JPH08147633A - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
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- JPH08147633A JPH08147633A JP28475994A JP28475994A JPH08147633A JP H08147633 A JPH08147633 A JP H08147633A JP 28475994 A JP28475994 A JP 28475994A JP 28475994 A JP28475994 A JP 28475994A JP H08147633 A JPH08147633 A JP H08147633A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ＭＲヘッドのセンサ部２１に対して縦バイアス
印加部２２から作用する磁化の量を、センサ２１の高さ
方向に一様でないようにする。すなわち、センサの磁気
媒体２５に近い部分では小さく、離れた部分では大きく
なるようにする。 【効果】センサの単磁区化とトラック端部反磁界の最適
化を両立でき、ＭＲヘッドの再生出力を大きくできる。
また、サーボ信号を用いたＭＲヘッドの位置決め精度を
改善できる。
印加部２２から作用する磁化の量を、センサ２１の高さ
方向に一様でないようにする。すなわち、センサの磁気
媒体２５に近い部分では小さく、離れた部分では大きく
なるようにする。 【効果】センサの単磁区化とトラック端部反磁界の最適
化を両立でき、ＭＲヘッドの再生出力を大きくできる。
また、サーボ信号を用いたＭＲヘッドの位置決め精度を
改善できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録装置、例えば
磁気ディスク装置や磁気テープ装置に搭載される磁気抵
抗効果ヘッドに係り、特に、高い再生出力感度を有し、
かつ再生感度のトラック幅方向における左右非対称性が
小さい磁気抵抗効果ヘッドに関する。
磁気ディスク装置や磁気テープ装置に搭載される磁気抵
抗効果ヘッドに係り、特に、高い再生出力感度を有し、
かつ再生感度のトラック幅方向における左右非対称性が
小さい磁気抵抗効果ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録装置の記録密度を増加させるた
めに、高感度な再生用磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果
ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略す）が注目されている。
このＭＲヘッドでは、バルクハウゼンノイズと呼ばれる
再生波形の変動を無くすために、センサ部の磁気抵抗効
果膜（以下、ＭＲ膜と略す）を単磁区化させるようなバ
イアス手段（以下、縦バイアスと略す）を設けることが
望ましい。通常、この縦バイアス印加手段は、センサ部
分のＭＲ膜パターンの両端部に設けられることが多く、
この両端部からセンサ部に対して単磁区化に必要な磁界
を加えるために、ある一定量の磁化を作用させることが
多い。
めに、高感度な再生用磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果
ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略す）が注目されている。
このＭＲヘッドでは、バルクハウゼンノイズと呼ばれる
再生波形の変動を無くすために、センサ部の磁気抵抗効
果膜（以下、ＭＲ膜と略す）を単磁区化させるようなバ
イアス手段（以下、縦バイアスと略す）を設けることが
望ましい。通常、この縦バイアス印加手段は、センサ部
分のＭＲ膜パターンの両端部に設けられることが多く、
この両端部からセンサ部に対して単磁区化に必要な磁界
を加えるために、ある一定量の磁化を作用させることが
多い。
【０００３】この様な縦バイアス印加手段として、例え
ば、特開平6−76247号公報には、一対のパターン化され
た縦バイアス磁界を与えるために、ＭＲ膜の両端部のみ
を被覆するように反強磁性膜を蒸着し、ＭＲ膜と反強磁
性膜の交換結合を利用してセンサ部を単磁区化する手法
が開示されている。また、特開平3−125311 号公報に
は、パターン化されたＭＲ膜の両端部に永久磁石膜を設
け、縦バイアス磁界を与える例が開示されている。
ば、特開平6−76247号公報には、一対のパターン化され
た縦バイアス磁界を与えるために、ＭＲ膜の両端部のみ
を被覆するように反強磁性膜を蒸着し、ＭＲ膜と反強磁
性膜の交換結合を利用してセンサ部を単磁区化する手法
が開示されている。また、特開平3−125311 号公報に
は、パターン化されたＭＲ膜の両端部に永久磁石膜を設
け、縦バイアス磁界を与える例が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の公知例では、セ
ンサ部両端の反強磁性膜と結合したＭＲ膜、または永久
磁石膜の厚さは一様であり、従ってセンサの高さ方向
（磁気媒体表面に対して垂直な方向）についても両端部
から一様な縦バイアス磁界が印加されていた。この場
合、センサ部を単磁区化するために必要な量の縦バイア
ス磁化を作用させると、（１）センサ部分の磁化回転が
阻害されて、センサの再生感度が低下してしまうこと、
（２）センサ端部の磁化の不釣合いにより反磁界が発生
し、トラック端部において再生感度の左右非対称が生じ
るために、サーボ信号を用いた位置決めが困難になるこ
と等の問題点があった。
ンサ部両端の反強磁性膜と結合したＭＲ膜、または永久
磁石膜の厚さは一様であり、従ってセンサの高さ方向
（磁気媒体表面に対して垂直な方向）についても両端部
から一様な縦バイアス磁界が印加されていた。この場
合、センサ部を単磁区化するために必要な量の縦バイア
ス磁化を作用させると、（１）センサ部分の磁化回転が
阻害されて、センサの再生感度が低下してしまうこと、
（２）センサ端部の磁化の不釣合いにより反磁界が発生
し、トラック端部において再生感度の左右非対称が生じ
るために、サーボ信号を用いた位置決めが困難になるこ
と等の問題点があった。
【０００５】本発明の目的は、再生出力感度が高く、か
つ再生感度のトラック方向非対称性が小さいＭＲヘッド
を提供することにある。
つ再生感度のトラック方向非対称性が小さいＭＲヘッド
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のＭＲヘッドは、
少なくともＭＲ膜と、そのＭＲ膜のセンサ部を単磁区状
態に保つためにセンサ両端部に設けられた一対の縦バイ
アス印加部とを有し、その縦バイアス印加部からセンサ
部に対して作用する磁化の量が、センサの高さ方向に一
様でない分布を持ち、かつその磁化の量がセンサ部の磁
気媒体に近い部分よりも遠い部分において大きいことを
特徴とする。
少なくともＭＲ膜と、そのＭＲ膜のセンサ部を単磁区状
態に保つためにセンサ両端部に設けられた一対の縦バイ
アス印加部とを有し、その縦バイアス印加部からセンサ
部に対して作用する磁化の量が、センサの高さ方向に一
様でない分布を持ち、かつその磁化の量がセンサ部の磁
気媒体に近い部分よりも遠い部分において大きいことを
特徴とする。
【０００７】また本発明のＭＲヘッドは、縦バイアス印
加部からセンサ部に対して作用する磁化の量が、センサ
部の磁気媒体に対向している部分（浮上型ヘッドでは浮
上面にあたる部分）の近くでは０であるか、もしくはほ
とんど０に近いのに対して、磁気媒体から離れた部分に
対してはセンサ部ＭＲ膜の飽和磁化の７０％よりも大き
いことを特徴とする。この場合、センサ部分は、磁気媒
体への対向面でヘッド表面に露出しているが、縦バイア
ス印加部はヘッド表面に露出していないことが望まし
い。
加部からセンサ部に対して作用する磁化の量が、センサ
部の磁気媒体に対向している部分（浮上型ヘッドでは浮
上面にあたる部分）の近くでは０であるか、もしくはほ
とんど０に近いのに対して、磁気媒体から離れた部分に
対してはセンサ部ＭＲ膜の飽和磁化の７０％よりも大き
いことを特徴とする。この場合、センサ部分は、磁気媒
体への対向面でヘッド表面に露出しているが、縦バイア
ス印加部はヘッド表面に露出していないことが望まし
い。
【０００８】また本発明のＭＲヘッドは、縦バイアス印
加部からセンサ部に対して作用する磁化の量が、磁気媒
体への対向面の近傍では、センサ部ＭＲ膜の飽和磁化の
約７０％であるのに対して、対向面から離れた部分に対
してはセンサ部ＭＲ膜の飽和磁化の１００％よりも大き
いことを特徴とする。
加部からセンサ部に対して作用する磁化の量が、磁気媒
体への対向面の近傍では、センサ部ＭＲ膜の飽和磁化の
約７０％であるのに対して、対向面から離れた部分に対
してはセンサ部ＭＲ膜の飽和磁化の１００％よりも大き
いことを特徴とする。
【０００９】一方、これらの本発明のＭＲヘッドを実現
するための縦バイアス印加部は、例えば、強磁性膜と反
強磁性膜の積層膜から構成し、その強磁性膜の厚さを、
磁気媒体に近い部分で薄く、磁気媒体から遠い部分で厚
くすれば良い。その場合、例えば縦バイアス印加部の強
磁性膜とセンサ部のＭＲ膜とを共通の磁性膜で構成する
場合には、反強磁性膜との積層部分のみ磁性膜の厚さを
変えれば良い。また、永久磁石膜から成る縦バイアス印
加部を適用する場合には、その永久磁石膜の厚さを、磁
気媒体に近い部分で薄く、磁気媒体から遠い部分で厚く
すれば良い。もちろん、これらの縦バイアス印加部の厚
さの関係は、上記のＭＲ膜飽和磁化との関係に従うのが
望ましい。
するための縦バイアス印加部は、例えば、強磁性膜と反
強磁性膜の積層膜から構成し、その強磁性膜の厚さを、
磁気媒体に近い部分で薄く、磁気媒体から遠い部分で厚
くすれば良い。その場合、例えば縦バイアス印加部の強
磁性膜とセンサ部のＭＲ膜とを共通の磁性膜で構成する
場合には、反強磁性膜との積層部分のみ磁性膜の厚さを
変えれば良い。また、永久磁石膜から成る縦バイアス印
加部を適用する場合には、その永久磁石膜の厚さを、磁
気媒体に近い部分で薄く、磁気媒体から遠い部分で厚く
すれば良い。もちろん、これらの縦バイアス印加部の厚
さの関係は、上記のＭＲ膜飽和磁化との関係に従うのが
望ましい。
【００１０】このような、縦バイアス印加部からセンサ
部に対して作用する磁化量のセンサ高さ方向の分布のつ
け方の例は、例えば、縦バイアス印加部の膜厚を連続的
に変化させて、磁気媒体から離れるに従って連続的に磁
化量が減少するようにすれば良い。また、センサ高さ方
向に数段階に分割して、不連続的に磁化量が変化するよ
うにしても、本発明の効果は損なわれない。
部に対して作用する磁化量のセンサ高さ方向の分布のつ
け方の例は、例えば、縦バイアス印加部の膜厚を連続的
に変化させて、磁気媒体から離れるに従って連続的に磁
化量が減少するようにすれば良い。また、センサ高さ方
向に数段階に分割して、不連続的に磁化量が変化するよ
うにしても、本発明の効果は損なわれない。
【００１１】また本発明は、ＭＲ膜のセンサ部が、磁気
ギャップを挟んで磁気シールド膜の間に配置されている
構造、いわゆるシールド型ＭＲヘッド構造の場合に、特
に有効である。
ギャップを挟んで磁気シールド膜の間に配置されている
構造、いわゆるシールド型ＭＲヘッド構造の場合に、特
に有効である。
【００１２】
【作用】通常のＭＲヘッドでは、動作状態では、ノイズ
発生を防ぐためにセンサ部のＭＲ膜を単磁区化し、かつ
再生出力の線形性を保つためにＭＲ膜の磁化を磁気媒体
対向面に対して約４５度の角度に傾ける必要がある。こ
の時の磁化状態の説明図を、図４に示す。センサ部４１
を単磁区化するため、両端部の縦バイアス印加部４２か
ら磁化Ｍ１を作用させる。この時、磁気媒体４５に垂直
なセンサ高さ方向（ｙ方向）に関しては、Ｍ１は一様で
ある。センサ部の磁化Ｍ２は、既に公知の横バイアス方
式（例えば、隣接した軟磁性膜や導体膜からの磁界を利
用）を用いて、センサ高さ方向に約４５度傾けられてい
る。ここで、仮にＭ１とＭ２の大きさが等しい（例え
ば、センサ部と縦バイアス印加部が同一膜である場合）
とすると、センサ部４１と縦バイアス印加部４２の境界
部分及びセンサの上下端部において、図４に＋−で示し
たような磁荷が発生し、これに伴う反磁界が生じる。こ
こで、センサ部４１の磁気媒体４５に近い側では、図４
のＤ１とＤ２に示したように、左右で反磁界の大きさが
異なるため、Ｄ２部分に比べてＤ１部分での再生感度が
低下してしまう。この結果、感度分布に左右非対称が生
じ、特にサーボ信号を読み出して位置決めする場合など
に問題となる。
発生を防ぐためにセンサ部のＭＲ膜を単磁区化し、かつ
再生出力の線形性を保つためにＭＲ膜の磁化を磁気媒体
対向面に対して約４５度の角度に傾ける必要がある。こ
の時の磁化状態の説明図を、図４に示す。センサ部４１
を単磁区化するため、両端部の縦バイアス印加部４２か
ら磁化Ｍ１を作用させる。この時、磁気媒体４５に垂直
なセンサ高さ方向（ｙ方向）に関しては、Ｍ１は一様で
ある。センサ部の磁化Ｍ２は、既に公知の横バイアス方
式（例えば、隣接した軟磁性膜や導体膜からの磁界を利
用）を用いて、センサ高さ方向に約４５度傾けられてい
る。ここで、仮にＭ１とＭ２の大きさが等しい（例え
ば、センサ部と縦バイアス印加部が同一膜である場合）
とすると、センサ部４１と縦バイアス印加部４２の境界
部分及びセンサの上下端部において、図４に＋−で示し
たような磁荷が発生し、これに伴う反磁界が生じる。こ
こで、センサ部４１の磁気媒体４５に近い側では、図４
のＤ１とＤ２に示したように、左右で反磁界の大きさが
異なるため、Ｄ２部分に比べてＤ１部分での再生感度が
低下してしまう。この結果、感度分布に左右非対称が生
じ、特にサーボ信号を読み出して位置決めする場合など
に問題となる。
【００１３】この解決法として、例えばＭ１の大きさを
Ｍ２の約７０％とすれば、センサ部４１と縦バイアス印
加部４２の境界部分でほとんど磁化が生じなくなるた
め、左右非対称を低減できるが、その場合、縦バイアス
磁界が充分でなくなるため、センサ部を単磁区化できな
くなる恐れがある。
Ｍ２の約７０％とすれば、センサ部４１と縦バイアス印
加部４２の境界部分でほとんど磁化が生じなくなるた
め、左右非対称を低減できるが、その場合、縦バイアス
磁界が充分でなくなるため、センサ部を単磁区化できな
くなる恐れがある。
【００１４】本発明では、これらの欠点を克服するた
め、縦バイアス磁界をセンサ高さ方向に一様とせず、分
布を設けることを特徴としている。すなわち、センサの
磁気媒体に近い部分で縦バイアス磁界を小さくすること
により、再生感度の低下を防ぎ、かつセンサ端部の反磁
界を抑制して左右の感度非対称を低減することができ
る。一方、信号磁界は、磁気媒体から離れるにつれて
（センサ高さが大きくなるにつれて）減衰してゆくか
ら、センサの磁気媒体から離れた部分では、縦バイアス
磁界が大きくなっても再生感度はほとんど損なわれな
い。従って、センサ部を単磁区状態に保つために必要な
大きさの縦バイアス磁界を印加することができる。特
に、シールド型のＭＲヘッドでは信号の減衰が大きいた
め、縦バイアス磁界の設計余裕を大きくできる利点があ
る。
め、縦バイアス磁界をセンサ高さ方向に一様とせず、分
布を設けることを特徴としている。すなわち、センサの
磁気媒体に近い部分で縦バイアス磁界を小さくすること
により、再生感度の低下を防ぎ、かつセンサ端部の反磁
界を抑制して左右の感度非対称を低減することができ
る。一方、信号磁界は、磁気媒体から離れるにつれて
（センサ高さが大きくなるにつれて）減衰してゆくか
ら、センサの磁気媒体から離れた部分では、縦バイアス
磁界が大きくなっても再生感度はほとんど損なわれな
い。従って、センサ部を単磁区状態に保つために必要な
大きさの縦バイアス磁界を印加することができる。特
に、シールド型のＭＲヘッドでは信号の減衰が大きいた
め、縦バイアス磁界の設計余裕を大きくできる利点があ
る。
【００１５】なお、実際の適用にあたっては、センサの
形状，要求再生特性，シールドの間隔，磁気媒体の特
性，磁気媒体とセンサの間隔等によって、縦バイアス磁
界分布の最適値を設計する必要がある。
形状，要求再生特性，シールドの間隔，磁気媒体の特
性，磁気媒体とセンサの間隔等によって、縦バイアス磁
界分布の最適値を設計する必要がある。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図１は、本発明の一実施例としてのＭＲヘッドのセ
ンサ部分の斜視図である。簡単のために、電極、横バイ
アス印加手段（バイアス膜など）、磁気ギャップ，磁気
シールド等は表示せず、センサ部分のＭＲ膜と縦バイア
ス印加部の膜構成のみを概念的に表わしている。また、
磁気媒体に関しては、センサ部分との位置関係のみを明
らかにするため、略断面で示してある。もちろん、ここ
で示した材料や膜構成などは一つの例に過ぎず、本発明
の主旨を損なわない範囲でこれらを変更してもまったく
問題ない。
る。図１は、本発明の一実施例としてのＭＲヘッドのセ
ンサ部分の斜視図である。簡単のために、電極、横バイ
アス印加手段（バイアス膜など）、磁気ギャップ，磁気
シールド等は表示せず、センサ部分のＭＲ膜と縦バイア
ス印加部の膜構成のみを概念的に表わしている。また、
磁気媒体に関しては、センサ部分との位置関係のみを明
らかにするため、略断面で示してある。もちろん、ここ
で示した材料や膜構成などは一つの例に過ぎず、本発明
の主旨を損なわない範囲でこれらを変更してもまったく
問題ない。
【００１７】図１において、センサ部１１のＭＲ膜は厚
さ２０ｎｍのＮｉＦｅから成っている。縦バイアス印加
部１２は厚さ２０ｎｍのＮｉＦｅ膜１３、及びこれと磁
気的に結合している反強磁性ＦｅＭｎ膜１４との積層膜
で構成されている。センサ部のＮｉＦｅ膜１１と縦バイ
アス印加部のＮｉＦｅ膜１３は同一膜である。ここで、
センサ部１１は磁気媒体１５との対向面１６においてヘ
ッド先端に露出しているが、縦バイアス印加部１２は対
向面１６に近い部分のＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ膜を除去して
あり、対向面近くには露出しない構造となっている。こ
こで、センサ部１１の再生トラック幅は２μｍ、センサ
高さは１.５μｍ であり、縦バイアス印加部１２の対向
面からの後退距離は０.８μｍ である。従って、縦バイ
アス印加部１２からセンサ部１１に対して作用する磁化
の量は、対向面の近くでは０であり、対向面から離れた
部分ではセンサ部ＭＲ膜の飽和磁化と同一（１００％）
となる。この実施例のヘッド構造を適用して再生特性を
測定したところ、図１に示した従来構造のヘッドに比較
して、出力及び感度非対称とも改善できた。
さ２０ｎｍのＮｉＦｅから成っている。縦バイアス印加
部１２は厚さ２０ｎｍのＮｉＦｅ膜１３、及びこれと磁
気的に結合している反強磁性ＦｅＭｎ膜１４との積層膜
で構成されている。センサ部のＮｉＦｅ膜１１と縦バイ
アス印加部のＮｉＦｅ膜１３は同一膜である。ここで、
センサ部１１は磁気媒体１５との対向面１６においてヘ
ッド先端に露出しているが、縦バイアス印加部１２は対
向面１６に近い部分のＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ膜を除去して
あり、対向面近くには露出しない構造となっている。こ
こで、センサ部１１の再生トラック幅は２μｍ、センサ
高さは１.５μｍ であり、縦バイアス印加部１２の対向
面からの後退距離は０.８μｍ である。従って、縦バイ
アス印加部１２からセンサ部１１に対して作用する磁化
の量は、対向面の近くでは０であり、対向面から離れた
部分ではセンサ部ＭＲ膜の飽和磁化と同一（１００％）
となる。この実施例のヘッド構造を適用して再生特性を
測定したところ、図１に示した従来構造のヘッドに比較
して、出力及び感度非対称とも改善できた。
【００１８】図２は、本発明のもう一つの実施例として
のＭＲヘッドのセンサ部分概略構造を表わす斜視図であ
る。図１の場合と同様に、センサ部分のＭＲ膜と縦バイ
アス印加部の膜構成のみを概念的に表わしている。セン
サ部２１のＭＲ膜は厚さ２０ｎｍのＮｉＦｅ（飽和磁化
１００００Ｇ）から成っており、縦バイアス印加部２２
はCoCrPt永久磁石膜（残留磁化６０００Ｇ）である。Co
CrPt膜の厚さは、磁気媒体２５との対向面２６に近い部
分では２３ｎｍ、対向面から離れた部分では４３ｎｍで
ある。従って、センサ部に対して作用する磁化量は、Ｎ
ｉＦｅ膜の飽和磁化に対してそれぞれ７０％，１３０％
となる。この実施例のヘッド構造を適用したところ、一
様な膜厚（４３ｎｍ）のCoCrPt縦バイアスを適用したヘ
ッドに比べて、出力及び感度非対称とも改善できた。
のＭＲヘッドのセンサ部分概略構造を表わす斜視図であ
る。図１の場合と同様に、センサ部分のＭＲ膜と縦バイ
アス印加部の膜構成のみを概念的に表わしている。セン
サ部２１のＭＲ膜は厚さ２０ｎｍのＮｉＦｅ（飽和磁化
１００００Ｇ）から成っており、縦バイアス印加部２２
はCoCrPt永久磁石膜（残留磁化６０００Ｇ）である。Co
CrPt膜の厚さは、磁気媒体２５との対向面２６に近い部
分では２３ｎｍ、対向面から離れた部分では４３ｎｍで
ある。従って、センサ部に対して作用する磁化量は、Ｎ
ｉＦｅ膜の飽和磁化に対してそれぞれ７０％，１３０％
となる。この実施例のヘッド構造を適用したところ、一
様な膜厚（４３ｎｍ）のCoCrPt縦バイアスを適用したヘ
ッドに比べて、出力及び感度非対称とも改善できた。
【００１９】図３は、本発明のもう一つの実施例として
のＭＲヘッドのセンサ部分概略構造を表わす斜視図であ
る。図１の場合と同様に、センサ部分のＭＲ膜と縦バイ
アス印加部の膜構成のみを概念的に表わしている。セン
サ部３１のＭＲ膜は厚さ２０ｎｍのＮｉＦｅ（飽和磁化
１００００Ｇ）から成っており、縦バイアス印加部３２
はCoCrPt永久磁石膜（残留磁化６０００Ｇ）である。Co
CrPt膜の厚さは、磁気媒体３５との対向面３６に近い部
分から遠い部分に向かって次第に大きくなっており、最
も薄い部分では２０ｎｍ、厚い部分では５０ｎｍであ
る。この実施例のヘッド構造を適用したところ、一様な
膜厚（４３ｎｍ）のCoCrPt縦バイアスを適用したヘッド
に比べて、出力及び感度非対称とも改善できた。
のＭＲヘッドのセンサ部分概略構造を表わす斜視図であ
る。図１の場合と同様に、センサ部分のＭＲ膜と縦バイ
アス印加部の膜構成のみを概念的に表わしている。セン
サ部３１のＭＲ膜は厚さ２０ｎｍのＮｉＦｅ（飽和磁化
１００００Ｇ）から成っており、縦バイアス印加部３２
はCoCrPt永久磁石膜（残留磁化６０００Ｇ）である。Co
CrPt膜の厚さは、磁気媒体３５との対向面３６に近い部
分から遠い部分に向かって次第に大きくなっており、最
も薄い部分では２０ｎｍ、厚い部分では５０ｎｍであ
る。この実施例のヘッド構造を適用したところ、一様な
膜厚（４３ｎｍ）のCoCrPt縦バイアスを適用したヘッド
に比べて、出力及び感度非対称とも改善できた。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、センサ部分の単磁区化
とトラック端部反磁界の最適化を両立した縦バイアス印
加法が達成でき、従来のヘッドに比較して高い再生感度
を有するＭＲヘッドが実現できた。また、感度のトラッ
ク幅方向の非対称を低減でき、サーボ信号を用いた位置
決め精度の優れたＭＲヘッドを提供することができた。
とトラック端部反磁界の最適化を両立した縦バイアス印
加法が達成でき、従来のヘッドに比較して高い再生感度
を有するＭＲヘッドが実現できた。また、感度のトラッ
ク幅方向の非対称を低減でき、サーボ信号を用いた位置
決め精度の優れたＭＲヘッドを提供することができた。
【図１】本発明の実施例としてのＭＲヘッドの主要部の
斜視図。
斜視図。
【図２】本発明の実施例としての別のＭＲヘッドの斜視
図。
図。
【図３】本発明の実施例としての別のＭＲヘッドの斜視
図。
図。
【図４】従来のＭＲヘッドの主要部の斜視図。
２１…センサ部、２２…縦バイアス印加部、２５…磁気
媒体、２６…対向面。
媒体、２６…対向面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 城石 芳博 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 土屋 鈴二朗 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 濱口 雄彦 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 鈴木 幹夫 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 赤城 協 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の
センサ部を単磁区状態に保つために前記センサの両端部
に設けられた一対の縦バイアス印加部とを含み、磁気媒
体上に記録された情報を再生する磁気抵抗効果ヘッドに
おいて、 前記縦バイアス印加部から前記センサ部に対して作用す
る磁化の量が、前記センサ部の該磁気媒体に近い部分よ
りも遠い部分において大きいことを特徴とする磁気抵抗
効果ヘッド。 - 【請求項２】磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の
センサ部を単磁区状態に保つために前記センサ両端部に
設けられた一対の縦バイアス印加部とを含み、磁気媒体
上に記録された情報を再生する磁気抵抗効果ヘッドにお
いて、 前記縦バイアス印加部から前記センサ部に対して作用す
る磁化の量が、前記センサ部の前記磁気媒体に対向して
いる部分に対しては０であるか、もしくはほとんど０に
近いのに対して、前記センサ部の該磁気媒体から離れた
部分に対しては前記センサ部磁気抵抗効果膜の飽和磁化
の７０％よりも大きいことを特徴とする磁気抵抗効果ヘ
ッド。 - 【請求項３】請求項２において、前記センサ部は該磁気
媒体に対向している部分でヘッド表面に露出しているの
に対して、前記縦バイアス印加部はヘッド表面に露出し
ていない磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項４】磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の
センサ部を単磁区状態に保つために前記センサ両端部に
設けられた一対の縦バイアス印加部とを含み、磁気媒体
上に記録された情報を再生する磁気抵抗効果ヘッドにお
いて、 前記縦バイアス印加部から前記センサ部に対して作用す
る磁化の量が、前記センサ部の前記磁気媒体に対向して
いる部分に対しては前記センサ部磁気抵抗効果膜の飽和
磁化の約７０％であるのに対して、前記センサ部の前記
磁気媒体から離れた部分に対しては前記センサ部磁気抵
抗効果膜の飽和磁化の１００％よりも大きいことを特徴
とする磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項５】磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の
センサ部を単磁区状態に保つために前記センサ両端部に
設けられた一対の縦バイアス印加部とを含み、磁気媒体
上に記録された情報を再生する磁気抵抗効果ヘッドにお
いて、 前記縦バイアス印加部が強磁性膜と反強磁性膜の積層膜
から成り、かつその強磁性膜の厚さが、前記磁気媒体に
近い部分よりも遠い部分において大きいことを特徴とす
る磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項６】磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の
センサ部を単磁区状態に保つために前記センサ両端部に
設けられた一対の縦バイアス印加部とを含み、磁気媒体
上に記録された情報を再生する磁気抵抗効果ヘッドにお
いて、 前記縦バイアス印加部が永久磁石膜から成り、かつその
永久磁石膜の厚さが、前記磁気媒体に近い部分よりも遠
い部分において大きいことを特徴とする磁気抵抗効果ヘ
ッド。 - 【請求項７】請求項１，２，３，４，５または６におい
て、前記磁気抵抗効果膜のセンサ部が、磁気ギャップを
挟んで磁気シールド膜の間に配置されている磁気抵抗効
果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28475994A JPH08147633A (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28475994A JPH08147633A (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08147633A true JPH08147633A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17682645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28475994A Pending JPH08147633A (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08147633A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004088763A1 (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-14 | Fujitsu Limited | Ｃｐｐ構造磁気抵抗効果素子およびヘッドスライダ |
| US7808750B2 (en) | 2007-07-31 | 2010-10-05 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head comprising magneto-resistive effect device, and hard disk system |
-
1994
- 1994-11-18 JP JP28475994A patent/JPH08147633A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004088763A1 (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-14 | Fujitsu Limited | Ｃｐｐ構造磁気抵抗効果素子およびヘッドスライダ |
| US7355825B2 (en) | 2003-03-27 | 2008-04-08 | Fujitsu Limited | Current-perpendicular-to-the-plane structure magnetoresistive element and head slider |
| CN100456511C (zh) * | 2003-03-27 | 2009-01-28 | 富士通株式会社 | Cpp结构的磁阻效应设备和磁头滑块 |
| US7808750B2 (en) | 2007-07-31 | 2010-10-05 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head comprising magneto-resistive effect device, and hard disk system |
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