JPH08138621A - イオン検出装置 - Google Patents
イオン検出装置Info
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- JPH08138621A JPH08138621A JP6292302A JP29230294A JPH08138621A JP H08138621 A JPH08138621 A JP H08138621A JP 6292302 A JP6292302 A JP 6292302A JP 29230294 A JP29230294 A JP 29230294A JP H08138621 A JPH08138621 A JP H08138621A
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- Japan
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- ion
- ions
- conversion dynode
- deflector
- detector
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/025—Detectors specially adapted to particle spectrometers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な構造で、浮遊電子によるバックグラウ
ンドノイズをできる限り排除した高感度のイオン検出を
行なう。 【構成】 イオン検出器の入射口よりも内部側に、入射
するイオンの運動方向に対して略垂直方向の電場を生成
する１対のデフレクタ電極板２２、２３を設けると共
に、これらデフレクタ電極板２２、２３により偏向され
る入射イオンの経路に変換ダイノード２４を配置する。 【効果】 浮遊電子はデフレクタのアノード２２により
トラップされる。
ンドノイズをできる限り排除した高感度のイオン検出を
行なう。 【構成】 イオン検出器の入射口よりも内部側に、入射
するイオンの運動方向に対して略垂直方向の電場を生成
する１対のデフレクタ電極板２２、２３を設けると共
に、これらデフレクタ電極板２２、２３により偏向され
る入射イオンの経路に変換ダイノード２４を配置する。 【効果】 浮遊電子はデフレクタのアノード２２により
トラップされる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、質量分析装置等に使用
されるイオン検出装置に関する。
されるイオン検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオン検出装置は、質量分析装置の質量
分離部において質量数（ｍ／ｚ）に応じて分離されたイ
オンを検出するために用いられる。一般のイオン検出器
ではイオンが高質量になる程検出効率が落ちるため、高
感度のイオン検出を行なう場合は図５（ａ）に示すよう
に、イオンを変換ダイノード５２に照射して二次電子ｅ
-に変換し、この二次電子ｅ-を電子増倍管５３で増幅し
たり、或いは、蛍光体により一旦光に変換し、その光を
光電子増倍管で増幅検出する等により信号を増幅する方
法が取られる。
分離部において質量数（ｍ／ｚ）に応じて分離されたイ
オンを検出するために用いられる。一般のイオン検出器
ではイオンが高質量になる程検出効率が落ちるため、高
感度のイオン検出を行なう場合は図５（ａ）に示すよう
に、イオンを変換ダイノード５２に照射して二次電子ｅ
-に変換し、この二次電子ｅ-を電子増倍管５３で増幅し
たり、或いは、蛍光体により一旦光に変換し、その光を
光電子増倍管で増幅検出する等により信号を増幅する方
法が取られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】質量分析のためのイオ
ンを生成するイオン源では電子照射による分子励起や高
電圧による帯電等により中性分子からイオンが生成さ
れ、そのイオンがイオンレンズ等により質量分離部に引
き込まれるが、イオン源の構造上、イオン化されない中
性分子や光も一部質量分離部に入り込む。このような中
性粒子がイオン検出器に入射して変換ダイノードに衝突
すると検出目的イオンと同様に二次電子を生成し、これ
が上記二次電子増倍管又は光電子増倍管により捕捉され
てバックグラウンドノイズを形成する。このような中性
粒子に起因するバックグラウンドノイズを低減するた
め、例えば図５（ｂ）に示すように、２枚の遮蔽板５
１、５５を使って変換ダイノード５６をイオンの入射軸
からずらして配置するという方法が取られている。しか
し、検出すべきイオンが負イオンである場合には、二次
電子変換ダイノード５６には高い正電圧Ｖd（３〜１０
ｋＶ程度）が印加されるため、中性粒子と検出器構成物
質や残留ガスとの衝突により発生する二次電子（浮遊電
子）が変換ダイノード５６に捕捉され、更に電子を放出
する。
ンを生成するイオン源では電子照射による分子励起や高
電圧による帯電等により中性分子からイオンが生成さ
れ、そのイオンがイオンレンズ等により質量分離部に引
き込まれるが、イオン源の構造上、イオン化されない中
性分子や光も一部質量分離部に入り込む。このような中
性粒子がイオン検出器に入射して変換ダイノードに衝突
すると検出目的イオンと同様に二次電子を生成し、これ
が上記二次電子増倍管又は光電子増倍管により捕捉され
てバックグラウンドノイズを形成する。このような中性
粒子に起因するバックグラウンドノイズを低減するた
め、例えば図５（ｂ）に示すように、２枚の遮蔽板５
１、５５を使って変換ダイノード５６をイオンの入射軸
からずらして配置するという方法が取られている。しか
し、検出すべきイオンが負イオンである場合には、二次
電子変換ダイノード５６には高い正電圧Ｖd（３〜１０
ｋＶ程度）が印加されるため、中性粒子と検出器構成物
質や残留ガスとの衝突により発生する二次電子（浮遊電
子）が変換ダイノード５６に捕捉され、更に電子を放出
する。
【０００４】これに対し、負イオンをイオン変換ダイノ
ードにより正イオンに変換したり（特公昭５８−７２２
９号）、湾曲した多重極ロッドを用いる（特開昭６２−
２６４５４６号）という方法も考案されている。しか
し、前者の方法ではイオンの変換効率が低く、特に高質
量域では効率が３０％以下となるため、イオン検出感度
が低下するという問題がある。また、後者の方法では複
雑な加工を要する電極棒が多数必要であるため生産が難
しく、非常に高価なものとなる。
ードにより正イオンに変換したり（特公昭５８−７２２
９号）、湾曲した多重極ロッドを用いる（特開昭６２−
２６４５４６号）という方法も考案されている。しか
し、前者の方法ではイオンの変換効率が低く、特に高質
量域では効率が３０％以下となるため、イオン検出感度
が低下するという問題がある。また、後者の方法では複
雑な加工を要する電極棒が多数必要であるため生産が難
しく、非常に高価なものとなる。
【０００５】本発明はこのような課題を解決するために
成されたものであり、その目的とするところは、簡単な
構造でありながら、浮遊電子によるバックグラウンドノ
イズをできる限り排除した高感度のイオン検出を行なう
ことのできるイオン検出装置を提供することにある。
成されたものであり、その目的とするところは、簡単な
構造でありながら、浮遊電子によるバックグラウンドノ
イズをできる限り排除した高感度のイオン検出を行なう
ことのできるイオン検出装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に成された本発明は、入射口より入射するイオンを変換
ダイノードにより二次電子に変換し、該二次電子を検出
することによりイオンの検出を行なうイオン検出装置に
おいて、入射口よりも内部側に、入射するイオンの運動
方向に対して略垂直方向の電場を生成する１対のデフレ
クタ電極板を設けると共に、上記変換ダイノードを、該
１対のデフレクタ電極板により偏向される入射イオンの
経路に配置したことを特徴としている。
に成された本発明は、入射口より入射するイオンを変換
ダイノードにより二次電子に変換し、該二次電子を検出
することによりイオンの検出を行なうイオン検出装置に
おいて、入射口よりも内部側に、入射するイオンの運動
方向に対して略垂直方向の電場を生成する１対のデフレ
クタ電極板を設けると共に、上記変換ダイノードを、該
１対のデフレクタ電極板により偏向される入射イオンの
経路に配置したことを特徴としている。
【０００７】
【作用】イオンは入射口から入射した後、両デフレクタ
電極板が生成する電場により偏向されて変換ダイノード
に衝突し、二次電子を生成する。この二次電子を電子増
倍管等の二次電子検出器で検出することにより、入射イ
オンの検出を行なうことができる。一方、検出器内の入
射軸近傍で中性粒子が検出器構成物質や残留ガスと衝突
することにより発生する浮遊電子はエネルギが低いた
め、両デフレクタ電極板が生成する電場によりデフレク
タのアノードに捕捉され、変換ダイノードや二次電子検
出器には入射せず、ノイズを構成しない。また、変換ダ
イノードは入射口から偏向した位置に配置されているた
め、入射口から中性粒子（分子や光）が入射しても変換
ダイノードに当たることはなく、二次電子（浮遊電子）
を生成することがない。
電極板が生成する電場により偏向されて変換ダイノード
に衝突し、二次電子を生成する。この二次電子を電子増
倍管等の二次電子検出器で検出することにより、入射イ
オンの検出を行なうことができる。一方、検出器内の入
射軸近傍で中性粒子が検出器構成物質や残留ガスと衝突
することにより発生する浮遊電子はエネルギが低いた
め、両デフレクタ電極板が生成する電場によりデフレク
タのアノードに捕捉され、変換ダイノードや二次電子検
出器には入射せず、ノイズを構成しない。また、変換ダ
イノードは入射口から偏向した位置に配置されているた
め、入射口から中性粒子（分子や光）が入射しても変換
ダイノードに当たることはなく、二次電子（浮遊電子）
を生成することがない。
【０００８】なお、デフレクタ電極板のうち、カソード
の後端を曲げてイオン入射口の正面の位置まで延長して
おくことにより、この中性粒子をデフレクタのカソード
に衝突させ、生成した浮遊電子をデフレクタのアノード
で捕捉することができるようになる。
の後端を曲げてイオン入射口の正面の位置まで延長して
おくことにより、この中性粒子をデフレクタのカソード
に衝突させ、生成した浮遊電子をデフレクタのアノード
で捕捉することができるようになる。
【０００９】
【実施例】図４に四重極質量分析装置の概要を示す。ガ
スクロマトグラフ、液体クロマトグラフ等により分離さ
れた試料、或いは他の方法により供給される試料は、イ
オン源１１においてイオン化される。なお、本実施例で
は、試料を負イオンにイオン化し、質量分析を行なうも
のとする。イオン化には大気圧化学イオン化法（ＡＰＣ
Ｉ）、化学イオン化法（ＣＩ）、温度スプレーイオン化
法（ＴＳＰ）等種々の方法を用いることができるが、本
発明においてはいずれの方法であっても構わない。
スクロマトグラフ、液体クロマトグラフ等により分離さ
れた試料、或いは他の方法により供給される試料は、イ
オン源１１においてイオン化される。なお、本実施例で
は、試料を負イオンにイオン化し、質量分析を行なうも
のとする。イオン化には大気圧化学イオン化法（ＡＰＣ
Ｉ）、化学イオン化法（ＣＩ）、温度スプレーイオン化
法（ＴＳＰ）等種々の方法を用いることができるが、本
発明においてはいずれの方法であっても構わない。
【００１０】イオン化された試料は抽出電極１２により
引き出され、イオンレンズ１３により四重極１４の受け
入れに適した形状及び方向に集束される。四重極１４に
おいては、所定の質量数（ｍ／ｚ）を有するイオンのみ
が安定的に振動して四重極１４を通過することができ
る。この質量数は四重極１４に印加するＤＣ／ＡＣ重畳
電圧に応じて変化させることができる。四重極１４を通
過したイオンは第２イオンレンズ１５によりイオン検出
器１６に導入される。
引き出され、イオンレンズ１３により四重極１４の受け
入れに適した形状及び方向に集束される。四重極１４に
おいては、所定の質量数（ｍ／ｚ）を有するイオンのみ
が安定的に振動して四重極１４を通過することができ
る。この質量数は四重極１４に印加するＤＣ／ＡＣ重畳
電圧に応じて変化させることができる。四重極１４を通
過したイオンは第２イオンレンズ１５によりイオン検出
器１６に導入される。
【００１１】本発明を実施したイオン検出器１６の一例
を図１に示す。図１（ａ）は電界線を示し、図１（ｂ）
は粒子の動きを示す。両図において２１はイオン入射口
（アパーチャ）２１ａを有する遮蔽板であり、第２イオ
ンレンズ１５により加速されたイオンはこの入射口２１
ａを通ってイオン検出器１６に入る。なお、遮蔽板２１
自体が第２イオンレンズ１５の一部を構成するようにし
てもよい。遮蔽板２１の（イオン入射方向に関して）後
部には、１対のデフレクタ電極板２２、２３がイオン入
射口２１ａの中心線を挟んで対向して設けられており、
両デフレクタ電極板２２、２３の後端はアノード２２側
に屈曲されている。アノード２２の屈曲部２２ｂに対向
する位置には変換ダイノード２４が配設されており、屈
曲部２２ｂと変換ダイノード２４とで構成される空間の
出口には電子増倍管等の二次電子検出器２５が設けられ
ている。なお、デフレクタの両電極板２２、２３及び変
換ダイノード２４は平板状であってもよいし、上記入射
口２１ａの中心線を囲う円筒状であってもよい。
を図１に示す。図１（ａ）は電界線を示し、図１（ｂ）
は粒子の動きを示す。両図において２１はイオン入射口
（アパーチャ）２１ａを有する遮蔽板であり、第２イオ
ンレンズ１５により加速されたイオンはこの入射口２１
ａを通ってイオン検出器１６に入る。なお、遮蔽板２１
自体が第２イオンレンズ１５の一部を構成するようにし
てもよい。遮蔽板２１の（イオン入射方向に関して）後
部には、１対のデフレクタ電極板２２、２３がイオン入
射口２１ａの中心線を挟んで対向して設けられており、
両デフレクタ電極板２２、２３の後端はアノード２２側
に屈曲されている。アノード２２の屈曲部２２ｂに対向
する位置には変換ダイノード２４が配設されており、屈
曲部２２ｂと変換ダイノード２４とで構成される空間の
出口には電子増倍管等の二次電子検出器２５が設けられ
ている。なお、デフレクタの両電極板２２、２３及び変
換ダイノード２４は平板状であってもよいし、上記入射
口２１ａの中心線を囲う円筒状であってもよい。
【００１２】変換ダイノード２４には＋３〜１０ｋＶ程
度の電圧Ｖdを印加し、二次電子検出器２５の入口には
それよりも１〜１０ｋＶ程度高い電圧Ｖaを印加する。
そして、デフレクタのアノード２２にはＶdと同じ又は
やや低い電圧Ｖd'を印加し、カソード２３にはほぼゼロ
（グラウンド）又は数十〜数百Ｖの低電圧Ｖ0を印加す
る。以上説明したような電極の幾何学的構成及び印加電
圧により、デフレクタ２２、２３、変換ダイノード２４
及び二次電子検出器２５の入口の間には図１（ａ）に示
すような電界が生成される。この電界により、図１
（ｂ）に示すように、イオン入射口２１ａから入射して
きた負イオン（−）はアノード２２側に偏向され、変換
ダイノード２４に衝突する。この衝突により生成された
二次電子ｅ-は、変換ダイノード２４とそれに対向する
アノード２２ｂ及び二次電子検出器２５の入口により生
成される電界により二次電子検出器２５の入口に導入さ
れる。
度の電圧Ｖdを印加し、二次電子検出器２５の入口には
それよりも１〜１０ｋＶ程度高い電圧Ｖaを印加する。
そして、デフレクタのアノード２２にはＶdと同じ又は
やや低い電圧Ｖd'を印加し、カソード２３にはほぼゼロ
（グラウンド）又は数十〜数百Ｖの低電圧Ｖ0を印加す
る。以上説明したような電極の幾何学的構成及び印加電
圧により、デフレクタ２２、２３、変換ダイノード２４
及び二次電子検出器２５の入口の間には図１（ａ）に示
すような電界が生成される。この電界により、図１
（ｂ）に示すように、イオン入射口２１ａから入射して
きた負イオン（−）はアノード２２側に偏向され、変換
ダイノード２４に衝突する。この衝突により生成された
二次電子ｅ-は、変換ダイノード２４とそれに対向する
アノード２２ｂ及び二次電子検出器２５の入口により生
成される電界により二次電子検出器２５の入口に導入さ
れる。
【００１３】一方、イオン入射口２１ａから入射する浮
遊電子ｅ-は一般にイオンよりもエネルギが低いため、
デフレクタ２２、２３の入口部分の電界によりアノード
の水平部２２ａにトラップされ、変換ダイノード２４や
二次電子検出器２５には入射しない。更に、中性粒子
（Ｎ）は電界により影響されないため直進してカソード
２３の屈曲部２３ｂに衝突する。そこで生成された二次
電子ｅ-もアノード２２にトラップされ、変換ダイノー
ド２４や二次電子検出器２５には入射しない。このた
め、浮遊電子によるバックグラウンドノイズの少ない、
感度の高いイオン検出を行なうことができる。
遊電子ｅ-は一般にイオンよりもエネルギが低いため、
デフレクタ２２、２３の入口部分の電界によりアノード
の水平部２２ａにトラップされ、変換ダイノード２４や
二次電子検出器２５には入射しない。更に、中性粒子
（Ｎ）は電界により影響されないため直進してカソード
２３の屈曲部２３ｂに衝突する。そこで生成された二次
電子ｅ-もアノード２２にトラップされ、変換ダイノー
ド２４や二次電子検出器２５には入射しない。このた
め、浮遊電子によるバックグラウンドノイズの少ない、
感度の高いイオン検出を行なうことができる。
【００１４】本発明の別の実施例を図２に示す。本実施
例では、デフレクタ２２、２３は上記実施例と同じ配置
となっているが、変換ダイノード２４は上記実施例とは
垂直に配置されており、それに伴い、二次電子検出器２
５はデフレクタのカソード２３の屈曲部２３ｂと変換ダ
イノード２４とで構成される空間の出口に設けられてい
る。この実施例の場合も、負イオンはデフレクタの両電
極板２２、２３により偏向されて変換ダイノード２４に
衝突し、生成された二次電子ｅ-は検出器２５に導入さ
れて検出される。それに対し、イオン入射口２１ａから
入る浮遊電子ｅ-及び中性粒子（Ｎ）の衝突により生成
された二次電子ｅ-は上記実施例と同様、デフレクタの
アノード２２によりトラップされ、検出器２５には入ら
ない。
例では、デフレクタ２２、２３は上記実施例と同じ配置
となっているが、変換ダイノード２４は上記実施例とは
垂直に配置されており、それに伴い、二次電子検出器２
５はデフレクタのカソード２３の屈曲部２３ｂと変換ダ
イノード２４とで構成される空間の出口に設けられてい
る。この実施例の場合も、負イオンはデフレクタの両電
極板２２、２３により偏向されて変換ダイノード２４に
衝突し、生成された二次電子ｅ-は検出器２５に導入さ
れて検出される。それに対し、イオン入射口２１ａから
入る浮遊電子ｅ-及び中性粒子（Ｎ）の衝突により生成
された二次電子ｅ-は上記実施例と同様、デフレクタの
アノード２２によりトラップされ、検出器２５には入ら
ない。
【００１５】本発明の第３の実施例を図３に示す。本実
施例では、デフレクタのアノード３２がイオン入射口側
でＬ字形に屈曲されており、後端側ではイオン入射方向
に平行のままとなっている。本実施例ではこのアノード
３２の後端側が変換ダイノードの役割を果たす。このア
ノード３２の後端側に対向する位置には補助電極板３４
が設けられ、二次電子検出器２５は両者により構成され
る空間の出口に配置される。補助電極板３４にはデフレ
クタのアノード３２と同程度の電圧Ｖdを印加してお
く。イオン入射口２１ａから入射した負イオンはデフレ
クタの両電極板２２、２３により形成される電界により
図において上方に偏向され、デフレクタのアノード３２
の後端側に衝突する。これにより生成された二次電子は
アノード３２の後端側、補助電極板３４及び二次電子検
出器２５の入口の電圧Ｖaで形成される電界により二次
電子検出器２５に導かれ、そこに入射する。一方、イオ
ン入射口２１ａから入る浮遊電子ｅ-及び中性粒子
（Ｎ）の衝突により生成された二次電子ｅ-は上記両実
施例と同様、デフレクタのアノード３２によりトラップ
され、検出器２５には入らない。
施例では、デフレクタのアノード３２がイオン入射口側
でＬ字形に屈曲されており、後端側ではイオン入射方向
に平行のままとなっている。本実施例ではこのアノード
３２の後端側が変換ダイノードの役割を果たす。このア
ノード３２の後端側に対向する位置には補助電極板３４
が設けられ、二次電子検出器２５は両者により構成され
る空間の出口に配置される。補助電極板３４にはデフレ
クタのアノード３２と同程度の電圧Ｖdを印加してお
く。イオン入射口２１ａから入射した負イオンはデフレ
クタの両電極板２２、２３により形成される電界により
図において上方に偏向され、デフレクタのアノード３２
の後端側に衝突する。これにより生成された二次電子は
アノード３２の後端側、補助電極板３４及び二次電子検
出器２５の入口の電圧Ｖaで形成される電界により二次
電子検出器２５に導かれ、そこに入射する。一方、イオ
ン入射口２１ａから入る浮遊電子ｅ-及び中性粒子
（Ｎ）の衝突により生成された二次電子ｅ-は上記両実
施例と同様、デフレクタのアノード３２によりトラップ
され、検出器２５には入らない。
【００１６】なお、上記説明した３種のイオン検出器は
いずれも負イオンを検出するものとしたが、イオン−二
次電子変換ダイノード２４に印加する電圧Ｖdとデフレ
クタのカソード２３に印加する電圧Ｖ0の符号を反転し
て負とし、デフレクタのアノード２２に印加する電圧Ｖ
d'として反転Ｖdよりも数十〜数百Ｖ低い（マイナス側
の）電圧を設定するとともに、二次電子検出器２５の入
口電圧Ｖaとして反転Ｖdよりも１〜１０ｋＶ程度高い電
圧を設定することにより、正イオンについても同様に検
出可能である。ただしこの場合には、変換ダイノード２
４で生成された二次電子ｅ-が逆戻りしないように変換
ダイノード２４の入射側にグリッドを配置し、このグリ
ッドにＶd'の電圧を印加しておくとよい。
いずれも負イオンを検出するものとしたが、イオン−二
次電子変換ダイノード２４に印加する電圧Ｖdとデフレ
クタのカソード２３に印加する電圧Ｖ0の符号を反転し
て負とし、デフレクタのアノード２２に印加する電圧Ｖ
d'として反転Ｖdよりも数十〜数百Ｖ低い（マイナス側
の）電圧を設定するとともに、二次電子検出器２５の入
口電圧Ｖaとして反転Ｖdよりも１〜１０ｋＶ程度高い電
圧を設定することにより、正イオンについても同様に検
出可能である。ただしこの場合には、変換ダイノード２
４で生成された二次電子ｅ-が逆戻りしないように変換
ダイノード２４の入射側にグリッドを配置し、このグリ
ッドにＶd'の電圧を印加しておくとよい。
【００１７】
【発明の効果】本発明に係るイオン検出装置では、入射
口から入ってくる浮遊電子はエネルギが低いためデフレ
クタが生成する電場によりデフレクタのアノードに捕捉
されて変換ダイノードや二次電子検出器には入射しない
ため、ノイズを構成しない。
口から入ってくる浮遊電子はエネルギが低いためデフレ
クタが生成する電場によりデフレクタのアノードに捕捉
されて変換ダイノードや二次電子検出器には入射しない
ため、ノイズを構成しない。
【図１】 本発明の第１実施例であるイオン検出装置に
おいて生成される電界線を示す概略断面構成図（ａ）、
及び、イオン及び電子の動きを示す概略断面構成図
（ｂ）。
おいて生成される電界線を示す概略断面構成図（ａ）、
及び、イオン及び電子の動きを示す概略断面構成図
（ｂ）。
【図２】 本発明の第２実施例のイオン検出装置におけ
るイオン及び電子の動きを示す概略断面構成図。
るイオン及び電子の動きを示す概略断面構成図。
【図３】 本発明の第２実施例のイオン検出装置におけ
るイオン及び電子の動きを示す概略断面構成図。
るイオン及び電子の動きを示す概略断面構成図。
【図４】 四重極質量分析装置の概略構成図。
【図５】 従来のイオン検出器の概略構成図。
１１…イオン源 １２…抽出電極 １３、１５…イオンレンズ １４…四重極 １６…イオン検出器 ２１…遮蔽板 ２１ａ…イオン入射口 ２２…デフレクタ電極のアノード ２２ａ…水平部 ２２ｂ…屈曲部 ２３…デフレクタ電極のカソード ２３ａ…水平部 ２３ｂ…屈曲部 ２４…変換ダイノード ２５…二次電子検出器
Claims (1)
- 【請求項１】 入射口より入射するイオンを変換ダイノ
ードにより二次電子に変換し、該二次電子を検出するこ
とによりイオンの検出を行なうイオン検出装置におい
て、 入射口よりも内部側に、入射するイオンの運動方向に対
して略垂直方向の電場を生成する１対のデフレクタ電極
板を設けると共に、上記変換ダイノードを、該１対のデ
フレクタ電極板により偏向される入射イオンの経路に配
置したことを特徴とするイオン検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6292302A JPH08138621A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | イオン検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6292302A JPH08138621A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | イオン検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08138621A true JPH08138621A (ja) | 1996-05-31 |
Family
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-
1994
- 1994-10-31 JP JP6292302A patent/JPH08138621A/ja active Pending
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