JPH08129951A - 電子放出素子 - Google Patents
電子放出素子Info
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- JPH08129951A JPH08129951A JP26504494A JP26504494A JPH08129951A JP H08129951 A JPH08129951 A JP H08129951A JP 26504494 A JP26504494 A JP 26504494A JP 26504494 A JP26504494 A JP 26504494A JP H08129951 A JPH08129951 A JP H08129951A
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- electron
- cathode
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/02—Electron guns
- H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
- H01J3/022—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source with microengineered cathode, e.g. Spindt-type
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数のカソードから放出される電子ビームを
電子放出素子と一体的に設けた収束電極により効率よく
収束して、大電流でしかも尖鋭で解像度の高い電子ビー
ムを得ることのできる電子放出素子を提供する。 【構成】 基板１上に形成した複数の円錐状のカソード
４と、それぞれの前記カソード４を包囲するようにキャ
ビティ５を形成する絶縁層６及びゲート電極７と、この
ゲート電極７上に形成した第二の絶縁層９上にあって前
記カソード４から引き出された電子を収束する収束電極
１０とを積層形成した電子放出素子において、前記収束
電極１０の少なくとも一部を前記カソード４に対し偏心
させて配置する。
電子放出素子と一体的に設けた収束電極により効率よく
収束して、大電流でしかも尖鋭で解像度の高い電子ビー
ムを得ることのできる電子放出素子を提供する。 【構成】 基板１上に形成した複数の円錐状のカソード
４と、それぞれの前記カソード４を包囲するようにキャ
ビティ５を形成する絶縁層６及びゲート電極７と、この
ゲート電極７上に形成した第二の絶縁層９上にあって前
記カソード４から引き出された電子を収束する収束電極
１０とを積層形成した電子放出素子において、前記収束
電極１０の少なくとも一部を前記カソード４に対し偏心
させて配置する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電界放出型の電子放出素
子に関し、特に平面型ディスプレイの電子銃として用い
られる微小サイズの電界放出型陰極線管用電子放出素子
に関する。
子に関し、特に平面型ディスプレイの電子銃として用い
られる微小サイズの電界放出型陰極線管用電子放出素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】平面型陰極線管の電子銃として、特開平
４−２９２８３１号公報に開示されているように、最
近、微小サイズの多数のカソードを平面的に配置した電
界放出型の電子放出素子が使用されている。この電子放
出素子は、図４に示すように、ガラス等の絶縁基板１上
にアルミニウム等から成り、例えば直径φが略１０μｍ
の円形の開口２ａを有する第一の電極２が被着形成さ
れ、この第一の電極２上に例えば厚さが略０．５μｍ
で、抵抗値が３０００Ω・ｃｍのシリコン薄膜等より成
る抵抗層３が全面的に被着形成されている。そして、こ
の第一の電極２の開口２ａ上の中心部および直径６μｍ
の同心円周上に、抵抗層３を介して、タングステン、モ
リブデン等の高融点かつ低仕事関数の金属からなり、尖
鋭な先端形状を有する円錐状のカソード４が９個形成さ
れている。そして、このカソード４の周囲に直径１μｍ
〜１．５μｍの開口幅ｗをもったキャビティ５を有する
酸化珪素等よりなる絶縁層６が形成され、この絶縁層６
の上に、モリブデン、タングステン、ニオブ等の高融点
金属からなる第二の電極７すなわちゲート電極７がカソ
ード４に対する対向電極として配置された構造となって
いる。
４−２９２８３１号公報に開示されているように、最
近、微小サイズの多数のカソードを平面的に配置した電
界放出型の電子放出素子が使用されている。この電子放
出素子は、図４に示すように、ガラス等の絶縁基板１上
にアルミニウム等から成り、例えば直径φが略１０μｍ
の円形の開口２ａを有する第一の電極２が被着形成さ
れ、この第一の電極２上に例えば厚さが略０．５μｍ
で、抵抗値が３０００Ω・ｃｍのシリコン薄膜等より成
る抵抗層３が全面的に被着形成されている。そして、こ
の第一の電極２の開口２ａ上の中心部および直径６μｍ
の同心円周上に、抵抗層３を介して、タングステン、モ
リブデン等の高融点かつ低仕事関数の金属からなり、尖
鋭な先端形状を有する円錐状のカソード４が９個形成さ
れている。そして、このカソード４の周囲に直径１μｍ
〜１．５μｍの開口幅ｗをもったキャビティ５を有する
酸化珪素等よりなる絶縁層６が形成され、この絶縁層６
の上に、モリブデン、タングステン、ニオブ等の高融点
金属からなる第二の電極７すなわちゲート電極７がカソ
ード４に対する対向電極として配置された構造となって
いる。
【０００３】このような電子放出素子は、第二の電極７
すなわちゲート電極７とカソード４との間に、約１０７
ｖ／ｃｍ以上の電界強度を付与する電圧（上記素子の場
合、数Ｖ）を印加することによりカソード４を熱するこ
となく電子を放出させることができる。ところが、上述
した構造の電子放出素子では、カソードから放出される
電子は発散角を有するため、電子ビームは外方に発散し
て電子ビームが太くなるとともに、拡散して電子ビーム
の質が低下するという問題があった。そこで、図５に示
すように、ゲート電極７に対して電子引き出し方向の前
方側に位置し、カソード４から放出された電子を収束す
る収束電極８を一体的に形成し、この収束電極８で形成
される電界により放出された電子を中心方向に向けて集
め電子ビームを収束する技術が特開平６−１２９７４号
公報に開示されている。
すなわちゲート電極７とカソード４との間に、約１０７
ｖ／ｃｍ以上の電界強度を付与する電圧（上記素子の場
合、数Ｖ）を印加することによりカソード４を熱するこ
となく電子を放出させることができる。ところが、上述
した構造の電子放出素子では、カソードから放出される
電子は発散角を有するため、電子ビームは外方に発散し
て電子ビームが太くなるとともに、拡散して電子ビーム
の質が低下するという問題があった。そこで、図５に示
すように、ゲート電極７に対して電子引き出し方向の前
方側に位置し、カソード４から放出された電子を収束す
る収束電極８を一体的に形成し、この収束電極８で形成
される電界により放出された電子を中心方向に向けて集
め電子ビームを収束する技術が特開平６−１２９７４号
公報に開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した電
子放出素子を陰極線管の電子銃に使用する場合、１つの
カソード４から放出される電子の量は非常に微量である
ため、収束電極８で電子の発散を防止して良質の電子ビ
ームを得られても不十分で、通常、多数のカソード４か
ら放出される多数の電子ビームを、例えば、別に設けた
電子レンズで収束して利用することが行なわれている。
しかし、このように別に電子レンズを設けて多数のカソ
ード４からの電子ビームを有効に収束することは、電子
ビームの放出方向が制御されていないため、電子放出素
子と電子レンズとの位置合わせ等が困難で、解像度を低
下させたり、位置合わせ工数が増加したりするという問
題があった。本発明の目的は、上記の問題点を解決する
ために、複数のカソードから放出される電子ビームを電
子放出素子と一体的に設けた収束電極により効率よく収
束して、大電流でしかも尖鋭で解像度の高い電子ビーム
を得ることのできる電子放出素子を提供することにあ
る。
子放出素子を陰極線管の電子銃に使用する場合、１つの
カソード４から放出される電子の量は非常に微量である
ため、収束電極８で電子の発散を防止して良質の電子ビ
ームを得られても不十分で、通常、多数のカソード４か
ら放出される多数の電子ビームを、例えば、別に設けた
電子レンズで収束して利用することが行なわれている。
しかし、このように別に電子レンズを設けて多数のカソ
ード４からの電子ビームを有効に収束することは、電子
ビームの放出方向が制御されていないため、電子放出素
子と電子レンズとの位置合わせ等が困難で、解像度を低
下させたり、位置合わせ工数が増加したりするという問
題があった。本発明の目的は、上記の問題点を解決する
ために、複数のカソードから放出される電子ビームを電
子放出素子と一体的に設けた収束電極により効率よく収
束して、大電流でしかも尖鋭で解像度の高い電子ビーム
を得ることのできる電子放出素子を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成
した複数の円錐状のカソードと、それぞれの前記カソー
ドを包囲するようにキャビティを形成する絶縁層及びゲ
ート電極と、このゲート電極上に形成した第二の絶縁層
上ににあって前記カソードから引き出された電子を収束
する収束電極とを積層形成した電子放出素子において、
前記収束電極の少なくとも一部を前記キャビティに対し
て偏心させて配置したことを特徴とする電子放出素子を
提供する。
した複数の円錐状のカソードと、それぞれの前記カソー
ドを包囲するようにキャビティを形成する絶縁層及びゲ
ート電極と、このゲート電極上に形成した第二の絶縁層
上ににあって前記カソードから引き出された電子を収束
する収束電極とを積層形成した電子放出素子において、
前記収束電極の少なくとも一部を前記キャビティに対し
て偏心させて配置したことを特徴とする電子放出素子を
提供する。
【０００６】また、前記カソードを例えば、基板の中心
部位置とその同心円周状位置に配し、それぞれのカソー
ドに対応する前記収束電極を中心部位置のカソードに対
しては同心状位置に、同心円周状位置のカソードに対し
ては放射方向の内側または外側に所定量偏心させて配置
したり、前記カソードを田とて場、基板の中心部位置と
その多重同心円周状位置に配し、それぞれのカソードに
対応する前記収束電極が中心部位置のカソードに対して
は同心状位置に、同心円周状位置のカソードに対しては
放射方向の内側または外側に、かつ内円周状位置のカソ
ードから外円周状位置のカソードにゆくにしたがつて偏
心量を所定量変化させて配置するのが望ましい。
部位置とその同心円周状位置に配し、それぞれのカソー
ドに対応する前記収束電極を中心部位置のカソードに対
しては同心状位置に、同心円周状位置のカソードに対し
ては放射方向の内側または外側に所定量偏心させて配置
したり、前記カソードを田とて場、基板の中心部位置と
その多重同心円周状位置に配し、それぞれのカソードに
対応する前記収束電極が中心部位置のカソードに対して
は同心状位置に、同心円周状位置のカソードに対しては
放射方向の内側または外側に、かつ内円周状位置のカソ
ードから外円周状位置のカソードにゆくにしたがつて偏
心量を所定量変化させて配置するのが望ましい。
【０００７】
【作用】上記構成によれば、各カソードから放出される
電子ビームは収束電極により、収束電極の中心に収束さ
れると共に、収束電極とゲート電極との偏心量に対応し
て偏向されるため、例えば、収束電極を中心部のカソー
ドに対しては同心状位置に、同心円周状位置のカソード
に対しては内側に偏心させて配することにより、全ての
カソードから放出される電子ビームを１本の電子ビーム
に収束できる。また、例えば、収束電極を基板の中心部
位置のカソードに対しては同心状位置に、同心円周状位
置のカソードに対しては外側に偏心させて配し、大口径
レンズにより収束すれば、電子ビームの発散方向が均一
に制御されるため、全てのカソードから放出される電子
ビームを１本の電子ビームに収束できると共に、解像度
を向上できる。さらに、例えばカソードを基板の中心部
位置および多重同心円周状位置に配置し、内円周状位置
のカソードから外円周上のカソードにゆくにしたがって
偏心量を変化させて収束電極を配置することにより、さ
らに多数の電子ビームを収束でき、大容量の電子放出素
子が実現できる。
電子ビームは収束電極により、収束電極の中心に収束さ
れると共に、収束電極とゲート電極との偏心量に対応し
て偏向されるため、例えば、収束電極を中心部のカソー
ドに対しては同心状位置に、同心円周状位置のカソード
に対しては内側に偏心させて配することにより、全ての
カソードから放出される電子ビームを１本の電子ビーム
に収束できる。また、例えば、収束電極を基板の中心部
位置のカソードに対しては同心状位置に、同心円周状位
置のカソードに対しては外側に偏心させて配し、大口径
レンズにより収束すれば、電子ビームの発散方向が均一
に制御されるため、全てのカソードから放出される電子
ビームを１本の電子ビームに収束できると共に、解像度
を向上できる。さらに、例えばカソードを基板の中心部
位置および多重同心円周状位置に配置し、内円周状位置
のカソードから外円周上のカソードにゆくにしたがって
偏心量を変化させて収束電極を配置することにより、さ
らに多数の電子ビームを収束でき、大容量の電子放出素
子が実現できる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明について、図面を参照して説明
する。従来例と同一部分には同一参照符号を付し説明を
省略する。本発明の第一の実施例の電子放出素子は、図
１に示すように、ガラス等の絶縁基板１上にアルミニウ
ム等から成り、例えば直径φが略１０μｍの円形の開口
２ａを有する第一の電極２が被着形成され、この第一の
電極２上に例えば厚さが略０．５μｍで、抵抗値が３０
００Ω・ｃｍのシリコン薄膜等より成る抵抗層３が全面
的に被着形成されている。そして、この第一の電極２の
開口２ａ上の中心部および直径６μｍの同心円周上に、
抵抗層３を介して、タングステン、モリブデン等の高融
点かつ低仕事関数の金属からなり、尖鋭な先端形状を有
する円錐状のカソード４が９個形成されている。そし
て、それぞれのカソード４の周囲に直径１μｍ〜１．５
μｍの開口幅ｗをもったキャビティ５を有する酸化珪素
等よりなる厚さ略２μｍの絶縁層６が形成され、この絶
縁層６の上に、モリブデン、タングステン、ニオブ等の
高融点金属からなるゲート電極７がカソード４に対する
対向電極として配置された構造となっている。さらに、
このゲート電極７の上に酸化珪素等よりなる厚さ略２μ
ｍの第二の絶縁層９を介して収束電極１０が、絶縁基板
１の中心部位置のカソード４に対しては同心状位置に、
同心円周状位置のカソード４に対しては中心方向に０．
２μｍ偏心させて形成されている。
する。従来例と同一部分には同一参照符号を付し説明を
省略する。本発明の第一の実施例の電子放出素子は、図
１に示すように、ガラス等の絶縁基板１上にアルミニウ
ム等から成り、例えば直径φが略１０μｍの円形の開口
２ａを有する第一の電極２が被着形成され、この第一の
電極２上に例えば厚さが略０．５μｍで、抵抗値が３０
００Ω・ｃｍのシリコン薄膜等より成る抵抗層３が全面
的に被着形成されている。そして、この第一の電極２の
開口２ａ上の中心部および直径６μｍの同心円周上に、
抵抗層３を介して、タングステン、モリブデン等の高融
点かつ低仕事関数の金属からなり、尖鋭な先端形状を有
する円錐状のカソード４が９個形成されている。そし
て、それぞれのカソード４の周囲に直径１μｍ〜１．５
μｍの開口幅ｗをもったキャビティ５を有する酸化珪素
等よりなる厚さ略２μｍの絶縁層６が形成され、この絶
縁層６の上に、モリブデン、タングステン、ニオブ等の
高融点金属からなるゲート電極７がカソード４に対する
対向電極として配置された構造となっている。さらに、
このゲート電極７の上に酸化珪素等よりなる厚さ略２μ
ｍの第二の絶縁層９を介して収束電極１０が、絶縁基板
１の中心部位置のカソード４に対しては同心状位置に、
同心円周状位置のカソード４に対しては中心方向に０．
２μｍ偏心させて形成されている。
【０００９】このような電子放出素子は、ゲート電極７
とカソード４との間に、約１０７ｖ／ｃｍ以上の電界強
度を付与する電圧（上記素子の場合、数Ｖ）を印加する
ことによりカソード４を熱することなく電子を放出さ
せ、収束電極１０で図中に矢印で表示するように、中心
部のカソード４より放出される電子は直進する電子ビー
ムに、同心円周状知のカソード４より放出される電子は
中心方向に偏向された電子ビームにそれぞれ収束され
る。したがつて、このそれぞれの電子ビームの収束点に
スクリーンを設ければ、９個の電子放出素子からの電子
ビームを１本に収束した大電流でしかも先鋭度の優れた
電子ビームを得ることができる。
とカソード４との間に、約１０７ｖ／ｃｍ以上の電界強
度を付与する電圧（上記素子の場合、数Ｖ）を印加する
ことによりカソード４を熱することなく電子を放出さ
せ、収束電極１０で図中に矢印で表示するように、中心
部のカソード４より放出される電子は直進する電子ビー
ムに、同心円周状知のカソード４より放出される電子は
中心方向に偏向された電子ビームにそれぞれ収束され
る。したがつて、このそれぞれの電子ビームの収束点に
スクリーンを設ければ、９個の電子放出素子からの電子
ビームを１本に収束した大電流でしかも先鋭度の優れた
電子ビームを得ることができる。
【００１０】本発明の第二の実施例の電子放出素子は、
図２に示すように、カソード４を絶縁基板１の中心部位
置に１個および直径が６μｍおよび１２μｍの２重の同
心円周状位置にそれぞれ例えば、８個および１６個配置
し、収束電極１０を内側の同心円周状位置のカソード４
に対しては中心方向に０．２μｍ、外側の同心円周状位
置のカソード４に対しては中心方向に０．４μｍ偏心さ
せて配置したものである。この電子放出素子において
は、２５個の電子放出素子の電子ビームを１本に収束し
た更に大電流で先鋭度の優れた電子ビームを得ることが
できる。
図２に示すように、カソード４を絶縁基板１の中心部位
置に１個および直径が６μｍおよび１２μｍの２重の同
心円周状位置にそれぞれ例えば、８個および１６個配置
し、収束電極１０を内側の同心円周状位置のカソード４
に対しては中心方向に０．２μｍ、外側の同心円周状位
置のカソード４に対しては中心方向に０．４μｍ偏心さ
せて配置したものである。この電子放出素子において
は、２５個の電子放出素子の電子ビームを１本に収束し
た更に大電流で先鋭度の優れた電子ビームを得ることが
できる。
【００１１】また、本発明の第三の実施例の電子放出素
子は、図３に示すように、カソード４を絶縁基板１の中
心部位置に１個および直径が６μｍの同心円周状位置に
それぞれ例えば、８個配置し、収束電極１０を同心円周
状位置のカソード４に対しては中心から放射方向の外側
に０．２μｍ偏心させて配置し、別に配置した大口径レ
ンズ１１により収束したものである。この電子放出素子
においては、大口径レンズ１１に入射する電子ビームの
入射角が制御されるため、さらに、解像度を向上した大
電流の電子ビームを得ることができる。
子は、図３に示すように、カソード４を絶縁基板１の中
心部位置に１個および直径が６μｍの同心円周状位置に
それぞれ例えば、８個配置し、収束電極１０を同心円周
状位置のカソード４に対しては中心から放射方向の外側
に０．２μｍ偏心させて配置し、別に配置した大口径レ
ンズ１１により収束したものである。この電子放出素子
においては、大口径レンズ１１に入射する電子ビームの
入射角が制御されるため、さらに、解像度を向上した大
電流の電子ビームを得ることができる。
【００１２】以上、ガラス等の絶縁基板上に第一の電極
を形成し、抵抗層を介して絶縁基板の中央部位置に１個
および同心円周状位置に８個、または２重の同心円周状
位置に８個、１６個のカソードを配置し、１層の収束電
極を形成した例について説明したが、本発明はこれに限
定されず、例えば、シリコン基板上に抵抗層を介さずに
直接シリコンカソードを形成し、多重の同心円周状位置
に更に多くのカソードを配置し、収束電極も２層以上の
複数層として大電流化、電子ビームの収束特性を向上す
ることができる。あた、本発明は、基板の中央部位置よ
り離隔して配置されるカソードが上記実施例のように、
同心円状位置や２重の同心円状位置に配置することに限
定されることなく、中央部よりランダムな距離の位置に
配設されてもよい。
を形成し、抵抗層を介して絶縁基板の中央部位置に１個
および同心円周状位置に８個、または２重の同心円周状
位置に８個、１６個のカソードを配置し、１層の収束電
極を形成した例について説明したが、本発明はこれに限
定されず、例えば、シリコン基板上に抵抗層を介さずに
直接シリコンカソードを形成し、多重の同心円周状位置
に更に多くのカソードを配置し、収束電極も２層以上の
複数層として大電流化、電子ビームの収束特性を向上す
ることができる。あた、本発明は、基板の中央部位置よ
り離隔して配置されるカソードが上記実施例のように、
同心円状位置や２重の同心円状位置に配置することに限
定されることなく、中央部よりランダムな距離の位置に
配設されてもよい。
【００１３】
【発明の効果】上述したように、本発明の電子放出素子
によれば、各カソードから放出される電子ビームは収束
電極により、収束電極の中心に収束されると共に、収束
電極とゲート電極との偏心量に対応して偏向されるた
め、例えば、収束電極を基板の中心部位置のカソードに
対しては同心状位置に、同心円周状位置のカソードに対
しては内側に偏心させて配することにより、全てのカソ
ードから放出される電子ビームを１本の電子ビームに収
束できる。したがって、複数のカソードから放出される
電子ビームを電子放出素子と一体的に設けた収束電極に
より効率よく収束して、大電流でしかも尖鋭で解像度の
高い電子ビームを得ることのできる陰極線管に好適する
電子放出素子を提供できる。
によれば、各カソードから放出される電子ビームは収束
電極により、収束電極の中心に収束されると共に、収束
電極とゲート電極との偏心量に対応して偏向されるた
め、例えば、収束電極を基板の中心部位置のカソードに
対しては同心状位置に、同心円周状位置のカソードに対
しては内側に偏心させて配することにより、全てのカソ
ードから放出される電子ビームを１本の電子ビームに収
束できる。したがって、複数のカソードから放出される
電子ビームを電子放出素子と一体的に設けた収束電極に
より効率よく収束して、大電流でしかも尖鋭で解像度の
高い電子ビームを得ることのできる陰極線管に好適する
電子放出素子を提供できる。
【図１】 本発明の第一実施例の電子放出素子の要部断
面図
面図
【図２】 本発明の第二実施例の電子放出素子の要部断
面図
面図
【図３】 本発明の第三実施例の電子放出素子の要部断
面図
面図
【図４】 従来の電子放出素子の要部斜視図
【図５】 従来の他の電子放出素子の要部断面図
１ 基板（絶縁基板） ４ カソード ５ キャビティ ６ 絶縁層 ７ ゲート電極 ９ 第二の絶縁層 １０ 収束電極 １１ 大口径レンズ
Claims (3)
- 【請求項１】基板上に形成した複数の円錐状のカソード
と、それぞれの前記カソードを包囲するようにキャビテ
ィを形成する絶縁層及びゲート電極と、該ゲート電極上
に形成した第二の絶縁層上にあって前記カソードから引
き出された電子を収束する収束電極とを積層形成した電
子放出素子において、前記収束電極の少なくとも一部を
前記カソードに対し偏心させて配置したことを特徴とす
る電子放出素子。 - 【請求項２】前記カソードが基板の中心部一とそれより
離隔した位置に配され、それぞれのカソードの収束電極
を、中心部位置のカソードに対しては同心状位置に、中
心部位置から離隔した位置のカソードに対しては電子放
射方向の内側または外側に所定量偏心させて配置したこ
とを特徴とする請求項１記載の電子放出素子。 - 【請求項３】前記カソードが基板の中心部位置とそれぞ
れ離隔した位置に配され、それぞれのカソードの収束電
極を、中心部位置のカソードに対しては同心状位置に、
中心部から離隔した位置のカソードに対しては電子放射
方向の内側または外側に、中心部位置からの離隔距離の
小さいカソードから離隔距離の大きいカソードにいくに
したがつて偏心量を所定量変化させて配置したことを特
徴とする請求項１記載の電子放出素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26504494A JP2964885B2 (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 電子放出素子 |
| US08/547,879 US5814926A (en) | 1994-10-28 | 1995-10-25 | Electron emission device with offset control electrode |
| KR1019950037508A KR0172023B1 (ko) | 1994-10-28 | 1995-10-27 | 오프셋 제어 전극이 있는 전자 방출 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
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