JPH08136576A

JPH08136576A - 半導体物理量センサ

Info

Publication number: JPH08136576A
Application number: JP30040994A
Authority: JP
Inventors: Takabumi Yanagisaki; 高文柳崎
Original assignee: Omron Corp; Omron Tateisi Electronics Co
Current assignee: Omron Corp
Priority date: 1994-11-08
Filing date: 1994-11-08
Publication date: 1996-05-31
Anticipated expiration: 2017-08-05
Also published as: JP3312158B2

Abstract

(57)【要約】【構成】ガラス製のカバー５の内面に、櫛歯状の導通
部１１ａとその間の隙間の逃がし部１１ｂからなる圧着
部１１を設ける。フレーム３の上面に凹設した引出し溝
１２の内面を絶縁膜１３で覆い、その上に櫛歯状の導通
部１４ａと逃がし部１４ｂからなる圧着部１４を設け
る。カバー５側の導通部１１ａをフレーム３側の逃がし
部１４ｂにはめ、フレーム３側の導通部１４ａをカバー
５側の逃がし部１１ｂにはめるようにして圧着部１１，
１４同志を押し潰して接合させる。【効果】加圧力により導通部は押し潰され、押し潰さ
れた導通部は逃がし部に広がるので、小さな力で確実に
接合できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体物理量センサに関
する。具体的には、圧力や加速度などの物理量を検出す
る半導体物理量センサの電極取出し構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１３は、従来の静電容量型圧力センサ
５１を示す断面図である。この圧力センサ５１にあって
は、フレーム５３のほぼ中央に弾性変形可能な薄膜状の
ダイアフラム５２が形成され、フレーム５３の上にカバ
ー５５が重ねられ、カバー５５の周辺部がフレーム５３
に接合されている。ダイアフラム５２の上面には可動電
極５６が形成され、可動電極５６はフレーム５３上面の
電極パッド（図示せず）に電気的に導通している。ダイ
アフラム５２の上面には窪み５４が形成されており、カ
バー５５の内面には可動電極５６と微小なギャップを隔
てて固定電極５７が形成されている。固定電極５７はカ
バー５５内面に配設された電極引出し部５８によって引
き出され、電極引出し部５８の端に設けた圧着パッド５
９とフレーム５３上面の圧着パッド６１とを圧着によっ
て接続し、圧着パッド６１をフレーム５３の上面の引出
し配線６０によりさらに引き出し、これにより固定電極
５７を引出し配線６０の端の別な電極パッド６２に接続
している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】この引出し配線６０
は、窪み５４からフレーム５３の側端部にかけてフレー
ム５３上面に凹設された溝状の配線部６３内に絶縁膜６
４を介して配設されている。また、電極引出し部５８の
圧着パッド５９や引出し配線６０の圧着パッド６１はそ
れぞれ、図１４に示すように平坦な平面状に形成されて
いた。このため、圧着パッド５９，６１の形成時にその
厚みがばらつき、圧着パッド５９，６１が規定の厚みよ
り薄くなった場合には２つの圧着パッド５９，６１が十
分に圧着されず電気的な接続不良を生じるという問題点
があった。

【０００４】また、圧着パッド５９，６１が規定の厚み
より厚くなった場合には圧着部分の重なり厚が大きくな
り、フレーム５３とカバー５５の間に隙間を生じて接合
が十分に行なえなかった。この結果、圧力センサ５１に
熱が加わった場合や例えばダイシング時などの製造工程
中にフレーム５３とカバー５５が剥がれてしまうという
問題があった。

【０００５】本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、隙間なくフ
レームとカバーを接合し、確実に固定電極をフレーム上
の電極パッドに引出すことにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体物理量セ
ンサは、物理量の検知部を設けた基板と、前記基板の少
なくとも片面に接合された基板とからなり、いずれか一
方の前記基板に、外部との電気的接続のための接続配線
を設け、他方の基板に、物理量の検知に関わる電極と当
該電極に接続する接続配線とを設け、前記２つの接続配
線を圧着することにより、前記２つの接続配線を電気的
に接続した半導体物理量センサにおいて、少なくとも一
方の前記接続配線の圧着部に、圧着により圧延された前
記接続配線が逃げることのできる逃がし部を設けたこと
を特徴としている。

【０００７】このとき、前記圧着部の少なくとも一部を
Ａｕから形成するのが好ましい。

【０００８】また、前記２枚の基板に設けた接続配線の
圧着部にそれぞれ前記逃がし部を設け、何れか一方の基
板の前記圧着部の接続配線を他方の基板の前記逃がし部
に圧入することがよく、あるいは、前記２つの圧着部の
接続配線を交差させることとしてもよい。

【０００９】また、何れか一方の基板に設けた接続配線
の圧着部に前記逃がし部を設け、他方の基板に設けた接
続配線の圧着部を平坦に形成することとしてもよい。

【００１０】例えば前記逃がし部を設けた圧着部は、櫛
歯状，島状，格子状，螺旋状，同心円状若しくは放射線
状のパターンとすることができる。

【００１１】さらには、一方の前記圧着部において接続
配線を平面視凸状に形成して当該接続配線の先端縁より
も先端側に逃がし部を設け、他方の圧着部において接続
配線を平面視凹状に形成して当該接続配線の先端縁より
も先端側に逃がし部を設け、前記平面視凸状をした圧着
部の接続配線の先端縁と前記平面視凹状をした圧着部の
接続配線の先端縁とを重ね合わせて接続するようにして
もよい。

【００１２】これらの半導体物理量センサは、前記検知
部の変化を静電容量変化として取り出す静電容量型セン
サとすることができ、圧力センサや加速度センサとして
用いることができる。

【００１３】

【作用】本発明の半導体物理量センサにあっては、圧着
部同志を加圧すると、圧延された圧着部の接続配線が逃
がし部へ広がって逃げる。圧着部の接続配線が潰れて逃
がし部へ逃げるので、小さな力で圧着部同志を潰して圧
着させることができ、基板同志を接合する加圧力によっ
て圧着部を十分に潰すことができ、圧着部に妨げられて
２枚の基板間に隙間が発生することがなく、基板同志を
確実に接合させることができる。しかも、圧着部の接続
配線が押し潰されることによって圧着部同志が確実に接
合され、接触不良を起こさせることなく２つの接続配線
を確実に接続することができる。

【００１４】Ａｕは軟らかくて圧延されやすいので、圧
着部の少なくとも一部例えば圧着部表面をＡｕから形成
すればより確実に圧着部を圧着させることができる。ま
た、Ａｕはシート抵抗も小さいので、圧着部の少なくと
も一部にＡｕを用いることが好ましい。

【００１５】また、２つの接続配線の圧着部にそれぞれ
逃がし部を設け、圧着部の接続配線が他方の逃がし部に
圧入させ、２つの圧着部を噛み合わせるようにすると、
より一層確実に圧着部を圧着させることができる。ある
いは、２つの圧着部を交差させるようにしてもより一層
確実に圧着部を圧着させることができる。

【００１６】また、いずれか一方の圧着部を平坦に形成
すれば、平坦となっている圧着部の何れかの場所で圧着
させることができるので、圧着部のアライメント精度に
関する要求を緩和することができる。

【００１７】これらの構造は、特に検知部の変化を静電
容量変化として取り出す静電容量型センサに有効であ
り、圧力センサや加速度センサなどに適用できる。

【００１８】

【実施例】図１に示すものは、本発明の一実施例である
静電容量型の圧力センサ１の一部破断した分解斜視図で
ある。圧力センサ１は、ほぼ円形をした弾性変形可能な
薄膜状のダイアフラム２がフレーム３のほぼ中央に配設
されており、フレーム３及びダイアフラム２は一体とし
てシリコンウエハから作製されている。検知圧力はダイ
アフラム２の下面に導入される。フレーム３の上面には
ガラス製のカバー５が重ねられ陽極接合法等によりその
周辺部をフレーム３に接合されている。また、フレーム
３にはダイアフラム２がその厚さ方向に変位できるよう
窪み４が形成されており、フレーム３の側端部から窪み
４にかけて圧力導入路８が凹設されている。ダイアフラ
ム２の上面は導電性を有する可動電極６となっており、
フレーム３上面の露出箇所に形成された電極パッド９に
電気的に導通している。

【００１９】カバー５の内面には固定電極７や電極引出
し部（接続配線）１０及び圧着部１１が形成されてい
る。固定電極７、電極引出し部１０及び圧着部１１は、
例えばアルミニウムやＡｕ等をスパッタリングすること
によって一体として形成することができる。また、フレ
ーム３の上面には、窪み４から外周面にかけて引出し溝
１３が凹設されており、引出し溝１３の底面は絶縁膜１
２で覆われている。絶縁膜１２上には圧着部１４、電極
パッド１５及びそれらを電気的に接続する引出し配線
（接続配線）１６が形成されている。圧着部１４や引出
し配線１６及び電極パッド１５は、例えばアルミニウム
やＡｕ等をスパッタリングすることによって一体として
形成される。

【００２０】図２に示すものは圧力センサ１におけるカ
バー５側の圧着部１１とフレーム３側の圧着部１４の斜
視図であって、圧着部１１は線状の導通部（接続配線）
１１ａが櫛歯状に形成され、電極引出し部１０の表面よ
りわずかに飛び出るように形成されている。この導通部
１１ａと導通部１１ａの間には逃がし部１１ｂとなる隙
間が形成されている。この導通部１１ａは、例えばスパ
ッタリング時に櫛歯状のパターンを有するマスクを用い
たり、後からエッチングしたりすることにより形成され
る。一方、フレーム３側の圧着部１４も、線状の導通部
（接続配線）１４ａが櫛歯状に形成されており、引出し
配線１６の表面よりわずかに飛び出るように形成されて
いる。この導通部１４ａと導通部１４ａの間にも逃がし
部１４ｂとなる隙間が形成されている。

【００２１】しかして、圧着部１１と圧着部１４を対向
させてカバー５とフレーム３とを加圧して接合すると、
図３に示すように、圧着部１１の導通部１１ａは圧着部
１４の逃がし部１４ｂに噛み合うように圧入され、又、
圧着部１４の導通部１４ａは圧着部１１の逃がし部１４
ｂに噛み合うように圧入される。このとき、圧着により
押し潰された導通部１１ａ及び導通部１４ａは、導通部
１１ａ間の逃がし部１１ｂや導通部１４ａ間の逃がし部
１４ｂへ押し出され、互いに潰れ合って圧着部１１と圧
着部１４が接合される。従って、圧着部１１及び１４の
余分の厚みは導通部１１ａ，１４ａが逃がし部１１ｂ，
１４ｂへはみ出すことによって吸収され、その結果圧着
部１１，１４に妨げられてフレーム３とカバー５の間に
隙間が生じることがなくなり、フレーム３とカバー５を
確実に接合させることができる。しかも、圧着部１１と
圧着部１４も導通部１１ａ，１４ａ同志が潰れて圧壊す
ることによって確実に電気的に接続される。よって、フ
レーム３とカバー５の接合を妨げることなく固定電極７
を確実に電極パッド１５へ電気的に引き出すことがで
き、静電容量型センサの接続不良を防止できる。また、
製造工程中でカバー５が剥がれたりせず圧力センサ１の
歩留りを高めるとともに、信頼性の高い圧力センサ１を
提供できる。さらに、圧着部１１，１４が高い厚み精度
を要求されなくなるので、製造工程を簡略にすることが
できる。

【００２２】図４は本発明の別な実施例における圧着部
１１の構造を示す正面図である。この実施例のように、
圧着部１１をクロム層１８とＡｕ層１７の２層構造と
し、Ａｕ層１７同志を圧着させることとすれば、その軟
らかさのためにより一層圧着性を高めることができる。
また、Ａｕ（例えば細かなＡｕ粒子）を導通部１１ａや
導通部１４ａに混入することによっても同様な効果を得
ることができる。圧着部１４についても、同じ電極構造
としてもよい。

【００２３】また、図示しないが、クロム層、ニッケル
層、Ａｕ層の３層構造としても同様な効果を得ることが
できる。、

【００２４】図５に示すものは本発明のさらに別な実施
例における圧着部１１と圧着部１４の構造を示す斜視図
である。圧着部１１では、導通部１１ａが縦方向の櫛歯
状に形成され、圧着部１４では、導通部１４ａが横方向
に平行に形成されており、フレーム３とカバー５との接
合によってそれぞれの導通部１１ａ，１４ｂが交差する
ように圧着され、互いに圧着された導通部１１ａ，１４
ａは導通部１１ａの間の逃がし部１１ｂや導通部１４ａ
の間の逃がし部１４ｂへ押し潰される。このように導通
部１１ａや導通部１４ａを交差するように形成すること
により、導通部１１ａと導通部１４ａは確実に接続さ
れ、より一層接続不良が少なくなる。また、分離してい
た導通部１４ａ同志は、圧着後は、導通部１１ａを介し
て電気的に接続される。

【００２５】図６（ａ）（ｂ）に示すものはそれぞれ、
本発明のさらに別な実施例における圧着部１１及び圧着
部１４の平面図である。カバー５側の圧着部１１は平坦
な平面状に形成されており、フレーム３側の圧着部１４
では導通部１４ａは格子状に形成されている。圧着部１
１と圧着部１４を圧着させると、導通部１４ａが潰れて
開口状に散在している逃がし部１４ｂへ広がり、圧着部
１４が薄くなるので、隙間なくカバー５とフレーム３を
接合することができる。もちろん、フレーム３側の圧着
部１４を平坦な平面状に形成し、カバー５側の圧着部１
１に格子状の導通部１１ａを形成することとしてもよ
い。このように、カバー５の圧着部１１又はフレーム３
の圧着部１４のいずれか一方に、格子状の導通部１１ａ
又は１４ａを形成し、残る一方を平坦な平面状とするこ
とにより、圧着部１１と圧着部１４とを厳密に位置合わ
せする必要がなくなり、アライメント精度の要求を緩和
できる。

【００２６】図７（ａ）（ｂ）は本発明のさらに別な実
施例における圧着部１１及び圧着部１４を示す平面図で
ある。カバー５側の圧着部１１は平坦な平面状に形成さ
れており、フレーム３側の圧着部１４に島状の導通部１
４ａを散在させ、その間に格子状の逃がし部１４ｂを形
成している。なお、分離していた導通部１４ａは圧着さ
れた後は、導通部１４ａが押し潰されることによって互
いに接触し、電気的に接続される。

【００２７】上記パターン以外にも圧着部１１，１４の
形状としては種々のものが可能である。その一部のパタ
ーンを以下に示す。

【００２８】図８に示すものは、フレーム３側の圧着部
１４において、螺旋状の導通部１４ａを形成し、その間
に螺旋状の逃がし部１４ｂを形成している。

【００２９】図９（ａ）（ｂ）に示すものでは、電極引
出し部１０の先端に円形ないし半円形の平坦な圧着部１
１を設けている。また、圧着部１４は、円形と放射線状
（十字状）からなる導通部１４ａと、導通部１４ａに囲
まれた逃がし部１４ｂとからなっている。図示はしない
が、円環状の部分を除いて放射線状の導通部１４ａとし
たり、同心円状パターンの導通部１４ａを用いてもよ
い。

【００３０】また、図示しないが、一方の導通部を島状
に形成し、他方の導通部を格子状に形成し、一方の島状
の導通部が他方の格子状の導通部に形成された島状の逃
がし部にはまり込んで圧入されるようにすれば圧着領域
を広くすることができる。

【００３１】図１０（ａ）（ｂ）に示す例では、カバー
５側においては圧着部１１の導通部１１ａは平面視凸状
のパターンに形成され、導通部１１ａの先端縁よりも先
端側には導通部１１ａの縁に沿って逃がし部１１ｂが設
けられている。また、フレーム３側においては圧着部１
４の導通部１４ａは平面視凹状のパターンに形成され、
導通部１４ａの先端縁よりも先端側には導通部１４ａの
縁に沿って逃がし部１４ｂが設けられている。ここで、
カバー５側の導通部１１ａの中央に突出した凸部の幅
は、フレーム３側の導通部１４ａの中央で窪んだ凹部の
内幅よりも大きな幅となっている。従って、圧着部１
１，１４同志の圧着時には、図１１に示すように２つの
導通部１１ａ，１４ａの先端縁同志を全長にわたって
（あるいは、先端縁の一部を）重複させて圧着でき、電
気的に接続することができる。この時、押し潰された導
通部１１ａ，１４ａは、導通部１１ａ，１４ａよりも先
端側の逃がし部１１ｂ，１４ｂへ広がることができるの
で、小さな加圧力で潰れ易くなっている。

【００３２】図１２に示すものは、本発明のさらに別な
実施例である加速度センサ２１を示す断面図である。こ
の加速度センサ２１にあっては、角枠状をしたフレーム
２２のほぼ中央でマス部２３が弾性を有するビーム２４
によって支持されており、マス部２３がその厚さ方向に
自由に変位できるようになっている。マス部２３の上面
において、フレーム２３には窪み２５が形成されてい
る。マス部２３やビーム２４及びフレーム２２はシリコ
ンウエハから一体として作製されており、マス部２３の
上面には可動電極２６が形成され、フレーム２２上面の
電極パッド（図示せず）に電気的に導通させられてい
る。フレーム２２の上面にはガラス製のカバー２７が重
ねられ、陽極接合法等によりその周辺部をフレーム２２
に接合されている。カバー２７の内面には可動電極２６
と微小なギャップを隔てて固定電極２８が設けられてお
り、固定電極２８から引出された電極引出し部３０の端
には圧着部２９が設けられている。また、フレーム２２
の上面には、窪み２５からフレーム２２の外周面にかけ
て引出し溝３１が凹設されており、引出し溝３１の底面
は絶縁膜３２により覆われている。また、引出し溝３１
内には圧着部３３や電極パッド３４が形成されており、
圧着部３３と電極パッド３４はこれらと一体として形成
された引出し配線３５によって電気的に接続されてい
る。

【００３３】この加速度センサ２１の圧着部２９や圧着
部３３には、圧力センサ１の圧着部１１や圧着部１４に
関して種々説明したのと同様な導通部や逃がし部が形成
されており、それによってカバー２７とフレーム２３と
を隙間なく確実に接合できるようにしている。また、圧
着部２９及び３３同志も確実に接続される。なお、加速
度センサ２１は、加速度を感知するとマス部２３がその
厚さ方向に変位して、可動電極２６と固定電極２８との
ギャップが変化し、電極２６，２８間の静電容量が変化
するので、この静電容量の変化を検知することにより加
速度センサ２１に加わった加速度の大きさを検出するこ
とができる。また、この加速度センサ２１は振動を検出
する振動センサとしても用いることができる。

【００３４】なお、上記実施例では、シリコン製の基板
（フレーム）とガラス製の基板（カバー）を接合する場
合について説明したが、基板の材質はシリコンやガラス
には限定されない。例えば、シリコン製のカバーをシリ
コン製のフレームに接合する場合、ガラス製のカバーを
ＧａＡｓなどの化合物半導体からなるフレームに接合す
る場合などにも適用できる。もちろん、基板同志の接合
方法としては、陽極接合法以外にも、シリコン基板とシ
リコン基板の直接接合法、水ガラスを用いて基板同志を
接合する方法なども用いることができる。

【００３５】また、上記実施例のようにフレームの上面
にカバーを接合した２層構造の圧力センサや加速度セン
サに限らず、例えば、シリコン製のフレームの上下両面
にガラス製のカバーを接合した３層構造の圧力センサや
加速度センサ、あるいはガラス製のカバーの上下両面に
シリコン製のフレームを接合した３層構造の圧力センサ
や加速度センサなどに適用できるのはいうまでもない。

【００３６】

【発明の効果】本発明によれば、２枚の基板を隙間なく
確実に接合することができ、しかも、いずれか一方の基
板に設けた圧着部と他方の基板に設けた圧着部とを確実
に接続することができる。

【００３７】このとき、接続配線の圧着部の一部をＡｕ
から形成すればより確実に圧着部を圧着させることがで
きる。半導体物理量センサの不良品発生率を低減させる
ことができ、信頼性の高いセンサを作製することができ
る。

【００３８】また、２つの圧着部を噛み合わせるように
互いに圧入させて一層確実に圧着部を圧着させ、あるい
は２つの圧着部を交差させてより一層確実に圧着部を圧
着させることができる。

【００３９】また、一方の圧着部を平坦に形成すれば、
圧着部のアライメント精度を緩やかにすることができ
る。

【００４０】これらの構造は、特に検知部の変化を静電
容量変化として取り出される静電容量型センサに有効で
あり、圧力センサや加速度センサなどに適用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である圧力センサを一部破断
した分解斜視図である。

【図２】同上の圧力センサのカバー側とフレーム側の圧
着部を示す斜視図である。

【図３】同上の圧着部同志を圧着させる時の様子を示す
概略断面図である。

【図４】本発明の別な実施例である圧力センサのカバー
側の圧着部を示す正面図である。

【図５】本発明のさらに別な実施例である圧力センサの
カバー側とフレーム側の圧着部を示す斜視図である。

【図６】（ａ）は本発明のさらに別な実施例である圧力
センサのカバー側の圧着部を示す平面図、（ｂ）はフレ
ーム側の圧着部を示す平面図である。

【図７】（ａ）は本発明のさらに別な実施例である圧力
センサのカバー側の圧着部を示す平面図、（ｂ）はフレ
ーム側の圧着部を示す平面図である。

【図８】本発明のさらに別な実施例である圧力センサの
フレーム側の圧着部を示す平面図である。

【図９】（ａ）は本発明のさらに別な実施例である圧力
センサのカバー側の圧着部を示す平面図、（ｂ）はフレ
ーム側の圧着部を示す平面図である。

【図１０】（ａ）は本発明のさらに別な実施例である圧
力センサのカバー側の圧着部を示す平面図、（ｂ）はフ
レーム側の圧着部を示す平面図である。

【図１１】同上のカバー側の圧着部とフレーム側の圧着
部との圧着状態を示す説明図である。

【図１２】本発明のさらに別な実施例である加速度セン
サを示す断面図である。

【図１３】従来例である圧力センサを示す断面図であ
る。

【図１４】同上の圧力センサのカバー側とフレーム側の
圧着部を示す斜視図である。

【符号の説明】

３フレーム４可動電極５カバー７固定電極８圧力導入口１０電極引出し部１１，１４圧着部１１ａ，１４ａ導通部１１ｂ，１４ｂ逃がし部１２引出し溝１３絶縁膜１６引出し配線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】物理量の検知部を設けた基板と、前記基板の少なくとも片面に接合された基板とからな
り、いずれか一方の前記基板に、外部との電気的接続のため
の接続配線を設け、他方の基板に、物理量の検知に関わる電極と当該電極に
接続する接続配線とを設け、前記２つの接続配線を圧着することにより、前記２つの
接続配線を電気的に接続した半導体物理量センサにおい
て、少なくとも一方の前記接続配線の圧着部に、圧着により
圧延された前記接続配線が逃げることのできる逃がし部
を設けたことを特徴とする半導体物理量センサ。
【請求項２】前記圧着部の少なくとも一部はＡｕから
なることを特徴とする請求項１に記載の半導体物理量セ
ンサ。
【請求項３】前記２枚の基板に設けた接続配線の圧着
部にそれぞれ前記逃がし部を設け、何れか一方の基板の
前記圧着部の接続配線が他方の基板の前記逃がし部に圧
入したことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体
物理量センサ。
【請求項４】前記２枚の基板に設けた接続配線の圧着
部にそれぞれ前記逃がし部を設け、前記２つの圧着部の
接続配線が交差したことを特徴とする請求項１又は２に
記載の半導体物理量センサ。
【請求項５】何れか一方の基板に設けた接続配線の圧
着部に前記逃がし部を設け、他方の基板に設けた接続配
線の圧着部を平坦に形成したことを特徴とする請求項１
又は２に記載の半導体物理量センサ。
【請求項６】前記逃がし部を設けた圧着部は、櫛歯
状，島状，格子状，螺旋状，同心円状若しくは放射線状
のパターンを有することを特徴とする請求項１，２，
３，４又は５に記載の半導体物理量センサ。
【請求項７】一方の前記圧着部において接続配線を平
面視凸状に形成して当該接続配線の先端縁よりも先端側
に逃がし部を設け、他方の圧着部において接続配線を平
面視凹状に形成して当該接続配線の先端縁よりも先端側
に逃がし部を設け、前記平面視凸状をした圧着部の接続
配線の先端縁と前記平面視凹状をした圧着部の接続配線
の先端縁とを重ね合わせて接続したことを特徴とする請
求項１又は２に記載の半導体物理量センサ。
【請求項８】前記半導体物理量センサは、前記検知部
の変化を静電容量変化として取り出される静電容量型セ
ンサであることを特徴とする請求項１，２，３，４，
５，６又は７に記載の半導体物理量センサ。
【請求項９】前記半導体物理量センサは、圧力センサ
であることを特徴とする請求項１，２，３，４，５，
６，７又は８に記載の半導体物理量センサ。
【請求項１０】前記半導体物理量センサは、加速度セ
ンサであることを特徴とする請求項１，２，３，４，
５，６，７又は８に記載の半導体物理量センサ。