JPH08136577A - 導電性キャップおよび基板を含む電子素子エンクロージャ - Google Patents
導電性キャップおよび基板を含む電子素子エンクロージャInfo
- Publication number
- JPH08136577A JPH08136577A JP7270650A JP27065095A JPH08136577A JP H08136577 A JPH08136577 A JP H08136577A JP 7270650 A JP7270650 A JP 7270650A JP 27065095 A JP27065095 A JP 27065095A JP H08136577 A JPH08136577 A JP H08136577A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cap
- electronic device
- enclosure
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P1/00—Details of instruments
- G01P1/02—Housings
- G01P1/023—Housings for acceleration measuring devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5366—Shapes of wire connectors the bond wires having kinks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 寄生容量による悪影響を低減する加速度計用
エンクロージャを提供する。 【解決手段】 例えば加速度計のような電子素子（２
６）用エンクロージャ（８）において、電子素子（２
６）の下に位置する導電性半導体基板（１２）と、電子
素子（２６）を覆う導電性キャップ（１６）と、各々ほ
ぼ固定された電位を有する１つ以上の出力（２７，２
９）とを含み、一方の出力が導電性半導体基板（１２）
に、他方の出力が導電性キャップ（１６）に電気的に結
合されている。好適実施例では、基板（１２）とキャッ
プ（１６）は同一電源出力（２７）に結合されている。
この結合によって、基板（１２）およびキャップ（１
６）の寄生容量の悪影響を殆ど除去し、容量性加速度計
が電子素子（２６）として用いられるときの測定誤差お
よびＥＭＩを減少させる。
エンクロージャを提供する。 【解決手段】 例えば加速度計のような電子素子（２
６）用エンクロージャ（８）において、電子素子（２
６）の下に位置する導電性半導体基板（１２）と、電子
素子（２６）を覆う導電性キャップ（１６）と、各々ほ
ぼ固定された電位を有する１つ以上の出力（２７，２
９）とを含み、一方の出力が導電性半導体基板（１２）
に、他方の出力が導電性キャップ（１６）に電気的に結
合されている。好適実施例では、基板（１２）とキャッ
プ（１６）は同一電源出力（２７）に結合されている。
この結合によって、基板（１２）およびキャップ（１
６）の寄生容量の悪影響を殆ど除去し、容量性加速度計
が電子素子（２６）として用いられるときの測定誤差お
よびＥＭＩを減少させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的に電子素子に関
し、更に特定すれば、電子素子用導電性エンクロージャ
に関するものである。
し、更に特定すれば、電子素子用導電性エンクロージャ
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】微小電子素子は、通常エンクロージャ内
に収容され、有害な環境要因から保護されている。製造
の際にエンクロージャ内に収容される電子素子の具体的
なタイプの１つに、容量検出式加速度計(capacitive se
nse accelerometer)がある。かかる従来の加速度計は、
支持基板上に形成された３枚の平行ポリシリコン層で形
成された検出素子を用いる。加速度計は封入され、頂部
キャップで気密封止される。中央のポリシリコン層は、
振動質量(seismic mass)として作用し、加速度に応答し
て自由に移動する中央板を形成する。外部からの力がな
ければ、中央板は、他の２枚のポリシリコン板間の中心
に位置し、その結果、上部と下部の容量値は等しくな
る。外部加速度が存在すると、中央板が移動し、その結
果差分容量変化が生じ、これから駆動加速度を決定する
ことができる。かかる検出加速度計は、Ristic et al.
の"A Capacitive Type Accelerometer with Self-Test
FeatureBased on a Double-Pinned Polysilicon Struct
ure", (7th International Conference on Solid-State
Sensors and Actuators: Transducers 1993, Yokoham
a, Japan, June 7-10, 1993, Digest of Technical Pap
ers, pp. 810-813)に記載されている。これは、本発明
にも使用されるものである。
に収容され、有害な環境要因から保護されている。製造
の際にエンクロージャ内に収容される電子素子の具体的
なタイプの１つに、容量検出式加速度計(capacitive se
nse accelerometer)がある。かかる従来の加速度計は、
支持基板上に形成された３枚の平行ポリシリコン層で形
成された検出素子を用いる。加速度計は封入され、頂部
キャップで気密封止される。中央のポリシリコン層は、
振動質量(seismic mass)として作用し、加速度に応答し
て自由に移動する中央板を形成する。外部からの力がな
ければ、中央板は、他の２枚のポリシリコン板間の中心
に位置し、その結果、上部と下部の容量値は等しくな
る。外部加速度が存在すると、中央板が移動し、その結
果差分容量変化が生じ、これから駆動加速度を決定する
ことができる。かかる検出加速度計は、Ristic et al.
の"A Capacitive Type Accelerometer with Self-Test
FeatureBased on a Double-Pinned Polysilicon Struct
ure", (7th International Conference on Solid-State
Sensors and Actuators: Transducers 1993, Yokoham
a, Japan, June 7-10, 1993, Digest of Technical Pap
ers, pp. 810-813)に記載されている。これは、本発明
にも使用されるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来技術の加速
度計で発見されたこれまでに確認されていなかった問題
は、検出素子の上側および下側コンデンサから封入キャ
ップおよび下地の基板への寄生容量によって、検出素子
の出力感度が減少するということである。かかる寄生容
量の存在は、ある場合には、約５０パーセントも加速度
計の感度を低下させることが発見されている。したがっ
て、支持基板および封入キャップの寄生容量による悪影
響を低減する加速度計用エンクロージャが必要とされて
いる。
度計で発見されたこれまでに確認されていなかった問題
は、検出素子の上側および下側コンデンサから封入キャ
ップおよび下地の基板への寄生容量によって、検出素子
の出力感度が減少するということである。かかる寄生容
量の存在は、ある場合には、約５０パーセントも加速度
計の感度を低下させることが発見されている。したがっ
て、支持基板および封入キャップの寄生容量による悪影
響を低減する加速度計用エンクロージャが必要とされて
いる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】端的に述べれば、本発明
は、電子素子用エンクロージャを提供するものである。
このエンクロージャは、電子素子の下側に位置する導電
性半導体基板と、電子素子を覆う導電性キャップと、ほ
ぼ固定された電位を有する第１電源出力であって、導電
性半導体基板に電気的に結合されている第１電源出力
と、ほぼ固定された電位を有する第２電源出力であっ
て、導電性キャップに結合されている第２電源出力とを
含む。好適実施例では、第１電源出力は基板とキャップ
との双方に結合されている。電源出力を基板とキャップ
に結合することにより、電子素子と基板間および電子素
子とキャップ間の寄生容量の悪影響をほぼ根絶すること
ができる。結果的に得られる利点は、例えば、容量式加
速度計を電子素子として用いるときの測定誤差を小さく
できることである。また、このように結合することによ
って、電子素子に効果的な電磁干渉（ＥＭＩ）遮蔽を設
けることができる。
は、電子素子用エンクロージャを提供するものである。
このエンクロージャは、電子素子の下側に位置する導電
性半導体基板と、電子素子を覆う導電性キャップと、ほ
ぼ固定された電位を有する第１電源出力であって、導電
性半導体基板に電気的に結合されている第１電源出力
と、ほぼ固定された電位を有する第２電源出力であっ
て、導電性キャップに結合されている第２電源出力とを
含む。好適実施例では、第１電源出力は基板とキャップ
との双方に結合されている。電源出力を基板とキャップ
に結合することにより、電子素子と基板間および電子素
子とキャップ間の寄生容量の悪影響をほぼ根絶すること
ができる。結果的に得られる利点は、例えば、容量式加
速度計を電子素子として用いるときの測定誤差を小さく
できることである。また、このように結合することによ
って、電子素子に効果的な電磁干渉（ＥＭＩ）遮蔽を設
けることができる。
【０００５】
【実施例】図１ないし図３を参照して、本発明をより詳
しく説明する。図１は、電子素子２６（図２に示す）用
エンクロージャ８の断面図である。誘電体層１０が導電
性半導体基板１２上に被着され、更に接合層１４が誘電
体層１０上に被着されている。接合層１４内に電子素子
２６を収容するための空洞１８が設けられている。導電
性キャップ１６が空洞１８を覆い、接合層１４上に配置
されている。接合層１４は空洞１８を包囲するので、電
子素子２６が空洞１８内に気密封止される。接合層１４
は、例えば、厚さが約５０ミクロン未満であることが好
ましい。好適実施例では、キャップ１６は基板１２に用
いた半導体物質と同様のもので形成される。
しく説明する。図１は、電子素子２６（図２に示す）用
エンクロージャ８の断面図である。誘電体層１０が導電
性半導体基板１２上に被着され、更に接合層１４が誘電
体層１０上に被着されている。接合層１４内に電子素子
２６を収容するための空洞１８が設けられている。導電
性キャップ１６が空洞１８を覆い、接合層１４上に配置
されている。接合層１４は空洞１８を包囲するので、電
子素子２６が空洞１８内に気密封止される。接合層１４
は、例えば、厚さが約５０ミクロン未満であることが好
ましい。好適実施例では、キャップ１６は基板１２に用
いた半導体物質と同様のもので形成される。
【０００６】エンクロージャ８を形成するために、接合
層１４には、例えば、フリット・ガラス(frit glass)を
用い、後に空洞１８を設けるようにスクリーン印刷によ
ってキャップ１６の表面上でパターニングされたもので
ある。フリット・ガラスは、当技術では粉末ガラス(pow
der glass)としても知られており、ガラス粒子を有機固
着剤(binder)または溶剤に分散させた混合物である。ス
クリーン印刷の後、フリット・ガラスを加熱し、有機固
着剤または溶剤を蒸発させ、加熱している間に、フリッ
ト・ガラスを基板１２上に接触させて配置する。次に、
フリット・ガラスの表面をエナメル状(enamel)または液
状とし(flow)、キャップ１６を基板１２に接合し、同時
に空洞１８を形成する。
層１４には、例えば、フリット・ガラス(frit glass)を
用い、後に空洞１８を設けるようにスクリーン印刷によ
ってキャップ１６の表面上でパターニングされたもので
ある。フリット・ガラスは、当技術では粉末ガラス(pow
der glass)としても知られており、ガラス粒子を有機固
着剤(binder)または溶剤に分散させた混合物である。ス
クリーン印刷の後、フリット・ガラスを加熱し、有機固
着剤または溶剤を蒸発させ、加熱している間に、フリッ
ト・ガラスを基板１２上に接触させて配置する。次に、
フリット・ガラスの表面をエナメル状(enamel)または液
状とし(flow)、キャップ１６を基板１２に接合し、同時
に空洞１８を形成する。
【０００７】上述のエンクロージャ８を形成する際、空
洞１８は全ての場合に必要な訳ではないことは認められ
よう。例えば、電子素子２６が可動機械的部分を有さな
い場合、接合層１４は電子素子２６の要素(element)を
完全に包囲しこれと接触しても悪影響は起こらないの
で、空洞１８は不要となる。
洞１８は全ての場合に必要な訳ではないことは認められ
よう。例えば、電子素子２６が可動機械的部分を有さな
い場合、接合層１４は電子素子２６の要素(element)を
完全に包囲しこれと接触しても悪影響は起こらないの
で、空洞１８は不要となる。
【０００８】本発明によれば、基板１２およびキャップ
１６は、電源２５に結合されている。電源２５は、ほぼ
固定された電位を有する第１出力２７と、ほぼ固定され
た電位を有する第２出力２９とを供給する。第２出力２
９は、第１出力２７の大きさと同一でも異なっていても
よい。好適実施例では、基板１２とキャップ１６は双方
とも第１出力２７に電気的に結合されているが、これに
ついては以下で論じる。
１６は、電源２５に結合されている。電源２５は、ほぼ
固定された電位を有する第１出力２７と、ほぼ固定され
た電位を有する第２出力２９とを供給する。第２出力２
９は、第１出力２７の大きさと同一でも異なっていても
よい。好適実施例では、基板１２とキャップ１６は双方
とも第１出力２７に電気的に結合されているが、これに
ついては以下で論じる。
【０００９】図１を参照すると、好適実施例において、
第１出力２７がボンディング・パッド２２に接続されて
いる。ボンディング・パッド２２は金属であることが好
ましい。電気的導体２４がボンディング・パッド２２を
金属層２０に接続する。金属層２０は、例えばスパッタ
リングによって、キャップ１６上に形成されたものであ
る。金属層２０は、導体２４によるキャップ１６への電
気的接続を容易にするために設けられている。また、導
体２４は、公知のように、ワイヤ・ボンドである。電源
２５の第１出力２７は、ワイヤ・ボンドのような従来の
手段によって、ボンディング・パッド２２に接続されて
いる。例えば、ワイヤ・ボンドを、別個であるが隣接す
る電源２５を含む集積回路（図示せず）のボンド・パッ
ドから、ボンディング・パッド２２までスティッチし(s
titch)、更にスティッチを切らずに金属層２０までステ
ィッチすることができる。これらの接続に続いて、電源
２５の第１出力２７を、基板１２およびキャップ１６の
双方に電気的に接続する。図１では、任意の第２出力２
９をフローティング状態として示し、本好適実施例に対
応させている。
第１出力２７がボンディング・パッド２２に接続されて
いる。ボンディング・パッド２２は金属であることが好
ましい。電気的導体２４がボンディング・パッド２２を
金属層２０に接続する。金属層２０は、例えばスパッタ
リングによって、キャップ１６上に形成されたものであ
る。金属層２０は、導体２４によるキャップ１６への電
気的接続を容易にするために設けられている。また、導
体２４は、公知のように、ワイヤ・ボンドである。電源
２５の第１出力２７は、ワイヤ・ボンドのような従来の
手段によって、ボンディング・パッド２２に接続されて
いる。例えば、ワイヤ・ボンドを、別個であるが隣接す
る電源２５を含む集積回路（図示せず）のボンド・パッ
ドから、ボンディング・パッド２２までスティッチし(s
titch)、更にスティッチを切らずに金属層２０までステ
ィッチすることができる。これらの接続に続いて、電源
２５の第１出力２７を、基板１２およびキャップ１６の
双方に電気的に接続する。図１では、任意の第２出力２
９をフローティング状態として示し、本好適実施例に対
応させている。
【００１０】あるいは、ボンディング・パッド２２を用
いて基板１２を第１出力２７に接続し、更にボンディン
グ・パッド２２に接触しない第２導体（図示せず）によ
ってキャップ１６を第２出力２９に接続してもよい。更
に、代替案として、第２電源（図示せず）によって第２
出力２８を供給してもよい。
いて基板１２を第１出力２７に接続し、更にボンディン
グ・パッド２２に接触しない第２導体（図示せず）によ
ってキャップ１６を第２出力２９に接続してもよい。更
に、代替案として、第２電源（図示せず）によって第２
出力２８を供給してもよい。
【００１１】電源２５のインピーダンスを十分低くする
ことによって、第１および第２出力２７，２９は、電子
素子２６（図２に示す）から基板１２およびキャップ１
６に容量的に結合する寄生過渡電流の殆どを分流させる
ことができる。これについては、以下に更に詳細に説明
する。電源２５に適した低インピーダンス電源の一例と
して、公知のバンドギャップ・レギュレータ電源(bandg
ap regulator power supply)があげられる。
ことによって、第１および第２出力２７，２９は、電子
素子２６（図２に示す）から基板１２およびキャップ１
６に容量的に結合する寄生過渡電流の殆どを分流させる
ことができる。これについては、以下に更に詳細に説明
する。電源２５に適した低インピーダンス電源の一例と
して、公知のバンドギャップ・レギュレータ電源(bandg
ap regulator power supply)があげられる。
【００１２】上述のように、電源２５は、基板１２に隣
接する別個の集積回路（図示せず）上に設けてもよい。
この別個の集積回路と基板１２は、通常共通リードフレ
ーム上に配置され、従来の方法を用いてプラスチック・
パッケージ内にモールドされる。あるいは、電源２５を
基板１２上に設けてもよい。
接する別個の集積回路（図示せず）上に設けてもよい。
この別個の集積回路と基板１２は、通常共通リードフレ
ーム上に配置され、従来の方法を用いてプラスチック・
パッケージ内にモールドされる。あるいは、電源２５を
基板１２上に設けてもよい。
【００１３】半導体基板１２とキャップ１６は双方とも
導電性なので、電源２５への適当な電気的接続が、実質
的に基板１２およびキャップ１６の範囲全体にわたって
確保される。好適実施例では、基板１２とキャップ１６
は双方共、約１０18原子／ｃｍ3より高いドーパント濃
度を有するｎ−型シリコンであることが好ましい。しか
しながら、他の実施例では、キャップ１６を、導電性ポ
リマや金属合金（例えば、Kovarという商標で販売され
ている合金）のように、他の物質で形成することもでき
る。これら他の物質は、シリコンと同様の熱膨張率を有
することが好ましい。
導電性なので、電源２５への適当な電気的接続が、実質
的に基板１２およびキャップ１６の範囲全体にわたって
確保される。好適実施例では、基板１２とキャップ１６
は双方共、約１０18原子／ｃｍ3より高いドーパント濃
度を有するｎ−型シリコンであることが好ましい。しか
しながら、他の実施例では、キャップ１６を、導電性ポ
リマや金属合金（例えば、Kovarという商標で販売され
ている合金）のように、他の物質で形成することもでき
る。これら他の物質は、シリコンと同様の熱膨張率を有
することが好ましい。
【００１４】誘電体層１０は、電子素子２６（図２に示
す）を基板１２から絶縁する。例えば、誘電体層１０
は、公知のシリコン局部酸化(LOCOS:local oxidation o
f silicon)プロセスのような、既知のフィールド酸化方
法を用いて形成された、フィールド酸化物層上に被着さ
れた窒化物層である。あるいは、酸化物層を成長させ、
パターニングしてもよい。誘電体層１０に開口を形成す
ることによって、ボンディング・パッド２２を直接基板
１２に接触させることができる。また、ボンディング・
パッド２２は、例えば、約１０20原子／ｃｍ3のｎ−型
ドーパント濃度を有する、ドープされたポリシリコン層
（図示せず）上に形成してもよい。
す）を基板１２から絶縁する。例えば、誘電体層１０
は、公知のシリコン局部酸化(LOCOS:local oxidation o
f silicon)プロセスのような、既知のフィールド酸化方
法を用いて形成された、フィールド酸化物層上に被着さ
れた窒化物層である。あるいは、酸化物層を成長させ、
パターニングしてもよい。誘電体層１０に開口を形成す
ることによって、ボンディング・パッド２２を直接基板
１２に接触させることができる。また、ボンディング・
パッド２２は、例えば、約１０20原子／ｃｍ3のｎ−型
ドーパント濃度を有する、ドープされたポリシリコン層
（図示せず）上に形成してもよい。
【００１５】上述のフリット・ガラスは絶縁物である
が、別の実施例では、導電性物質を接合層１４に用いる
ことも可能である。こうすると、基板１２とキャップ１
６との間に新たに電気的接続を設けなくても、電気的な
接続をこれらの間に得ることができる。この実施例で
は、金属層２０は必要でないことに注意されたい。
が、別の実施例では、導電性物質を接合層１４に用いる
ことも可能である。こうすると、基板１２とキャップ１
６との間に新たに電気的接続を設けなくても、電気的な
接続をこれらの間に得ることができる。この実施例で
は、金属層２０は必要でないことに注意されたい。
【００１６】加えて、接合層１４は、絶縁成分と導電成
分との組み合わせで構成することもできる。この場合、
接合層１４の導電成分が、基板１２とキャップ１６との
間に適当な電気接続を与えれば十分である。一例とし
て、ボンディング・パッド２２を形成するために用いら
れる導電性物質に、キャップ１６の下に位置する誘電体
層１０の部分の上に導電性物質を残すようにパターニン
グを行い、この導通用素子を設けることもできる。この
ようにすれば、電気接点が接合層１４の導電性部分によ
って作られる。この場合も、金属層２０は不要である。
分との組み合わせで構成することもできる。この場合、
接合層１４の導電成分が、基板１２とキャップ１６との
間に適当な電気接続を与えれば十分である。一例とし
て、ボンディング・パッド２２を形成するために用いら
れる導電性物質に、キャップ１６の下に位置する誘電体
層１０の部分の上に導電性物質を残すようにパターニン
グを行い、この導通用素子を設けることもできる。この
ようにすれば、電気接点が接合層１４の導電性部分によ
って作られる。この場合も、金属層２０は不要である。
【００１７】図２は、エンクロージャ８内に配置された
特定のタイプの電子素子２６の拡大断面図を示す。共通
する素子には以前の参照番号が用いられている。図示し
た実施例では、電子素子２６は、底板３０、中間板３
２、および上板３４を有する容量性センサ加速度計であ
る。かかる加速度計の動作は、先に引用した、Ristic e
t al.による"A Capacitive Type Accelerometer with S
elf-Test Feature Basedon a Double-Pinned Polysilic
on Structure"に記載されている。この内容は、本発明
でも使用できるものである。底板３０と上板３４は基板
１２によって支持され、誘電体層１０上に載っている。
中央板３２は、底板３０と上板３４との間に連結綱(tet
hers)（図示せず）によって懸垂されており、外部加速
度に応答して可動状態にある。板３０，３２，３４は、
高濃度にドープされたポリシリコンで形成され、空洞１
８内の典型的な圧力は約０．０５ないし０．１気圧であ
る。
特定のタイプの電子素子２６の拡大断面図を示す。共通
する素子には以前の参照番号が用いられている。図示し
た実施例では、電子素子２６は、底板３０、中間板３
２、および上板３４を有する容量性センサ加速度計であ
る。かかる加速度計の動作は、先に引用した、Ristic e
t al.による"A Capacitive Type Accelerometer with S
elf-Test Feature Basedon a Double-Pinned Polysilic
on Structure"に記載されている。この内容は、本発明
でも使用できるものである。底板３０と上板３４は基板
１２によって支持され、誘電体層１０上に載っている。
中央板３２は、底板３０と上板３４との間に連結綱(tet
hers)（図示せず）によって懸垂されており、外部加速
度に応答して可動状態にある。板３０，３２，３４は、
高濃度にドープされたポリシリコンで形成され、空洞１
８内の典型的な圧力は約０．０５ないし０．１気圧であ
る。
【００１８】先に論じたように、外部加速度が存在する
と、中央板３２が移動し、その結果差分容量変化が生
じ、これから加速度を決定することができる。この変化
は、例えば、増幅器によって検出される。増幅器は、電
源２５も含む別個の集積回路（図示せず）上に配置すれ
ばよい。電子素子２６、この場合は加速度計から、基板
１２およびキャップ１６への寄生容量が存在すると、こ
の容量変化の検出に誤差が混入されることが発見されて
いる。これらの誤差は、従来の加速度計では、５０パー
セントも感度を低下させることが発見されている。しか
しながら、本発明によれば、基板１２およびキャップ１
６を電源２５に結合することによって、これらの誤差は
ほぼ根絶された。これについて、次に、図３を参照して
更に説明する。
と、中央板３２が移動し、その結果差分容量変化が生
じ、これから加速度を決定することができる。この変化
は、例えば、増幅器によって検出される。増幅器は、電
源２５も含む別個の集積回路（図示せず）上に配置すれ
ばよい。電子素子２６、この場合は加速度計から、基板
１２およびキャップ１６への寄生容量が存在すると、こ
の容量変化の検出に誤差が混入されることが発見されて
いる。これらの誤差は、従来の加速度計では、５０パー
セントも感度を低下させることが発見されている。しか
しながら、本発明によれば、基板１２およびキャップ１
６を電源２５に結合することによって、これらの誤差は
ほぼ根絶された。これについて、次に、図３を参照して
更に説明する。
【００１９】図３は、電子素子２６が加速度計であると
いう特定の場合における、エンクロージャ８の等価回路
を示す回路図である。図３は、電子素子２６に対する寄
生容量の影響を示すものであり、基板１２とキャップ１
６の双方が第１電源出力２７に接続されている本発明の
好適実施例に対応する。コンデンサＣ Tは中央板３２と
上板３４との間に得られる容量に対応し、コンデンサＣ
Bは底板３０と中央板３２との間に得られる容量に対応
する。コンデンサＣ T，ＣB各々の典型的な値は、約０．
５ｐＦである。コンデンサＣ1，Ｃ2，Ｃ3は、素子２６
の板３０，３２，３４とキャップ１６との間の寄生容量
に対応する。また、コンデンサＣ4，Ｃ5，Ｃ6は、素子
２６の板３０，３２，３４と基板１２との間の寄生容量
に対応する。出力端子Ｔ，Ｍ，Ｂを用いて加速度を測定
する。これらの端子は、それぞれノード４０，４２，４
４に接続されている。電圧源ＶBは電源２５に対応し、
ノード４６に接続されている。
いう特定の場合における、エンクロージャ８の等価回路
を示す回路図である。図３は、電子素子２６に対する寄
生容量の影響を示すものであり、基板１２とキャップ１
６の双方が第１電源出力２７に接続されている本発明の
好適実施例に対応する。コンデンサＣ Tは中央板３２と
上板３４との間に得られる容量に対応し、コンデンサＣ
Bは底板３０と中央板３２との間に得られる容量に対応
する。コンデンサＣ T，ＣB各々の典型的な値は、約０．
５ｐＦである。コンデンサＣ1，Ｃ2，Ｃ3は、素子２６
の板３０，３２，３４とキャップ１６との間の寄生容量
に対応する。また、コンデンサＣ4，Ｃ5，Ｃ6は、素子
２６の板３０，３２，３４と基板１２との間の寄生容量
に対応する。出力端子Ｔ，Ｍ，Ｂを用いて加速度を測定
する。これらの端子は、それぞれノード４０，４２，４
４に接続されている。電圧源ＶBは電源２５に対応し、
ノード４６に接続されている。
【００２０】典型的な理想的動作では、大きさが等しい
正および負のステップ電圧がそれぞれ、端子Ｔ，Ｂに印
加される。端子Ｍは中央板３２に対応し、測定の間一定
電位に保持される。外部加速度がない場合、コンデンサ
Ｃ T，ＣBは等しく、端子Ｍを通過する差電流はゼロであ
る。外部加速度が存在すると、コンデンサＣ T，ＣBは等
しくなくなり、差電流が端子Ｍを通じて検出される。
正および負のステップ電圧がそれぞれ、端子Ｔ，Ｂに印
加される。端子Ｍは中央板３２に対応し、測定の間一定
電位に保持される。外部加速度がない場合、コンデンサ
Ｃ T，ＣBは等しく、端子Ｍを通過する差電流はゼロであ
る。外部加速度が存在すると、コンデンサＣ T，ＣBは等
しくなくなり、差電流が端子Ｍを通じて検出される。
【００２１】従来の加速度計では、基板とキャップが電
源に接続されていなかった。基板を支持リードフレーム
（図示せず）に接着するために通常用いられる物質は絶
縁性であるので、基板とキャップとは電気的に浮遊状態
にあった。再び図３を参照すると、この従来の状況は、
ノード４６が電圧源ＶBから切断されている場合に対応
する。したがって、従来の加速度計では、端子Ｔ上の正
電圧ステップは、所望の電流をコンデンサＣ Tを通じて
発生させるだけでなく、望ましくない寄生電流もコンデ
ンサＣ1，Ｃ4を通じて供給する。これら寄生電流はコン
デンサＣ2，Ｃ3，Ｃ5，Ｃ6を通じてノード４２，４４に
戻ってくる。一例として、端子ＴからコンデンサＣ4を
通過する過渡電流は、コンデンサＣ5を通じてノード４
２に戻ってくる。端子Ｂに印加される電圧ステップによ
って、同様の電流が発生する。結局、これら寄生電流経
路の存在は、端子Ｍを通じて差電流を測定するとき、重
大な測定誤差が発生する原因となる。
源に接続されていなかった。基板を支持リードフレーム
（図示せず）に接着するために通常用いられる物質は絶
縁性であるので、基板とキャップとは電気的に浮遊状態
にあった。再び図３を参照すると、この従来の状況は、
ノード４６が電圧源ＶBから切断されている場合に対応
する。したがって、従来の加速度計では、端子Ｔ上の正
電圧ステップは、所望の電流をコンデンサＣ Tを通じて
発生させるだけでなく、望ましくない寄生電流もコンデ
ンサＣ1，Ｃ4を通じて供給する。これら寄生電流はコン
デンサＣ2，Ｃ3，Ｃ5，Ｃ6を通じてノード４２，４４に
戻ってくる。一例として、端子ＴからコンデンサＣ4を
通過する過渡電流は、コンデンサＣ5を通じてノード４
２に戻ってくる。端子Ｂに印加される電圧ステップによ
って、同様の電流が発生する。結局、これら寄生電流経
路の存在は、端子Ｍを通じて差電流を測定するとき、重
大な測定誤差が発生する原因となる。
【００２２】本発明によれば、基板１２とキャップ１６
とを電源２５に結合することによって、上述の誤差は除
去された。これは、ノード４６の電源ＶBとの接続によ
って、図３に表されている。電圧源ＶBは、コンデンサ
Ｃ1，Ｃ2，Ｃ3，Ｃ4，Ｃ5，Ｃ6からの寄生過渡電流を分
流させるための、低インピーダンス経路を形成する。一
例として、電圧源ＶBは、コンデンサＣ4からの電流をコ
ンデンサＣ5またはＣ6を通じて端子ＭまたはＢに戻させ
るのではなく、この電流を接地に分流させる。したがっ
て、電源２５のインピーダンスを、コンデンサＣ1，
Ｃ2，Ｃ3，Ｃ4，Ｃ5，Ｃ6によって表されるインピーダ
ンスに対してかなり低くすることによって、この分流を
効果的にする。これらの過渡電流を分流させることによ
り、寄生容量による検出誤差は殆ど除去され、測定感度
は改善される。
とを電源２５に結合することによって、上述の誤差は除
去された。これは、ノード４６の電源ＶBとの接続によ
って、図３に表されている。電圧源ＶBは、コンデンサ
Ｃ1，Ｃ2，Ｃ3，Ｃ4，Ｃ5，Ｃ6からの寄生過渡電流を分
流させるための、低インピーダンス経路を形成する。一
例として、電圧源ＶBは、コンデンサＣ4からの電流をコ
ンデンサＣ5またはＣ6を通じて端子ＭまたはＢに戻させ
るのではなく、この電流を接地に分流させる。したがっ
て、電源２５のインピーダンスを、コンデンサＣ1，
Ｃ2，Ｃ3，Ｃ4，Ｃ5，Ｃ6によって表されるインピーダ
ンスに対してかなり低くすることによって、この分流を
効果的にする。これらの過渡電流を分流させることによ
り、寄生容量による検出誤差は殆ど除去され、測定感度
は改善される。
【００２３】第１および第２電源出力２７，２９によっ
て供給される固定電位の大きさおよび極性は、広い範囲
の値を取ることができる。しかしながら、可動である中
央板３２間の静電引力(electrostatic attraction)を最
少にするためには、第１および第２電源出力２７，２９
の双方は、加速度測定の間中央板３２に印加される電位
にほぼ等しい固定電位を供給することが好ましい。これ
によって、静電引力による中央板３２のあらゆる動きを
最少に抑えることができる。
て供給される固定電位の大きさおよび極性は、広い範囲
の値を取ることができる。しかしながら、可動である中
央板３２間の静電引力(electrostatic attraction)を最
少にするためには、第１および第２電源出力２７，２９
の双方は、加速度測定の間中央板３２に印加される電位
にほぼ等しい固定電位を供給することが好ましい。これ
によって、静電引力による中央板３２のあらゆる動きを
最少に抑えることができる。
【００２４】これまで加速度計を参照しながら電子素子
２６について説明してきたが、他の素子をエンクロージ
ャ８に収容してもよいことを、当業者は認めよう。例え
ば、素子２６は、トランジスタ、抵抗、コンデンサ、イ
ンダクタ、変換器、表面弾性波素子、またはこれらの組
み合わせを含むことができる。また、他の基板物質の使
用のように、当業者には明白なその他の変更を、上述の
実施例に加えることも可能である。例えば、基板１２は
砒化ガリウムでもよい。また、アクセス・ポートを設け
て電子素子２６を外部環境に接続し、例えば、圧力また
はある化学物質の存在を検出することもできる。
２６について説明してきたが、他の素子をエンクロージ
ャ８に収容してもよいことを、当業者は認めよう。例え
ば、素子２６は、トランジスタ、抵抗、コンデンサ、イ
ンダクタ、変換器、表面弾性波素子、またはこれらの組
み合わせを含むことができる。また、他の基板物質の使
用のように、当業者には明白なその他の変更を、上述の
実施例に加えることも可能である。例えば、基板１２は
砒化ガリウムでもよい。また、アクセス・ポートを設け
て電子素子２６を外部環境に接続し、例えば、圧力また
はある化学物質の存在を検出することもできる。
【００２５】以上の説明から、電子素子用の新規なエン
クロージャが提供されたことは明白であろう。このエン
クロージャは、支持基板および封印用キャップの寄生容
量による悪影響を低減するという利点を与えるものであ
る。その結果、測定感度が大幅に改善される。本発明の
他の利点は、エンクロージャ８が電子素子２６のＥＭＩ
遮蔽として作用することである。中央板３２は、ＥＭＩ
遮蔽がないと、外部電磁場に応答して移動する可能性が
あるので、かかる作用は望ましいものである。更に他の
利点は、エンクロージャ８によって、静電放電に対する
保護や、外部周囲の悪環境に対する保護の改良が図られ
ることである。
クロージャが提供されたことは明白であろう。このエン
クロージャは、支持基板および封印用キャップの寄生容
量による悪影響を低減するという利点を与えるものであ
る。その結果、測定感度が大幅に改善される。本発明の
他の利点は、エンクロージャ８が電子素子２６のＥＭＩ
遮蔽として作用することである。中央板３２は、ＥＭＩ
遮蔽がないと、外部電磁場に応答して移動する可能性が
あるので、かかる作用は望ましいものである。更に他の
利点は、エンクロージャ８によって、静電放電に対する
保護や、外部周囲の悪環境に対する保護の改良が図られ
ることである。
【図１】本発明による電子素子用エンクロージャの部分
断面図。
断面図。
【図２】図１のエンクロージャ内の特定の電子素子を示
す拡大断面図。
す拡大断面図。
【図３】電子素子に対する寄生容量の影響を示す、図１
および図２の電子素子およびエンクロージャの等価回路
を示す回路図。
および図２の電子素子およびエンクロージャの等価回路
を示す回路図。
８ エンクロージャ １０ 誘電体層 １２ 導電性半導体基板 １４ 接合層 １８ 空洞 １６ 導電性キャップ ２０ 金属層 ２２ ボンディング・パッド ２４ 導体 ２５ 電源 ２６ 電子素子 ２７ 第１出力 ２９ 第２出力 ３０ 底板 ３２ 中間板 ３４ 上板 ４０，４２，４４，４６ ノード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン・イー・シュミーシン アメリカ合衆国アリゾナ州テンピ、ウエス ト・サイテーション・レーン35 (72)発明者 ロナルド・ジェイ・ガテリッジ アメリカ合衆国アリゾナ州パラダイス・バ レー、ノース・39ス・ストリート5816 (72)発明者 ヘンリー・ジー・ヒューズ アメリカ合衆国アリゾナ州スコッツデー ル、イースト・コーラ・ストリート5014
Claims (5)
- 【請求項１】電子素子（２６）用エンクロージャ（８）
であって：前記電子素子の下に位置する導電性半導体基
板（１２）；前記電子素子を覆う導電性キャップ（１
６）；および実質的に固定された電位を有する電源出力
（２７）であって、前記導電性半導体基板と前記導電性
キャップとに電気的に接続されている前記電源出力（２
７）；から成ることを特徴とするエンクロージャ。 - 【請求項２】更に、前記導電性キャップ上に配された金
属層（２０）を含み、前記金属層は前記電源出力に電気
的に接続されていることを特徴とする、請求項１記載の
エンクロージャ。 - 【請求項３】前記電子素子は、前記導電性半導体基板の
上側に配置された底板（３０）を有し、前記底板の上側
に位置し加速力に応答して移動可能な中央板（３２）を
有し、かつ前記中央板上に位置する上板（３４）を有す
る、容量性加速度計であることを特徴とする、請求項１
記載の方法。 - 【請求項４】前記実質的に固定の電位は、前記中央板に
印加される電位とほぼ等しいことを特徴とする、請求項
３記載のエンクロージャ。 - 【請求項５】前記接合層は導電層であることを特徴とす
る、請求項１記載のエンクロージャ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US329927 | 1994-10-27 | ||
| US08/329,927 US5545912A (en) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | Electronic device enclosure including a conductive cap and substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08136577A true JPH08136577A (ja) | 1996-05-31 |
Family
ID=23287618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7270650A Pending JPH08136577A (ja) | 1994-10-27 | 1995-09-26 | 導電性キャップおよび基板を含む電子素子エンクロージャ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5545912A (ja) |
| EP (1) | EP0709682B1 (ja) |
| JP (1) | JPH08136577A (ja) |
| KR (1) | KR100351574B1 (ja) |
| DE (1) | DE69524539T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010016094A1 (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-11 | パイオニア株式会社 | 静電容量検出型センサ |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19537814B4 (de) * | 1995-10-11 | 2009-11-19 | Robert Bosch Gmbh | Sensor und Verfahren zur Herstellung eines Sensors |
| US5644167A (en) * | 1996-03-01 | 1997-07-01 | National Semiconductor Corporation | Integrated circuit package assemblies including an electrostatic discharge interposer |
| JP3278363B2 (ja) * | 1996-11-18 | 2002-04-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体加速度センサ |
| JP3455092B2 (ja) * | 1997-10-27 | 2003-10-06 | 株式会社新川 | 半導体装置及びワイヤボンディング方法 |
| JP4124867B2 (ja) * | 1998-07-14 | 2008-07-23 | 松下電器産業株式会社 | 変換装置 |
| US6534340B1 (en) | 1998-11-18 | 2003-03-18 | Analog Devices, Inc. | Cover cap for semiconductor wafer devices |
| US6218687B1 (en) * | 1998-12-21 | 2001-04-17 | General Atomics | Smart microsensor arrays with silicon-on-insulator readouts for damage control |
| US6514789B2 (en) | 1999-10-26 | 2003-02-04 | Motorola, Inc. | Component and method for manufacture |
| US7439616B2 (en) * | 2000-11-28 | 2008-10-21 | Knowles Electronics, Llc | Miniature silicon condenser microphone |
| US7166910B2 (en) * | 2000-11-28 | 2007-01-23 | Knowles Electronics Llc | Miniature silicon condenser microphone |
| US8617934B1 (en) | 2000-11-28 | 2013-12-31 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port multi-part surface mount silicon condenser microphone packages |
| US7434305B2 (en) | 2000-11-28 | 2008-10-14 | Knowles Electronics, Llc. | Method of manufacturing a microphone |
| JP2003240797A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体加速度センサ |
| JP2005038911A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US7030469B2 (en) * | 2003-09-25 | 2006-04-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of forming a semiconductor package and structure thereof |
| US7237797B2 (en) * | 2003-10-24 | 2007-07-03 | Visteon Global Technologies, Inc. | Instrument panel having modular airbag door assembly |
| DE10350460B4 (de) * | 2003-10-29 | 2006-07-13 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Verfahren zur Herstellung von mikromechanische und/ oder mikroelektronische Strukturen aufweisenden Halbleiterbauelementen, die durch das feste Verbinden von mindestens zwei Halbleiterscheiben entstehen, und entsprechende Anordnung |
| US7034393B2 (en) * | 2003-12-15 | 2006-04-25 | Analog Devices, Inc. | Semiconductor assembly with conductive rim and method of producing the same |
| US20050170609A1 (en) * | 2003-12-15 | 2005-08-04 | Alie Susan A. | Conductive bond for through-wafer interconnect |
| US7608534B2 (en) * | 2004-06-02 | 2009-10-27 | Analog Devices, Inc. | Interconnection of through-wafer vias using bridge structures |
| US20060037398A1 (en) * | 2004-08-19 | 2006-02-23 | Rich David B | Method for making an impact detector |
| DE102005008511B4 (de) | 2005-02-24 | 2019-09-12 | Tdk Corporation | MEMS-Mikrofon |
| DE102005008512B4 (de) | 2005-02-24 | 2016-06-23 | Epcos Ag | Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon |
| JP4552783B2 (ja) * | 2005-07-06 | 2010-09-29 | 株式会社デンソー | 半導体センサ |
| JP4839747B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2011-12-21 | 三菱電機株式会社 | 静電容量型加速度センサ |
| DE102005053767B4 (de) | 2005-11-10 | 2014-10-30 | Epcos Ag | MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau |
| DE102005053765B4 (de) | 2005-11-10 | 2016-04-14 | Epcos Ag | MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung |
| US7180019B1 (en) | 2006-06-26 | 2007-02-20 | Temic Automotive Of North America, Inc. | Capacitive accelerometer or acceleration switch |
| US7528468B2 (en) * | 2006-09-25 | 2009-05-05 | Freescale Semiconductor, Inc. | Capacitor assembly with shielded connections and method for forming the same |
| US20080087979A1 (en) * | 2006-10-13 | 2008-04-17 | Analog Devices, Inc. | Integrated Circuit with Back Side Conductive Paths |
| CN102089251B (zh) * | 2008-07-16 | 2014-06-11 | 费罗公司 | 热熔性密封玻璃组合物及其制造和使用的方法 |
| US8842859B2 (en) * | 2011-01-24 | 2014-09-23 | Invensense, Inc. | Packaged microphone with reduced parasitics |
| US9364669B2 (en) * | 2011-01-25 | 2016-06-14 | The Board Of Regents Of The University Of Texas System | Automated method of classifying and suppressing noise in hearing devices |
| PH12014500968A1 (en) | 2011-11-04 | 2014-06-09 | Knowles Electronics Llc | Embedded dielectric as a barrier in an acoustic device and method of manufacture |
| US9078063B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-07-07 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration |
| DE102013106353B4 (de) * | 2013-06-18 | 2018-06-28 | Tdk Corporation | Verfahren zum Aufbringen einer strukturierten Beschichtung auf ein Bauelement |
| US9794661B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-10-17 | Knowles Electronics, Llc | Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package |
| JP2019039885A (ja) * | 2017-08-29 | 2019-03-14 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、複合センサー、慣性計測ユニット、携帯型電子機器、電子機器、および移動体 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3417626A (en) * | 1965-05-25 | 1968-12-24 | Gen Precision Inc | Single-axis accelerometer |
| US4102202A (en) * | 1976-11-26 | 1978-07-25 | The Singer Company | Electrostatic accelerometer |
| US5216490A (en) * | 1988-01-13 | 1993-06-01 | Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Bridge electrodes for microelectromechanical devices |
| JPH088330B2 (ja) * | 1989-07-19 | 1996-01-29 | 日本電気株式会社 | Ｌｏｃ型リードフレームを備えた半導体集積回路装置 |
| US5115291A (en) * | 1989-07-27 | 1992-05-19 | Honeywell Inc. | Electrostatic silicon accelerometer |
| US5146389A (en) * | 1991-07-22 | 1992-09-08 | Motorola, Inc. | Differential capacitor structure and method |
| FR2687777B1 (fr) * | 1992-02-20 | 1994-05-20 | Sextant Avionique | Micro-capteur capacitif a faible capacite parasite et procede de fabrication. |
| US5347867A (en) * | 1993-02-03 | 1994-09-20 | Minnetonka Warehouse Supply, Inc | Accelerometer incorporating a driven shield |
-
1994
- 1994-10-27 US US08/329,927 patent/US5545912A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-09-26 JP JP7270650A patent/JPH08136577A/ja active Pending
- 1995-10-23 DE DE69524539T patent/DE69524539T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-10-23 EP EP95116691A patent/EP0709682B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-26 KR KR1019950038028A patent/KR100351574B1/ko not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010016094A1 (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-11 | パイオニア株式会社 | 静電容量検出型センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5545912A (en) | 1996-08-13 |
| EP0709682A1 (en) | 1996-05-01 |
| EP0709682B1 (en) | 2001-12-12 |
| KR100351574B1 (ko) | 2003-01-06 |
| KR960015866A (ko) | 1996-05-22 |
| DE69524539T2 (de) | 2002-07-04 |
| DE69524539D1 (de) | 2002-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08136577A (ja) | 導電性キャップおよび基板を含む電子素子エンクロージャ | |
| EP0973012B1 (en) | Transducer | |
| TWI360229B (en) | Methods of achieving linear capacitance in symmetr | |
| US20070251339A1 (en) | Process Condition Measuring Device with Shielding | |
| US4531267A (en) | Method for forming a pressure sensor | |
| JPH07191055A (ja) | 静電容量式加速度センサ | |
| JPH09126927A (ja) | 垂直一体化センサ構造および方法 | |
| CA1114066A (en) | Pyroelectric detector circuits and devices | |
| US5448444A (en) | Capacitive pressure sensor having a reduced area dielectric spacer | |
| US20220178863A1 (en) | Sensor | |
| US12345593B2 (en) | Pressure sensor structure, pressure sensor device, and method of manufacturing pressure sensor structure | |
| US20030177839A1 (en) | Force sensors | |
| US5444901A (en) | Method of manufacturing silicon pressure sensor having dual elements simultaneously mounted | |
| US8217475B2 (en) | Backside controlled MEMS capacitive sensor and interface and method | |
| US6924537B2 (en) | Semiconductor device including a potential drawing portion formed at a corner | |
| JPH052976A (ja) | 静電リレー | |
| US3501654A (en) | Miniature pressure transducer | |
| US20050132803A1 (en) | Low cost integrated MEMS hybrid | |
| JP2002050771A (ja) | 集積化センサ | |
| JPH0420132B2 (ja) | ||
| JP3370810B2 (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
| JPH0440270Y2 (ja) | ||
| JP2002022581A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH11258089A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP3012227B2 (ja) | 半導体装置 |