JPH08129950A - Chip fuse - Google Patents
Chip fuseInfo
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- JPH08129950A JPH08129950A JP26781594A JP26781594A JPH08129950A JP H08129950 A JPH08129950 A JP H08129950A JP 26781594 A JP26781594 A JP 26781594A JP 26781594 A JP26781594 A JP 26781594A JP H08129950 A JPH08129950 A JP H08129950A
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- fusing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 溶断後のアークが発生することがなく、高い
絶縁特性が得られるチップヒューズを提供する。
【構成】 セラミック基板1上に、ガラスグレーズ層
2、溶断極細部3aを有するヒューズ導体膜3、前記ヒ
ューズ導体膜3を被覆するガラス被覆層4を形成し、セ
ラミック基板1の対向する一対の端部に端子電極5a、
5bを形成して成るチップヒューズにおいて、前記ヒュ
ーズ導体膜3の溶断極細部3aは、その中央の幅が大き
く両端側が狭くなるように形成されている。
(57) [Abstract] [Purpose] To provide a chip fuse that does not generate an arc after fusing and has high insulation characteristics. A glass glaze layer 2, a fuse conductor film 3 having a blowout fine detail 3a, and a glass coating layer 4 covering the fuse conductor film 3 are formed on a ceramic substrate 1, and a pair of opposing ends of the ceramic substrate 1 are formed. Terminal electrode 5a,
In the chip fuse formed by forming 5b, the fusing electrode details 3a of the fuse conductor film 3 are formed such that the central width thereof is large and both ends thereof are narrow.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、表面実装に適したチッ
プヒューズに関するものであり、特に、ヒューズ導体膜
が溶断した後の絶縁特性に優れたチップヒューズに関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip fuse suitable for surface mounting, and more particularly to a chip fuse having excellent insulation characteristics after the fuse conductor film is blown.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、電子機器、通信機などに使用
されるヒューズ素子として、表面実装に適した構造のチ
ップヒューズが提案されている。2. Description of the Related Art Conventionally, a chip fuse having a structure suitable for surface mounting has been proposed as a fuse element used in electronic devices, communication devices and the like.
【0003】例えば、特開平4−65046号公報に示
されているチップヒューズは、セラミック基板上と、ヒ
ューズ導体膜と、該ヒューズ導体膜の上下に形成される
二層の厚膜ガラスとから構成されている。上述のチップ
ヒューズでは、厚膜ガラス層で熱の放散を妨げ、蓄熱効
果を向上して、ヒューズ導体膜が高速で溶断される構造
となっている。For example, the chip fuse disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-65046 is composed of a ceramic substrate, a fuse conductor film, and two layers of thick film glass formed above and below the fuse conductor film. Has been done. In the above-mentioned chip fuse, the thick glass layer prevents heat from being dissipated, improves the heat storage effect, and has a structure in which the fuse conductor film is blown at a high speed.
【0004】また、平面的な構造として、図3に示すよ
うに、ガラスグレーズ層2が形成されたセラミック基板
1の両端に端子電極5a、5bを形成し、この端子電極
5a、5bと接続するように、溶断極細部30aを有す
るヒューズ導体膜30を形成し、さらに、ヒューズ導体
膜30をガラス被覆層4で覆っていた。ここでヒューズ
導体膜30は、過電流による発熱により溶断される一様
な幅の溶断極細部30aが形成されている。Further, as a planar structure, as shown in FIG. 3, terminal electrodes 5a and 5b are formed on both ends of the ceramic substrate 1 on which the glass glaze layer 2 is formed and connected to the terminal electrodes 5a and 5b. As described above, the fuse conductor film 30 having the blowout electrode details 30a was formed, and the fuse conductor film 30 was covered with the glass coating layer 4. Here, the fuse conductor film 30 is formed with a fusing electrode detail 30a having a uniform width that is fused by heat generated by an overcurrent.
【0005】この種のチップヒューズについての重要な
ことは、ヒューズ導体膜が高速に溶断されることは当然
のことであり、さらに、溶断された後に完全な絶縁特性
が維持できることである。What is important about this type of chip fuse is that the fuse conductor film is naturally blown at a high speed, and further, complete insulation characteristics can be maintained after the fuse is blown.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、ヒューズ導体
膜30が過電流に伴う発熱によって、溶断極細部30a
の一部が溶断する際に、ヒューズ導体膜30の金属成分
がガス化、または溶け出して、周囲のガラス2、4など
の反応したり、残留したりして、溶断した後であって
も、わずかな電圧でアークを発生してしまうことがあ
る。However, due to the heat generated by the fuse conductor film 30 due to the overcurrent, the fusing electrode details 30a are formed.
Even if the metal component of the fuse conductor film 30 is gasified or melted out when a part of the fuse is melted, and the surrounding glass 2, 4 or the like reacts or remains, and even after melting. , A slight voltage may cause an arc.
【0007】一様な幅の溶断極細部30aでの過電流に
よる発熱の分布を調べると、ヒューズ導体膜30の溶断
極細部30aの中央に熱が集中し、この中心部分から波
紋のように離れるに従って同心円上に徐々に低下してい
く分布となっている。また、過電流の発熱によって溶断
される溶断極細部30aの幅が一様であるため、溶断部
分は、発熱が集中する溶断極細部30aの中央部付近に
発生し、しかも発熱が集中するため、溶断溝幅は約5μ
mと極めて狭い幅となってしまう。When the distribution of heat generated by the overcurrent in the fusing electrode details 30a having a uniform width is examined, the heat is concentrated in the center of the fusing electrode details 30a of the fuse conductor film 30 and is separated from this central part like ripples. The distribution gradually decreases on concentric circles. Further, since the width of the fusing electrode details 30a that is blown by the heat generation of the overcurrent is uniform, the fusing portion occurs near the central portion of the fusing electrode details 30a where the heat is concentrated, and the heat is concentrated. Fusing groove width is about 5μ
The width becomes extremely narrow as m.
【0008】従って、溶断溝幅が狭いことなどにも起因
して、溶け出したヒューズ導体膜30の金属成分が影響
して、完全にアークを防止することができなかった。Therefore, due to the fact that the width of the fusing groove is narrow and the like, the metal component of the melted fuse conductor film 30 has an effect, and the arc cannot be completely prevented.
【0009】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、溶断極細部で溶断される溶断
溝の幅が充分に広くなり、その溶断部分に充分にガラス
を充填させることができ、安定した絶縁特性が得られる
チップヒューズを提供するものである。The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems, and an object thereof is to sufficiently widen the width of the fusing groove to be fused at the fusing electrode details and to sufficiently fill the fusing portion with glass. The present invention provides a chip fuse that can be filled and that has stable insulation characteristics.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明のチップヒューズ
は、セラミック基板上に、ガラスグレーズ層、溶断極細
部を有するヒューズ導体膜、前記ヒューズ導体膜を被覆
するガラス被覆層を形成するとともに、セラミック基板
の対向する一対の端部に前記ヒューズ導体膜が電気的に
接続される端子電極を形成して成るチップヒューズにお
いて、前記ヒューズ導体膜の溶断極細部は、その中央の
幅が広く、両端側が狭くなるように形成されているチッ
プヒューズである。In the chip fuse of the present invention, a glass glaze layer, a fuse conductor film having blown electrode details, and a glass coating layer for covering the fuse conductor film are formed on a ceramic substrate, and at the same time, a ceramic is formed. In a chip fuse formed by forming a terminal electrode to which the fuse conductor film is electrically connected at a pair of opposing end portions of a substrate, the fusing conductor film of the fuse conductor film has a wide central portion and wide ends. The chip fuse is formed so as to be narrow.
【0011】[0011]
【作用】以上のように本発明では、ヒューズ導体膜の溶
断極細部は、その中央の幅が広く、両端側が狭くなるよ
うな形状となっている。As described above, in the present invention, the details of the fusing conductor film of the fusing conductor film have such a shape that the central width is wide and both end sides are narrow.
【0012】即ち、溶断極細部の形状が、溶断極細部に
発生する発熱分布の形状に近似している。That is, the shape of the fusing electrode details is similar to the shape of the heat generation distribution generated in the fusing electrode details.
【0013】従って、溶断極細部が溶断され際には、溶
断極細部の中央のみならず、溶断極細部の発熱量が全体
的に均一化して、溶断する部分及びその周囲でも均一に
高い発熱量が発生することになり、溶断された溶断溝の
幅が広くなる。Therefore, when the fusing electrode details are blown, not only the center of the fusing electrode details but also the heat generation amount of the fusing electrode details is made uniform, and the heat generation amount is uniformly high in the fusing part and its surroundings. Occurs, and the width of the melted fusing groove becomes wider.
【0014】これにより、溶断溝には充分な量のガラス
成分が充填されることになり、高い絶縁特性を得ること
ができ、アークなどの発生を有効に抑えることができ
る。As a result, the fusing groove is filled with a sufficient amount of the glass component, high insulation characteristics can be obtained, and the occurrence of arc or the like can be effectively suppressed.
【0015】[0015]
【実施例】以下、本発明のチップヒューズを図面に基づ
いて詳説する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The chip fuse of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
【0016】図1は、本発明のチップヒューズの平面図
であり、図2は図1中のA−A線断面を示す図である。FIG. 1 is a plan view of a chip fuse of the present invention, and FIG. 2 is a view showing a cross section taken along the line AA in FIG.
【0017】本発明のチップヒューズ10は、セラミッ
ク基板1、ガラスグレーズ層2、ヒューズ導体膜3、ガ
ラス被覆層4、端子電極5a、5bとから構成されてい
る。The chip fuse 10 of the present invention comprises a ceramic substrate 1, a glass glaze layer 2, a fuse conductor film 3, a glass coating layer 4, and terminal electrodes 5a and 5b.
【0018】セラミック基板1は、基板厚み0.4mm
のアルミナなどのセラミックからなる。The ceramic substrate 1 has a substrate thickness of 0.4 mm.
Made of ceramics such as alumina.
【0019】ガラスグレーズ層2は、PbO・ZnO・
B2 O3 ・SiO2 を含むホウ珪酸鉛系などのガラスが
例示でき、セラミック基板1の表面に、20〜50μm
の厚みで形成されている。尚、ガラスグレーズ層2のの
熱伝導率は、セラミック基板1の熱伝導率に比較して小
さいものが必要である。The glass glaze layer 2 is made of PbO.ZnO.
Glass such as lead borosilicate containing B 2 O 3 · SiO 2 can be exemplified, and the surface of the ceramic substrate 1 is 20 to 50 μm.
Is formed with a thickness of. The thermal conductivity of the glass glaze layer 2 is required to be smaller than that of the ceramic substrate 1.
【0020】具体的には、上述のガラスペーストを厚膜
技法を用いて、印刷・乾燥後、約1200℃で焼きつけ
処理される。Specifically, the above glass paste is printed and dried using a thick film technique, and then baked at about 1200.degree.
【0021】ヒューズ導体膜3は、例えば、金、銀など
の導体材料からなり、このような導体材料を含むメタロ
オーガニックペースト(例えば、エヌ・イー ケムキャ
ット社製E−3610)を印刷・乾燥後、例えば約80
0℃、1時間前後で焼成処理して導体膜を形成した後、
さらに耐エッチングレジスト膜をスピンコート法などで
塗布した後、マスクを当てて露光処理した後、不要パタ
ーン部分を除去したのち、エッチング処理を行うことに
より、所定形状に形成される。The fuse conductor film 3 is made of, for example, a conductor material such as gold or silver. After printing and drying a metalloorganic paste containing such conductor material (for example, E-3610 manufactured by NE Chemcat), For example, about 80
After forming a conductor film by baking at 0 ° C. for about 1 hour,
Further, after applying an anti-etching resist film by a spin coating method or the like, an exposure process is performed by applying a mask, an unnecessary pattern portion is removed, and then an etching process is performed to form a predetermined shape.
【0022】ヒューズ導体膜3は、膜厚が0.5〜2μ
m程度であり、その形状は、セラミック基板1の長手方
向の両端に形成された端子電極5a、5bと接続するよ
うに、基板1の長手方向に延びるように形成されるとと
もに、その中央部分は、幅が一様でない溶断極細部3a
が形成されている。具体的には、溶断極細部3aの中央
部分の幅が広く、両端に向かう程その幅が狭くなってい
る。例えば、溶断極細部3aの中央部分の幅は0.1〜
0.2mmであり、両端側の最も狭くなっている部位の
幅は、0.1mm以下であり、一辺側は外側に拡がる円
弧状となって、全体として概略楕円形状となっている。The fuse conductor film 3 has a film thickness of 0.5 to 2 μm.
The length is about m, and the shape is formed so as to extend in the longitudinal direction of the substrate 1 so as to be connected to the terminal electrodes 5a and 5b formed at both ends in the longitudinal direction of the ceramic substrate 1, and the central portion thereof is , Fusing electrode details 3a with uneven width
Are formed. Specifically, the width of the central portion of the fusing electrode details 3a is wide, and the width becomes narrower toward both ends. For example, the width of the central portion of the fusing electrode details 3a is 0.1 to
The width is 0.2 mm, the width of the narrowest portion on both end sides is 0.1 mm or less, and the one side has an arc shape expanding to the outside, and has a substantially elliptical shape as a whole.
【0023】ガラス被覆層4は、ヒューズ導体膜3の少
なくとも溶断極細部分3aを完全に被覆するものであ
り、PbO・ZnO・B2 O3 ・SiO2 を含むホウ珪
酸鉛系などの低融点ガラスが例示できる。具体的には、
上述のガラスペーストを厚膜技法を用いて、印刷・乾燥
後、約600℃で焼きつけ処理される。その膜厚は、3
0μm程度である。The glass coating layer 4 completely covers at least the fused ultrafine portion 3a of the fuse conductor film 3, and is a low melting point glass such as lead borosilicate containing PbO.ZnO.B 2 O 3 .SiO 2. Can be illustrated. In particular,
The above glass paste is printed and dried using a thick film technique, and then baked at about 600 ° C. The film thickness is 3
It is about 0 μm.
【0024】また、ガラス被覆層4の表面に、耐メッキ
被覆層を形成しても構わない。この耐メッキ被覆層は、
後述の端子電極5a、5bの表面の半田食われなどを抑
え、さらに半田の濡れ性を向上させるために、メッキ被
膜を形成する場合、メッキ液によって、ヒューズ導体膜
3、ガラス被覆膜4が変質しないようにするためであ
り、例えば樹脂やシリカを主成分となるオーバガラスが
例示できる。A plating resistant coating layer may be formed on the surface of the glass coating layer 4. This anti-plating coating layer is
When a plating film is formed in order to suppress solder erosion on the surface of terminal electrodes 5a and 5b, which will be described later, and to improve solder wettability, the fuse conductor film 3 and the glass coating film 4 are formed by a plating solution. This is to prevent deterioration, and for example, overglass mainly containing resin or silica can be exemplified.
【0025】端子電極5a、5bは、Ag、Ag−Pd
などのAg系導体からなり、セラミック基板1の長手方
向の両端部の表面、端面、裏面の3面に渡り形成されて
いる。さらに、必要に応じて、端子電極5a、5bの表
面に半田接合の信頼性(半田食われの防止、半田の濡れ
性の向上)のために、Niメッキ層、半田メッキ層など
が形成される。The terminal electrodes 5a and 5b are made of Ag or Ag-Pd.
Etc., and is formed over the three surfaces of the ceramic substrate 1 at both ends in the longitudinal direction of the front surface, the end surface, and the back surface. Further, if necessary, a Ni plating layer, a solder plating layer, or the like is formed on the surfaces of the terminal electrodes 5a, 5b for reliability of solder joint (prevention of solder erosion, improvement of solder wettability). .
【0026】尚、端子電極5a、5bの表面側の導体膜
はヒューズ導体膜3と接続する。この表面側の導体膜と
接続するヒューズ導体膜3は、非常に薄いため、例えば
ヒューズ導体膜3を形成した後に、ヒューズ導体膜3に
重畳するように形成される。The conductor films on the surface side of the terminal electrodes 5a and 5b are connected to the fuse conductor film 3. Since the fuse conductor film 3 connected to the conductor film on the front surface side is very thin, it is formed so as to overlap the fuse conductor film 3 after the fuse conductor film 3 is formed, for example.
【0027】また、裏面側の導体膜は、表面側の導体膜
を形成する際に同時に形成、即ち、ヒューズ導体膜を形
成した後に形成して、表面側の導体膜と同時に焼きつけ
処理してもよいし、ヒューズ導体膜3の形成前に、裏面
側の導体膜を単独に形成しても構わない。The back-side conductor film may be formed at the same time when the front-side conductor film is formed, that is, after the fuse conductor film is formed, and may be baked at the same time as the front-side conductor film. Alternatively, before forming the fuse conductor film 3, the conductor film on the back surface side may be formed independently.
【0028】また、端面側の導体膜は、例えばセラミッ
ク基板1を大型基板から分割して抽出する場合、例えば
短冊状に分割処理した後に、導電性ペーストの端面印刷
・焼きつけ処理によって形成される。When the ceramic substrate 1 is divided and extracted from a large-sized substrate, for example, the conductor film on the end face side is formed by, for example, dividing into strips and then printing and baking the end faces of the conductive paste.
【0029】上述の構成の本発明のチップヒューズにお
いて、ヒューズ導体膜3に過電流が流れることにより、
ヒューズ導体膜3にジュール熱の発熱作用が発生し、ヒ
ューズ導体膜3の融点温度を越えることにより、ヒュー
ズ導体膜3が溶断することになるが、ヒューズ導体膜3
の溶断極細部3aの形状が、発熱の発生分布に近似する
ような形状、即ち中央部分の幅が広く、両端側が狭くな
っている。このため、溶断極細部3aの中央部分で集中
するものの、この中央から離れた部分であっても、従来
に比較して充分な発熱作用が発生することになり、溶断
された溶断溝の幅が充分に広くすることができる。In the chip fuse of the present invention having the above-mentioned structure, when an overcurrent flows in the fuse conductor film 3,
When the fuse conductor film 3 is heated by Joule heat and exceeds the melting point temperature of the fuse conductor film 3, the fuse conductor film 3 is melted and cut.
The shape of the fusing electrode details 3a is similar to the distribution of heat generation, that is, the width of the central portion is wide and both ends are narrow. For this reason, although the heat is concentrated in the central portion of the fusing electrode details 3a, a sufficient heat generating action is generated even in a portion away from the central portion, and the width of the fusing groove is blown. It can be wide enough.
【0030】本発明者が種々の条件、即ち、基板の熱伝
導率、ガラスグレーズ層の熱伝導率、ガラスグレーズ層
2、ガラス被覆層4の軟化点などを種々組み合わせて実
験を行った結果、従来のように溶断極細部3aの幅を一
様にした場合では、最大で5μmの溶断幅であったの
が、本発明のように溶断極細部3aの形状を上述のよう
にした場合では、10μm以上の溶断溝の幅が確保でき
ることを確認した。The inventor conducted various experiments under various conditions, that is, various combinations of the thermal conductivity of the substrate, the thermal conductivity of the glass glaze layer, the softening points of the glass glaze layer 2 and the glass coating layer 4, and the like. When the width of the fusing electrode details 3a was made uniform as in the conventional case, the fusing width was 5 μm at the maximum, but in the case where the shape of the fusing electrode details 3a was as described above as in the present invention, It was confirmed that the width of the fusing groove of 10 μm or more could be secured.
【0031】従って、この10μm以上の溶断溝には、
ガラス被覆層4を構成するガラス成分が充分に軟化流入
し、高い絶縁性、例えば1014Ω以上を確保でき、溶断
後、例えば500Vなどの高い電圧が印加しても、アー
クの発生が一切起こらないチップヒューズが得られる。Therefore, in the fusing groove of 10 μm or more,
The glass component constituting the glass coating layer 4 is sufficiently softened and flows in, a high insulating property, for example, 10 14 Ω or more can be secured, and even if a high voltage such as 500 V is applied after melting, no arc is generated. No chip fuse is obtained.
【0032】尚、ガラスグレーズ層2上のヒューズ導体
膜3を作成するにあたり、例えば、金、銀などの導体材
料から成り、このような導体材料を含むメタルオーガニ
ックペーストにより導体膜を略全面形成した後、エッチ
ング処理しているが、これはメタルオーガニックペース
トで所定形状となるように印刷形成すると、印刷塗布膜
のエッヂ部分の膜厚が急峻的に減少してしまうことを防
止するものであり、所定形状を含む略全面に印刷塗布膜
を形成して膜厚を安定化させて、さらに、エッチング処
理によって、形状の精度を高くしているものである。In forming the fuse conductor film 3 on the glass glaze layer 2, for example, a conductor material made of a conductor material such as gold or silver is used, and the conductor film is formed almost entirely on a metal organic paste containing such conductor material. After that, it is subjected to etching treatment, but this is to prevent the film thickness of the edge portion of the print coating film from being sharply reduced when printed and formed to a predetermined shape with a metal organic paste, A print coating film is formed on almost the entire surface including a predetermined shape to stabilize the film thickness, and the shape accuracy is increased by an etching process.
【0033】従って、メタルオーガニックペーストの印
刷のみで、膜厚が均一化し、印刷形状が高精度とするこ
とができれば、エッチング処理を省略することができ
る。Therefore, if the film thickness can be made uniform and the printing shape can be made highly accurate only by printing the metal organic paste, the etching process can be omitted.
【0034】[0034]
【発明の効果】以上のように、本発明のチップヒューズ
によれば、ヒューズ導体膜の溶断極細部の形状が、中央
部分の幅が広く、両端側の幅が狭くなるように形成され
ているだ、過電流が流れて熱が発生したとしても、例え
ば、溶断極細部の両端部分でも充分な発熱量が得られる
ことになり、溶断される部分及びその周囲においても充
分な発熱量が発生していることになり、溶断された溶断
溝の幅を充分に広くすることができる。As described above, according to the chip fuse of the present invention, the shape of the blowout electrode details of the fuse conductor film is formed such that the width of the central portion is wide and the widths of both end sides are narrow. However, even if an overcurrent flows and heat is generated, for example, a sufficient amount of heat generation is obtained at both ends of the fusing electrode, and a sufficient amount of heat generation is also generated in the fusing part and its surroundings. Therefore, the width of the blown fusing groove can be sufficiently widened.
【0035】このため、その溶断溝内にガラス成分など
も充分に入り込み、高い絶縁特性が維持でき、アークな
どが発生することのないチップヒューズとなる。For this reason, a glass component and the like can sufficiently enter into the fusing groove, and high insulation characteristics can be maintained, so that the chip fuse does not generate an arc or the like.
【図1】本発明のチップヒューズの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a chip fuse of the present invention.
【図2】図1中A−A線断面を示す図である。FIG. 2 is a view showing a cross section taken along the line AA in FIG.
【図3】従来のチップヒューズの平面図である。FIG. 3 is a plan view of a conventional chip fuse.
10・・チップヒューズ 1・・・セラミック基板 2・・・ガラスグレーズ層 3・・・ヒューズ導体膜 3a・・・溶断極細部 4・・・ガラス被覆層 5a、5b・・・・端子電極 10 ... Chip fuse 1 ... Ceramic substrate 2 ... Glass glaze layer 3 ... Fuse conductor film 3a ... Fusing details 4 ... Glass coating layer 5a, 5b ...
Claims (1)
層、溶断極細部を有するヒューズ導体膜、前記ヒューズ
導体膜を被覆するガラス被覆層を順次形成するととも
に、前記セラミック基板の対向する一対の端部に前記ヒ
ューズ導体膜が電気的に接続される端子電極を形成して
成るチップヒューズにおいて、 前記ヒューズ導体膜の溶断極細部は、その中央の幅が両
端の幅に比較して広く形成されていることを特徴とする
チップヒューズ。1. A glass glaze layer, a fuse conductor film having fusing details, and a glass coating layer for covering the fuse conductor film are sequentially formed on a ceramic substrate, and a pair of opposing end portions of the ceramic substrate are formed. In a chip fuse formed by forming a terminal electrode to which the fuse conductor film is electrically connected, the blowout electrode details of the fuse conductor film are formed such that the width at the center thereof is wider than the width at both ends. Chip fuse characterized by.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26781594A JPH08129950A (en) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | Chip fuse |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26781594A JPH08129950A (en) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | Chip fuse |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08129950A true JPH08129950A (en) | 1996-05-21 |
Family
ID=17449999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26781594A Pending JPH08129950A (en) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | Chip fuse |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08129950A (en) |
-
1994
- 1994-10-31 JP JP26781594A patent/JPH08129950A/en active Pending
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