JPH0813166A - ＴｉＮおよびＴｉのエッチング液 - Google Patents
ＴｉＮおよびＴｉのエッチング液Info
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- JPH0813166A JPH0813166A JP14420894A JP14420894A JPH0813166A JP H0813166 A JPH0813166 A JP H0813166A JP 14420894 A JP14420894 A JP 14420894A JP 14420894 A JP14420894 A JP 14420894A JP H0813166 A JPH0813166 A JP H0813166A
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、例えば銅バンプ電極でバリア層と
して使用されるＴｉＮおよびＴｉのみが選択的にエッチ
ングされる、ＴｉＮおよびＴｉのエッチング液を提供す
ることを目的とする。 【構成】例えば、フリップチップＩＣの突出電極は、半
導体ウエハ11の表面に回路配線12にコンタクト領域で接
触されるようにしてＴｉＮもしくはＴｉのバリア層14を
形成し、このバリア層14上にレジストパターン15を形成
して、銅をメッキして銅バンプ16が形成され、その上に
はんだ17の層が形成される。そして、レジストパターン
15をエッチング除去した後、銅バンプ16をマスクとして
ＴｉＮもしくはＴｉのバリア層14をエッチングするもの
で、このエッチング液はＥＤＴＡが含有され、さらに中
性化するためにアンモニア水が含有され、また反応を効
率化する触媒として過酸化水素水が含有されている。
して使用されるＴｉＮおよびＴｉのみが選択的にエッチ
ングされる、ＴｉＮおよびＴｉのエッチング液を提供す
ることを目的とする。 【構成】例えば、フリップチップＩＣの突出電極は、半
導体ウエハ11の表面に回路配線12にコンタクト領域で接
触されるようにしてＴｉＮもしくはＴｉのバリア層14を
形成し、このバリア層14上にレジストパターン15を形成
して、銅をメッキして銅バンプ16が形成され、その上に
はんだ17の層が形成される。そして、レジストパターン
15をエッチング除去した後、銅バンプ16をマスクとして
ＴｉＮもしくはＴｉのバリア層14をエッチングするもの
で、このエッチング液はＥＤＴＡが含有され、さらに中
性化するためにアンモニア水が含有され、また反応を効
率化する触媒として過酸化水素水が含有されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばＩＣ等の電子
部品の製造工程において、突出したバンプ電極等を形成
するに際して、ＴｉもしくはＴｉＮによって構成された
バリア層を、その上側の銅バンプ部をマスクとして使用
してエッチング除去するために使用されるＴｉＮおよび
Ｔｉのエッチング液に関する。
部品の製造工程において、突出したバンプ電極等を形成
するに際して、ＴｉもしくはＴｉＮによって構成された
バリア層を、その上側の銅バンプ部をマスクとして使用
してエッチング除去するために使用されるＴｉＮおよび
Ｔｉのエッチング液に関する。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロニクスの発展に伴って、多く
の分野で活用されているＩＣ・ＬＳＩさらにガラス基板
等の電子部品が多く使用されるもので、これらの電子部
品の製造工程において、ＴｉＮおよびＴｉのみの選択エ
ッチングが要求されることが多い。例えば、シリコン基
板におけるコンタクト部のバリアメタル層のエッチング
や、厚膜回路におけるＴｉＮおよびＴｉの層のエッチン
グが存在する。
の分野で活用されているＩＣ・ＬＳＩさらにガラス基板
等の電子部品が多く使用されるもので、これらの電子部
品の製造工程において、ＴｉＮおよびＴｉのみの選択エ
ッチングが要求されることが多い。例えば、シリコン基
板におけるコンタクト部のバリアメタル層のエッチング
や、厚膜回路におけるＴｉＮおよびＴｉの層のエッチン
グが存在する。
【０００３】また、より多くの電子回路要素を集積構成
するためにフリップチップＩＣにあっては、回路要素が
組み込み形成された半導体チップの表面に、回路要素の
導出電極部、すなわちコンタクト部に対応して突出する
銅バンプを形成し、この銅パンプがはんだを介してセラ
ミック回路基板に形成された回路導体部に、機械的に且
つ電気的に結合して構成される。
するためにフリップチップＩＣにあっては、回路要素が
組み込み形成された半導体チップの表面に、回路要素の
導出電極部、すなわちコンタクト部に対応して突出する
銅バンプを形成し、この銅パンプがはんだを介してセラ
ミック回路基板に形成された回路導体部に、機械的に且
つ電気的に結合して構成される。
【０００４】この様なフリップチップＩＣを構成するバ
ンプ電極は、回路要素の形成された半導体ウエハの表面
に回路配線を形成すると共に、この回路配線における端
子導出領域を露出するようにして絶縁層を形成し、さら
にこの絶縁層上に、前記露出部で回路配線に接続される
ようにして、例えばＴｉの薄膜によるバリア層を形成す
る。そして、このバリア層の上に銅によるバンプを突出
形成し、この突出バンプの上にはんだ層を載置設定する
ことによりバンプ電極が構成されるようにしている。
ンプ電極は、回路要素の形成された半導体ウエハの表面
に回路配線を形成すると共に、この回路配線における端
子導出領域を露出するようにして絶縁層を形成し、さら
にこの絶縁層上に、前記露出部で回路配線に接続される
ようにして、例えばＴｉの薄膜によるバリア層を形成す
る。そして、このバリア層の上に銅によるバンプを突出
形成し、この突出バンプの上にはんだ層を載置設定する
ことによりバンプ電極が構成されるようにしている。
【０００５】この突出する電極を構成する銅バンプは、
例えば半導体ウエハ上に形成されたバリア層の上にレジ
スト膜を形成し、半導体ウエハの導出電極部に対応して
このレジスト膜に開口を有するレジストパターンを形成
する。そして、このレジストパターンの上から電解メッ
キによって銅メッキ層を形成することにより、レジスト
パターンの開口部に対応して銅による電極体を形成する
もので、この状態でレジスト膜をエッチング除去するこ
とにより、半導体ウエハ上に突出する銅バンプが形成さ
れる。そして、その後この銅バンプをマスクとしてＴｉ
薄膜からなるバリア層をエッチング除去して、銅バンプ
電極が完成される。
例えば半導体ウエハ上に形成されたバリア層の上にレジ
スト膜を形成し、半導体ウエハの導出電極部に対応して
このレジスト膜に開口を有するレジストパターンを形成
する。そして、このレジストパターンの上から電解メッ
キによって銅メッキ層を形成することにより、レジスト
パターンの開口部に対応して銅による電極体を形成する
もので、この状態でレジスト膜をエッチング除去するこ
とにより、半導体ウエハ上に突出する銅バンプが形成さ
れる。そして、その後この銅バンプをマスクとしてＴｉ
薄膜からなるバリア層をエッチング除去して、銅バンプ
電極が完成される。
【０００６】この様な銅バンプを形成するに際して、バ
リア層がＴｉＮまたはＴｉの薄膜によって構成されてい
るものであるため、このバリア層をエッチングするに場
合に人体に有害であるとかあるいは作業性が悪い等の問
題を有する。また、この様なＴｉＮやＴｉを有効にエッ
チングするエッチング液を使用すると、例えばバンプを
形成している銅等を含み他の金属をも腐食するような問
題を有する。
リア層がＴｉＮまたはＴｉの薄膜によって構成されてい
るものであるため、このバリア層をエッチングするに場
合に人体に有害であるとかあるいは作業性が悪い等の問
題を有する。また、この様なＴｉＮやＴｉを有効にエッ
チングするエッチング液を使用すると、例えばバンプを
形成している銅等を含み他の金属をも腐食するような問
題を有する。
【０００７】例えばエッチング液に弗酸（ＨＦ）を使用
する場合、この弗酸（ＨＦ）は半導体ウエハ表面に形成
される絶縁層（ＳｉＯ2 およびＳｉＮ）等をも腐食して
しまい、さらにこのエッチング液が人体の皮膚からの浸
透すると、人体に対しても悪影響を及ぼすことがある。
また、塩酸（ＨＣｌ）や硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）は、バンプ
を形成する銅（Ｃｕ）を腐食するもので、フリップチッ
プＩＣ用の突出するバンプ電極を形成するためのバリア
層のエッチングには不向きである。さらにシュウ酸を含
むエッチング液は、Ａｌ2 Ｏ3 等の絶縁体を侵す問題を
有する。
する場合、この弗酸（ＨＦ）は半導体ウエハ表面に形成
される絶縁層（ＳｉＯ2 およびＳｉＮ）等をも腐食して
しまい、さらにこのエッチング液が人体の皮膚からの浸
透すると、人体に対しても悪影響を及ぼすことがある。
また、塩酸（ＨＣｌ）や硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）は、バンプ
を形成する銅（Ｃｕ）を腐食するもので、フリップチッ
プＩＣ用の突出するバンプ電極を形成するためのバリア
層のエッチングには不向きである。さらにシュウ酸を含
むエッチング液は、Ａｌ2 Ｏ3 等の絶縁体を侵す問題を
有する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この発明は上記のよう
な点に鑑みなされたもので、他の金属等を溶解すること
なくＴｉＮおよびＴｉを選択的にエッチングすることが
可能とされて、人体に対しての安全性も確保できるよう
にした、例えばフリップチップＩＣの突出電極を形成す
るに際して、ＴｉＮバリア層もしくはＴｉバリア層を突
出電極に合わせてエッチング除去するために使用できる
ＴｉＮおよびＴｉのエッチング液を提供しようとするも
のである。
な点に鑑みなされたもので、他の金属等を溶解すること
なくＴｉＮおよびＴｉを選択的にエッチングすることが
可能とされて、人体に対しての安全性も確保できるよう
にした、例えばフリップチップＩＣの突出電極を形成す
るに際して、ＴｉＮバリア層もしくはＴｉバリア層を突
出電極に合わせてエッチング除去するために使用できる
ＴｉＮおよびＴｉのエッチング液を提供しようとするも
のである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係るＴｉＮお
よびＴｉのエッチング液は、Ｔｉと選択的に錯化反応を
生ずる錯化剤と、この錯化剤によって酸性化された前記
エッチング液を中性化するアンモニア水と、さらに前記
エッチング液の活性化エネルギーを下げる触媒作用を行
わせる過酸化水素水とを含み構成される。ここで、Ｔｉ
と選択的に錯化反応を生ずる錯化剤は、ＥＤＴＡ、また
はＥＤＭＡ、ＰＤＴＡ、ｅｎ、ＴＥＡ、ＮＴＡ、ＢＣＡ
の中の１つによって構成される。
よびＴｉのエッチング液は、Ｔｉと選択的に錯化反応を
生ずる錯化剤と、この錯化剤によって酸性化された前記
エッチング液を中性化するアンモニア水と、さらに前記
エッチング液の活性化エネルギーを下げる触媒作用を行
わせる過酸化水素水とを含み構成される。ここで、Ｔｉ
と選択的に錯化反応を生ずる錯化剤は、ＥＤＴＡ、また
はＥＤＭＡ、ＰＤＴＡ、ｅｎ、ＴＥＡ、ＮＴＡ、ＢＣＡ
の中の１つによって構成される。
【００１０】
【作用】この様なＴｉＮおよびＴｉのエッチング液は、
Ｔｉと選択的に錯化反応を生ずる錯化剤を含んでいるも
のであるため、例えば銅バンプを形成するに際してバリ
ア層をエッチング除去する場合、銅バンプがマスクとし
て使用されるものであるが、そのマスク機能を発揮する
銅バンプ部は浸蝕されることがなく、ＴｉもしくはＴｉ
Ｎで構成されたバリア層のみが銅バンプの形状に正確に
合致してエッチング除去される。また、アンモニア水を
含ませることによって、エッチング液がアルカリ性とさ
れるものであり、したがって酸化アルミ等の絶縁物もし
くははんだ等の両性金属の溶解が防止され、ＴｉＮおよ
びＴｉのエッチング反応が促進される。そして、過酸化
水素水を含ませることによって、エッチング反応の活性
化エネルギーを下げる触媒機能が発揮されてエッチング
速度が向上される。
Ｔｉと選択的に錯化反応を生ずる錯化剤を含んでいるも
のであるため、例えば銅バンプを形成するに際してバリ
ア層をエッチング除去する場合、銅バンプがマスクとし
て使用されるものであるが、そのマスク機能を発揮する
銅バンプ部は浸蝕されることがなく、ＴｉもしくはＴｉ
Ｎで構成されたバリア層のみが銅バンプの形状に正確に
合致してエッチング除去される。また、アンモニア水を
含ませることによって、エッチング液がアルカリ性とさ
れるものであり、したがって酸化アルミ等の絶縁物もし
くははんだ等の両性金属の溶解が防止され、ＴｉＮおよ
びＴｉのエッチング反応が促進される。そして、過酸化
水素水を含ませることによって、エッチング反応の活性
化エネルギーを下げる触媒機能が発揮されてエッチング
速度が向上される。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照しながら、この発明の一実
施例を説明する。この実施例においてはフリップチップ
ＩＣの銅バンプ電極を形成する過程に基づいて説明され
るもので、図１の（Ａ）で示すように、シリコン等の半
導体ウエハ11の表面に、この半導体ウエハ11に形成され
た回路要素のコンタクト部に接触されるようにしてアル
ミニウムによる回路配線12が形成され、この回路配線12
の上にＳｉＯ2 等による絶縁膜13が形成される。この絶
縁膜13には、回路配線12を露出するように開口が形成さ
れるもので、この開口部がコンタクト領域とされる。そ
して、絶縁膜13の開口を介して回路配線12に接触される
ようにして、この絶縁膜13の表面の全体に、例えばＴｉ
薄膜もしくはＴｉＮ薄膜によるバリア層14を形成する。
施例を説明する。この実施例においてはフリップチップ
ＩＣの銅バンプ電極を形成する過程に基づいて説明され
るもので、図１の（Ａ）で示すように、シリコン等の半
導体ウエハ11の表面に、この半導体ウエハ11に形成され
た回路要素のコンタクト部に接触されるようにしてアル
ミニウムによる回路配線12が形成され、この回路配線12
の上にＳｉＯ2 等による絶縁膜13が形成される。この絶
縁膜13には、回路配線12を露出するように開口が形成さ
れるもので、この開口部がコンタクト領域とされる。そ
して、絶縁膜13の開口を介して回路配線12に接触される
ようにして、この絶縁膜13の表面の全体に、例えばＴｉ
薄膜もしくはＴｉＮ薄膜によるバリア層14を形成する。
【００１２】このバリア層14は、絶縁膜13の開口部を介
して回路導体12に接続され、半導体ウエハ11のコンタク
ト部に電気的に接続されるようになるもので、このバリ
ア層14の上にレジスト膜を形成する。このレジスト膜に
は、半導体ウエハ11のコンタクト領域、すなわち絶縁膜
13の開口部を指示するパターンで露光した後現像し、こ
のコンタクト領域に対応して開口151 の形成されたレジ
ストパターン15を形成する。
して回路導体12に接続され、半導体ウエハ11のコンタク
ト部に電気的に接続されるようになるもので、このバリ
ア層14の上にレジスト膜を形成する。このレジスト膜に
は、半導体ウエハ11のコンタクト領域、すなわち絶縁膜
13の開口部を指示するパターンで露光した後現像し、こ
のコンタクト領域に対応して開口151 の形成されたレジ
ストパターン15を形成する。
【００１３】この様にレジストパターン15が形成された
ならば、同図の（Ｂ）で示すようにこのレジストパター
ン15をマスクとして、その開口151 部を介して露出され
るバリア層14の上に銅のメッキを施す。ここで、レジス
ト膜の厚さを充分に設定することで、レジストパターン
15の開口151 は円筒状に形成されて、この円筒状の開口
151 の内部に円柱状の銅メッキ層が形成されて、銅バン
プ16が成形されるようになる。その後この銅バンプ16の
上に、開口151 を埋めるようにしてはんだ17の層を重ね
て形成する。
ならば、同図の（Ｂ）で示すようにこのレジストパター
ン15をマスクとして、その開口151 部を介して露出され
るバリア層14の上に銅のメッキを施す。ここで、レジス
ト膜の厚さを充分に設定することで、レジストパターン
15の開口151 は円筒状に形成されて、この円筒状の開口
151 の内部に円柱状の銅メッキ層が形成されて、銅バン
プ16が成形されるようになる。その後この銅バンプ16の
上に、開口151 を埋めるようにしてはんだ17の層を重ね
て形成する。
【００１４】この様に銅バンプ16およびはんだ17の層が
形成されたならば、同図の（Ｃ）で示すようにレジスト
パターン15をエッチング除去し、円柱状にされた銅バン
プ16およびはんだ17を露出させ、半導体ウエハ11の表面
に突出した電極体が形成されるようにする。そして、こ
の突出した電極体をマスクとしてバリア層14をエッチン
グ除去し、さらにはんだ17をリフローして銅バンプ電極
が完成される。
形成されたならば、同図の（Ｃ）で示すようにレジスト
パターン15をエッチング除去し、円柱状にされた銅バン
プ16およびはんだ17を露出させ、半導体ウエハ11の表面
に突出した電極体が形成されるようにする。そして、こ
の突出した電極体をマスクとしてバリア層14をエッチン
グ除去し、さらにはんだ17をリフローして銅バンプ電極
が完成される。
【００１５】この様な銅バンプ16による突出電極の製造
工程において、ＴｉもしくはＴｉＮからなるバリア層14
は銅バンプ16をマスクとして用いて、この銅バンプ16の
外側部分をエッチングによって除去しているもので、こ
のエッチング工程において、ＴｉＮおよびＴｉ用のエッ
チング液が用いられる。このエッチング工程で用いられ
るエッチング液は、例えばＥＤＴＡ(ethylenediamine t
etracetic acid) のようなＴｉと錯体を形成する錯化剤
を含有しているもので、その化学的な反応は次のように
なる。
工程において、ＴｉもしくはＴｉＮからなるバリア層14
は銅バンプ16をマスクとして用いて、この銅バンプ16の
外側部分をエッチングによって除去しているもので、こ
のエッチング工程において、ＴｉＮおよびＴｉ用のエッ
チング液が用いられる。このエッチング工程で用いられ
るエッチング液は、例えばＥＤＴＡ(ethylenediamine t
etracetic acid) のようなＴｉと錯体を形成する錯化剤
を含有しているもので、その化学的な反応は次のように
なる。
【００１６】
【化１】
【００１７】そしてこの様なＥＤＴＡと共に、さらにこ
のエッチング液を中性化するためにアンモニア水（ＮＨ
4 ＯＨ）が含まれるようにし、また反応を効率的に行わ
せるために触媒として過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）が含有さ
れるようにする。そして、このエッチング液の組成を示
すと次のようになる
のエッチング液を中性化するためにアンモニア水（ＮＨ
4 ＯＨ）が含まれるようにし、また反応を効率的に行わ
せるために触媒として過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）が含有さ
れるようにする。そして、このエッチング液の組成を示
すと次のようになる
【００１８】
【化２】
【００１９】例えばＴｉ膜に対するエッチングレート
を、従来の弗酸を用いた場合とＥＤＴＡを用いた場合と
を比較してみると、エッチング時間とＴｉ径との関係が
図２で示すようになり、ＥＤＴＡ系のエッチング液にあ
っては、エッチング時間を長くしてもＴｉの径の目減り
は少なく、マイルドなエッチングが可能とされることが
明らかである。
を、従来の弗酸を用いた場合とＥＤＴＡを用いた場合と
を比較してみると、エッチング時間とＴｉ径との関係が
図２で示すようになり、ＥＤＴＡ系のエッチング液にあ
っては、エッチング時間を長くしてもＴｉの径の目減り
は少なく、マイルドなエッチングが可能とされることが
明らかである。
【００２０】なお、この図でＢＴＡ（ベンゾトリアゾー
ル）系のエッチング液におけるエッチングレートも示し
ているが、このＢＴＡはＴｉと錯化反応が生ずる錯化剤
であると同時に、銅バンプを構成する銅（Ｃｕ）との錯
化反応を生ずる錯化剤でもある。したがって、ＢＴＡ系
のエッチング液では、Ｔｉバリア層をエッチングすると
共に、銅バンプに対してもエッチングが進行し、銅バン
プはマスクとして機能せずにその根元の径が細くなって
しまい、したがってこのＢＴＡは銅バンプ電極を構成す
るバリア層のエッチングには適用できない。
ル）系のエッチング液におけるエッチングレートも示し
ているが、このＢＴＡはＴｉと錯化反応が生ずる錯化剤
であると同時に、銅バンプを構成する銅（Ｃｕ）との錯
化反応を生ずる錯化剤でもある。したがって、ＢＴＡ系
のエッチング液では、Ｔｉバリア層をエッチングすると
共に、銅バンプに対してもエッチングが進行し、銅バン
プはマスクとして機能せずにその根元の径が細くなって
しまい、したがってこのＢＴＡは銅バンプ電極を構成す
るバリア層のエッチングには適用できない。
【００２１】この様なＥＤＴＡ系のエッチング液を用い
てＴｉ膜をエッチングした場合、そのＴｉ膜表面のエッ
チング時間は、エッチング液温度との関係、さらに過酸
化水素水およびアンモニア水の濃度との関係で図３で示
すようになる。そして、液温６０〜６５℃で３０００Ａ
（オングストローム）のＴｉＮ膜を、６０〜１５０秒で
エッチング可能であることが実験等により確認された。
てＴｉ膜をエッチングした場合、そのＴｉ膜表面のエッ
チング時間は、エッチング液温度との関係、さらに過酸
化水素水およびアンモニア水の濃度との関係で図３で示
すようになる。そして、液温６０〜６５℃で３０００Ａ
（オングストローム）のＴｉＮ膜を、６０〜１５０秒で
エッチング可能であることが実験等により確認された。
【００２２】ここで、ＥＤＴＡ等の錯化剤の作用は、Ｔ
ｉと錯化反応を起こすことによってＴｉを溶解する作用
を有し、効果的なエッチングを行わせる。また、エッチ
ング液に対してＥＤＴＡを添加することによって、この
エッチング液のｐＨは酸性に傾いている。したがって、
この様な酸性に傾いているエッチング液に対してアンモ
ニア水を添加することにより、このエッチング液は中性
に戻されている。この様にエッチング液を中性に戻すこ
とによって、はんだや銅等の金属が腐食（エッチング）
されることを防止している。また、同時に酸化アルミニ
ウム等の絶縁物の溶解をも防止するようになり、Ｔｉお
よびＴｉＮのみが効果的にエッチングされるようにな
る。そして、さらに過酸化水素水はエッチング液におけ
る活性化エネルギーを下げる作用をする触媒の役割を果
たすようになり、さらに副反応として起こる酸素ガスの
発生によって、拡散効果が向上される。
ｉと錯化反応を起こすことによってＴｉを溶解する作用
を有し、効果的なエッチングを行わせる。また、エッチ
ング液に対してＥＤＴＡを添加することによって、この
エッチング液のｐＨは酸性に傾いている。したがって、
この様な酸性に傾いているエッチング液に対してアンモ
ニア水を添加することにより、このエッチング液は中性
に戻されている。この様にエッチング液を中性に戻すこ
とによって、はんだや銅等の金属が腐食（エッチング）
されることを防止している。また、同時に酸化アルミニ
ウム等の絶縁物の溶解をも防止するようになり、Ｔｉお
よびＴｉＮのみが効果的にエッチングされるようにな
る。そして、さらに過酸化水素水はエッチング液におけ
る活性化エネルギーを下げる作用をする触媒の役割を果
たすようになり、さらに副反応として起こる酸素ガスの
発生によって、拡散効果が向上される。
【００２３】なお、Ｔｉと錯化反応が生ずる錯化剤とし
ては、ＥＤＴＡの他に次のような物質が存在し、これら
から適宜選択して使用できる。 ｉ）ＥＤＭＡ＝ethylendiamine monoacetic acid ii）ＰＤＴＡ＝proplendiamine tetracetic acid iii)ｅｎ ＝ethylendiamine iv）ＴＥＡ ＝triethananolamine ｖ）ＮＴＡ ＝nitrilotriacentic acid vi）ＢＣＡ ＝bornine carbonic anhydrase
ては、ＥＤＴＡの他に次のような物質が存在し、これら
から適宜選択して使用できる。 ｉ）ＥＤＭＡ＝ethylendiamine monoacetic acid ii）ＰＤＴＡ＝proplendiamine tetracetic acid iii)ｅｎ ＝ethylendiamine iv）ＴＥＡ ＝triethananolamine ｖ）ＮＴＡ ＝nitrilotriacentic acid vi）ＢＣＡ ＝bornine carbonic anhydrase
【００２４】
【発明の効果】以上のようにこの発明に係るＴｉＮおよ
びＴｉのエッチング液によれば、同等の他の金属さらに
酸化アルミニウム等の絶縁物に影響を与えることなく、
ＴｉＮおよびＴｉのみが選択されてエッチングされるよ
うになり、人体に対しての安全性も確保して、例えばフ
リップチップＩＣの突出電極を形成するに際して、バリ
ア層を突出電極に合わせてエッチング除去するために使
用できるものであり、その他各種の電子部品の製造工程
において効果的に採用できるようになる。
びＴｉのエッチング液によれば、同等の他の金属さらに
酸化アルミニウム等の絶縁物に影響を与えることなく、
ＴｉＮおよびＴｉのみが選択されてエッチングされるよ
うになり、人体に対しての安全性も確保して、例えばフ
リップチップＩＣの突出電極を形成するに際して、バリ
ア層を突出電極に合わせてエッチング除去するために使
用できるものであり、その他各種の電子部品の製造工程
において効果的に採用できるようになる。
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は、この発明の係るエッチング
液を使用したフリップチップＩＣのバンプ電極の製造過
程を順次説明する図。
液を使用したフリップチップＩＣのバンプ電極の製造過
程を順次説明する図。
【図２】各種エッチング液のエッチングレートを示す
図。
図。
【図３】ＥＤＴＡ系エッチング液における液温度並びに
エッチング浴濃度とエッチング時間との関係を示す図。
エッチング浴濃度とエッチング時間との関係を示す図。
11…半導体ウエハ、12…回路配線、13…絶縁層、14…バ
リア層（Ｔｉ）、15…レジストパターン、16…銅バン
プ、17…はんだ。
リア層（Ｔｉ）、15…レジストパターン、16…銅バン
プ、17…はんだ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 基樹 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 兵藤 元昭 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 エッチング液に添加される、Ｔｉと選択
的に錯化反応を生ずる錯化剤と、 この錯化剤によって酸性化された前記エッチング液を中
性化するアンモニア水と、 前記エッチング液の活性化エネルギーを下げる触媒作用
を行わせる過酸化水素水と、 を含み構成されるようにしたことを特徴とするＴｉＮお
よびＴｉのエッチング液。 - 【請求項２】 前記Ｔｉと選択的に錯化反応を生ずる錯
化剤は、ＥＤＴＡでなる請求項１記載のＴｉＮおよびＴ
ｉのエッチング液。 - 【請求項３】 前記Ｔｉと選択的に錯化反応を生ずる錯
化剤は、ＥＤＭＡ、ＰＤＴＡ、ｅｎ、ＴＥＡ、ＮＴＡ、
ＢＣＡの中の１つによって構成される請求項１記載のＴ
ｉＮおよびＴｉのエッチング液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14420894A JPH0813166A (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | ＴｉＮおよびＴｉのエッチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14420894A JPH0813166A (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | ＴｉＮおよびＴｉのエッチング液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0813166A true JPH0813166A (ja) | 1996-01-16 |
Family
ID=15356748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14420894A Pending JPH0813166A (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | ＴｉＮおよびＴｉのエッチング液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0813166A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001069652A3 (de) * | 2000-03-17 | 2001-12-06 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum freilegen einer kontaktfläche |
| JP2005146358A (ja) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | チタンまたはチタン合金のエッチング液 |
| US8110508B2 (en) | 2007-11-22 | 2012-02-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming a bump structure using an etching composition for an under bump metallurgy layer |
| US8300167B2 (en) | 2007-06-14 | 2012-10-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display panel, display device, and method for manufacturing display panel |
| US8334594B2 (en) | 2009-10-14 | 2012-12-18 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Chip having a metal pillar structure |
| US8552553B2 (en) | 2009-10-14 | 2013-10-08 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device |
| US8884443B2 (en) | 2012-07-05 | 2014-11-11 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Substrate for semiconductor package and process for manufacturing |
| US8912521B2 (en) | 2012-11-16 | 2014-12-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor memory device |
| US11390805B2 (en) | 2020-02-05 | 2022-07-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etching composition and method for manufacturing semiconductor device using the same |
| CN115261863A (zh) * | 2022-08-02 | 2022-11-01 | 扬州国宇电子有限公司 | 一种用于快恢复二极管的金属颗粒腐蚀液及金属腐蚀方法 |
| KR20230007342A (ko) | 2020-04-14 | 2023-01-12 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 티탄 및/또는 티탄합금의 에칭액, 이 에칭액을 이용한 티탄 및/또는 티탄합금의 에칭방법, 및 이 에칭액을 이용한 기판의 제조방법 |
| CN116162932A (zh) * | 2022-12-12 | 2023-05-26 | 江苏中德电子材料科技有限公司 | 一种集成电路用铜钛蚀刻液及其制备方法 |
| CN117448823A (zh) * | 2023-07-06 | 2024-01-26 | 江西斯坦德电极科技有限公司 | 一种钛阳极表面处理蚀刻液 |
| KR20260016542A (ko) | 2023-12-28 | 2026-02-03 | 가부시끼가이샤 제이씨유 | 티탄 및 구리의 에칭액 그리고 이것을 이용한 배선 기판의 제조 방법 및 에칭 방법 |
-
1994
- 1994-06-27 JP JP14420894A patent/JPH0813166A/ja active Pending
Cited By (17)
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| US12308249B2 (en) | 2020-04-14 | 2025-05-20 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Etching liquid for titanium and/or titanium alloy, method for etching titanium and/or titanium alloy with use of said etching liquid, and method for producing substrate with use of said etching liquid |
| CN115261863A (zh) * | 2022-08-02 | 2022-11-01 | 扬州国宇电子有限公司 | 一种用于快恢复二极管的金属颗粒腐蚀液及金属腐蚀方法 |
| CN115261863B (zh) * | 2022-08-02 | 2024-03-26 | 扬州国宇电子有限公司 | 一种用于快恢复二极管的金属颗粒腐蚀液及金属腐蚀方法 |
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