JPH09265936A - イオン検出装置 - Google Patents
イオン検出装置Info
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- JPH09265936A JPH09265936A JP8073578A JP7357896A JPH09265936A JP H09265936 A JPH09265936 A JP H09265936A JP 8073578 A JP8073578 A JP 8073578A JP 7357896 A JP7357896 A JP 7357896A JP H09265936 A JPH09265936 A JP H09265936A
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- ion
- ions
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 変換ダイノードのグリッドを除去し、変換ダ
イノードのイオンの入射口の面積を小さくしてイオンの
散乱の影響を除去した場合にも、イオンの中心軌道の変
化を補償してイオンの変換ダイノードへの入射効率を高
めることができるようにする。 【解決手段】 四重極１４で質量分離され、第２イオン
レンズ１５により引き出されたイオンは、偏向電極９に
向かい、ここで軌道を調整された後、変換ダイノード１
に入射して二次電子ｅ- に変換される。この二次電子ｅ
- はＡｌ層６を透過してシンチレータ７に達し、そこで
発生した蛍光はＡｌ層６で反射した後、又は直接に光電
子増倍管８に入射し、この光電子増倍管８からイオンの
検出信号が出力される。そして、イオンの中心軌道が変
化し、イオンの軌道が変換ダイノードのイオン入射口２
からはずれてイオンの入射効率が低下した場合には、偏
向電極９に印加する電圧を調整することにより、変換ダ
イノード１のイオン入射口２の中央にイオンの中心軌道
を移動させることができる。
イノードのイオンの入射口の面積を小さくしてイオンの
散乱の影響を除去した場合にも、イオンの中心軌道の変
化を補償してイオンの変換ダイノードへの入射効率を高
めることができるようにする。 【解決手段】 四重極１４で質量分離され、第２イオン
レンズ１５により引き出されたイオンは、偏向電極９に
向かい、ここで軌道を調整された後、変換ダイノード１
に入射して二次電子ｅ- に変換される。この二次電子ｅ
- はＡｌ層６を透過してシンチレータ７に達し、そこで
発生した蛍光はＡｌ層６で反射した後、又は直接に光電
子増倍管８に入射し、この光電子増倍管８からイオンの
検出信号が出力される。そして、イオンの中心軌道が変
化し、イオンの軌道が変換ダイノードのイオン入射口２
からはずれてイオンの入射効率が低下した場合には、偏
向電極９に印加する電圧を調整することにより、変換ダ
イノード１のイオン入射口２の中央にイオンの中心軌道
を移動させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、質量分析計等のイ
オンを検出することにより試料分析を行う装置に使用さ
れるイオン検出装置に関する。
オンを検出することにより試料分析を行う装置に使用さ
れるイオン検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】質量分析装置で試料の分析を行う場合、
まず、イオン化部で試料をイオン化し、これをイオンレ
ンズで収束して質量分離部に送り込む。質量分離部では
所定の質量数（質量／電荷比、ｍ／ｚ）を有するイオン
のみを通過させ、イオン検出装置でこれを検出する。
まず、イオン化部で試料をイオン化し、これをイオンレ
ンズで収束して質量分離部に送り込む。質量分離部では
所定の質量数（質量／電荷比、ｍ／ｚ）を有するイオン
のみを通過させ、イオン検出装置でこれを検出する。
【０００３】図４はこのような質量分析装置の一例を示
す図であり、ガスクロマトグラフ、液体クロマトグラフ
等により分離された試料、或いは他の方法により供給さ
れる試料はイオン源１１においてイオン化された後、抽
出電極１２により引き出され、イオンレンズ１３により
四重極１４の受入れに適した形状及び方向に集束され
る。四重極１４においては、所定の質量数（ｍ／ｚ）を
有するイオンのみが安定的に振動して通過し、この質量
数は四重極１４に印加するＤＣ／ＡＣ重畳電圧に応じて
変化させることができる。四重極１４を通過したイオン
は第２イオンレンズ１５によりイオン検出装置１６に導
入される。
す図であり、ガスクロマトグラフ、液体クロマトグラフ
等により分離された試料、或いは他の方法により供給さ
れる試料はイオン源１１においてイオン化された後、抽
出電極１２により引き出され、イオンレンズ１３により
四重極１４の受入れに適した形状及び方向に集束され
る。四重極１４においては、所定の質量数（ｍ／ｚ）を
有するイオンのみが安定的に振動して通過し、この質量
数は四重極１４に印加するＤＣ／ＡＣ重畳電圧に応じて
変化させることができる。四重極１４を通過したイオン
は第２イオンレンズ１５によりイオン検出装置１６に導
入される。
【０００４】一般のイオン検出装置はイオンが高質量に
なるほど検出効率が落ちるため、高感度のイオン検出を
行う場合は、イオンを変換ダイノードに照射し、その表
面に衝突させて二次電子を発生させ、この二次電子を二
次電子検出器で検出するようにしている。
なるほど検出効率が落ちるため、高感度のイオン検出を
行う場合は、イオンを変換ダイノードに照射し、その表
面に衝突させて二次電子を発生させ、この二次電子を二
次電子検出器で検出するようにしている。
【０００５】このとき、質量分析のためのイオンを生成
するイオン源では電子照射による分子励起や高電圧によ
る帯電等により中性分子からイオンが生成され、そのイ
オンがイオンレンズ等により質量分離部に引き込まれる
が、イオン源の構造上、イオン化されない中性分子や光
も一部質量分離部に入り込む。このような中性粒子がイ
オン検出装置に入射して変換ダイノードに衝突すると検
出目的イオンと同様に二次電子を生成し、これが二次電
子検出器により捕捉されてバックグラウンドノイズを形
成する。このような中性粒子に起因するバックグラウン
ドノイズを低減するため、変換ダイノードは質量分析装
置の中心線より外れた位置に中心線と平行に置かれてい
る。
するイオン源では電子照射による分子励起や高電圧によ
る帯電等により中性分子からイオンが生成され、そのイ
オンがイオンレンズ等により質量分離部に引き込まれる
が、イオン源の構造上、イオン化されない中性分子や光
も一部質量分離部に入り込む。このような中性粒子がイ
オン検出装置に入射して変換ダイノードに衝突すると検
出目的イオンと同様に二次電子を生成し、これが二次電
子検出器により捕捉されてバックグラウンドノイズを形
成する。このような中性粒子に起因するバックグラウン
ドノイズを低減するため、変換ダイノードは質量分析装
置の中心線より外れた位置に中心線と平行に置かれてい
る。
【０００６】図５はこのようなイオン検出装置の従来の
構造を示す図である。図５において、１は筒状又は箱状
になった変換ダイノードで、イオン入射口２と二次電子
出口３を備え、グリッド４が変換ダイノード１のイオン
入射口２に設けられている。この変換ダイノード１に
は、第２イオンレンズ１５から中心線と平行に出射した
イオンを吸収加速して自身に入射させるため、そのイオ
ンと反対電荷の高電圧（３〜１０ｋＶ）が印加されてい
る。グリッド４は、入射イオンが正イオンの場合、発生
した二次電子の逆流が生じることを防止するため、発生
した二次電子を出口側に効率よく導けるような電界を変
換ダイノード内につくっている。一方、５は二次電子検
出器であり、シンチレータ７と光電子増倍管８よりな
り、シンチレータ７の表面に設けられたＡｌ層６には、
電子を引き寄せ、加速するために変換ダイノード１に対
して２〜３ｋＶ以上正になる電圧Ｖ1 が印加されてい
る。質量分析における検出器では、高速走査時の分解能
の低下や、検出器に入るイオンの質量数の切り換えに起
因する偽ピークの発生を抑えるため、シンチレータ７に
おいて発生する蛍光の残光時間を短くする必要があるの
で、蛍光減衰時間が１０ｎｓｅｃ以下と短いプラスチッ
クシンチレータが使用されている。シンチレータ７の表
面に形成されるＡｌ層６の厚さは、変換ダイノード１か
ら放出された２次電子が十分透過することができる程度
とする必要があり、５０〜１００ｎｍ程度の厚さになっ
ている。このＡｌ層６は、シンチレータ７内で発生した
蛍光を反射させて光電子増倍管８に導入すると共に、シ
ンチレータの表面を変換ダイノード１に対して正の高電
位に保持するという役割を有し、シンチレータ７に入射
する２次電子を加速するとともに、表面における電荷の
蓄積を防止して発光の効率を高めている。
構造を示す図である。図５において、１は筒状又は箱状
になった変換ダイノードで、イオン入射口２と二次電子
出口３を備え、グリッド４が変換ダイノード１のイオン
入射口２に設けられている。この変換ダイノード１に
は、第２イオンレンズ１５から中心線と平行に出射した
イオンを吸収加速して自身に入射させるため、そのイオ
ンと反対電荷の高電圧（３〜１０ｋＶ）が印加されてい
る。グリッド４は、入射イオンが正イオンの場合、発生
した二次電子の逆流が生じることを防止するため、発生
した二次電子を出口側に効率よく導けるような電界を変
換ダイノード内につくっている。一方、５は二次電子検
出器であり、シンチレータ７と光電子増倍管８よりな
り、シンチレータ７の表面に設けられたＡｌ層６には、
電子を引き寄せ、加速するために変換ダイノード１に対
して２〜３ｋＶ以上正になる電圧Ｖ1 が印加されてい
る。質量分析における検出器では、高速走査時の分解能
の低下や、検出器に入るイオンの質量数の切り換えに起
因する偽ピークの発生を抑えるため、シンチレータ７に
おいて発生する蛍光の残光時間を短くする必要があるの
で、蛍光減衰時間が１０ｎｓｅｃ以下と短いプラスチッ
クシンチレータが使用されている。シンチレータ７の表
面に形成されるＡｌ層６の厚さは、変換ダイノード１か
ら放出された２次電子が十分透過することができる程度
とする必要があり、５０〜１００ｎｍ程度の厚さになっ
ている。このＡｌ層６は、シンチレータ７内で発生した
蛍光を反射させて光電子増倍管８に導入すると共に、シ
ンチレータの表面を変換ダイノード１に対して正の高電
位に保持するという役割を有し、シンチレータ７に入射
する２次電子を加速するとともに、表面における電荷の
蓄積を防止して発光の効率を高めている。
【０００７】次に、図５のイオン検出装置の動作を入射
イオンが正イオンの場合について説明する。四重極１４
で質量分離され、第２イオンレンズ１５により引き出さ
れたイオンは、−５〜−６ｋＶの電圧が印加された変換
ダイノード１に向かって進み、変換ダイノード１のイオ
ン入射口２、グリッド４を通過してその壁面に衝突す
る。これにより、変換ダイノード１に入射したイオンの
量に応じた量の二次電子ｅ- が放出される。二次電子出
口３から放出された二次電子ｅ- は、Ａｌ層６に印加さ
れた−３〜−３．５ｋＶの電圧Ｖ1 によってＡｌ層６に
引き寄せられる。なお、変換ダイノード１の入射口２に
はグリッド４が設けられ、発生した二次電子が出口３側
に導かれるような電界が形成されているので、入射イオ
ンが正イオンの場合にも、発生した二次電子の逆流は生
じない。この二次電子ｅ- はＡｌ層６を透過してシンチ
レータ７に達し、そこで蛍光を発生させる。この蛍光は
Ａｌ層６で反射した後、又は直接に光電子増倍管８に入
射し、イオンの検出信号が出力される。
イオンが正イオンの場合について説明する。四重極１４
で質量分離され、第２イオンレンズ１５により引き出さ
れたイオンは、−５〜−６ｋＶの電圧が印加された変換
ダイノード１に向かって進み、変換ダイノード１のイオ
ン入射口２、グリッド４を通過してその壁面に衝突す
る。これにより、変換ダイノード１に入射したイオンの
量に応じた量の二次電子ｅ- が放出される。二次電子出
口３から放出された二次電子ｅ- は、Ａｌ層６に印加さ
れた−３〜−３．５ｋＶの電圧Ｖ1 によってＡｌ層６に
引き寄せられる。なお、変換ダイノード１の入射口２に
はグリッド４が設けられ、発生した二次電子が出口３側
に導かれるような電界が形成されているので、入射イオ
ンが正イオンの場合にも、発生した二次電子の逆流は生
じない。この二次電子ｅ- はＡｌ層６を透過してシンチ
レータ７に達し、そこで蛍光を発生させる。この蛍光は
Ａｌ層６で反射した後、又は直接に光電子増倍管８に入
射し、イオンの検出信号が出力される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のイオン検出装置
は以上のように構成されているが、上記のように変換ダ
イノードのイオン入射口にグリッドを設けると、変換ダ
イノードにイオンが入射する際、多数のイオンが散乱さ
れるので、効率が低下するという問題があった。この問
題は、グリッドを除去する変わりに、変換ダイノードの
イオン入射口の面積を小さくすると、二次イオンが逆流
せず、イオン検出効率を改善することができるが、この
ように変換ダイノードの入射口の面積を小さくすると、
検出器の前段部である分析部でイオンのエネルギーを変
えたり、イオン源の形状が変わったり、変換ダイノード
の電圧の変更等によりイオンの中心軌道が変わった時、
イオン入射口からはずれるイオンが生じ、イオンの入射
効率が落ちるという新たな問題が生じていた。
は以上のように構成されているが、上記のように変換ダ
イノードのイオン入射口にグリッドを設けると、変換ダ
イノードにイオンが入射する際、多数のイオンが散乱さ
れるので、効率が低下するという問題があった。この問
題は、グリッドを除去する変わりに、変換ダイノードの
イオン入射口の面積を小さくすると、二次イオンが逆流
せず、イオン検出効率を改善することができるが、この
ように変換ダイノードの入射口の面積を小さくすると、
検出器の前段部である分析部でイオンのエネルギーを変
えたり、イオン源の形状が変わったり、変換ダイノード
の電圧の変更等によりイオンの中心軌道が変わった時、
イオン入射口からはずれるイオンが生じ、イオンの入射
効率が落ちるという新たな問題が生じていた。
【０００９】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、変換ダイノードのグリッドを除去し、
変換ダイノードのイオンの入射口の面積を小さくしてイ
オンの散乱の影響を除去するとともに、イオンの中心軌
道が変わった場合にも、イオンの変換ダイノードへの入
射効率を高めることができる、イオン検出装置を提供す
ることを目的とする。
たものであって、変換ダイノードのグリッドを除去し、
変換ダイノードのイオンの入射口の面積を小さくしてイ
オンの散乱の影響を除去するとともに、イオンの中心軌
道が変わった場合にも、イオンの変換ダイノードへの入
射効率を高めることができる、イオン検出装置を提供す
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のイオン検出装置は、入射口より入射するイ
オンの進行方向から偏向した位置に設けられた変換ダイ
ノードと、入射イオンによって上記変換ダイノードで生
成される二次電子を検出する二次電子検出器とを有する
ものにおいて、入射口と変換ダイノードとの間にイオン
偏向電極が設けられ、このイオン偏向電極に印加される
電圧が上記変換ダイノードに印加される電圧に比べて小
さいことを特徴とする。
め、本発明のイオン検出装置は、入射口より入射するイ
オンの進行方向から偏向した位置に設けられた変換ダイ
ノードと、入射イオンによって上記変換ダイノードで生
成される二次電子を検出する二次電子検出器とを有する
ものにおいて、入射口と変換ダイノードとの間にイオン
偏向電極が設けられ、このイオン偏向電極に印加される
電圧が上記変換ダイノードに印加される電圧に比べて小
さいことを特徴とする。
【００１１】本発明のイオン検出装置は上記のように構
成されているので、検出器の前段部である分析部でのイ
オンエネルギーの変更、イオン源の形状変更、変換ダイ
ノードの印加電圧変更等によりイオンの中心軌道が変わ
った場合にも、イオン偏向電極に印加する電圧を変える
ことにより、イオンのずれた中心軌道をもとに戻すこと
ができるので、イオンの変換ダイノードへの入射効率を
高い状態に保つことができる。この場合、変換ダイノー
ドには高電圧が印加されており、イオンはこの高電圧に
よって軌道が曲げられた状態にあるので、イオン偏向電
極に印加する電圧は小さな値でもイオンのずれた中心軌
道を簡単にもとに戻すことができる。
成されているので、検出器の前段部である分析部でのイ
オンエネルギーの変更、イオン源の形状変更、変換ダイ
ノードの印加電圧変更等によりイオンの中心軌道が変わ
った場合にも、イオン偏向電極に印加する電圧を変える
ことにより、イオンのずれた中心軌道をもとに戻すこと
ができるので、イオンの変換ダイノードへの入射効率を
高い状態に保つことができる。この場合、変換ダイノー
ドには高電圧が印加されており、イオンはこの高電圧に
よって軌道が曲げられた状態にあるので、イオン偏向電
極に印加する電圧は小さな値でもイオンのずれた中心軌
道を簡単にもとに戻すことができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明のイオン検出装置の
一実施例を図１〜図３により説明する。
一実施例を図１〜図３により説明する。
【００１３】図１は本発明のイオン検出装置の一実施例
の構成を示す図であり、図５の従来のイオン検出装置と
異なる点は、偏向ダイノード１にグリッドが設けられて
いない点と、第２イオンレンズ１５と変換ダイノード１
との間にイオン偏向電極９が設けられている点である。
このように、変換ダイノードにグリッドを設けないと、
発生した二次電子の逆流が生じ、検出効率が低下する
が、変換ダイノードのイオンが入射する入射口２を小さ
くすることによりイオン検出効率を改善することができ
る。この入射口２の大きさは２〜３ｍｍ×１０ｍｍ位で
あればグリッドがなくても二次電子は逆流せずに、出口
３より二次電子検出器５に導かれる。しかし、イオン入
射口２を小さくすると、イオンの中心軌道が変わった場
合、イオン入射口２から外れるイオンが生じ、効率が落
ちるので、第２イオンレンズ１５と変換ダイノード１と
の間にイオン軌道を調整するための偏向電極９が設けら
れている。この偏向電極９には約-100〜+100Ｖの電圧Ｖ
2 が可変で印加できるようになっており、この電圧を調
整することにより、イオンの軌道を調整することができ
る。
の構成を示す図であり、図５の従来のイオン検出装置と
異なる点は、偏向ダイノード１にグリッドが設けられて
いない点と、第２イオンレンズ１５と変換ダイノード１
との間にイオン偏向電極９が設けられている点である。
このように、変換ダイノードにグリッドを設けないと、
発生した二次電子の逆流が生じ、検出効率が低下する
が、変換ダイノードのイオンが入射する入射口２を小さ
くすることによりイオン検出効率を改善することができ
る。この入射口２の大きさは２〜３ｍｍ×１０ｍｍ位で
あればグリッドがなくても二次電子は逆流せずに、出口
３より二次電子検出器５に導かれる。しかし、イオン入
射口２を小さくすると、イオンの中心軌道が変わった場
合、イオン入射口２から外れるイオンが生じ、効率が落
ちるので、第２イオンレンズ１５と変換ダイノード１と
の間にイオン軌道を調整するための偏向電極９が設けら
れている。この偏向電極９には約-100〜+100Ｖの電圧Ｖ
2 が可変で印加できるようになっており、この電圧を調
整することにより、イオンの軌道を調整することができ
る。
【００１４】次に、図１のイオン検出装置の動作を入射
イオンが正イオンの場合について説明する。図５の従来
のイオン検出装置と同様に、四重極１４で質量分離さ
れ、第２イオンレンズ１５により引き出されたイオン
は、偏向電極９に向かい、ここで軌道を調整された後、
−５〜−６ｋＶの電圧が印加された変換ダイノード１に
向かって進み、変換ダイノード１の入射口２を通過して
その壁面に衝突する。これにより、変換ダイノード１に
入射したイオンの量に応じた量の二次電子ｅ- が放出さ
れる。二次電子出口３から放出された二次電子ｅ- は、
Ａｌ層６に印加された−３〜−３．５ｋＶの電圧Ｖ1 に
よってＡｌ層６に引き寄せられ、Ａｌ層６を透過してシ
ンチレータ７に達し、そこで蛍光を発生させる。この蛍
光はＡｌ層６で反射した後、又は直接に光電子増倍管８
に入射し、この光電子増倍管８からイオンの検出信号が
出力される。
イオンが正イオンの場合について説明する。図５の従来
のイオン検出装置と同様に、四重極１４で質量分離さ
れ、第２イオンレンズ１５により引き出されたイオン
は、偏向電極９に向かい、ここで軌道を調整された後、
−５〜−６ｋＶの電圧が印加された変換ダイノード１に
向かって進み、変換ダイノード１の入射口２を通過して
その壁面に衝突する。これにより、変換ダイノード１に
入射したイオンの量に応じた量の二次電子ｅ- が放出さ
れる。二次電子出口３から放出された二次電子ｅ- は、
Ａｌ層６に印加された−３〜−３．５ｋＶの電圧Ｖ1 に
よってＡｌ層６に引き寄せられ、Ａｌ層６を透過してシ
ンチレータ７に達し、そこで蛍光を発生させる。この蛍
光はＡｌ層６で反射した後、又は直接に光電子増倍管８
に入射し、この光電子増倍管８からイオンの検出信号が
出力される。
【００１５】ところで、上記のように検出器の前段にあ
る質量分析部でイオンの検出エネルギーを変えたり、イ
オン源の形状や変換ダイノードの電圧を変更したりする
と、イオンの中心軌道が変化する。例えば、図２の破線
のように、正イオンの中心軌道が変換ダイノード１の前
方にきた場合には、偏向電極９に印加する電圧をさらに
正の方向に増加させることにより、図２の実線で示すよ
うに、変換ダイノード１の入射口２の位置にイオンの中
心軌道を戻すことができる。また、図３の破線で示すよ
うに、変換ダイノード１の後方にイオンの中心軌道がき
てしまった場合には、偏向電極９に印加する電圧を減ず
る方向に調整することにより、図３の実線で示すように
変換ダイノードの入射口の中央にイオンの中心軌道を移
動させることができる。
る質量分析部でイオンの検出エネルギーを変えたり、イ
オン源の形状や変換ダイノードの電圧を変更したりする
と、イオンの中心軌道が変化する。例えば、図２の破線
のように、正イオンの中心軌道が変換ダイノード１の前
方にきた場合には、偏向電極９に印加する電圧をさらに
正の方向に増加させることにより、図２の実線で示すよ
うに、変換ダイノード１の入射口２の位置にイオンの中
心軌道を戻すことができる。また、図３の破線で示すよ
うに、変換ダイノード１の後方にイオンの中心軌道がき
てしまった場合には、偏向電極９に印加する電圧を減ず
る方向に調整することにより、図３の実線で示すように
変換ダイノードの入射口の中央にイオンの中心軌道を移
動させることができる。
【００１６】この場合、イオンの中心軌道を変換ダイノ
ード１の入射口２の中央に移動させるには、偏向電極９
に印加する電圧を適当な範囲で走査し、イオンの検出出
力が最大になる印加電圧を検出し、その電圧を偏向電極
に印加することにより、容易に行うことができる。
ード１の入射口２の中央に移動させるには、偏向電極９
に印加する電圧を適当な範囲で走査し、イオンの検出出
力が最大になる印加電圧を検出し、その電圧を偏向電極
に印加することにより、容易に行うことができる。
【００１７】本発明では、上記のように変換ダイノード
に高電圧が印加されており、第２イオンレンズから入っ
たイオンは変換ダイノードの方向に進むように軌道がで
きており、偏向電極に印加する電圧は偏向ダイノードに
印加する電圧に比べて小さい値でよく、高電圧を必要と
することなく、容易にイオンの中心軌道を調整すること
ができる。
に高電圧が印加されており、第２イオンレンズから入っ
たイオンは変換ダイノードの方向に進むように軌道がで
きており、偏向電極に印加する電圧は偏向ダイノードに
印加する電圧に比べて小さい値でよく、高電圧を必要と
することなく、容易にイオンの中心軌道を調整すること
ができる。
【００１８】なお、上記実施例では第２イオンレンズを
イオン検出装置の入射口として使用しているが別個にイ
オン検出装置のイオン入射口を設けてもよく、また、上
記実施例では、正イオンを検出するものとして説明した
が、変換ダイノードに印加する電圧の符号を反転して正
とすることにより、負のイオンについても同様に検出す
ることができる。
イオン検出装置の入射口として使用しているが別個にイ
オン検出装置のイオン入射口を設けてもよく、また、上
記実施例では、正イオンを検出するものとして説明した
が、変換ダイノードに印加する電圧の符号を反転して正
とすることにより、負のイオンについても同様に検出す
ることができる。
【００１９】また、二次電子検出器として二次電子をシ
ンチレータにより光に換え、光電子増倍管で検出する方
法に代えて、二次電子検出器として二次電子増倍管で直
接受ける方法等を使用することもでき、シンチレータ７
の前面に設けたＡｌ層６の代わりに、Ａｌ層と同様の役
割を果たす、他の金属層を形成してもよい。
ンチレータにより光に換え、光電子増倍管で検出する方
法に代えて、二次電子検出器として二次電子増倍管で直
接受ける方法等を使用することもでき、シンチレータ７
の前面に設けたＡｌ層６の代わりに、Ａｌ層と同様の役
割を果たす、他の金属層を形成してもよい。
【００２０】さらに、上記実施例では偏向電極に-100〜
100 Ｖの電圧を印加すると説明したが、電圧値はこの範
囲に限られるものでなく、他の値でもよく,-500 〜500
Ｖにすれば、イオンの軌道調整範囲を拡大することがで
きる。
100 Ｖの電圧を印加すると説明したが、電圧値はこの範
囲に限られるものでなく、他の値でもよく,-500 〜500
Ｖにすれば、イオンの軌道調整範囲を拡大することがで
きる。
【００２１】
【発明の効果】本発明のイオン検出装置は上記のように
構成されており、変換ダイノードのグリッドを除去し、
変換ダイノードのイオンの入射口の面積を小さくしてい
るので、イオンの散乱の影響を除去できるとともに、質
量分析部でのイオン検出エネルギーの変更、イオン源の
形状変更及び変換ダイノードの印加電圧の変更等により
イオンの中心軌道が変わった場合にも、偏向電極に印加
する電圧を変えることにより、イオンのずれた中心軌道
をもとに戻すことができ、イオンの変換ダイノードへの
入射効率を高い状態に保つことができる。
構成されており、変換ダイノードのグリッドを除去し、
変換ダイノードのイオンの入射口の面積を小さくしてい
るので、イオンの散乱の影響を除去できるとともに、質
量分析部でのイオン検出エネルギーの変更、イオン源の
形状変更及び変換ダイノードの印加電圧の変更等により
イオンの中心軌道が変わった場合にも、偏向電極に印加
する電圧を変えることにより、イオンのずれた中心軌道
をもとに戻すことができ、イオンの変換ダイノードへの
入射効率を高い状態に保つことができる。
【００２２】この場合、変換ダイノードには高電圧が印
加されており、イオンはこの高電圧によって軌道が曲げ
られた状態にあるので、イオン偏向電極に印加する電圧
は小さな値でもイオンのずれた中心軌道を簡単にもとに
戻すことができる。
加されており、イオンはこの高電圧によって軌道が曲げ
られた状態にあるので、イオン偏向電極に印加する電圧
は小さな値でもイオンのずれた中心軌道を簡単にもとに
戻すことができる。
【図１】本発明のイオン検出装置の一実施例を示す図で
ある。
ある。
【図２】イオンの軌道の変化を示す図である。
【図３】イオンの軌道の変化を示す図である。
【図４】一般的な質量分析装置を示す図である。
【図５】従来のイオン検出装置を示す図である。
１ 変換ダイノード ２ イオン入射口 ３ 二次電子出口 ５ 二次電子検出器 ６ Ａｌ層 ７ シンチレータ ８ 光電子増倍管 ９ 偏向電極
Claims (1)
- 【請求項１】 入射口より入射するイオンの進行方向か
ら偏向した位置に設けられた変換ダイノードと、入射イ
オンによって上記変換ダイノードで生成される二次電子
を検出する二次電子検出器とを有するイオン検出装置に
おいて、入射口と変換ダイノードとの間にイオン偏向電
極が設けられ、このイオン偏向電極に印加される電圧が
上記変換ダイノードに印加される電圧に比べて小さいこ
とを特徴とするイオン検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8073578A JPH09265936A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | イオン検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8073578A JPH09265936A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | イオン検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09265936A true JPH09265936A (ja) | 1997-10-07 |
Family
ID=13522326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8073578A Pending JPH09265936A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | イオン検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09265936A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011086403A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Canon Anelva Corp | コンバージョン型イオン検出ユニット |
| WO2021152874A1 (ja) * | 2020-01-31 | 2021-08-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 撮像ユニット、質量分析装置、及び質量分析方法 |
| JP2021125288A (ja) * | 2020-01-31 | 2021-08-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 質量分析装置、及び質量分析方法 |
-
1996
- 1996-03-28 JP JP8073578A patent/JPH09265936A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011086403A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Canon Anelva Corp | コンバージョン型イオン検出ユニット |
| WO2021152874A1 (ja) * | 2020-01-31 | 2021-08-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 撮像ユニット、質量分析装置、及び質量分析方法 |
| JP2021125289A (ja) * | 2020-01-31 | 2021-08-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 撮像ユニット、質量分析装置、及び質量分析方法 |
| JP2021125288A (ja) * | 2020-01-31 | 2021-08-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 質量分析装置、及び質量分析方法 |
| GB2607243A (en) * | 2020-01-31 | 2022-11-30 | Hamamatsu Photonics Kk | Imaging unit, mass spectrometer, and mass spectrometry method |
| US12243735B2 (en) | 2020-01-31 | 2025-03-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Imaging unit, mass spectrometer, and mass spectrometry method |
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