JPH07153036A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH07153036A JPH07153036A JP30051593A JP30051593A JPH07153036A JP H07153036 A JPH07153036 A JP H07153036A JP 30051593 A JP30051593 A JP 30051593A JP 30051593 A JP30051593 A JP 30051593A JP H07153036 A JPH07153036 A JP H07153036A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- film
- magnetoresistive effect
- flux guide
- laminated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気的安定性を確保し、磁壁の移動に伴うバ
ルクハウゼンノイズの発生を抑え、再生出力の向上を実
現する。 【構成】 一対のシールド磁性体間に、ＭＲ素子５とこ
のＭＲ素子５にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印
加部材とを配してなるＭＲヘッドにおいて、ＭＲ素子５
の後端側に、媒体対接面と平行な方向の長さをＬ、垂直
な方向の幅をＷとしたときにＬ＞Ｗなる関係で、且つ磁
化容易軸をＭＲ素子５の磁化容易軸と同じく媒体対接面
と平行な方向としたフラックスガイド９を設ける。
ルクハウゼンノイズの発生を抑え、再生出力の向上を実
現する。 【構成】 一対のシールド磁性体間に、ＭＲ素子５とこ
のＭＲ素子５にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印
加部材とを配してなるＭＲヘッドにおいて、ＭＲ素子５
の後端側に、媒体対接面と平行な方向の長さをＬ、垂直
な方向の幅をＷとしたときにＬ＞Ｗなる関係で、且つ磁
化容易軸をＭＲ素子５の磁化容易軸と同じく媒体対接面
と平行な方向としたフラックスガイド９を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
に対して記録された情報を読み出すのに好適な磁気抵抗
効果型磁気ヘッドに関する。
に対して記録された情報を読み出すのに好適な磁気抵抗
効果型磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気抵抗効果を有するパーマロイ
等の薄膜素子を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以
下、ＭＲヘッドと称する。）の開発が盛んに進められて
いる。
等の薄膜素子を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以
下、ＭＲヘッドと称する。）の開発が盛んに進められて
いる。
【０００３】かかるＭＲヘッドは、磁気記録媒体から漏
れ出る信号磁界によりパーマロイよりなる薄膜素子の抵
抗が変化し、その抵抗変化を検出することによって上記
磁気記録媒体に記録された情報を読み取ることができる
ように構成されている。
れ出る信号磁界によりパーマロイよりなる薄膜素子の抵
抗が変化し、その抵抗変化を検出することによって上記
磁気記録媒体に記録された情報を読み取ることができる
ように構成されている。
【０００４】このようなＭＲヘッドは、通常の電磁誘導
型磁気ヘッドに比べて、短波長感度に優れることから、
狭トラック再生、短波長再生、超低速再生において高い
感度が得られるとされている。
型磁気ヘッドに比べて、短波長感度に優れることから、
狭トラック再生、短波長再生、超低速再生において高い
感度が得られるとされている。
【０００５】ＭＲヘッドは、一対のシールド磁性体によ
って挟み込まれた磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と
称する。）を有し、そのＭＲ素子にバイアス磁界を印加
するバイアス導体を当該ＭＲ素子上に設けた構造とされ
るのが一般的である。
って挟み込まれた磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と
称する。）を有し、そのＭＲ素子にバイアス磁界を印加
するバイアス導体を当該ＭＲ素子上に設けた構造とされ
るのが一般的である。
【０００６】ところで、ＭＲ素子の真上にバイアス導体
を設けた場合には、以下のような不都合が生ずる。第１
に、狭ギャップ化に伴う下部シールド磁性体の磁気的影
響からくる不安定性がある。すなわち、ＭＲ素子のすぐ
下にシールド磁性体があるとコアの磁区の乱れでＭＲ素
子の磁壁が移動し、それに伴いバルクハウゼンノイズが
発生する。
を設けた場合には、以下のような不都合が生ずる。第１
に、狭ギャップ化に伴う下部シールド磁性体の磁気的影
響からくる不安定性がある。すなわち、ＭＲ素子のすぐ
下にシールド磁性体があるとコアの磁区の乱れでＭＲ素
子の磁壁が移動し、それに伴いバルクハウゼンノイズが
発生する。
【０００７】第２に、折角ＭＲ素子内に入ったバイアス
磁束が下部シールド磁性体に漏れてしまい、バイアス磁
界の不均一さが生じ、結果的に再生波形歪みが起こり線
記録密度の低下につながる。
磁束が下部シールド磁性体に漏れてしまい、バイアス磁
界の不均一さが生じ、結果的に再生波形歪みが起こり線
記録密度の低下につながる。
【０００８】そこで、一対のシールド磁性体間に設けら
れたＭＲ素子にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印
加用部材を、下層の下部シールド磁性体に溝部を形成
し、その中に埋め込むようにしたものが提案されてい
る。
れたＭＲ素子にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印
加用部材を、下層の下部シールド磁性体に溝部を形成
し、その中に埋め込むようにしたものが提案されてい
る。
【０００９】このように、バイアス磁界印加用部材を下
部シールド磁性体に形成した溝部に埋め込むようにすれ
ば、先端電極と後端電極とで挟まれるＭＲ素子の感磁部
と、下部シールド磁性体との対向距離が大きくなり、Ｍ
Ｒ素子に印加されたバイアス磁界がシールド磁性体へ漏
洩しなくなる。その結果、ＭＲ素子に印加されるバイア
ス磁界のバイアス分布が均一なものとなり、線形性が良
くなって線記録密度が向上する。
部シールド磁性体に形成した溝部に埋め込むようにすれ
ば、先端電極と後端電極とで挟まれるＭＲ素子の感磁部
と、下部シールド磁性体との対向距離が大きくなり、Ｍ
Ｒ素子に印加されたバイアス磁界がシールド磁性体へ漏
洩しなくなる。その結果、ＭＲ素子に印加されるバイア
ス磁界のバイアス分布が均一なものとなり、線形性が良
くなって線記録密度が向上する。
【００１０】ところが、下部シールド磁性体に溝部を形
成すると、ＭＲ素子の磁気抵抗が上がり、実質的にＭＲ
素子に入り込む磁束が減少する。かかる磁気抵抗による
信号磁界の減少は、直に再生出力の低下につながり、線
記録密度の向上の妨げとなる。
成すると、ＭＲ素子の磁気抵抗が上がり、実質的にＭＲ
素子に入り込む磁束が減少する。かかる磁気抵抗による
信号磁界の減少は、直に再生出力の低下につながり、線
記録密度の向上の妨げとなる。
【００１１】そこでさらに、従来においては、図８に示
すように、磁気記録媒体との対接面とは反対側のＭＲ素
子１０１の後端側に磁性材料よりなるフラックスガイド
１０２を形成し、このフラックスガイド１０２によって
媒体対接面側よりＭＲ素子１０１に入った信号磁束を後
端側へと引き込むようにしたものが提案されている。
すように、磁気記録媒体との対接面とは反対側のＭＲ素
子１０１の後端側に磁性材料よりなるフラックスガイド
１０２を形成し、このフラックスガイド１０２によって
媒体対接面側よりＭＲ素子１０１に入った信号磁束を後
端側へと引き込むようにしたものが提案されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記フラッ
クスガイド１０２は、平面略長方形状とされた横長形状
とされ、その長手方向をＭＲ素子１０１の長手方向（信
号磁束の引き込み方向）と同一方向として設けられてい
るため、当該フラックスガイド１０２の磁化容易軸が信
号磁束の引き込み方向と同一方向となり易い。
クスガイド１０２は、平面略長方形状とされた横長形状
とされ、その長手方向をＭＲ素子１０１の長手方向（信
号磁束の引き込み方向）と同一方向として設けられてい
るため、当該フラックスガイド１０２の磁化容易軸が信
号磁束の引き込み方向と同一方向となり易い。
【００１３】このため、ＭＲ素子１０１に流れるセンス
電流によってフラックスガイド１０２には図８に示すよ
うな磁区の移動が生じ、この影響でその下に設けられる
ＭＲ素子１０１の磁区も誘起されてバルクハウゼンノイ
ズが発生する。
電流によってフラックスガイド１０２には図８に示すよ
うな磁区の移動が生じ、この影響でその下に設けられる
ＭＲ素子１０１の磁区も誘起されてバルクハウゼンノイ
ズが発生する。
【００１４】そこで本発明は、上述の従来の有する技術
的な課題に鑑みて提案されたものであって、磁気的安定
性を確保し、磁壁の移動に伴うバルクハウゼンノイズの
発生を抑え、再生出力の向上を実現し得る磁気抵抗効果
型磁気ヘッドを提供することを目的とする。
的な課題に鑑みて提案されたものであって、磁気的安定
性を確保し、磁壁の移動に伴うバルクハウゼンノイズの
発生を抑え、再生出力の向上を実現し得る磁気抵抗効果
型磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁気記録媒体
との対接面に対して長手方向が垂直となるように配され
る磁気抵抗効果素子と、上記磁気記録媒体との対接面に
臨み、磁気抵抗効果素子の先端側に積層される先端電極
と、上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電
極と、上記先端電極と後端電極が積層された磁気抵抗効
果素子を挟み込む一対のシールド磁性体と、上記磁気抵
抗効果素子にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加
部材と、上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される磁
性材料よりなるフラックスガイドとを備え、上記フラッ
クスガイドを、媒体対接面と平行な方向の長さをＬ、垂
直な方向の幅をＷとしたときにＬ＞Ｗなる関係とし、且
つ磁化容易軸を磁気抵抗効果素子の磁化容易軸と同じく
媒体対接面と平行な方向となすと共に、その媒体対接面
と平行な方向における端部を円弧状とすることにより、
上述の課題を解決する。
との対接面に対して長手方向が垂直となるように配され
る磁気抵抗効果素子と、上記磁気記録媒体との対接面に
臨み、磁気抵抗効果素子の先端側に積層される先端電極
と、上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電
極と、上記先端電極と後端電極が積層された磁気抵抗効
果素子を挟み込む一対のシールド磁性体と、上記磁気抵
抗効果素子にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加
部材と、上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される磁
性材料よりなるフラックスガイドとを備え、上記フラッ
クスガイドを、媒体対接面と平行な方向の長さをＬ、垂
直な方向の幅をＷとしたときにＬ＞Ｗなる関係とし、且
つ磁化容易軸を磁気抵抗効果素子の磁化容易軸と同じく
媒体対接面と平行な方向となすと共に、その媒体対接面
と平行な方向における端部を円弧状とすることにより、
上述の課題を解決する。
【００１６】フラックスガイドは、磁気抵抗効果素子上
にＴａ膜を介して積層するか、または、磁気抵抗効果素
子上に設けられたＴａ膜上に膜厚１０〜８０ｎｍのパー
マロイ膜を介して、さらにメッキによってパーマロイ膜
を積層して形成する。そして、このフラックスガイドに
は高透磁率を有する磁性材料を用いる。
にＴａ膜を介して積層するか、または、磁気抵抗効果素
子上に設けられたＴａ膜上に膜厚１０〜８０ｎｍのパー
マロイ膜を介して、さらにメッキによってパーマロイ膜
を積層して形成する。そして、このフラックスガイドに
は高透磁率を有する磁性材料を用いる。
【００１７】
【作用】本発明においては、ＭＲ素子の後端部に設けた
高透磁率を有する磁性材料からなるフラックスガイド
を、ＭＲ素子の長手方向に対して直交する方向（媒体対
接面と平行な方向）に縦長形状として形成し、磁化容易
軸をＭＲ素子の磁化容易軸と同じく媒体対接面と平行な
方向となるようにしているので、当該フラックスガイド
の磁区が安定する。したがって、バルクハウゼンノイズ
の発生が回避されることになり、ＭＲ素子に入る信号磁
束がこのフラックスガイドによってＡＢＳ面側より後方
側へと効率良く引き込まれることになる。
高透磁率を有する磁性材料からなるフラックスガイド
を、ＭＲ素子の長手方向に対して直交する方向（媒体対
接面と平行な方向）に縦長形状として形成し、磁化容易
軸をＭＲ素子の磁化容易軸と同じく媒体対接面と平行な
方向となるようにしているので、当該フラックスガイド
の磁区が安定する。したがって、バルクハウゼンノイズ
の発生が回避されることになり、ＭＲ素子に入る信号磁
束がこのフラックスガイドによってＡＢＳ面側より後方
側へと効率良く引き込まれることになる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例の磁
気抵抗効果型磁気ヘッドは、図１に示すように、スライ
ダの一側面（図示は省略する。）上に形成される一対の
シールド磁性体１，２と、これらシールド磁性体１，２
間に先端電極３と後端電極４が積層されてなるＭＲ素子
５と、このＭＲ素子５にバイアス磁界を印加するバイア
ス磁界印加部材６とを有して構成されている。
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例の磁
気抵抗効果型磁気ヘッドは、図１に示すように、スライ
ダの一側面（図示は省略する。）上に形成される一対の
シールド磁性体１，２と、これらシールド磁性体１，２
間に先端電極３と後端電極４が積層されてなるＭＲ素子
５と、このＭＲ素子５にバイアス磁界を印加するバイア
ス磁界印加部材６とを有して構成されている。
【００１９】なお以下、下層に形成されるシールド磁性
体１を下部シールド磁性体１、上層に形成されるシール
ド磁性体２を上部シールド磁性体２と称する。
体１を下部シールド磁性体１、上層に形成されるシール
ド磁性体２を上部シールド磁性体２と称する。
【００２０】ＭＲ素子５は、例えば平面形状が略長方形
パターンとして形成され、その長手方向が磁気記録媒体
との対接面（以下、ＡＢＳ面７と称する。）に対して垂
直となるように設けられている。また、このＭＲ素子５
の先端側の一側縁は、上記ＡＢＳ面７に臨むようになさ
れている。
パターンとして形成され、その長手方向が磁気記録媒体
との対接面（以下、ＡＢＳ面７と称する。）に対して垂
直となるように設けられている。また、このＭＲ素子５
の先端側の一側縁は、上記ＡＢＳ面７に臨むようになさ
れている。
【００２１】かかるＭＲ素子５は、例えばパーマロイ等
の強磁性体薄膜からなり、下部シールド磁性体１上に設
けられたギャップ膜として機能する絶縁膜８上に蒸着や
スパッタリング等の真空薄膜形成手段によって形成され
ている。
の強磁性体薄膜からなり、下部シールド磁性体１上に設
けられたギャップ膜として機能する絶縁膜８上に蒸着や
スパッタリング等の真空薄膜形成手段によって形成され
ている。
【００２２】このＭＲ素子５は、パーマロイよりなるＭ
Ｒ薄膜の単層膜であってもよいが、例えばＳｉＯ2 等よ
りなる非磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対の
ＭＲ薄膜を積層するようにしてもよい。積層膜構造とす
ることによって、バルクハウゼンノイズの発生が回避で
きる。
Ｒ薄膜の単層膜であってもよいが、例えばＳｉＯ2 等よ
りなる非磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対の
ＭＲ薄膜を積層するようにしてもよい。積層膜構造とす
ることによって、バルクハウゼンノイズの発生が回避で
きる。
【００２３】先端電極３は、その一側縁がＡＢＳ面７に
臨むようにしてＭＲ素子５の先端部に直接積層され、こ
のＭＲ素子５と電気的に接続されるようになっている。
かかる先端電極３は、ＭＲ素子５にセンス電流を通電す
る電極としての機能を有する他、再生用磁気ギャップｇ
のギャップ膜としても機能するようになっている。
臨むようにしてＭＲ素子５の先端部に直接積層され、こ
のＭＲ素子５と電気的に接続されるようになっている。
かかる先端電極３は、ＭＲ素子５にセンス電流を通電す
る電極としての機能を有する他、再生用磁気ギャップｇ
のギャップ膜としても機能するようになっている。
【００２４】一方、後端電極４は、信号磁界の引き込み
の向上及びバイアス分布の均一化を図ることを目的とす
るフラックスガイド９を介してＭＲ素子５の後端側に積
層されている。
の向上及びバイアス分布の均一化を図ることを目的とす
るフラックスガイド９を介してＭＲ素子５の後端側に積
層されている。
【００２５】フラックスガイド９は、図２に示すよう
に、ＭＲ素子５の後端部に形成されたＴａ膜９ａと、こ
の上に蒸着やスパッタリングによって成膜される第１の
パーマロイ膜９ｂと、この第１のパーマロイ膜９ｂ上に
メッキによって形成される第２のパーマロイ膜９ｃの積
層膜構造とされている。
に、ＭＲ素子５の後端部に形成されたＴａ膜９ａと、こ
の上に蒸着やスパッタリングによって成膜される第１の
パーマロイ膜９ｂと、この第１のパーマロイ膜９ｂ上に
メッキによって形成される第２のパーマロイ膜９ｃの積
層膜構造とされている。
【００２６】Ｔａ膜９ａは、この上に形成される第１の
パーマロイ膜９ｂの下地膜として機能する。そして、こ
のＴａ膜９ａ上に成膜される第１のパーマロイ膜９ｂ
は、該Ｔａ膜９ａ上に直接メッキによってパーマロイを
成膜することはできないため、パーマロイを電気メッキ
する際の下地膜として機能するようになっている。ま
た、この第１のパーマロイ膜９ｂは、Ｔａ膜９ａ上に成
膜されると磁気異方性がつき易いという性質を有する。
そして最上層の第２のパーマロイ膜９ｃは、ＭＲ素子５
に入り込んだ信号磁束を後端部まで効率良く引き込む役
目をする。この第２のパーマロイ膜９ｃを第１のパーマ
ロイ膜９ｂの上にメッキすると、第１のパーマロイ膜９
ｂの磁気異方性に従ってメッキ膜が成長する。
パーマロイ膜９ｂの下地膜として機能する。そして、こ
のＴａ膜９ａ上に成膜される第１のパーマロイ膜９ｂ
は、該Ｔａ膜９ａ上に直接メッキによってパーマロイを
成膜することはできないため、パーマロイを電気メッキ
する際の下地膜として機能するようになっている。ま
た、この第１のパーマロイ膜９ｂは、Ｔａ膜９ａ上に成
膜されると磁気異方性がつき易いという性質を有する。
そして最上層の第２のパーマロイ膜９ｃは、ＭＲ素子５
に入り込んだ信号磁束を後端部まで効率良く引き込む役
目をする。この第２のパーマロイ膜９ｃを第１のパーマ
ロイ膜９ｂの上にメッキすると、第１のパーマロイ膜９
ｂの磁気異方性に従ってメッキ膜が成長する。
【００２７】上記のように積層膜構造とされたフラック
スガイド９は、図３に示すように、ＭＲ素子５の長手方
向に対してその長軸が略垂直となるようにいわゆる縦長
の楕円形状として形成されている。すなわち、フラック
スガイド９は、ＡＢＳ面７と平行な方向の長さをＬ、垂
直な方向の幅をＷとしたときに、Ｌ＞Ｗなる関係とさ
れ、しかもそのＡＢＳ面７と平行な方向における両端縁
部１０，１１が円弧状とされている。
スガイド９は、図３に示すように、ＭＲ素子５の長手方
向に対してその長軸が略垂直となるようにいわゆる縦長
の楕円形状として形成されている。すなわち、フラック
スガイド９は、ＡＢＳ面７と平行な方向の長さをＬ、垂
直な方向の幅をＷとしたときに、Ｌ＞Ｗなる関係とさ
れ、しかもそのＡＢＳ面７と平行な方向における両端縁
部１０，１１が円弧状とされている。
【００２８】また、上記フラックスガイド９の円弧状と
される両端縁部１０，１１は、ＡＢＳ面７と平行な平行
面部１２，１３よりもさらに外側へ突出するようになさ
れている。そしてさらに、このフラックスガイド９は、
ＭＲ素子５の磁化容易軸と同じくその磁化容易軸が、図
３中矢印で示すＡＢＳ面７と平行な方向とされている。
される両端縁部１０，１１は、ＡＢＳ面７と平行な平行
面部１２，１３よりもさらに外側へ突出するようになさ
れている。そしてさらに、このフラックスガイド９は、
ＭＲ素子５の磁化容易軸と同じくその磁化容易軸が、図
３中矢印で示すＡＢＳ面７と平行な方向とされている。
【００２９】かかる構成とすることにより、フラックス
ガイド９には、図４に示すような向きの磁区が発生する
が、これら磁区は還流するために磁区の安定性が保たれ
る。したがって、ＭＲ素子５に流れるセンス電流によっ
てフラックスガイド９の磁区が乱されることが無くな
り、その結果ＭＲ素子５の磁区も安定する。
ガイド９には、図４に示すような向きの磁区が発生する
が、これら磁区は還流するために磁区の安定性が保たれ
る。したがって、ＭＲ素子５に流れるセンス電流によっ
てフラックスガイド９の磁区が乱されることが無くな
り、その結果ＭＲ素子５の磁区も安定する。
【００３０】また、フラックスガイド９をＭＲ素子５の
後端側に設けた場合、当該フラックスガイド９によるバ
ルクハウゼンノイズ等の不安定性が心配されるが、上述
のような形状とすることで、電磁変換特性においてその
ような不安定性は見られず、図７に示すような良好な出
力波形が得られる。
後端側に設けた場合、当該フラックスガイド９によるバ
ルクハウゼンノイズ等の不安定性が心配されるが、上述
のような形状とすることで、電磁変換特性においてその
ような不安定性は見られず、図７に示すような良好な出
力波形が得られる。
【００３１】上記バイアス磁界印加部材６は、ＭＲ素子
５にバイアス磁界を印加するためのもので、先端電極３
と後端電極４の間であって、これら電極３，４が設けら
れる側とは反対側の下部シールド磁性体１に形成される
溝部１４に配され、絶縁膜１５によって埋め込まれる形
で設けられている。
５にバイアス磁界を印加するためのもので、先端電極３
と後端電極４の間であって、これら電極３，４が設けら
れる側とは反対側の下部シールド磁性体１に形成される
溝部１４に配され、絶縁膜１５によって埋め込まれる形
で設けられている。
【００３２】かかるバイアス磁界印加部材６は、上記Ａ
ＢＳ面７と垂直な方向であるＭＲ素子５の長手方向に亘
ってバイアス磁界を印加する役目をする。このバイアス
磁界印加部材６は、例えば導電性を有する導体、または
ハード膜（高保磁力且つ高飽和磁束密度を有する永久磁
石）のいずれであってもかまわない。バイアス磁界印加
部材６が導体である場合には、その導体パターンの両端
子部に直流電源からのバイアス電流をその配線パターン
の長手方向であるトラック幅方向に通電する。
ＢＳ面７と垂直な方向であるＭＲ素子５の長手方向に亘
ってバイアス磁界を印加する役目をする。このバイアス
磁界印加部材６は、例えば導電性を有する導体、または
ハード膜（高保磁力且つ高飽和磁束密度を有する永久磁
石）のいずれであってもかまわない。バイアス磁界印加
部材６が導体である場合には、その導体パターンの両端
子部に直流電源からのバイアス電流をその配線パターン
の長手方向であるトラック幅方向に通電する。
【００３３】そして、上記ＭＲ素子５を上下方向から挟
み込む形で設けられる一対のシールド磁性体１，２は、
ＭＲ素子５から離れた位置の媒体からの磁界の影響を受
けないようにするシールドとして機能するもので、例え
ばパーマロイ等によって形成されている。これらシール
ド磁性体１，２のうち下部シールド磁性体１は、上記Ａ
ＢＳ面７にその一側縁を臨ませるようにして、このＡＢ
Ｓ面７に対して垂直方向に延在して設けられている。
み込む形で設けられる一対のシールド磁性体１，２は、
ＭＲ素子５から離れた位置の媒体からの磁界の影響を受
けないようにするシールドとして機能するもので、例え
ばパーマロイ等によって形成されている。これらシール
ド磁性体１，２のうち下部シールド磁性体１は、上記Ａ
ＢＳ面７にその一側縁を臨ませるようにして、このＡＢ
Ｓ面７に対して垂直方向に延在して設けられている。
【００３４】そして、この下部シールド磁性体１には、
先端電極３と後端電極４で挟まれる領域に対応した位置
に先のバイアス磁界印加部材６を絶縁膜１５によって埋
め込むための溝部１４を有している。かかる溝部１４
は、バイアス磁界印加部材６と平行な底面１４ａとこの
底面１４ａの両側に溝の開口幅を広げるようにして形成
される傾斜面１４ｂ，１４ｃとを有した断面略コ字状を
なす溝として、上記下部シールド磁性体１の短辺方向
（トラック幅方向）に形成されている。
先端電極３と後端電極４で挟まれる領域に対応した位置
に先のバイアス磁界印加部材６を絶縁膜１５によって埋
め込むための溝部１４を有している。かかる溝部１４
は、バイアス磁界印加部材６と平行な底面１４ａとこの
底面１４ａの両側に溝の開口幅を広げるようにして形成
される傾斜面１４ｂ，１４ｃとを有した断面略コ字状を
なす溝として、上記下部シールド磁性体１の短辺方向
（トラック幅方向）に形成されている。
【００３５】上記傾斜面１４ｂ，１４ｃのうち、ＡＢＳ
面７側に設けられる傾斜面１４ｂのＭＲ素子５に近接す
る溝先端部Ｄ1 は、上記先端電極３の後端部（再生磁気
ギャップｇのデプス零位置）Ｅ1 と略同一の位置とされ
ている。これに対して他方の傾斜面１４ｃのＭＲ素子５
に近接する溝後端部Ｄ2 は、フラックスガイド９の先端
部Ｅ2 に対して後方とされている。逆の見かたをする
と、フラックスガイド９の先端部Ｅ2 が、傾斜面１４ｃ
の溝後端部Ｄ2 に対してＡＢＳ面７寄りに設けられてい
ることになる。つまり、フラックスガイド９を、上記溝
部１４の溝後端部Ｄ2 よりＡＢＳ面７寄りに設ければ、
ＭＲ素子５に対してバイアスがより一層かかり易くな
る。
面７側に設けられる傾斜面１４ｂのＭＲ素子５に近接す
る溝先端部Ｄ1 は、上記先端電極３の後端部（再生磁気
ギャップｇのデプス零位置）Ｅ1 と略同一の位置とされ
ている。これに対して他方の傾斜面１４ｃのＭＲ素子５
に近接する溝後端部Ｄ2 は、フラックスガイド９の先端
部Ｅ2 に対して後方とされている。逆の見かたをする
と、フラックスガイド９の先端部Ｅ2 が、傾斜面１４ｃ
の溝後端部Ｄ2 に対してＡＢＳ面７寄りに設けられてい
ることになる。つまり、フラックスガイド９を、上記溝
部１４の溝後端部Ｄ2 よりＡＢＳ面７寄りに設ければ、
ＭＲ素子５に対してバイアスがより一層かかり易くな
る。
【００３６】一方、これに対向して設けられる上部シー
ルド磁性体２は、先の下部シールド磁性体１と同様に上
記ＡＢＳ面７にその一側縁を臨ませるようにしてこのＡ
ＢＳ面７に対して垂直にバック側へ延在して設けられて
いる。また、この上部シールド磁性体２は、ＡＢＳ面７
側で先端電極３に対して直接積層されると共に、その後
方側において絶縁層１６を介して積層されている。
ルド磁性体２は、先の下部シールド磁性体１と同様に上
記ＡＢＳ面７にその一側縁を臨ませるようにしてこのＡ
ＢＳ面７に対して垂直にバック側へ延在して設けられて
いる。また、この上部シールド磁性体２は、ＡＢＳ面７
側で先端電極３に対して直接積層されると共に、その後
方側において絶縁層１６を介して積層されている。
【００３７】ところで、上記フラックスガイド９を形成
するには、先ずＭＲ素子５上にスパッタリングや蒸着等
の如き真空薄膜形成手段によってＴａ膜９ａを成膜す
る。Ｔａ膜９ａの膜厚としては、例えば１００ｎｍ以下
とすることが望ましい。また、このＴａ膜９ａは、プロ
セス上熱が加わったとき、ＭＲ素子５への拡散が小さ
い。
するには、先ずＭＲ素子５上にスパッタリングや蒸着等
の如き真空薄膜形成手段によってＴａ膜９ａを成膜す
る。Ｔａ膜９ａの膜厚としては、例えば１００ｎｍ以下
とすることが望ましい。また、このＴａ膜９ａは、プロ
セス上熱が加わったとき、ＭＲ素子５への拡散が小さ
い。
【００３８】次に、このＴａ膜９ａ上にスパッタリング
又は蒸着によって第１のパーマロイ膜９ｂを成膜する。
この第１のパーマロイ膜９ｂの膜厚としては、例えば１
０〜８０ｎｍとなるようにする。膜厚が１０ｎｍ未満で
あると異方性が付き難くなり、８０ｎｍを越えると第２
のパーマロイ膜９ｃに対し磁気的結合ができなくなる。
本実施例では、第１のパーマロイ膜９ｂの膜厚を８０ｎ
ｍとした。なお、第１のパーマロイ膜９ｂと第２のパー
マロイ膜９ｃの磁歪定数は、−０．５×１０-6〜−１．
０×１０ -6となるようにすることが望ましい。
又は蒸着によって第１のパーマロイ膜９ｂを成膜する。
この第１のパーマロイ膜９ｂの膜厚としては、例えば１
０〜８０ｎｍとなるようにする。膜厚が１０ｎｍ未満で
あると異方性が付き難くなり、８０ｎｍを越えると第２
のパーマロイ膜９ｃに対し磁気的結合ができなくなる。
本実施例では、第１のパーマロイ膜９ｂの膜厚を８０ｎ
ｍとした。なお、第１のパーマロイ膜９ｂと第２のパー
マロイ膜９ｃの磁歪定数は、−０．５×１０-6〜−１．
０×１０ -6となるようにすることが望ましい。
【００３９】この結果、図５に示すように、第１のパー
マロイ膜９ｂに磁気異方性が付与される。
マロイ膜９ｂに磁気異方性が付与される。
【００４０】次いで、上記第１のパーマロイ膜９ｂの上
に電気メッキによって第２のパーマロイ膜９ｃを成膜す
る。このときの膜厚は、磁区の安定性を考慮すると厚い
方がよいが、あまり厚すぎるとこれが段差となり後工程
に反映し、特に上部シールド磁性体２の磁気特性を乱す
ことも考えられるので、３００ｎｍ程度とすることが望
ましい。
に電気メッキによって第２のパーマロイ膜９ｃを成膜す
る。このときの膜厚は、磁区の安定性を考慮すると厚い
方がよいが、あまり厚すぎるとこれが段差となり後工程
に反映し、特に上部シールド磁性体２の磁気特性を乱す
ことも考えられるので、３００ｎｍ程度とすることが望
ましい。
【００４１】本実施例では、第２のパーマロイ膜９ｃの
膜厚を２２０ｎｍとした。
膜厚を２２０ｎｍとした。
【００４２】このとき、第２のパーマロイ膜９ｃは、第
１のパーマロイ膜９ｂに付与された磁気異方性に従って
メッキ膜が成長する。その結果を図６に示す。かかる図
からわかるように、第２のパーマロイ膜９ｃは第１のパ
ーマロイ膜９ｂの磁気異方性に反映して異方性が付与さ
れていることが判る。
１のパーマロイ膜９ｂに付与された磁気異方性に従って
メッキ膜が成長する。その結果を図６に示す。かかる図
からわかるように、第２のパーマロイ膜９ｃは第１のパ
ーマロイ膜９ｂの磁気異方性に反映して異方性が付与さ
れていることが判る。
【００４３】そして最後に、フラックスガイド９を先に
説明した形状にパターンニングした後、これをエッチン
グしてフラックスガイド９を完成する。
説明した形状にパターンニングした後、これをエッチン
グしてフラックスガイド９を完成する。
【００４４】なお、上記の例では、フラックスガイド９
としてパーマロイを用いたが、高透磁率を有する例えば
センダストやＦｅ−Ｃｏ系のアモルファス材等の磁性材
料を用いても同様の作用効果を得ることができる。
としてパーマロイを用いたが、高透磁率を有する例えば
センダストやＦｅ−Ｃｏ系のアモルファス材等の磁性材
料を用いても同様の作用効果を得ることができる。
【００４５】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいては、ＭＲ素子の
後端部に設けた高透磁率を有する磁性材料からなるフラ
ックスガイドを、ＭＲ素子の長手方向に対して直交する
方向に縦長の楕円形状として形成し、その磁化容易軸を
ＭＲ素子の磁化容易軸と同じく媒体対接面と平行な方向
としているので、当該フラックスガイドの磁区を安定化
させることができ、その結果バルクハウゼンノイズの発
生を回避でき、再生出力の大幅な向上を達成することが
できる。
明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいては、ＭＲ素子の
後端部に設けた高透磁率を有する磁性材料からなるフラ
ックスガイドを、ＭＲ素子の長手方向に対して直交する
方向に縦長の楕円形状として形成し、その磁化容易軸を
ＭＲ素子の磁化容易軸と同じく媒体対接面と平行な方向
としているので、当該フラックスガイドの磁区を安定化
させることができ、その結果バルクハウゼンノイズの発
生を回避でき、再生出力の大幅な向上を達成することが
できる。
【図１】ＭＲヘッドの拡大断面図である。
【図２】フラックスガイドの拡大断面図である。
【図３】フラックスガイドの拡大平面図である。
【図４】フラックスガイドに発生した磁区を示す模式図
である。
である。
【図５】Ｔａ膜上に第１のパーマロイ膜を成膜したとき
に異方性が生じていることを現す特性図である。
に異方性が生じていることを現す特性図である。
【図６】第１のパーマロイ膜上に第２のパーマロイ膜を
メッキによって成膜したときにこの第１のパーマロイ膜
の異方性が反映されていることを現す特性図である。
メッキによって成膜したときにこの第１のパーマロイ膜
の異方性が反映されていることを現す特性図である。
【図７】本実施例のＭＲヘッドにおける再生波形を示す
特性図である。
特性図である。
【図８】横長とされた従来のフラックスガイドの拡大平
面図である。
面図である。
１・・・下部シールド磁性体 ２・・・上部シールド磁性体 ３・・・先端電極 ４・・・後端電極 ５・・・ＭＲ素子 ６・・・バイアス磁界印加部材 ７・・・ＡＢＳ面 ９・・・フラックスガイド ９ａ・・・Ｔａ膜 ９ｂ・・・第１のパーマロイ膜 ９ｃ・・・第２のパーマロイ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 守 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 芳賀 秀一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 陶山 英夫 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 磁気記録媒体との対接面に対して長手方
向が垂直となるように配される磁気抵抗効果素子と、 上記磁気記録媒体との対接面に臨み、磁気抵抗効果素子
の先端側に積層される先端電極と、 上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電極
と、 上記先端電極と後端電極が積層された磁気抵抗効果素子
を挟み込む一対のシールド磁性体と、 上記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加するバイア
ス磁界印加部材と、 上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される磁性材料よ
りなるフラックスガイドとを備え、 上記フラックスガイドは、媒体対接面と平行な方向の長
さをＬ、垂直な方向の幅をＷとしたときにＬ＞Ｗなる関
係とされ、且つ磁化容易軸が磁気抵抗効果素子の磁化容
易軸と同じく媒体対接面と平行な方向とされると共に、
その媒体対接面と平行な方向における端部が円弧状とさ
れていることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項２】 フラックスガイドは、磁気抵抗効果素子
上にＴａ膜を介して積層されていることを特徴とする請
求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項３】 フラックスガイドは、高透磁率を有する
磁性材料からなることを特徴とする請求項１又は２記載
の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項４】 フラックスガイドは、磁気抵抗効果素子
上に設けられたＴａ膜と、このＴａ膜上に蒸着又はスパ
ッタリングによりその膜厚が１０〜８０ｎｍとされる第
１のパーマロイ膜と、この第１のパーマロイ膜上にメッ
キによって積層される第２のパーマロイ膜との積層膜構
造とされていることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30051593A JPH07153036A (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30051593A JPH07153036A (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07153036A true JPH07153036A (ja) | 1995-06-16 |
Family
ID=17885753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30051593A Withdrawn JPH07153036A (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07153036A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7068475B2 (en) * | 2001-02-27 | 2006-06-27 | Fujitsu Limited | Magnetic head having a flux-guide regulating film regulating a magnetic domain of a flux guide |
| US7170721B2 (en) * | 2002-06-25 | 2007-01-30 | Quantum Corporation | Method of producing flux guides in magnetic recording heads |
| US7290325B2 (en) | 2004-08-13 | 2007-11-06 | Quantum Corporation | Methods of manufacturing magnetic heads with reference and monitoring devices |
| US7751154B2 (en) | 2005-05-19 | 2010-07-06 | Quantum Corporation | Magnetic recording heads with bearing surface protections and methods of manufacture |
-
1993
- 1993-11-30 JP JP30051593A patent/JPH07153036A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7068475B2 (en) * | 2001-02-27 | 2006-06-27 | Fujitsu Limited | Magnetic head having a flux-guide regulating film regulating a magnetic domain of a flux guide |
| US7170721B2 (en) * | 2002-06-25 | 2007-01-30 | Quantum Corporation | Method of producing flux guides in magnetic recording heads |
| US7290325B2 (en) | 2004-08-13 | 2007-11-06 | Quantum Corporation | Methods of manufacturing magnetic heads with reference and monitoring devices |
| US7751154B2 (en) | 2005-05-19 | 2010-07-06 | Quantum Corporation | Magnetic recording heads with bearing surface protections and methods of manufacture |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5218497A (en) | Magnetic recording-reproducing apparatus and magnetoresistive head having two or more magnetoresistive films for use therewith | |
| US6507465B1 (en) | Magnetoresistive effect head | |
| JPH08185612A (ja) | Ｍｒヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH05135332A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘツドおよびそれを用いた磁気記録装置 | |
| JPH05151536A (ja) | 結合読取／書込磁気ヘツド | |
| JPH07201021A (ja) | 複合型磁気ヘッド | |
| JP3565925B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPS6224848B2 (ja) | ||
| JPH0836715A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH07244822A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH07182630A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPS63138515A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH07210826A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP3070495B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜変換素子 | |
| JPH0572642B2 (ja) | ||
| JPS6371914A (ja) | 再生ヘツド | |
| US20020018324A1 (en) | Ferromagnetic tunneling magneto-resistive head | |
| JPH0793711A (ja) | 複合型磁気ヘッド | |
| JPH08124122A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘッドおよび磁気記録再生装置 | |
| JP2003208706A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH07182631A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH0991630A (ja) | 磁気抵抗効果素子並びにそれを用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
| JPH06243438A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH0785423A (ja) | 複合型磁気ヘッド | |
| JPH07210831A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010130 |