JPH08134218A - 含ケイ素高分子重合体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 環構成元素がＳｉ又はＳｉとＣとから成り、
かつＳｉ上にフッ素原子を有しないＳｉ―Ｓｉ結合を環
構造中に少なくとも１個有する四員環又は五員環の環状
化合物を、その等モル以下の量のＳｉ上にフッ素原子を
少なくとも１個有する鎖状ジシラン類及びパラジウム錯
体又は白金錯体の存在下に反応させて、主鎖構成元素が
Ｓｉ又はＳｉとＣとから成り、かつ主鎖中にＳｉ−Ｓｉ
結合を有する高分子量の含ケイ素高分子重合体を製造す
る方法である。 【効果】 フォトレジスト材料やプレセラミックス材料
として、あるいは導電性材料用の素材などとして有用
な、主鎖構成元素がＳｉ又はＳｉとＣとから成り、かつ
主鎖中にＳｉ−Ｓｉ結合を有する含ケイ素高分子重合体
を、効率よく工業的有利に製造することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は含ケイ素高分子重合体の
新規な製造方法に関するものである。さらに詳しくいえ
ば、本発明は、フォトレジスト材料やプレセラミックス
材料として、あるいは導電性材料用の素材などとして有
用な、主鎖構成元素がケイ素原子又はケイ素原子と炭素
原子とから成り、かつ主鎖中にＳｉ−Ｓｉ結合を有する
含ケイ素高分子重合体を、効率よく工業的有利に製造す
る方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、主鎖構成元素がケイ素原子又はケ
イ素原子と炭素原子とから成り、かつ主鎖中にＳｉ−Ｓ
ｉ結合を有する含ケイ素高分子重合体は、例えばフォト
レジスト材料やプレセラミックス材料などとして注目さ
れている。また、主鎖がケイ素原子のみ、あるいは炭素
π電子系（例えばＣ＝Ｃ結合）とケイ素原子のみで構成
されている場合、ヨウ素、五フッ化アンチモン、三塩化
鉄などのルイス酸をドーピングすることにより、導電性
材料として用いうることが知られている。

【０００３】このような主鎖構成元素がケイ素原子又は
ケイ素原子と炭素原子とから成り、かつ主鎖中にＳｉ−
Ｓｉ結合を有する含ケイ素高分子重合体は、これまでは
α，ω‐ビス（ハロシリル）化合物のウルツ型カップリ
ング反応による方法により製造されていた。しかしなが
ら、この方法においては、金属ナトリウムなどのアルカ
リ金属類を用いて脱ハロゲン化を行う必要があり、その
結果アルカリ金属ハライドが副生し、しかも得られたポ
リマーは分子量分布が多分散であることが多く、工業的
には有利な方法とはいえない。

【０００４】その他、Ｓｉ−Ｓｉ結合を環構造に有する
環状化合物を、アルキルリチウム、シリルカリウム、ア
ンモニウムフルオリドなどのアニオン性の開始剤の存在
下に開環重合させる方法も知られている［「ジャーナル
・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・ソサエティ（Ｊ．
Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．）」第１１１巻，第７６４１
ページ（１９８９年）、同第１１３巻，第１０４６ペー
ジ（１９９１年）、「マクロモレキュルズ（Ｍａｃｒｏ
ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ）」第２７巻，第２３６０ページ
（１９９４年）］。しかしながら、この方法において
は、高分子量のポリマーを得るためには、反応温度を−
５０℃以下という低温に保持する必要があり、工業的に
有利な方法とはいえない。

【０００５】また、Ｓｉ−Ｓｉ結合を環構造に有する環
状化合物を、遷移金属錯体の存在下に反応させて含ケイ
素高分子重合体を製造する方法として、アセトニトリル
中において、触媒量のトリス（ジベンジリデンアセト
ン）二パラジウムとトリフェニルホスフィンの存在下
に、１，１，２，２‐テトラメチル‐１，２‐ジシラシ
クロペンタンを反応させる方法［「ポリマー・プレプリ
ンツ・ジャパン（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｐｒｅｐｒｉｎｔ
ｓ，Ｊａｐａｎ）」第４０巻、第３５５ページ（１９９
１年）］、及び触媒量のテトラキス（トリフェニルホス
フィン）パラジウムの存在下に、１，２‐ジフルオロ‐
１，２‐ジメチル‐１，２‐ジシラシクロペンタンを１
００℃で反応させる方法［「ジャーナル・オブ・オルガ
ノメタリック・ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅ
ｔ．Ｃｈｅｍ．）」第１１４巻，Ｃ１９（１９７６
年）］が知られているが、これらの方法は副生物を多量
に生じたり、得られるポリマーの構造、分子量が不明確
なため、実用上利用することはできない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、新規反応を
利用してこのような従来技術が有する欠点を克服し、主
鎖構成元素がケイ素原子又はケイ素原子と炭素原子とか
ら成り、かつ主鎖中にＳｉ−Ｓｉ結合を有する含ケイ素
高分子重合体を、効率よく工業的有利に製造する方法を
提供することを目的としてなされたものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、含ケイ素
高分子化合物の製造方法について鋭意研究を重ねた結
果、環構造中にＳｉ−Ｓｉ結合を少なくとも１個有する
特定構造の環状化合物を、所定の割合の特定の鎖状ジシ
ラン類及び特定の金属錯体の存在下に反応させ、開環重
合させることにより、その目的を達成しうることを見出
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。

【０００８】すなわち、本発明は、（Ａ）環構成元素が
ケイ素原子又はケイ素原子と炭素原子とから成り、かつ
ケイ素原子に結合したフッ素原子を有しないＳｉ−Ｓｉ
結合を環構造中に少なくとも１個有する四員環又は五員
環の環状化合物を、（Ｂ）この環状化合物１モルに対し
等モル以下の量の、ケイ素原子に結合したフッ素原子を
少なくとも１個有する鎖状ジシラン類及び（Ｃ）パラジ
ウム錯体又は白金錯体の存在下に反応させることを特徴
とする、主鎖構成元素がケイ素原子又はケイ素原子と炭
素原子とから成り、かつ主鎖中にＳｉ−Ｓｉ結合を有す
る含ケイ素高分子重合体の製造方法を提供するものであ
る。

【０００９】本発明方法において、主原料として用いら
れる（Ａ）成分の環状化合物は、環構成元素がケイ素原
子又はケイ素原子と炭素原子とから成り、かつケイ素原
子に結合したフッ素原子を有しないＳｉ−Ｓｉ結合を環
構造中に少なくとも１個有する四員環又は五員環の化合
物である。

【００１０】このような環状化合物としては、例えば一
般式

【化１】 ［式中のＸは、−ＣＲ⁵Ｒ⁶−又は−ＳｉＲ⁵Ｒ⁶−（ただ
しＲ⁵及びＲ⁶は水素原子又は炭化水素基であり、それぞ
れの炭素原子又はケイ素原子に結合している各Ｒ⁵及び
Ｒ⁶は同一であっても異なっていてもよく、またこれら
の中の２個が連結してそれらが結合している炭素原子又
はケイ素原子とともに環状構造を形成していてもよい）
であって、２個又は３個のＸはたがいに同一又は異なっ
ていてもよく、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³及びＲ⁴は炭化水素基、ｎ
は２又は３の整数である］で表わされる化合物を挙げる
ことができる。この具体例を挙げると、例えば１，１，
２，２‐テトラメチル‐１，２‐ジシラシクロブタン、
１，１，２，２，３，３，４，４‐オクタメチル‐１，
２‐ジシラシクロブタン、１，１，２，２‐テトラメチ
ル‐３，４‐ジイソプロピリデン‐１，２‐ジシラシク
ロブタン、１，２‐ジフェニル‐１，２‐ジメチル‐
１，２‐ジシラシクロブタン、１，１，２，２‐テトラ
メチル‐１，２‐ジシラシクロペンタン、１，２‐ジフ
ェニル‐１，２‐ジメチル‐１，２‐ジシラシクロペン
タン、１‐フェニル‐１，２，２‐トリメチル‐１，２
‐ジシラシクロペンタン、１，１，２，２‐テトラメチ
ル‐３，４‐ベンゾ‐１，２‐ジシラシクロブテン、
１，２‐ジフェニル‐１，２‐ジメチル‐３，４‐ベン
ゾ‐１，２‐ジシラシクロブテン、１，２‐ジエチル‐
１，２‐ジメチル‐３，４‐ベンゾ‐１，２‐ジシラシ
クロブテン、１，１，２，２‐テトラエチル‐３，４‐
ベンゾ‐１，２‐ジシラシクロブテン、１，２，３，４
‐テトラメチル‐１，２，３，４‐テトラフェニルシク
ロテトラシラン、１，１，２，２，３，３，４，４‐オ
クタエチルシクロテトラシラン、１，２，２，３，３，
４，４，５，５‐ノナメチル‐１‐フェニルシクロペン
タシランなどがある。

【００１１】一方、本発明方法において、（Ａ）成分と
ともに用いられる（Ｂ）成分の鎖状ジシラン類は、ケイ
素原子に結合したフッ素原子を少なくとも１個有するも
のであり、このような鎖状ジシラン類としては、例えば
一般式

【化２】 （式中のＲ⁷，Ｒ⁸，Ｒ⁹，Ｒ¹⁰，Ｒ¹¹及びＲ¹²の中の少
なくとも１個はフッ素原子であり、他は炭化水素基であ
る）で表わされる化合物を挙げることができる。この具
体例を挙げると、例えば１‐フルオロ‐１，１，２，
２，２‐ペンタメチルジシラン、１，２‐ジフルオロ‐
１，１，２，２‐テトラメチルジシラン、１，１‐ジフ
ルオロ‐１，２，２，２‐テトラメチルジシラン、１，
１，１‐トリフルオロ‐２，２，２‐トリメチルジシラ
ン、１，１，２‐トリフルオロ‐１，２，２‐トリメチ
ルジシラン、１，１，２，２‐テトラフルオロ‐１，２
‐ジメチルジシラン、１，１，１，２，２‐ペンタフル
オロ‐２‐メチルジシラン、ヘキサフルオロジシラン、
１‐フルオロ‐２‐フェニル‐１，１，２，２‐テトラ
メチルジシラン、１，２‐ジフルオロ‐１，２‐ジフェ
ニル‐１，２‐ジメチルジシラン、１，１，１‐トリフ
ルオロ‐２，２，２‐トリフェニルジシラン、１‐フル
オロ‐１，１，２，２，２‐ペンタエチルジシラン、
１，２‐ジフルオロ‐１，２‐ジプロピル‐１，２‐ジ
メチルジシラン、１，２‐ジフルオロ‐１，２‐ジベン
ジル‐１，２‐ジメチルジシランなどがある。

【００１２】本発明においては、この（Ｂ）成分の鎖状
ジシラン類は、前記（Ａ）成分の環状化合物に対し、等
モル以下の割合で用いることが必要であり、通常は該環
状化合物１モルに対し、０．００１〜０．５モル、好ま
しくは０．０１〜０．２モルの割合で用いるのが有利で
ある。

【００１３】本発明においては、この（Ｂ）成分を併用
しないと初期の反応が進行せず、目的とする高分子量の
重合体を得ることができない。

【００１４】本発明においては、触媒として（Ｃ）パラ
ジウム錯体又は白金錯体が用いられる。これらの錯体と
しては、従来公知のものを使用することができるが、反
応系に少なくとも一部が可溶な化合物を用いるのが反応
速度的には好ましい。これらの錯体は有機配位子を含む
ものが特に好適であり、この有機配位子としては、例え
ばホスフィン、ホスフィナイト、ホスホナイト、ホスフ
ァイト、オレフィン、β‐ジケトナト配位子、共役ケト
ン、ニトリル、アミン、カルボキシラト配位子、一酸化
炭素などが挙げられる。

【００１５】前記有機配位子としては、例えばトリメチ
ルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリエチルホス
フィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニル
ホスフィン、トリ（ｐ‐トリル）ホスフィン、トリ（ｐ
‐アニシル）ホスフィン、ジフェニルメチルホスフィ
ン、フェニルジメチルホスフィンなどの鎖状ホスフィ
ン、Ｐ‐メチルホスホレン、Ｐ‐メチルホスホール、９
‐メチル‐９‐ホスファビシクロ［４．２．１］ノナン
などの環状ホスフィン、１，２‐ビス（ジメチルホスフ
ィノ）エタン、１，２‐ビス（ジエチルホスフィノ）エ
タン、１，３‐ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパ
ン、１，４‐ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、
１，１′‐ビス（ジメチルホスフィノ）フェロセン、
１，１′‐ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、
α，α′‐ビス（ジメチルホスフィノ）‐ｏ‐キシレ
ン、１，２‐ビス（ジメチルホスフィノ）ベンゼンなど
のビスホスフィン、メチル ジメチルホスフィナイト、
フェニル ジフェニルホスフィナイトなどのホスフィナ
イト、ジメチル メチルホスホナイト、ジメチル フェ
ニルホスホナイトなどのホスホナイト、トリエチルホス
ファイト、トリフェニルホスファイト、１‐ホスファ‐
２，６，７‐トリオキサ‐４‐エチルビシクロ［２．
２．２］オクタンなどのホスファイト、エチレン、プロ
ぺン、シクロオクテン、無水マレイン酸、１，５‐ヘキ
サジエン、１，５‐シクロオクタジエン、１，３‐シク
ロペンタジエン、２，５‐ノルボルナジエン、１，３，
５，７‐シクロオクタテトラエンなどのオレフィンやジ
エン、アセチルアセトナトなどのβ‐ジケトナト配位
子、ジベンジリデンアセトンなどの共役ケトン、アセト
ニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル、エチレンジ
アミン、２，２′‐ビピリジルなどのアミン、アセトナ
トなどのカルボキシラト配位子などが挙げられる。

【００１６】本発明において、触媒として用いられるパ
ラジウム錯体及び白金錯体の具体例としては、テトラキ
ス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス
（ジフェニルメチルホスフィン）パラジウム、ジクロロ
ビス（トリメチルホスフィン）パラジウム、ジクロロビ
ス（トリエチルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス
（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス
（フェニルジメチルホスフィン）パラジウム、ジクロロ
［１，２‐ビス（ジメチルホスフィノ）エタン］パラジ
ウム、ジクロロ［１，３‐ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）プロパン］パジウム、ジクロロ［１，４‐ビス（ジ
フェニルホスフィノ）ブタン］パラジウム、ジクロロ
［１，２‐ビス（ジエチルホスフィノ）エタン］パラジ
ウム、ジクロロ［１，１′‐ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）フェロセン］パラジウム、ビス（ジベンジリデンア
セトン）パラジウム、トリス（ジベンジリデンアセト
ン）二パラジウム、ジクロロ（η‐１，５‐シクロオク
タジエン）パラジウム、ビス（η‐アリル）パラジウ
ム、（η‐エチレン）ビス（トリフェニルホスフィン）
パラジウム、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウ
ム、ジクロロエチレンジアミンパラジウム、酢酸パラジ
ウム、（η‐エチレン）ビス（トリフェニルホスフィ
ン）白金、テトラキス（トリフェニルホスフィン）白
金、テトラキス（ジフェニルメチルホスフィン）白金、
テトラキス（トリエチルホスフィン）白金、ジクロロビ
ス（トリフェニルホスフィン）白金、ジブロモビス（ト
リエチルホスファイト）白金、ビス（η‐１，５‐シク
ロオクタジエン）白金、ジクロロ（η‐１，５‐シクロ
オクタジエン）白金、ジカルボニルビス（トリブチルホ
スフィン）白金、カルボナトビス（トリシクロヘキシル
ホスフィン）白金、ビス（ジベンジリデンアセトン）ビ
ス（トリフェニルホスフィン）白金、トリス（ジベンジ
リデンアセトン）二白金、ジクロロビス（ベンゾニトリ
ル）白金、ジクロロビス（アセトニトリル）白金などが
挙げられる。

【００１７】本発明においては、これらの錯体はそれぞ
れ単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用い
てもよく、また、これらの錯体と共に、該錯体に含まれ
るものと同一又は異なる配位子を１種以上反応系に添加
してもよい。これらの錯体の使用量はいわゆる触媒量で
よく、通常（Ａ）成分の環状化合物１モルに対し、０．
００００１〜０．５モルの範囲で選ばれる。また、該錯
体と共に配位子を添加する場合、その量は錯体中のパラ
ジウム又は白金原子に対するモル比が１〜２０の範囲に
なるように選ぶのが望ましい。

【００１８】本発明においては、特に溶媒を用いること
なく容易に反応を行うことができるが、必要ならば溶媒
中において反応を行ってもよい。この溶媒としては、反
応させるべき環状化合物及び鎖状ジシラン類の反応性を
考慮して、例えば芳香族炭化水素系、飽和脂肪族又は飽
和脂環式炭化水素系及びアルキルエーテル系などの溶媒
の中から選ぶのが有利である。

【００１９】また、本発明においては、反応は０℃以下
でも進行するが、反応速度を高めるために２５０℃程度
の温度まで加熱することができる。反応速度及び副反応
の抑制などの点から、好ましい反応温度は、使用する原
料の種類などにもよるが、一般には０〜２００℃の範囲
であり、特に５０〜１５０℃の範囲が好適である。

【００２０】反応終了後の生成物の分離は、通常用いら
れている公知の手段、例えば蒸留、再結晶、クロマトグ
ラフィーなどの方法を用いて行うことができる。このよ
うにして、主鎖構成元素がケイ素原子又はケイ素原子と
炭素原子とから成り、かつ主鎖中にＳｉ−Ｓｉ結合を有
する含ケイ素高分子重合体が効率よく得られる。

【００２１】本発明方法により得られる含ケイ素高分子
重合体としては、例えば一般式

【化３】 （式中のＸ，Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴及びｎは前記と同じ意
味をもつ）で表わされる循環単位をもち、その重量平均
分子量は６×１０²〜１×１０⁶の範囲である。

【００２２】

【発明の効果】本発明によると、主鎖構成元素がケイ素
原子又はケイ素原子と炭素原子とから成り、かつ主鎖中
にＳｉ−Ｓｉ結合を有する含ケイ素高分子重合体を、効
率よく、工業的有利に製造することができる。

【００２３】本発明方法で得られた含ケイ素高分子重合
体は、フォトレジスト材料やプレセラミックス材料とし
て、あるいは導電性材料用の素材などとして有用であ
る。

【００２４】

【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。

【００２５】実施例１ １，１，２，２‐テトラメチル‐１，２‐ジシラシクロ
ペンタン ０．５ｍｍｏｌ、１，２‐ジフルオロ‐１，
１，２，２‐テトラメチルジシラン ０．０５ｍｍｏｌ
及びジクロロ［１，４‐ビス（ジフェニルホスフィノ）
ブタン］パラジウム ０．００５ｍｍｏｌの混合物を、
窒素下でガラス封管中に仕込み、１００℃に１５時間加
熱した。開封後反応混合物をガスクロマトグラフィーに
より分析した結果、原料の１，１，２，２‐テトラメチ
ル‐１，２‐ジシラシクロペンタンが８０％消費されて
いることが確認された。ベンゼンを溶出液に用いるフロ
リジルのカラムクロマトグラフィーにてパラジウム錯体
を除去し、さらに揮発成分を減圧下で除去することによ
り、下式で示される循環単位をもつ無色ゲル状のポリ
（テトラメチルジシリレン‐トリメチレン）が消費され
た原料１，１，２，２‐テトラメチル‐１，２‐ジシラ
シクロペンタンに対して８５％の収率で単離された。得
られたポリ（テトラメチルジシリレン‐トリメチレン）
の分析データを以下に示す。

【００２６】

【化４】

【００２７】¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）（ｐｐｍ）；δ
１．４２−１．２７（ｍ，２Ｈ），０．７−０．６
（ｍ，４Ｈ），０．０２（ｓ，１２Ｈ）¹³ Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）（ｐｐｍ）；δ ２０．２
（２Ｃ），１９．９，−３．８（４Ｃ）²⁹ Ｓｉ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）（ｐｐｍ）；δ −１
８．６ ＩＲ（液膜）（ｃｍ^-1）；１２４５ ＧＰＣ分析（ポリスチレン基準）；重量平均分子量３．
４×１０⁵、分散度３．４

【００２８】比較例１ 実施例１において、１，２‐ジフルオロ‐１，１，２，
２‐テトラメチルジシランを用いずに、実施例１と同様
に反応を行い、開封後反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析した結果、原料の１，１，２，２‐テト
ラメチル‐１，２‐ジシラシクロペンタンが４４％消費
され、消費された原料１，１，２，２‐テトラメチル‐
１，２‐ジシラシクロペンタンに対して８９％の収率で
環状二量体である１，１，２，２，６，６，７，７‐オ
クタメチル‐１，２，６，７‐テトラシラデカンが生成
していることが確認された。また、この反応混合物のＧ
ＰＣ分析（ポリスチレン基準）からはポリ（テトラメチ
ルジシリレン‐トリメチレン）が微量（５％以下）しか
生成していないことが確認された。

【００２９】実施例２ 実施例１において、ジクロロ［１，４‐ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）ブタン］パラジウムの代わりにジクロロ
［１，４‐ビス（ジブチルホスフィノ）ブタン］パラジ
ウムを用いた以外は実施例１と同様に反応を行い、開封
後反応混合物をガスクロマトグラフィーにより分析した
結果、原料の１，１，２，２‐テトラメチル‐１，２‐
ジシラシクロペンタンが７６％消費されていることが確
認された。この反応混合物を実施例１と同様に処理した
ところ、ポリ（テトラメチルジシリレン‐トリメチレ
ン）が消費された原料１，１，２，２‐テトラメチル‐
１，２‐ジシラシクロペンタンに対して９０％の収率で
得られた。 ＧＰＣ分析（ポリスチレン基準）；重量平均分子量４．
６×１０⁵、分散度５．４

【００３０】実施例３ 実施例１において、ジクロロ［１，４‐ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）ブタン］パラジウムの代わりにジクロロ
［１，１′‐ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセ
ン］パラジウムを用いた以外は、実施例１と同様に反応
を行い、開封後反応混合物をガスクロマトグラフィーに
より分析した結果、原料の１，１，２，２‐テトラメチ
ル‐１，２‐ジシラシクロペンタンが５１％消費されて
いることが確認された。この反応混合物を実施例１と同
様に処理したところ、ポリ（テトラメチルジシリレン‐
トリメチレン）が消費された原料１，１，２，２‐テト
ラメチル‐１，２‐ジシラシクロペンタンに対して５０
％の収率で得られた。 ＧＰＣ分析（ポリスチレン基準）；重量平均分子量５．
１×１０⁵、分散度１８．３

【００３１】実施例４ 実施例１において、ジクロロ［１，４‐ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）ブタン］パラジウムの代わりにジクロロ
ビス（トリメチルホスフィン）パラジウムを用いた以外
は、実施例１と同様に反応を行い、開封後反応混合物を
ガスクロマトグラフィーにより分析した結果、原料の
１，１，２，２‐テトラメチル‐１，２‐ジシラシクロ
ペンタンが６５％消費されていることが確認された。こ
の反応混合物を実施例１と同様に処理したところ、ポリ
（テトラメチルジシリレン‐トリメチレン）が消費され
た原料１，１，２，２‐テトラメチル‐１，２‐ジシラ
シクロペンタンに対して３６％の収率で得られた。 ＧＰＣ分析（ポリスチレン基準）；重量平均分子量１．
７×１０³、分散度１．７

【００３２】実施例５ 実施例１において、１，１，２，２‐テトラメチル‐
１，２‐ジシラシクロペンタンの代わりに１，２，３，
４‐テトラメチル‐１，２，３，４‐テトラフェニルシ
クロテトラシランを用い、かつ溶媒としてトルエン０．
１ｍｌを用いた以外は、実施例１と同様に反応を行い、
反応混合物を²⁹Ｓｉ―ＮＭＲで分析したところ、２７％
の原料１，２，３，４‐テトラメチル‐１，２，３，４
‐テトラフェニルシクロテトラシランが消費されている
ことが確認された。この反応混合物を実施例１と同様に
処理したところ、下式で示される循環単位をもつポリ
（メチルフェニルシリレン）が消費された原料１，２，
３，４‐テトラメチル‐１，２，３，４‐テトラフェニ
ルシクロテトラシランに対して８１％の収率で得られ
た。ポリ（メチルフェニルシリレン）の各種分析データ
は文献記載の値と一致していた。

【００３３】

【化５】

【００３４】ＧＰＣ分析（ポリスチレン基準）；重量平
均分子量３．４×１０⁵、分散度３．９

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）環構成元素がケイ素原子又はケイ
   素原子と炭素原子とから成り、かつケイ素原子に結合し
   たフッ素原子を有しないＳｉ−Ｓｉ結合を環構造中に少
   なくとも１個有する四員環又は五員環の環状化合物を、
   （Ｂ）この環状化合物に対し等モル以下の量の、ケイ素
   原子に結合したフッ素原子を少なくとも１個有する鎖状
   ジシラン類及び（Ｃ）パラジウム錯体又は白金錯体の存
   在下に反応させることを特徴とする、主鎖構成元素がケ
   イ素原子又はケイ素原子と炭素原子とから成り、かつ主
   鎖中にＳｉ−Ｓｉ結合を有する高分子量の含ケイ素高分
   子重合体の製造方法。
2. 【請求項２】 （Ｂ）成分の鎖状ジシラン類を、（Ａ）
   成分の環状化合物１モルに対し、０．００１〜０．５モ
   ルの割合で用いる請求項１記載の製造方法。
3. 【請求項３】 （Ｃ）成分のパラジウム錯体又は白金錯
   体を、（Ａ）成分の環状化合物１モルに対し０．０００
   ０１〜０．５モルの割合で用いる請求項１又は２記載の
   製造方法。
4. 【請求項４】 反応温度が０〜２００℃である請求項
   １、２又は３記載の製造方法。