JPH08141765A - レーザ加工方法 - Google Patents
レーザ加工方法Info
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- JPH08141765A JPH08141765A JP6306996A JP30699694A JPH08141765A JP H08141765 A JPH08141765 A JP H08141765A JP 6306996 A JP6306996 A JP 6306996A JP 30699694 A JP30699694 A JP 30699694A JP H08141765 A JPH08141765 A JP H08141765A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
- C03C23/0025—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by a laser beam
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Abstract
発生する微細な亀裂およびドロスを除去する。 【構成】 ガラス製の基板6にレジスト剤を塗布してレ
ジスト膜7を形成したワークWを作製する。そののち、
ワークWに対し、CO2 レーザ装置1によって発生され
たCO2 レーザ光L1 をミラー2で反射させて加工レン
ズ3へ導き、加工レンズ3によって集光させてワークW
のレジスト膜7の孔明け加工すべき部位に照射するとと
もに、加工ノズル4よりアシストガス5を供給してワー
クWを貫通する孔8を形成する。ついで、孔8が形成さ
れたワークWを所定の濃度のフッ酸溶液中に浸してエッ
チングを行なうことにより孔明け加工部に発生した微細
な亀裂およびドロスを除去する。
Description
るガラス製の基板に対し、微細な孔明け加工を行なうた
めのレーザ加工方法に関するものである。
孔明け加工を行なうレーザ加工方法としては、透明ガラ
スを透過するYAGレーザ光を用いることが困難なた
め、透明ガラス製の基板を高温に加熱するかあるいは室
温でCO2 レーザ光やエキシマレーザ光を照射するレー
ザ加工方法が採用されている。
術は、いずれも孔明け加工によって除去された透明ガラ
スのかすつまりドロスが発生する上、透明ガラス製の基
板を高温に加熱して孔明け加工を行なう方法では、別途
加熱手段を必要とするとともに加熱時間を費やすために
生産性が低く、一方、室温で孔明け加工を行なう方法で
は、孔明け加工部に微細な亀裂が発生するという問題点
があった。
に鑑みてなされたものであって、ガラス製の基板に孔明
け加工を行なった際に発生する微細な亀裂およびドロス
を除去できるレーザ加工方法を実現することを目的とす
るものである。
め、本発明のレーザ加工方法は、ガラス製の基板にレジ
スト剤を塗布してレジスト膜を形成したのち、レーザ光
を照射して孔明け加工を行ない、ついで、孔明け加工さ
れた前記基板を所定の濃度のフッ酸溶液中に浸して孔明
け加工部に発生した微細な亀裂およびドロスを除去する
ことを特徴とするものである。
照射して孔明け加工を行なった部位以外の部位は、レジ
スト膜で保護されているため、レーザ光を照射して孔明
け加工を行なったのちフッ酸溶液中に浸した際に、孔明
け加工部のみがエッチングされる。その結果、孔明け加
工部に発生した微細な亀裂やドロスが除去される。
加工方法に用いるレーザ加工装置の説明図であって、レ
ーザ加工装置E1 は、CO2 レーザ装置1によって発生
されたレーザ光であるCO2 レーザ光L1 をミラー2で
反射させ、ミラー2で反射されたCO2 レーザ光L1 を
加工レンズ3によって集光してワークWに照射するとと
もに、加工ノズル4よりアシストガス5をワークWへ供
給できるように構成されている。
ついて説明する。
布してレジスト膜7を形成したワークWを作製する。
に対し、CO2 レーザ装置1によって発生されたCO2
レーザ光L1 をミラー2で反射させて加工レンズ3へ導
き、加工レンズ3によって集光させてワークWのレジス
ト膜7の孔明け加工すべき部位に照射するとともに、加
工ノズル4よりアシストガス5を供給してワークWを貫
通する孔8を形成する。
である孔8の内面には微細な亀裂が発生するとともにド
ロスが発生する。
工されたワークWを、図3に示すように、吊り下げ具2
2で保持して処理槽20に貯留された所定の濃度のフッ
酸溶液21中に浸し、ワークWの孔明け加工部のエッチ
ングを行なう。
なったので、その結果を具体例1に示す。
ジスト剤(東京応化製OFPR800)を塗布すること
によって膜厚1.2μ〜1.6μのレジスト膜を形成し
たワークを作製する。
し、出力440WのCO2 レーザ装置によって発生した
パルスオンタイム1ms、パルスオフタイム115ms
のCO2 レーザ光を7パルス照射するとともに、アシス
トガスを加工ノズルよりワークの孔明け加工部へ供給
し、ワークWを貫通する孔を形成する。使用した加工レ
ンズの外径は5in、アシストガスはガス圧0.3〜
0.8kg/cm2 の酸素ガスを用いた。
たワークをフッ酸5%の溶液中に10s浸したのち、引
き上げたところワークの孔明け加工部である孔の内面の
微細な亀裂およびドロスはほぼ完全に取り除かれてい
た。
ザ加工方法に用いるレーザ加工装置の説明図であって、
レーザ加工装置E2 は、エキシマレーザ装置11によっ
て発生されたエキシマレーザ光L2 をミラー12で反射
させ、ミラー12で反射されたエキシマレーザ光L2 を
加工レンズ13によって集光してワークWに照射するも
のであって、エキシマレーザ装置11とミラー12の間
にはマスク14が介在されたものである。
7を施してワークWを作製する。
対し、エキシマレーザ装置11によって発生されたエキ
シマレーザ光L2 を、マスク14を通したのちミラー1
2で反射させて加工レンズ13へ導き、該加工レンズ1
3で集光してワークWの孔明け加工すべき部位に照射す
ることによって、ワークWを貫通する孔18を形成す
る。
形成されたワークWを、図3に示すフッ酸溶液21に浸
すことにより、第1実施例と同様に孔明け加工部に発生
した微細な亀裂およびドロスを除去した。
実験を行なったので、その結果を具体例2に示す。
(2)のかわりに、エキシマレーザ装置により発生した
3J/cm2 、100Hzのエキシマレーザ光を10s
間大気中で照射した以外は具体例1と同様にワークの孔
明け加工を行なったところ、具体例1と同様の結果が得
られた。
ので、次に記載するような効果を奏する。
ドロスを完全に取り除くことができるため、高精度の孔
を形成することができるとともに、室温で孔明け加工が
できるので生産性が向上する。
レーザ加工装置の説明図である。
レーザ加工装置の説明図である。
し、孔明け加工を行なったワークをフッ酸溶液に浸した
状態の説明図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 ガラス製の基板にレジスト剤を塗布して
レジスト膜を形成したのち、レーザ光を照射して孔明け
加工を行ない、ついで、孔明け加工された前記基板を所
定の濃度のフッ酸溶液中に浸して孔明け加工部に発生し
た微細な亀裂およびドロスを除去することを特徴とする
レーザ加工方法。 - 【請求項2】 レーザ光がCO2 レーザ光であることを
特徴とする請求項1記載のレーザ加工方法。 - 【請求項3】 レーザ光がエキシマレーザ光であること
を特徴とする請求項1記載のレーザ加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6306996A JPH08141765A (ja) | 1994-11-16 | 1994-11-16 | レーザ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6306996A JPH08141765A (ja) | 1994-11-16 | 1994-11-16 | レーザ加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08141765A true JPH08141765A (ja) | 1996-06-04 |
Family
ID=17963766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6306996A Pending JPH08141765A (ja) | 1994-11-16 | 1994-11-16 | レーザ加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08141765A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US11772191B2 (en) | 2019-10-24 | 2023-10-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and method |
-
1994
- 1994-11-16 JP JP6306996A patent/JPH08141765A/ja active Pending
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| US11772191B2 (en) | 2019-10-24 | 2023-10-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and method |
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