面図（ただし、上部コア５、絶縁層９は省略）および
断面図である。符号は第１図と第２図に同じである。以
下、工程に沿って説明する。
説明する。第５図は下部コアの形成方法を説明するため
の工程図、第６図はウェーハエ程終了後のヘッド素子の
正面図（ただし、上部コア５、絶縁層９は省略）および
断面図である。符号は第１図と第２図に同じである。以
下、工程に沿って説明する。
１）基板１上に非磁性層２としてＳｉＯ２やＡｔ、Ｏ。
などをス／ＩＰツタ、蒸着等で成膜し、第５図（ａ）に
示したようにチー／ＩＰ角αｌをつけて穴加工を施す。
示したようにチー／ＩＰ角αｌをつけて穴加工を施す。
加工法としては、チーツクをつけたマスク（例えば、ポ
ストベーク条件の選定によりレジスト・母ターンエツジ
に傾斜をつける方法、レジストをグラズマエッチングで
等方性エツチングを行って／ＪＰターンエツジに傾斜を
つける方法等がある）を使って、イオンエツチングでエ
ツチングする方法、あるいはイオンエツチングで基板を
傾けてエツチングする方法等がある。
ストベーク条件の選定によりレジスト・母ターンエツジ
に傾斜をつける方法、レジストをグラズマエッチングで
等方性エツチングを行って／ＪＰターンエツジに傾斜を
つける方法等がある）を使って、イオンエツチングでエ
ツチングする方法、あるいはイオンエツチングで基板を
傾けてエツチングする方法等がある。
また、非磁性層２をリフトオフ法で形成し、下部コア埋
込み穴を作ってもよい。チー／４’角としては２０’〜
６０°程度が好盈しい。
込み穴を作ってもよい。チー／４’角としては２０’〜
６０°程度が好盈しい。
なお、上述の下部コア埋込み用穴の形状は第３図、第４
図の説明で明らかであるが、第６図（ａ）に示したよう
に、フロントギャップ形成側の１辺は、円筒研削面ｃ−
ｃ’（コイルノリ−ン端と平行）と角度βをなすように
作る（バックギャップ側は平行でもよい）。
図の説明で明らかであるが、第６図（ａ）に示したよう
に、フロントギャップ形成側の１辺は、円筒研削面ｃ−
ｃ’（コイルノリ−ン端と平行）と角度βをなすように
作る（バックギャップ側は平行でもよい）。
２）次にＦｅ −Ａｔ−Ｓｔ、 Ｎｉ −Ｆｅ、アモル
ファス等の磁性材料をスフ４ツタで成膜し１、第５図（
ｂ）に示したように、ラップ加工で平坦にする。
ファス等の磁性材料をスフ４ツタで成膜し１、第５図（
ｂ）に示したように、ラップ加工で平坦にする。
３） ５ｔｏ２． ＡＬｚＯａなどを、ギャップを規定
する所定厚さにスパッタで形成する。
する所定厚さにスパッタで形成する。
４）Ａｔ、Ｃｕ などをスパッタ、蒸着等で成膜した後
に、第６図（ａ）に示したようにエツチングして、コイ
ル８を作る。
に、第６図（ａ）に示したようにエツチングして、コイ
ル８を作る。
５）この上に８１０ 、５ｉ０２ などをスフ４ツタ、
蒸着等で成膜し、フロントおよびバックギャップ部をエ
ツチングで除去し、絶縁層９を形成する。
蒸着等で成膜し、フロントおよびバックギャップ部をエ
ツチングで除去し、絶縁層９を形成する。
６）再びＦｅ −ＡＬ −Ｓｔ 、 Ｎｉ −ＦＬ 、
アモルファス等の磁性材料をス・母ツタで成膜し、１）
で述べたエツチング方法により、第６図（ｂ）に示した
ようにテーバ角α２ をっけてノやターニングする。こ
の形状も先に述べた下部コアと同様に、円筒研削面Ｃ−
Ｃ’とβの角度をなす形状に作る。
アモルファス等の磁性材料をス・母ツタで成膜し、１）
で述べたエツチング方法により、第６図（ｂ）に示した
ようにテーバ角α２ をっけてノやターニングする。こ
の形状も先に述べた下部コアと同様に、円筒研削面Ｃ−
Ｃ’とβの角度をなす形状に作る。
７）このようにしてウェーハエ程を終わったあと、第６
図に示したように、ｃ−ｃ’線まで円筒研削で削り落す
ことによって、第１図、第２図に示した薄膜ヘッドがで
きる。
図に示したように、ｃ−ｃ’線まで円筒研削で削り落す
ことによって、第１図、第２図に示した薄膜ヘッドがで
きる。
以上、本例によれば、上下コアのエツジをギャップ線と
非平行ならしむることかでき、コンタ効果を解決できる
。
非平行ならしむることかでき、コンタ効果を解決できる
。
また、本実施例では単層膜のコアについて述べたが、多
層構造のコアについても同様の手段により適用ができる
。特に、下部コアについては、基板１上にチー・２角（
＋；Ｘ）の絶縁層を７４ターニングした後、軟磁性コア
材と絶縁層を所定の膜厚だけ順次積層する。その後、ラ
ップ等の手法により平面化し、ギャップ面を形成する。
層構造のコアについても同様の手段により適用ができる
。特に、下部コアについては、基板１上にチー・２角（
＋；Ｘ）の絶縁層を７４ターニングした後、軟磁性コア
材と絶縁層を所定の膜厚だけ順次積層する。その後、ラ
ップ等の手法により平面化し、ギャップ面を形成する。
この構成により、擬似磁気ギャップとなる上記コア層間
面が真の磁気ギャップ面とアジマス角度をもつので、コ
ア層間面の原因によるコンタ−効果を低減することがで
きる。一方、上部コアについては、該基板上にギャップ
材４を形成した後、第１層目の上部コアを形成し、第６
図（ｂ）に示す様にテーノ４角度をα２として所定の形
状でパターニングする。次に、コア層間材と第２層目以
降の上部コアを順次積層し最終的に上部多層コアを一括
して・リーニングする。この手法により、第一層目の上
部コアのテーノ母角α２が第２層目以上の上部コアおよ
び眉間材に転写されることになるので、擬似磁気ギャッ
プとなる上記上部コア層間面が真の磁気ギャップ面に対
してアジマス角度を有することになるのでコンタ−効果
が低減できる。上記の多層構造コアの構成とすることに
より、単層構造コアに比較して渦電流損失が少なく（高
周波特性改善）、がっコンタ−効果を低減した薄膜磁気
ヘッドが実現できる。
面が真の磁気ギャップ面とアジマス角度をもつので、コ
ア層間面の原因によるコンタ−効果を低減することがで
きる。一方、上部コアについては、該基板上にギャップ
材４を形成した後、第１層目の上部コアを形成し、第６
図（ｂ）に示す様にテーノ４角度をα２として所定の形
状でパターニングする。次に、コア層間材と第２層目以
降の上部コアを順次積層し最終的に上部多層コアを一括
して・リーニングする。この手法により、第一層目の上
部コアのテーノ母角α２が第２層目以上の上部コアおよ
び眉間材に転写されることになるので、擬似磁気ギャッ
プとなる上記上部コア層間面が真の磁気ギャップ面に対
してアジマス角度を有することになるのでコンタ−効果
が低減できる。上記の多層構造コアの構成とすることに
より、単層構造コアに比較して渦電流損失が少なく（高
周波特性改善）、がっコンタ−効果を低減した薄膜磁気
ヘッドが実現できる。
以上、本発明によればコンタ−効果を解決でき。
高忠実度再生が可能な磁気ヘッドを作ることができるよ
うになった。
うになった。
第１図及び第２図は本発明の一実施例に係る薄膜磁気ヘ
ッドを示し、第１図は摺動面からの正面図であり、第２
図は断面図である。第３図は本発明の一実施例を説明す
るための要部斜視図、第４図は第３図のＰ−Ｐ’線断面
図、第５図は本発明の一実施例に係る薄膜磁気ヘッドの
下部コアの形成方法を説明するための工程図、第６図は
本発明の一実施例に係る薄膜磁気ヘッドのウェーハエ程
終了後の状態を示す図で、同図（ａ）はその正面図、同
図（ｂ）はその断面図である。 １．１１・・・基板、２・・・非磁性層、３・・・下部
磁性層（下部コア）、４・・・ギャップを規定する絶縁
層、５・・・上部磁性層（上部コア） 、 １２ 、１
３・・・薄膜層。 第１図 第２図 第３図 Ｖ＼ 第４図 第５図 第６図
ッドを示し、第１図は摺動面からの正面図であり、第２
図は断面図である。第３図は本発明の一実施例を説明す
るための要部斜視図、第４図は第３図のＰ−Ｐ’線断面
図、第５図は本発明の一実施例に係る薄膜磁気ヘッドの
下部コアの形成方法を説明するための工程図、第６図は
本発明の一実施例に係る薄膜磁気ヘッドのウェーハエ程
終了後の状態を示す図で、同図（ａ）はその正面図、同
図（ｂ）はその断面図である。 １．１１・・・基板、２・・・非磁性層、３・・・下部
磁性層（下部コア）、４・・・ギャップを規定する絶縁
層、５・・・上部磁性層（上部コア） 、 １２ 、１
３・・・薄膜層。 第１図 第２図 第３図 Ｖ＼ 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 非磁性基板上に形成された非磁性層表面に下部磁
性層を埋設し、該下部磁性層上に、絶縁層、コイル導体
層、上部磁性層を順次積層してなる薄膜磁気ヘッドにお
いて、該下部磁性層又は上部磁性層のうちの少なくとも
一方の膜厚が、トラック幅方向に直線的に変化している
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２、下部磁性層が、間に非磁性絶縁層を有する多層膜で
あり、該非磁性絶縁層はトラック幅方向の絶縁層に対し
、非平行となっている特許請求の範囲第１項記載の薄膜
磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8114384A JPS60226007A (ja) | 1984-04-24 | 1984-04-24 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8114384A JPS60226007A (ja) | 1984-04-24 | 1984-04-24 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60226007A true JPS60226007A (ja) | 1985-11-11 |
| JPH0524563B2 JPH0524563B2 (ja) | 1993-04-08 |
Family
ID=13738187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8114384A Granted JPS60226007A (ja) | 1984-04-24 | 1984-04-24 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60226007A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61237215A (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜ヘツド |
| JPH03263603A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-25 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5880119A (ja) * | 1981-11-04 | 1983-05-14 | Hitachi Ltd | 複合磁性体磁気ヘツド |
-
1984
- 1984-04-24 JP JP8114384A patent/JPS60226007A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5880119A (ja) * | 1981-11-04 | 1983-05-14 | Hitachi Ltd | 複合磁性体磁気ヘツド |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61237215A (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜ヘツド |
| JPH03263603A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-25 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0524563B2 (ja) | 1993-04-08 |
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