JPH08148208A - 気密端子 - Google Patents
気密端子Info
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- JPH08148208A JPH08148208A JP31110894A JP31110894A JPH08148208A JP H08148208 A JPH08148208 A JP H08148208A JP 31110894 A JP31110894 A JP 31110894A JP 31110894 A JP31110894 A JP 31110894A JP H08148208 A JPH08148208 A JP H08148208A
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Landscapes
- Connections Arranged To Contact A Plurality Of Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ボンディング特性良好で、生産性の良い金属
ベースの気密端子を提供する。 【構成】 金属ベース１にリード端子挿通穴２を設け、
リード端子挿通穴にリード端子３を挿通し、ガラスによ
って封着した気密端子において、ガラス層は金属ベース
とリード端子を封着する封着ガラス層４１とこの封着ガ
ラス層の上層に設けられ、リード端子の一方の先端部を
支持するための積層ガラス層４２よりなり、積層ガラス
層の最上層４２１と最下層４２３はリード端子および封
着ガラス層と固着性の良好な封着用ガラス層であり、中
間層４２２は強度の良好で、かつ封着用ガラスと固着性
が良好な高融点ガラス層である。 【効果】 リード端子の頭部の下部に頭部を支持するた
めの積層ガラス層を設け、積層ガラス層に強度の良好な
高融点ガラス層を設けたため、共振現象が全く発生せ
ず、リード端子のインナー側の寸法を長くできる。
ベースの気密端子を提供する。 【構成】 金属ベース１にリード端子挿通穴２を設け、
リード端子挿通穴にリード端子３を挿通し、ガラスによ
って封着した気密端子において、ガラス層は金属ベース
とリード端子を封着する封着ガラス層４１とこの封着ガ
ラス層の上層に設けられ、リード端子の一方の先端部を
支持するための積層ガラス層４２よりなり、積層ガラス
層の最上層４２１と最下層４２３はリード端子および封
着ガラス層と固着性の良好な封着用ガラス層であり、中
間層４２２は強度の良好で、かつ封着用ガラスと固着性
が良好な高融点ガラス層である。 【効果】 リード端子の頭部の下部に頭部を支持するた
めの積層ガラス層を設け、積層ガラス層に強度の良好な
高融点ガラス層を設けたため、共振現象が全く発生せ
ず、リード端子のインナー側の寸法を長くできる。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は気密端子、さらに詳細にボ
ンディング性に優れた半導体収納用メタルパッケージの
気密端子に関する。
ンディング性に優れた半導体収納用メタルパッケージの
気密端子に関する。
【０００２】
【従来技術】従来の半導体収納用気密端子は、図４に示
すように金属の板状のベース１にリード端子挿通穴２を
設けるとともに、このリード端子挿通穴２にリード端子
３を表裏に貫通するように挿通し、ガラス４によって封
着する構造になっている。このような構造の気密端子の
前記ベース１に半導体素子５などを搭載するとともに、
例えばアルミ線あるいはＡｕ線６をワイヤーボンディン
グによって前記半導体素子５とリード端子３の頭部３１
に接続し、キャップ（図示せず）を被せるとともに、接
着フランジ１１において接着して半導体素子５を気密に
封入するようになっている。
すように金属の板状のベース１にリード端子挿通穴２を
設けるとともに、このリード端子挿通穴２にリード端子
３を表裏に貫通するように挿通し、ガラス４によって封
着する構造になっている。このような構造の気密端子の
前記ベース１に半導体素子５などを搭載するとともに、
例えばアルミ線あるいはＡｕ線６をワイヤーボンディン
グによって前記半導体素子５とリード端子３の頭部３１
に接続し、キャップ（図示せず）を被せるとともに、接
着フランジ１１において接着して半導体素子５を気密に
封入するようになっている。
【０００３】
【発明が解決する問題点】近年になって、高密度化、高
集積化にともない半導体素子や回路基板などの大型化が
進み、これらを収納すべき気密パッケージも大型化、多
リード化が求められるようになってきている。このよう
な状況において、半導体素子、回路基板とリード端子の
接続性、すなわちボンディング性の信頼の向上が要求さ
れてきている。
集積化にともない半導体素子や回路基板などの大型化が
進み、これらを収納すべき気密パッケージも大型化、多
リード化が求められるようになってきている。このよう
な状況において、半導体素子、回路基板とリード端子の
接続性、すなわちボンディング性の信頼の向上が要求さ
れてきている。
【０００４】上述のような従来の気密端子においては、
リード端子３の頭部３１と半導体素子５などを、超音波
またはそれを併用する方法でワイヤーボンディングして
線６を接続するものであるが、前記ボンディングを行な
う際に、前記リード端子３が共振現象を発生することが
知られており、ボンディング性が損なわれる結果となっ
ていた。また、上述のような共振現象のため、リード端
子３の頭部側（インナー側）を長くすることができず、
半導体素子５とリード端子頭部３１間にの高低レベル差
が生じ、ボンディング性および作業性を損なってきてい
た。
リード端子３の頭部３１と半導体素子５などを、超音波
またはそれを併用する方法でワイヤーボンディングして
線６を接続するものであるが、前記ボンディングを行な
う際に、前記リード端子３が共振現象を発生することが
知られており、ボンディング性が損なわれる結果となっ
ていた。また、上述のような共振現象のため、リード端
子３の頭部側（インナー側）を長くすることができず、
半導体素子５とリード端子頭部３１間にの高低レベル差
が生じ、ボンディング性および作業性を損なってきてい
た。
【０００５】上述の問題点を除去するために、前記金属
ベース１の半導体素子５などの搭載面に凹部を形成し、
前記半導体素子５などとリード端子頭部３１の高低差を
解消する試みもなされているが、金属ベースの加工コス
トが上昇し、生産性も悪いという欠点があった。
ベース１の半導体素子５などの搭載面に凹部を形成し、
前記半導体素子５などとリード端子頭部３１の高低差を
解消する試みもなされているが、金属ベースの加工コス
トが上昇し、生産性も悪いという欠点があった。
【０００６】本発明は上述の問題点に鑑みなされたもの
であり、従来に比較してボンディング特性の良好で、か
つ生産性の良好な金属ベースの気密端子、すなわち信頼
性の高い気密端子を提供することを目的とする。
であり、従来に比較してボンディング特性の良好で、か
つ生産性の良好な金属ベースの気密端子、すなわち信頼
性の高い気密端子を提供することを目的とする。
【０００７】
【問題点を解決するための手段】上記問題点を解決する
ため、本発明による気密端子は、金属ベースにリード端
子挿通穴を設け、前記リード端子挿通穴にリード端子を
挿通し、ガラスによって封着した気密端子において、前
記ガラス層は金属ベースとリード端子を封着する封着ガ
ラス層とこの封着ガラス層の上層に設けられ、前記リー
ド端子の一方の先端部を支持するための積層ガラス層よ
りなり、前記積層ガラス層の最上層と最下層はリード端
子および封着ガラス層と固着性の良好な封着用ガラス層
であり、中間層は強度の良好で、かつ封着用ガラスと固
着性が良好な高融点ガラス層であることを特徴とする。
ため、本発明による気密端子は、金属ベースにリード端
子挿通穴を設け、前記リード端子挿通穴にリード端子を
挿通し、ガラスによって封着した気密端子において、前
記ガラス層は金属ベースとリード端子を封着する封着ガ
ラス層とこの封着ガラス層の上層に設けられ、前記リー
ド端子の一方の先端部を支持するための積層ガラス層よ
りなり、前記積層ガラス層の最上層と最下層はリード端
子および封着ガラス層と固着性の良好な封着用ガラス層
であり、中間層は強度の良好で、かつ封着用ガラスと固
着性が良好な高融点ガラス層であることを特徴とする。
【０００８】本発明による気密端子によれば、前記リー
ド端子の頭部の下部に前記頭部を支持するための積層ガ
ラス層を設け、前記積層ガラス層に強度の良好な高融点
ガラス層を設けたため、共進現象が全く発生せず、リー
ド端子のインナー側の寸法を長くできる。このため、ボ
ンディング性が向上するとともに、半導体素子などとの
高低差などのマッチングを容易に行なうことができると
いう利点がある。
ド端子の頭部の下部に前記頭部を支持するための積層ガ
ラス層を設け、前記積層ガラス層に強度の良好な高融点
ガラス層を設けたため、共進現象が全く発生せず、リー
ド端子のインナー側の寸法を長くできる。このため、ボ
ンディング性が向上するとともに、半導体素子などとの
高低差などのマッチングを容易に行なうことができると
いう利点がある。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の気密端子の一実施例の断面
図、図２は前記リード端子のインナー側の拡大断面図で
あるが、これらの図より明らかなように、本発明の気密
端子は、金属の板状のベース１にリード端子挿通穴２を
設けるとともに、このリード端子挿通穴２にリード端子
３を表裏に貫通するように挿通し、ガラス４によって封
着する構造になっている。このような構造の気密端子の
前記ベース１に半導体素子５などを搭載するとともに、
例えばアルミ線あるいはＡｕ線６をワイヤーボンディン
グによって前記半導体素子５とリード端子３の頭部３１
に接続し、キャップ（図示せず）を被せるとともに、接
着フランジ１１において接着して半導体素子５を気密に
封入するようになっている。
図、図２は前記リード端子のインナー側の拡大断面図で
あるが、これらの図より明らかなように、本発明の気密
端子は、金属の板状のベース１にリード端子挿通穴２を
設けるとともに、このリード端子挿通穴２にリード端子
３を表裏に貫通するように挿通し、ガラス４によって封
着する構造になっている。このような構造の気密端子の
前記ベース１に半導体素子５などを搭載するとともに、
例えばアルミ線あるいはＡｕ線６をワイヤーボンディン
グによって前記半導体素子５とリード端子３の頭部３１
に接続し、キャップ（図示せず）を被せるとともに、接
着フランジ１１において接着して半導体素子５を気密に
封入するようになっている。
【００１０】上述のようなガラス４は金属ベース１とリ
ード端子を封着する封着ガラス層４１とこの封着ガラス
層４１の上部に設けられた積層ガラス層４２とよりな
り、前記積層ガラス層４２は前記リード端子３の一方の
先端部である頭部３１の底面と固着しており、前記頭部
３１を支持するようになっている。そして前記積層ガラ
ス層４２の最上層４２１と最下層４２３はリード端子３
および封着ガラス層４１と固着性の良好な封着用ガラス
からなっており、中間層４２２は強度の良好で、かつ封
着用ガラスと固着性が良好な高融点ガラス層からなって
いる。
ード端子を封着する封着ガラス層４１とこの封着ガラス
層４１の上部に設けられた積層ガラス層４２とよりな
り、前記積層ガラス層４２は前記リード端子３の一方の
先端部である頭部３１の底面と固着しており、前記頭部
３１を支持するようになっている。そして前記積層ガラ
ス層４２の最上層４２１と最下層４２３はリード端子３
および封着ガラス層４１と固着性の良好な封着用ガラス
からなっており、中間層４２２は強度の良好で、かつ封
着用ガラスと固着性が良好な高融点ガラス層からなって
いる。
【００１１】このように中間層４２２として高融点ガラ
スを中間層として使用するのは、前記高融点ガラスが封
着用ガラスに比較して強度が良好であること、従ってボ
ンディング工程において、良好に頭部３１を支持可能
で、ガラスに亀裂などを生じにくいこと、また、前記リ
ード端子３を金属ベース１に封着する際に、高融点であ
ることからガラスが流れず、初期の形状（実施例の場合
円筒形状）を保持可能であること、から用いられてい
る。
スを中間層として使用するのは、前記高融点ガラスが封
着用ガラスに比較して強度が良好であること、従ってボ
ンディング工程において、良好に頭部３１を支持可能
で、ガラスに亀裂などを生じにくいこと、また、前記リ
ード端子３を金属ベース１に封着する際に、高融点であ
ることからガラスが流れず、初期の形状（実施例の場合
円筒形状）を保持可能であること、から用いられてい
る。
【００１２】封着ガラス層４１としては、例えばリード
端子３、金属ベース１がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金あるいは
４２合金の場合、ホウケイ酸系ガラスなどが使用され、
一方Ｆｅ、ステンレス系の場合ソーダ系ガラスなどが使
用される。
端子３、金属ベース１がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金あるいは
４２合金の場合、ホウケイ酸系ガラスなどが使用され、
一方Ｆｅ、ステンレス系の場合ソーダ系ガラスなどが使
用される。
【００１３】一方、積層ガラス４２の中間層４２２は強
度の良好なガラス層が使用され、この実施例においては
単独で示してあるが、複数あってもよい。しかし少なく
とも最上層、最下層と接着する層は前記両層と固着し一
体化する必要があるため、上記最上層４２１、最下層４
２３とそれぞれ熱膨張率がマッチしたものが使用され
る。このようなガラスとしては、ホウケイ酸系ガラス、
ソーダ系ガラスにＡｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2などの酸化物を添
加したものが使用される。中間層４２１が単独の場合、
前述のようなガラスに上述の酸化物の一種以上を３０〜
６０重量％添加したものを使用することができる。酸化
物の添加量が３０重量％未満の場合強度が不足する恐れ
があり、一方６０重量％を越えると、最上層４２１、最
下層４２３のガラスと良好に融着しない恐れを生じるか
らである。
度の良好なガラス層が使用され、この実施例においては
単独で示してあるが、複数あってもよい。しかし少なく
とも最上層、最下層と接着する層は前記両層と固着し一
体化する必要があるため、上記最上層４２１、最下層４
２３とそれぞれ熱膨張率がマッチしたものが使用され
る。このようなガラスとしては、ホウケイ酸系ガラス、
ソーダ系ガラスにＡｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2などの酸化物を添
加したものが使用される。中間層４２１が単独の場合、
前述のようなガラスに上述の酸化物の一種以上を３０〜
６０重量％添加したものを使用することができる。酸化
物の添加量が３０重量％未満の場合強度が不足する恐れ
があり、一方６０重量％を越えると、最上層４２１、最
下層４２３のガラスと良好に融着しない恐れを生じるか
らである。
【００１４】中間層４２２が複数の場合、たとえば中間
層４２２の中央にＡｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2などの酸化物含量
が多いまたはＡｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2などのセラミックを使
用し、外側（最上層又は最下層）に行くにしたがって、
Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2などの酸化物含量の少ないガラス層
にしていくこともできる。この場合、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ
2などの酸化物含量は各ガラス層において０〜１００重
量％まで変化せしめることが可能である。
層４２２の中央にＡｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2などの酸化物含量
が多いまたはＡｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2などのセラミックを使
用し、外側（最上層又は最下層）に行くにしたがって、
Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2などの酸化物含量の少ないガラス層
にしていくこともできる。この場合、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ
2などの酸化物含量は各ガラス層において０〜１００重
量％まで変化せしめることが可能である。
【００１５】前記最上層４２１および最下層４２３は同
様にリード端子３、中間層４２２および封着ガラス層４
１と融着されやすいガラスである必要がある。したがっ
て、上記封着ガラス層４１と同様に、例えばベース１が
Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金あるいは４２合金の場合、ホウケ
イ酸系ガラスなどが使用され、一方Ｆｅ、ステンレス系
の場合ソーダ系ガラスなどが使用される。この場合前記
中間層４２２のＡｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2などの酸化物含量に
応じ、前記Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2などの酸化物含量を０〜
３０重量％の範囲で変化させることが可能である。３０
重量％を越えると、前記リード端子３と良好に融着しな
い恐れを生じるからである。
様にリード端子３、中間層４２２および封着ガラス層４
１と融着されやすいガラスである必要がある。したがっ
て、上記封着ガラス層４１と同様に、例えばベース１が
Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金あるいは４２合金の場合、ホウケ
イ酸系ガラスなどが使用され、一方Ｆｅ、ステンレス系
の場合ソーダ系ガラスなどが使用される。この場合前記
中間層４２２のＡｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2などの酸化物含量に
応じ、前記Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2などの酸化物含量を０〜
３０重量％の範囲で変化させることが可能である。３０
重量％を越えると、前記リード端子３と良好に融着しな
い恐れを生じるからである。
【００１６】図３は本発明の気密端子の製造方法を示し
た斜視図であるが、この図より明らかなように、リード
端子３に封着ガラス層を形成するガラスブロック７１お
よび積層ガラス層を形成する積層ガラスブロック７２を
順次嵌合せしめ、前記封着ガラスブロック７１を前記金
属ベース１のリード端子挿通穴２に嵌入させて加熱し、
前記リード端子を封着する。
た斜視図であるが、この図より明らかなように、リード
端子３に封着ガラス層を形成するガラスブロック７１お
よび積層ガラス層を形成する積層ガラスブロック７２を
順次嵌合せしめ、前記封着ガラスブロック７１を前記金
属ベース１のリード端子挿通穴２に嵌入させて加熱し、
前記リード端子を封着する。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による気密
端子によれば、前記リード端子の頭部の下部に前記頭部
を支持するための積層ガラス層を設け、前記積層ガラス
層に強度の良好な高融点ガラス層を設けたため、共振現
象が全く発生せず、リード端子のインナー側の寸法を長
くできる。このため、ボンディング性が向上するととも
に、半導体素子などとの高低差などのマッチングを容易
に行なうことができるという利点がある。
端子によれば、前記リード端子の頭部の下部に前記頭部
を支持するための積層ガラス層を設け、前記積層ガラス
層に強度の良好な高融点ガラス層を設けたため、共振現
象が全く発生せず、リード端子のインナー側の寸法を長
くできる。このため、ボンディング性が向上するととも
に、半導体素子などとの高低差などのマッチングを容易
に行なうことができるという利点がある。
【図１】本発明による気密端子の一実施例の断面図。
【図２】本発明による気密端子の前記実施例の一部拡大
断面図。
断面図。
【図３】本発明による気密端子を作成するときの説明
図。
図。
【図４】従来の気密端子の断面図。
１ ベース １１ フランジ ２ リード端子挿通穴 ３ リード端子 ４ ガラス ４１ 封着ガラス層 ４２ 積層ガラス層 ４２１ 最上層 ４２２ 中間層 ４２３ 最下層
Claims (2)
- 【請求項１】 金属ベースにリード端子挿通穴を設け、
前記リード端子挿通穴にリード端子を挿通し、ガラスに
よって封着した気密端子において、前記ガラス層は金属
ベースとリード端子を封着する封着ガラス層とこの封着
ガラス層の上層に設けられ、前記リード端子の一方の先
端部を支持するための積層ガラス層よりなり、前記積層
ガラス層の最上層と最下層はリード端子および封着ガラ
ス層と固着性の良好な封着用ガラス層であり、中間層は
強度の良好で、かつ封着用ガラスと固着性が良好な高融
点ガラス層であることを特徴とする気密端子。 - 【請求項２】 前記高融点ガラス層は封着用ガラスにＡ
ｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2の一種以上を３０〜６０重量％添加し
たものであることを特徴とする請求項１記載の気密端
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31110894A JPH08148208A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 気密端子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31110894A JPH08148208A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 気密端子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148208A true JPH08148208A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=18013245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31110894A Pending JPH08148208A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 気密端子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08148208A (ja) |
-
1994
- 1994-11-21 JP JP31110894A patent/JPH08148208A/ja active Pending
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