JPH08146632A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 円筒状導電性基体４の端部領域の内面にイン
ロー部５を形成し、ａ−Ｓｉ系光導電層６を成膜形成す
る電子写真感光体の製造方法として、光導電層６形成後
のインロー部５の内径寸法精度が確保でき、それにより
優れた画像品質の電子写真感光体が得られる製造方法を
提供する。 【構成】 円筒状導電性基体４の端部領域の内径をその
端部へ向けて末広がり状に大きくなるようにしたインロ
ー部５を形成し、その基体４の外周面上に端部領域に延
在するようにａ−Ｓｉ系光導電層６を成膜形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、円筒状の導電性基体上
にアモルファスシリコン系光導電層を形成してなる電子
写真感光体の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、アモルファスシリコン系光導電材
料を光導電層に用いた電子写真感光体が実用化されてお
り、優れた耐磨耗性や耐熱性・光感度特性・無公害性な
どを有することから、その製造量は年々増加の一途をた
どっている。このアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓ
ｉと略記する）系光導電層を用いた電子写真感光体（ａ
−Ｓｉ系電子写真感光体）は通常、アルミなどの金属か
らなる円筒状の導電性基体表面にａ−Ｓｉ系光導電層を
成膜形成して作製され、基体の両端部に電子写真装置内
で感光体を保持するためのフランジを装着し、電子写真
装置に搭載されて使用される。

【０００３】このように円筒状基体の両端部にフランジ
を装着するに当たり、基体の内側にフランジをはめ込ん
で装着する場合には、基体端部領域の内面の所定長さに
わたってインロー部と言われる削り込み部分を形成し
て、基体の内径とインロー部の内径との段差を利用して
フランジを固定することが行なわれている。

【０００４】

【発明が解決しようとする問題点】ところが上記のよう
なインロー部を形成すると、その部分の基体の厚みが削
りしろ分だけ薄くなってしまうので、基体の両端部領域
の機械的強度が他の部分に比べて低くなってしまう。そ
のため端部領域の外表面にもａ−Ｓｉ系光導電層を延在
させて成膜した場合、成膜後のａ−Ｓｉ系光導電層は基
体を圧縮する応力を生じるため、インロー部を形成した
基体の端部が応力により収縮して変形してしまうという
問題点があった。

【０００５】そのような従来のａ−Ｓｉ系電子写真感光
体における端部の変形の様子を図３（ａ）および（ｂ）
に要部断面図で示す。同図（ａ）および（ｂ）はそれぞ
れａ−Ｓｉ系光導電層を成膜形成する前および後の基体
端部領域の形状を示している。これらの図において、１
はアルミなどの金属からなる円筒状の導電性基体であ
り、２は基体１にフランジ（図示せず）を装着するため
のインロー部である。このインロー部２は、基体１より
大きな内径を有するように基体１の内面を削り込むなど
の加工を施すことにより形成されている。また３は基体
１の外周面に形成されたａ−Ｓｉ系光導電層である。従
来のａ−Ｓｉ系電子写真感光体では、同図（ａ）に示す
ように、基体１端部の外表面は中央部と同一円筒面にな
るように、またインロー部２は基体１の外表面と同軸の
円筒面になるようにそれぞれ形成されている。ところが
ａ−Ｓｉ系光導電層３の形成後は、同図（ｂ）に示すよ
うに、基体１の端部が収縮するように変形してその外径
およびインロー部２の内径が小さくなってしまってい
た。そのため、インロー部２にフランジが装着できなく
なったり、基体１端部の直径がばらついたり真円度が悪
くなってしまうという問題点があった。

【０００６】感光体の端部領域は通常、画像形成に対し
ては非画像部に設定されているため、その外周面側が若
干収縮変形しても画像品質に重大な支障はない。しかし
上記インロー部２には、電子写真装置内で感光体を高精
度に保持して回転・駆動をするためのフランジが装着さ
れるので、この部分の内径の真円度と直径公差は小さく
設定され、その寸法精度が良好なことが要求される。そ
のため上記のように基体１の端部が収縮変形してインロ
ー部２の内径寸法精度が悪化すると、フランジの取付精
度ならびに電子写真装置内における感光体の位置精度も
悪化するため、感光体表面と現像器とのギャップ精度な
どが悪くなり、その結果、画像品質が低下してしまうと
いう問題点があった。

【０００７】上記のようなインロー部２の変形が生じる
のは円筒状導電性基体１とａ−Ｓｉ系光導電層３との熱
膨張係数の差によるものであり、円筒状導電性基体１が
ほぼ室温の環境で加工されるのに対してａ−Ｓｉ系光導
電層３が基体１を約 250〜350 ℃に加熱しながら成膜さ
れるため、成膜後再び室温に戻される際に基体１と光導
電層３との熱膨張係数の差に基づく収縮量の差が応力を
発生し、機械的強度の低いインロー部２すなわち基体１
端部領域の変形をもたらすことによる。しかし現状で
は、ａ−Ｓｉ系光導電層３の成膜温度を下げたり、導電
性基体１とａ−Ｓｉ系光導電層３との熱膨張係数を同じ
にすることは技術的に不可能である。

【０００８】さらに、このようなインロー部２の変形量
は、感光体の帯電能を高めるためにａ−Ｓｉ系光導電層
３の厚みを厚くしたり、ａ−Ｓｉ系光導電層３の特性を
調整するために成膜温度を高くすることにより、さらに
大きくなる傾向があった。

【０００９】なお、このような円筒状基体端部の光導電
層形成後における変形は、他の光導電材料を用いる場合
でも、その層形成に際して基体温度を室温より高めかつ
基体との熱膨張係数が異なるときには、基体の厚みを薄
くして機械的強度が低くなったりすると同様に問題とな
るものである。

【００１０】本発明は上記事情に鑑みて完成されたもの
であり、その目的は、端部領域の内面にインロー部を形
成した円筒状導電性基体上にａ−Ｓｉ系光導電層を形成
してなる電子写真感光体の製造方法において、光導電層
の厚みを厚くしたり光導電層の成膜温度を高くしてもイ
ンロー部の内径寸法精度が確保でき、それにより優れた
画像品質が得られる電子写真感光体の製造方法を提供す
ることにある。

【００１１】本発明の他の目的は、ａ−Ｓｉ系光導電層
を成膜形成後の内径寸法精度を、円筒状導電性基体端部
のインロー部の加工によって製造工数を増やすことなく
低コストで確保した、フランジの取付精度が良好で優れ
た画像品質が得られる電子写真感光体の製造方法を提供
することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の電子写真感光体
の製造方法は、円筒状導電性基体の端部領域の内面にイ
ンロー部を形成し、その基体外周面にａ−Ｓｉ系光導電
層を成膜形成するものであって、下記（Ａ）および
（Ｂ）の工程から成るものである。 （Ａ）円筒状導電性基体の端部領域の内径を、その端部
へ向けて末広がり状に大きくする。 （Ｂ）上記円筒状導電性基体の外周面上に、端部領域に
延在するようにアモルファスシリコン系光導電層を成膜
形成する。

【００１３】

【作用】本発明の電子写真感光体の製造方法によれば、
ａ−Ｓｉ系光導電層の成膜形成前の円筒状導電性基体の
端部領域内面に形成するインロー部を、末広がり状すな
わちその内径が端部に向かって大きくなるようなテーパ
ー状に形成し、その上に延在するように外周面上にａ−
Ｓｉ系光導電層の成膜形成を行なうので、光導電層と基
体との熱膨張係数の差によって感光体端部の収縮変形が
生じると、その結果インロー部のテーパーが相殺されて
ほぼフラットな形状となり、ほぼ一定の内径となるもの
である。従って、インロー部の内径寸法精度が高まり、
フランジの取付精度ならびに電子写真装置内における感
光体の位置精度も向上するため、感光体表面と現像器と
のギャップ精度や感光体の回転精度などが高められて、
優れた画像品質の電子写真画像が得られる感光体となる
ものである。

【００１４】ここで、ａ−Ｓｉ系光導電層の成膜形成後
にフラットな形状となったインロー部に対応する感光体
の外周面の端部は、収縮変形を受けて感光体中央部より
も外径が小さくなるが、この部分は前述のように非画像
部に設定されているため画像品質に悪影響を与えること
はない。

【００１５】このように、円筒状基体の端部領域に形成
するインロー部におけるａ−Ｓｉ系光導電層の成膜形成
による内径の収縮量を、成膜前にインロー部を末広がり
状に形成しておくことにより吸収・相殺することによっ
て、インロー部の機械的強度を増すために基体の厚みを
増したりあるいはインロー部の変形を後加工によって修
正したりして材料や製造工数のコストを増加させること
なく、インロー部の内径寸法精度が良好な電子写真感光
体を提供できる。そして、インロー部の内径がばらつい
たり真円度が悪くなってインロー部にフランジが装着で
きなくなるという問題点もなくなり、良好な画質の電子
写真画像が得られる電子写真感光体を提供できるもので
ある。

【００１６】

【実施例】以下、本発明の電子写真感光体の製造方法を
実施例に基づいて説明する。図１（ａ）および（ｂ）は
本発明の製造方法による電子写真感光体の要部断面図で
あり、同図（ａ）はａ−Ｓｉ系光導電層の成膜形成前の
感光体すなわち基体の端部形状を、同図（ｂ）は成膜形
成後の感光体の端部形状を示している。

【００１７】これらの図において、４はアルミなどの金
属からなる円筒状の導電性基体、５は基体４にフランジ
（図示せず）を装着するためのインロー部であり、図３
と同様に、基体４より大きな内径を有するように基体４
の内面を削り込むなどの加工を施すことにより形成され
ている。また、６は基体４の外表面に形成されたａ−Ｓ
ｉ系光導電層である。同図（ａ）に示すように、基体４
端部の外表面は中央部と同一円筒面になるようにフラッ
ト形状に、またインロー部５は基体４の端部に向かって
末広がり状に内径が大きくなるようなテーパー形状にそ
れぞれ形成されている。このインロー部５の形状は、同
図に示したような一様な傾斜のものの他に、その傾斜を
変化させたものでもよく、また後述するように種々の傾
斜面を組み合わせたものであってもよい。

【００１８】このように末広がり状に形成されたインロ
ー部５を有する基体４に対してａ−Ｓｉ系光導電層６を
成膜形成すると、それにより得られた感光体のインロー
部５は、同図（ｂ）に示すように、基体４の端部が収縮
するように変形した結果その外径が小さくなりインロー
部５の内径がほぼ一定となって、ほぼフラットな形状の
円筒面となる。そのためインロー部５は直径公差や真円
度が小さくなって良好な内径寸法精度が確保でき、フラ
ンジが装着できなくなったりする問題点がなくなる。そ
の結果、フランジの取付精度ならびに電子写真装置内に
おける感光体の位置精度も向上するため、感光体表面と
現像器とのギャップ精度や感光体の回転精度などが高め
られて、優れた画像品質の電子写真画像が得られる。

【００１９】次に、本発明の製造方法による電子写真感
光体の他の実施例を図２（ａ）〜（ｃ）に電子写真感光
体の要部断面図で示す。これらは図１（ａ）と同様に、
それぞれａ−Ｓｉ系光導電層の成膜形成前の感光体すな
わち基体の端部形状を示しており、これらの図において
も、４はアルミなどの金属からなる円筒状の導電性基体
を示している。

【００２０】図２（ａ）はインロー部７を２段に形成し
た例であり、インロー部７は、基体４の端部に向かって
末広がり状に内径が大きくなるようなテーパー形状に形
成された基体４の端部側のインロー部７ａと、それから
連続して基体４の中央側に基体４の外表面と同軸の円筒
面になるように一定の内径で形成されたフラットな形状
のインロー部７ｂとからなっている。このようなインロ
ー部７によれば、ａ−Ｓｉ系光導電層の成膜による基体
４端部の収縮がインロー部７ａで吸収可能な、インロー
部７が深い場合に有効である。

【００２１】図２（ｂ）もインロー部８を２段に形成し
た例であり、このインロー部８は、基体４の端部に向か
って末広がり状に内径が大きくなるようなテーパー形状
に形成された基体４の端部側のインロー部８ａと、それ
から連続して基体４の中央側にインロー部８ａよりも傾
斜の緩いテーパー形状に形成されたインロー部８ｂとか
らなっている。このようなインロー部８によれば、イン
ロー部８の深さが浅い場合であっても、基体４端部にな
るにつれて収縮量が大きくなることに十分対応可能とな
る。

【００２２】また、図２（ｃ）はインロー部９を３段に
形成した例であり、インロー部９は、基体４の端部に向
かって末広がり状に内径が大きくなるようなテーパー形
状に形成された基体４の端部側のインロー部９ａと、そ
れから連続して基体４の中央側にインロー部９ａよりも
傾斜の緩いテーパー形状に形成されたインロー部９ｂ
と、さらにそれから連続して基体４の中央側にインロー
部９ｂよりも傾斜の緩いテーパー形状に形成されたイン
ロー部９ｃとからなっている。このようなインロー部９
は、場所による収縮量の違いを細かく管理可能なため、
特にインロー内径の要求精度が厳しい場合に有効であ
る。なお、インロー部９ｂあるいは９ｃのどちらか一方
はフラットな形状に形成されていてもよい。また、さら
に多段のテーパー面とフラット面との組合せとしてもよ
い。

【００２３】本発明の電子写真感光体において円筒状導
電性基体４を構成する材料には、ＳＵＳ（ステンレスス
チール）・アルミ（Ａｌ）・亜鉛（Ｚｎ）・銅（Ｃｕ）
・鉄（Ｆｅ）・チタン（Ｔｉ）・ニッケル（Ｎｉ）・ク
ロム（Ｃｒ）・タンタル（Ｔａ）・錫（Ｓｎ）・金（Ａ
ｕ）・銀（Ａｇ）などの金属材料やそれらの合金材料な
どが挙げられる。中でもアルミ合金材料を用いると、感
光体の軽量化が低コストで可能なばかりか、ａ−Ｓｉ系
光導電層との密着性が高く、感光体の信頼性も向上する
といった点で好適である。

【００２４】円筒状導電性基体４は、押し出し加工や引
き抜き加工などによって円筒状に成形され、旋盤による
切削加工や研削加工などによる粗加工・仕上げ加工を経
て、所望の形状および寸法精度に形成される。基体の厚
みは必要とする仕様に応じて適宜設定されるが、基体全
体ならびに端部に形成するインロー部の機械的強度およ
び寸法精度を確保することなどを考慮して、通常0.5 〜
20ｍｍ、好適には１〜10ｍｍとするのがよい。

【００２５】インロー部５・７〜９は、円筒状導電性基
体４の端部の内面に、旋盤による切削加工などにより端
部から所定の長さにわたって末広がり状に形成する。そ
の寸法ならびに寸法精度も必要とする仕様に応じて適宜
設定されるが、例えばインロー部の長さは通常２〜30ｍ
ｍ程度とし、基体中央側の内面からの段差部分の高さは
通常 0.5〜５ｍｍ程度に設定する。また、基体４端部に
向かって末広がり状に内径が大きくなるテーパー形状の
面の傾斜は、基体４の機械的強度やａ−Ｓｉ系光導電層
６の厚みあるいは応力ならびに光導電層６の成膜形成に
よりインロー部が収縮変形する収縮量に応じて設定する
が、傾斜をつけずに加工した通常のインロー部における
光導電層６の成膜前後の実際の収縮量を計測して、その
値に基づいて設定するとよい。また、図２（ａ）〜
（ｃ）に示したように多段の面を組み合わせて形成する
場合は、光導電層６の成膜前後においてインロー部の複
数の位置における収縮量を計測して、その結果に基づい
て設定するとよい。

【００２６】ａ−Ｓｉ系光導電層６を構成する材料に
は、ａ−Ｓｉ系もしくはａ−Ｓｉ合金系の光導電材料が
あり、ａ−Ｓｉ・ａ−ＳｉＣ・ａ−ＳｉＮ・ａ−ＳｉＯ
・ａ−ＳｉＧｅ・ａ−ＳｉＣＮ・ａ−ＳｉＮＯ・ａ−Ｓ
ｉＣＯ・ａ−ＳｉＣＮＯなどが挙げられる。これらは、
例えばグロ−放電分解法・各種スパッタリング法・各種
蒸着法・ＥＣＲ法・光ＣＶＤ法・触媒ＣＶＤ法・反応性
蒸着法などにより成膜形成し、その成膜形成に当たって
ダングリングボンド終端用に水素（Ｈ）やハロゲン元素
（Ｆ・Ｃｌ）を膜中に１〜40原子％含有させる。また、
この層６の暗導電率や光導電率などの電気的特性あるい
は光学的バンドギャップなどについて所望の特性を得る
ために、周期律表第IIIa族元素（以下、IIIa族元素と略
す）や第Ｖa 族元素（以下、Ｖa 族元素と略す）を含有
させたり、炭素（Ｃ）・窒素（Ｎ）・酸素（Ｏ）等の元
素を含有させて上記諸特性を調整するとよい。

【００２７】IIIa族元素及びＶa 族元素としてはそれぞ
れホウ素（Ｂ）およびリン（Ｐ）が、共有結合性に優れ
て半導体特性を敏感に変え得る点で、その上優れた光感
度が得られるという点で望ましい。その含有量として
は、Ｃ・Ｎ・Ｏ等の元素と共に含有させる場合は、IIIa
族元素であれば 0.1〜20,000ｐｐｍがよく、Ｖa 族元素
であれば 0.1〜10,000ｐｐｍがよい。また、Ｃ・Ｎ・Ｏ
等の元素を含有させないかまたは微量含有させる場合
は、IIIa族元素であれば0.01〜200 ｐｐｍ、Ｖa 族元素
であれば0.01〜100 ｐｐｍ含有させるのがよい。これら
の元素は層厚方向にわたって勾配を設けてもよく、その
場合には層全体の平均含有量が上記範囲内であればよ
い。

【００２８】また、ａ−Ｓｉ系系光導電層６には、微結
晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）を含んでいてもよい。μｃ−
Ｓｉを含むことにより、光導電層６の暗および光導電率
を高めることができ、この層６の設計自由度が増す。μ
ｃ−Ｓｉは上記と同様の形成法で、成膜条件を変えるこ
とによって形成することができる。例えばグロ−放電分
解法では、基体温度および高周波電力を高めに設定し、
希釈ガスとしての水素流量を増すことによって形成でき
る。また、μｃ−Ｓｉを含む場合にも上記と同様の不純
物元素を添加させることも可能である。

【００２９】さらに、ａ−Ｓｉ系光導電層６には、より
優れた電子写真特性を得るために、基体４の間にキャリ
ア注入阻止層を形成したり光導電層６の表面に表面層を
形成するとよい。これらの層もａ−Ｓｉ系光導電材料に
より形成することが、ａ−Ｓｉ系光導電層６とのマッチ
ングがよく、また同一の成膜装置によって連続して成膜
形成することができるので好ましい。

【００３０】このようなキャリア注入阻止層には、上記
のａ−Ｓｉ系光導電材料に光導電層６より多くのIIIa族
元素やＶa 族元素を含有させて導電型を調整したり、よ
り多くのＣ・Ｎ・Ｏを含有させて高抵抗としたものが用
いられる。また表面層には、上記のａ−Ｓｉ系光導電材
料により多くのＣ・Ｎ・Ｏを含有させて高抵抗としたも
のが用いられる。これらの層を積層することにより、帯
電能や光感度特性を高めたり耐久性・耐磨耗性・耐環境
性を高めたりすることができ、ａ−Ｓｉ系光導電層６の
優れた電子写真特性をさらに向上させることができる。

【００３１】ａ−Ｓｉ系光導電層６の厚みは通常５〜10
0 μｍ、好適には15〜80μｍとするとよい。また、キャ
リア注入阻止層の厚みは 0.1〜10μｍ、好適には 0.3〜
５μｍがよく、表面層の厚みは0.05〜５μｍ、好適には
0.1〜２μｍがよい。

【００３２】以下、具体例を示す。 〔例１〕まず、次のようにして従来のａ−Ｓｉ系電子写
真感光体におけるインロー部２の収縮量を調べた。

【００３３】円筒状の高純度アルミ合金素管を旋盤によ
り切削加工し、肉厚が４ｍｍで外径が 100ｍｍおよび 1
08ｍｍ・120 ｍｍの３種類の円筒状導電性基体を作製し
た。また、各基体の端部領域内面には、端部から５ｍｍ
の長さにわたって旋盤による切削加工を施し、内径96ｍ
ｍおよび 104ｍｍ・116 ｍｍ（基体内面との段差が２ｍ
ｍ）のフラット形状のインロー部を形成した。

【００３４】次いで、これらの基体をグロー放電分解装
置にセットして、270 ℃の基体温度で、それぞれに厚み
２μｍのＢ添加ａ−Ｓｉ系キャリア注入阻止層と厚み70
μｍのａ−Ｓｉ系光導電層と厚み 0.5μｍのａ−ＳｉＣ
表面層とを順次成膜形成した。

【００３５】このようにして作製した３種類のａ−Ｓｉ
系電子写真感光体について、その端部の外径をレーザー
マイクロメータを用いて測定し、ａ−Ｓｉ系光導電層の
成膜形成前との外径との差の２分の１を成膜形成による
基体端部の収縮量として求めた。その結果、次のような
収縮量であった。

【００３６】 基体の外径 収縮量 100 ｍｍ 0.085 ｍｍ 108 ｍｍ 0.095 ｍｍ 120 ｍｍ 0.105 ｍｍ。

【００３７】この結果より、同じ肉厚の基体の場合、そ
の外径が大きくなるほど端部の収縮量が大きくなること
が分かる。これは、外径が大きくなるにつれて、ａ−Ｓ
ｉ系光導電層の圧縮量はほとんど同じであるのに対し
て、アルミ基体の熱収縮量が増加するためによるものと
考えられる。

【００３８】また、上記の外径 100ｍｍの基体を用いた
電子写真感光体についてその端部からの距離に対する収
縮量を求めたところ、次のような結果であった。

【００３９】 端部からの距離 収縮量 1.5 ｍｍ 0.085 ｍｍ 2.5 ｍｍ 0.055 ｍｍ 4.0 ｍｍ 0.025 ｍｍ。

【００４０】この結果より、インロー部が形成された端
部領域における収縮量は、基体の端部に近いほど大きく
基体中央部に近いほど小さくなっていることが分かる。
これは、基体の全体にわたっては外径が収縮できずに、
開放された両端部に収縮応力が集中することによるもの
と考えられる。

【００４１】〔例２〕本例においては、〔例１〕の結果
を踏まえて、以下のようにして本発明の製造方法による
電子写真感光体を作製した。

【００４２】円筒状の高純度アルミ合金素管を旋盤によ
り切削加工し、肉厚が４ｍｍで外径が 100ｍｍ、長さが
360ｍｍの円筒状導電性基体を作製した。また基体の端
部領域内面には端部から５ｍｍの長さにわたって旋盤に
よる切削加工を施し、フラット形状のインロー部を形成
した基体と、基体端部へ向けて３段階の傾斜を持つ末広
がり状のインロー部を形成した基体とを作製した。これ
らのインロー部の加工値は、感光体のインロー内径の寸
法公差要求値 96.00ｍｍ＋0.06ｍｍ，−０ｍｍに対し
て、フラット形状のインロー部はそのセンター値の96.0
30ｍｍに設定した。また３段階の傾斜を持つインロー部
は、端部から５ｍｍより４ｍｍまでと、端部から４ｍｍ
より 2.5ｍｍまでと、端部から 2.5ｍｍより端部までの
テーパー形状の面とし、端部から５ｍｍにおける内径の
加工値を96.030ｍｍとして、端部から４ｍｍおよび 2.5
ｍｍ・1.5 ｍｍにおける内径の加工値をそれぞれ96.055
ｍｍおよび96.080ｍｍ・96.105ｍｍに設定した。

【００４３】このようにして従来のフラット形状および
本発明の末広がり状のインロー部を形成した基体を、各
形状について50本ずつ作製した。

【００４４】次いで、これらの基体をグロー放電分解装
置にセットして、270 ℃の基体温度で、それぞれに厚み
２μｍのＢ添加ａ−Ｓｉ系キャリア注入阻止層と厚み73
μｍのａ−Ｓｉ系光導電層と厚み 0.5μｍのａ−ＳｉＣ
表面層とを順次成膜形成し、各条件の基体を用いたａ−
Ｓｉ系電子写真感光体を得た。

【００４５】このようにして作製したインロー部を持つ
ａ−Ｓｉ系電子写真感光体各50本ずつについて、その端
部から４ｍｍおよび 2.5ｍｍ・1.5 ｍｍの内径を３点接
触式の電子内径マイクロメータを用いて45度おきの角度
で４点ずつ測定して、各位置での平均値を求めた。

【００４６】そして、インロー内径の要求公差に対して
製造におけるバラツキを考慮して、上記の各平均値が9
6.030ｍｍ±0.005 ｍｍの範囲内に入っているものを合
格として両者の結果を比較した。その結果を加工値とと
もに以下に示す。なお、成膜後の値に対して○を付した
ものは合格基準範囲内に入っている結果を、×を付した
ものは入らなかった結果を表わしている。

【００４７】 基体端部からの測定位置： 1.5 ｍｍ 2.5 ｍｍ 4.0 ｍｍ フラット形状 加工値： 96.030ｍｍ 96.030ｍｍ 96.030ｍｍ 成膜後：×95.970ｍｍ ×95.990ｍｍ ×96.012ｍｍ 末広がり状 加工値： 96.105ｍｍ 96.080ｍｍ 96.055ｍｍ 成膜後：○96.032ｍｍ ○96.031ｍｍ ○96.030ｍｍ。

【００４８】これらの結果から、本発明の製造方法によ
ってインロー部を末広がり状に形成してその傾斜を適切
に設定することにより、ａ−Ｓｉ系光導電層を成膜した
後のインロー部がほぼフラットな形状となって、内径寸
法精度が高いａ−Ｓｉ系電子写真感光体が得られること
が分かる。これに対してフラット形状のインロー部を形
成したものは、ａ−Ｓｉ系光導電層の成膜後にインロー
端部が収縮して端部の内径が小さくなり、良好な内径寸
法精度が得られないことが分かる。

【００４９】そして、上記の本発明の製造方法によって
得られた良好な内径寸法精度を有するａ−Ｓｉ系電子写
真感光体を、フランジを装着して市販の電子写真装置に
より画像評価したところ、いずれも解像度が高く画像濃
度も十分で、再現性や画像の安定性にも優れた、良好な
画像品質の電子写真画像が得られた。

【００５０】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、端
部領域の内面にインロー部を形成した円筒状導電性基体
の外周面上にａ−Ｓｉ系光導電層を成膜形成してなる電
子写真感光体の製造方法において、インロー部の内径を
末広がり状に大きくなるように形成することにより、光
導電層の厚みを厚くしたり光導電層の成膜温度を高くし
ても光導電層の成膜形成後におけるインロー部の内径寸
法精度が確保でき、それにより優れた画像品質が得られ
る電子写真感光体の製造方法を提供することができた。

【００５１】また本発明によれば、ａ−Ｓｉ系光導電層
を成膜形成後の基体端部領域の内径寸法精度を、円筒状
導電性基体の端部領域に形成するインロー部の形状を変
えるだけで製造工数を増やすことなく低コストで確保で
きる電子写真感光体の製造方法を提供することができ、
それによりインロー部の内径寸法精度が高くフランジの
取付精度が良好で優れた画像品質が得られる電子写真感
光体を提供することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の製造方
法による電子写真感光体の要部断面図である。

【図２】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の製造方法に
よる他の電子写真感光体の要部断面図である。

【図３】（ａ）および（ｂ）は従来の電子写真感光体の
要部断面図である。

【符号の説明】

１、４・・・・・・・・・円筒状導電性基体 ２、５、７、８、９・・・インロー部 ３、６・・・・・・・・・アモルファスシリコン系光導
電層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記（Ａ）および（Ｂ）の工程から成る
   電子写真感光体の製造方法。 （Ａ）円筒状導電性基体の端部領域の内径を、その端部
   へ向けて末広がり状に大きくする。 （Ｂ）上記円筒状導電性基体の外周面上に、端部領域に
   延在するようにアモルファスシリコン系光導電層を成膜
   形成する。