JPH08148517A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH08148517A JPH08148517A JP6312680A JP31268094A JPH08148517A JP H08148517 A JPH08148517 A JP H08148517A JP 6312680 A JP6312680 A JP 6312680A JP 31268094 A JP31268094 A JP 31268094A JP H08148517 A JPH08148517 A JP H08148517A
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- resin
- molding
- package body
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- molded
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】パッケージ本体の成型時に成型用樹脂の未充填
が発生しにくい半導体装置を提供する。 【構成】樹脂成型されたパッケージ本体６内に、半導体
素子１から発生する熱を逃がすための放熱板２を埋め込
んだ半導体装置であって、放熱板２にパッケージ本体６
の成型時に成型用樹脂の流通を許容する小孔２ａ（ある
いは切り欠き）を形成してある。小孔２ａは、樹脂注入
口（ゲート）７とは反対側の領域に設けられるのが好ま
しい。
が発生しにくい半導体装置を提供する。 【構成】樹脂成型されたパッケージ本体６内に、半導体
素子１から発生する熱を逃がすための放熱板２を埋め込
んだ半導体装置であって、放熱板２にパッケージ本体６
の成型時に成型用樹脂の流通を許容する小孔２ａ（ある
いは切り欠き）を形成してある。小孔２ａは、樹脂注入
口（ゲート）７とは反対側の領域に設けられるのが好ま
しい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、モータドライバ、音声
増幅用パワーＩＣ、高速動作論理素子等のように比較的
発熱量の大きな半導体素子を封止するのに適した半導体
装置に係り、特に、樹脂成型されたパッケージ本体内に
放熱板を埋め込んだ半導体装置、および、ダイパッド上
に固着された半導体素子を樹脂成型されたパッケージ本
体内に封止した半導体装置に関する。
増幅用パワーＩＣ、高速動作論理素子等のように比較的
発熱量の大きな半導体素子を封止するのに適した半導体
装置に係り、特に、樹脂成型されたパッケージ本体内に
放熱板を埋め込んだ半導体装置、および、ダイパッド上
に固着された半導体素子を樹脂成型されたパッケージ本
体内に封止した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の半導体装置の構成を図７
を参照して説明する。図７の（ａ）は要部断面図、
（ｂ）は要部平面図である。
を参照して説明する。図７の（ａ）は要部断面図、
（ｂ）は要部平面図である。
【０００３】半導体素子１は放熱用金属板２上にダイボ
ンディングされている。この放熱用金属板２は、リード
フレーム３に形成された多数のリード端子３ａの先端部
に接着剤４を介して接続されている。上記の半導体素子
１や放熱用金属板２等は樹脂成型で形成されるパッケー
ジ本体６に封止されている。なお、図７中の符号７は、
パッケージ本体６の成型時に金型のキャビティ内に樹脂
を注入するための注入口（ゲート）を示している。この
ような半導体装置によれば、実装時に半導体素子１から
発生した熱が放熱用金属板２に効率よく伝達され、さら
にこの放熱用金属板２からパッケージ本体６等を経て外
部に放出されるので、パッケージの熱抵抗を低減するこ
とができる。
ンディングされている。この放熱用金属板２は、リード
フレーム３に形成された多数のリード端子３ａの先端部
に接着剤４を介して接続されている。上記の半導体素子
１や放熱用金属板２等は樹脂成型で形成されるパッケー
ジ本体６に封止されている。なお、図７中の符号７は、
パッケージ本体６の成型時に金型のキャビティ内に樹脂
を注入するための注入口（ゲート）を示している。この
ような半導体装置によれば、実装時に半導体素子１から
発生した熱が放熱用金属板２に効率よく伝達され、さら
にこの放熱用金属板２からパッケージ本体６等を経て外
部に放出されるので、パッケージの熱抵抗を低減するこ
とができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。以下、図８を参照して説明する。
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。以下、図８を参照して説明する。
【０００５】図８は、半導体素子１が組み込まれたリー
ドフレーム３を成型用金型にセットしてパッケージ本体
６を成型する手順を示した工程図である。リードフレー
ム３は、成型用金型の下型８ａと上型８ｂとの間にセッ
トされている。そして、下型８ａに設けられたゲート７
から成型用樹脂Ｒがキャビティ９内に注入される（図８
（ａ）参照）。
ドフレーム３を成型用金型にセットしてパッケージ本体
６を成型する手順を示した工程図である。リードフレー
ム３は、成型用金型の下型８ａと上型８ｂとの間にセッ
トされている。そして、下型８ａに設けられたゲート７
から成型用樹脂Ｒがキャビティ９内に注入される（図８
（ａ）参照）。
【０００６】キャビティ９内は主として放熱用金属板２
によって上下の空間に概ね分割されている。上空間９ａ
は比較的広いが、下空間９ｂは放熱用金属板２がリード
フレーム３の下面に連結されている関係で狭くなってい
る。その結果、図８（ｂ）〜（ｄ）に示すように、上空
間９ａでは成型用樹脂Ｒが速やかに充填されていくが、
下空間９ｂでは成型用樹脂Ｒの流れ抵抗が大きくなって
充填速度が遅くなる。そのため、図８（ｅ）に示すよう
に、上空間９ａを流通した樹脂が下空間９ｂ側へ回り込
む。その結果、この回り込んだ樹脂と下空間９ｂを流通
する樹脂とで挟まれた空間内の空気の逃げ場がなくな
り、その部分に未充填９ｃが発生しやすい。因みに、キ
ャビティ内の空気を逃がすための小さな溝（エアーベン
トと呼ばれる）は、通常、キャビティ内の樹脂はゲート
側から順に充填されることを考慮して、ゲート７が設け
られた側とは反対側に設けられている。
によって上下の空間に概ね分割されている。上空間９ａ
は比較的広いが、下空間９ｂは放熱用金属板２がリード
フレーム３の下面に連結されている関係で狭くなってい
る。その結果、図８（ｂ）〜（ｄ）に示すように、上空
間９ａでは成型用樹脂Ｒが速やかに充填されていくが、
下空間９ｂでは成型用樹脂Ｒの流れ抵抗が大きくなって
充填速度が遅くなる。そのため、図８（ｅ）に示すよう
に、上空間９ａを流通した樹脂が下空間９ｂ側へ回り込
む。その結果、この回り込んだ樹脂と下空間９ｂを流通
する樹脂とで挟まれた空間内の空気の逃げ場がなくな
り、その部分に未充填９ｃが発生しやすい。因みに、キ
ャビティ内の空気を逃がすための小さな溝（エアーベン
トと呼ばれる）は、通常、キャビティ内の樹脂はゲート
側から順に充填されることを考慮して、ゲート７が設け
られた側とは反対側に設けられている。
【０００７】このようなキャビティ内の上下で樹脂の流
通速度が異なることに基づく未充填は、上述したような
放熱用金属板をパッケージ本体内に埋め込んだ半導体装
置に限らず、ダイパッド上に固着された半導体素子を樹
脂成型されたパッケージ本体で封止した、通常の半導体
装置においても発生する。特に、パッケージ本体が薄く
て面積が大きい場合に、主としてダイパッドで上下に分
割された成型金型のキャビティ内の上下で樹脂の流通速
度が著しく相違するので、未充填が発生しやすい。
通速度が異なることに基づく未充填は、上述したような
放熱用金属板をパッケージ本体内に埋め込んだ半導体装
置に限らず、ダイパッド上に固着された半導体素子を樹
脂成型されたパッケージ本体で封止した、通常の半導体
装置においても発生する。特に、パッケージ本体が薄く
て面積が大きい場合に、主としてダイパッドで上下に分
割された成型金型のキャビティ内の上下で樹脂の流通速
度が著しく相違するので、未充填が発生しやすい。
【０００８】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、パッケージ本体の成型時に、成型用樹
脂の未充填が発生しにくい半導体装置を提供することを
目的としている。
たものであって、パッケージ本体の成型時に、成型用樹
脂の未充填が発生しにくい半導体装置を提供することを
目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、樹脂成型されたパッケー
ジ本体内に、半導体素子から発生する熱を逃がすための
放熱板を埋め込んだ半導体装置において、前記放熱板に
パッケージ本体の成型時に成型用樹脂の流通を許容する
小孔および／または切り欠きを形成したことを特徴とす
る。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、樹脂成型されたパッケー
ジ本体内に、半導体素子から発生する熱を逃がすための
放熱板を埋め込んだ半導体装置において、前記放熱板に
パッケージ本体の成型時に成型用樹脂の流通を許容する
小孔および／または切り欠きを形成したことを特徴とす
る。
【００１０】また、請求項２に記載の発明は、ダイパッ
ド上に固着された半導体素子を、樹脂成型されたパッケ
ージ本体内に封止した半導体装置において、前記ダイパ
ッドにパッケージ本体の成型時に成型用樹脂の流通を許
容する小孔および／または切り欠きを形成したことを特
徴とする半導体装置。
ド上に固着された半導体素子を、樹脂成型されたパッケ
ージ本体内に封止した半導体装置において、前記ダイパ
ッドにパッケージ本体の成型時に成型用樹脂の流通を許
容する小孔および／または切り欠きを形成したことを特
徴とする半導体装置。
【００１１】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２に記載の装置において、前記小孔および／または切り
欠きが、少なくともパッケージ本体の成型時の樹脂注入
口側とは反対側の位置に形成されていることを特徴とす
る。
２に記載の装置において、前記小孔および／または切り
欠きが、少なくともパッケージ本体の成型時の樹脂注入
口側とは反対側の位置に形成されていることを特徴とす
る。
【００１２】
【作用】請求項１に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。パッケージ本体の成型時に、成型用金型のキャビテ
ィ内に注入された成型用樹脂は、主として放熱板で上下
に分割されたキャビティの上空間と下空間をそれぞれ進
む。このとき、上下空間に広狭があると、狭い方の空間
では成型用樹脂の充填速度が遅くなるが、放熱板に形成
された小孔および／または切り欠きを介して、広い方の
空間を流通する成型用樹脂が狭い方の空間へ流れ込むの
で、キャビティの上下空間がほぼ均等に充填される。
る。パッケージ本体の成型時に、成型用金型のキャビテ
ィ内に注入された成型用樹脂は、主として放熱板で上下
に分割されたキャビティの上空間と下空間をそれぞれ進
む。このとき、上下空間に広狭があると、狭い方の空間
では成型用樹脂の充填速度が遅くなるが、放熱板に形成
された小孔および／または切り欠きを介して、広い方の
空間を流通する成型用樹脂が狭い方の空間へ流れ込むの
で、キャビティの上下空間がほぼ均等に充填される。
【００１３】請求項２に記載の発明によれば、ダイパッ
ドに形成された小孔および／または切り欠きを介して、
キャビティの広い方の空間を流通する成型用樹脂が狭い
方の空間へ流れ込むので、キャビティの上下空間がほぼ
均等に充填される。
ドに形成された小孔および／または切り欠きを介して、
キャビティの広い方の空間を流通する成型用樹脂が狭い
方の空間へ流れ込むので、キャビティの上下空間がほぼ
均等に充填される。
【００１４】請求項３に記載の発明によれば、パッケー
ジ本体の成型時の樹脂注入口側とは反対側にあたる放熱
板あるいはダイパッドの部分、すなわち、成型用樹脂の
熱硬化が進んで樹脂の流動性が悪くなる部分に、小孔お
よび／または切り欠きを形成しているので、この小孔お
よび／または切り欠きを介して上下空間の樹脂が流通す
ることにより、その部分での未充填の発生が抑えられ
る。
ジ本体の成型時の樹脂注入口側とは反対側にあたる放熱
板あるいはダイパッドの部分、すなわち、成型用樹脂の
熱硬化が進んで樹脂の流動性が悪くなる部分に、小孔お
よび／または切り欠きを形成しているので、この小孔お
よび／または切り欠きを介して上下空間の樹脂が流通す
ることにより、その部分での未充填の発生が抑えられ
る。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。図１は本発明の一実施例に係る半導体装置の要
部断面図、図２はその要部平面図である。
明する。図１は本発明の一実施例に係る半導体装置の要
部断面図、図２はその要部平面図である。
【００１６】本実施例において、半導体素子１はリード
フレーム３に形成されたダイパッド３ｂ上にダイボンデ
ィングされている。このダイパッド３ｂの下面に放熱用
金属板２が接着剤等で直接的に結合されている。この例
において、放熱用金属板２はほぼ矩形状であり、銅ある
いはアルミニウム等の熱伝導性に優れた材料で形成され
ている。なお、本発明の放熱板は必ずしも金属に限ら
ず、熱伝導性に優れた材料であればよい。半導体素子１
が金属細線５を介してリードフレーム３の各リード端子
３ａに接続されている点は上述した従来装置と同様であ
る。
フレーム３に形成されたダイパッド３ｂ上にダイボンデ
ィングされている。このダイパッド３ｂの下面に放熱用
金属板２が接着剤等で直接的に結合されている。この例
において、放熱用金属板２はほぼ矩形状であり、銅ある
いはアルミニウム等の熱伝導性に優れた材料で形成され
ている。なお、本発明の放熱板は必ずしも金属に限ら
ず、熱伝導性に優れた材料であればよい。半導体素子１
が金属細線５を介してリードフレーム３の各リード端子
３ａに接続されている点は上述した従来装置と同様であ
る。
【００１７】本実施例の特徴は、放熱用金属板２にパッ
ケージ本体６の成型時に成型用樹脂の流通を許容する小
孔２ａを形成した点にある。本実施例では、放熱用金属
板２の熱伝導性をあまり下げずに、また成型用樹脂の流
通性を確保するために、小孔２ａの直径を０．４〜０．
６ｍｍに設定している。小孔２ａは、パッケージ本体６
の成型時の樹脂注入口であるゲート７が設けられる側と
は反対側に設けられるのが好ましい。パッケージ本体６
におけるゲート７の反対側の部分は、キャビティ内の上
空間を流通した樹脂が下空間へ回り込んで、下空間を流
通する樹脂との間で形成される空間内の空気の逃げ場が
なくなって未充填が発生しやすい部分であるから、この
部分において成型用樹脂が上下に流通する経路（小孔２
ａ）を確保することが効果的だからである。因みに、ゲ
ート７に近い側に小孔を形成すれば、この小孔を介して
キャビティ内の上空間の樹脂が下空間へ流通するが、ゲ
ート７と離れた下空間部分で再び樹脂の流れが悪くなる
ので、未充填防止の効果は十分とは言いがたい。
ケージ本体６の成型時に成型用樹脂の流通を許容する小
孔２ａを形成した点にある。本実施例では、放熱用金属
板２の熱伝導性をあまり下げずに、また成型用樹脂の流
通性を確保するために、小孔２ａの直径を０．４〜０．
６ｍｍに設定している。小孔２ａは、パッケージ本体６
の成型時の樹脂注入口であるゲート７が設けられる側と
は反対側に設けられるのが好ましい。パッケージ本体６
におけるゲート７の反対側の部分は、キャビティ内の上
空間を流通した樹脂が下空間へ回り込んで、下空間を流
通する樹脂との間で形成される空間内の空気の逃げ場が
なくなって未充填が発生しやすい部分であるから、この
部分において成型用樹脂が上下に流通する経路（小孔２
ａ）を確保することが効果的だからである。因みに、ゲ
ート７に近い側に小孔を形成すれば、この小孔を介して
キャビティ内の上空間の樹脂が下空間へ流通するが、ゲ
ート７と離れた下空間部分で再び樹脂の流れが悪くなる
ので、未充填防止の効果は十分とは言いがたい。
【００１８】以下、図２を参照して上述した実施例装置
の作用を説明する。図２は、半導体素子１が組み込まれ
たリードフレーム３を成型用金型にセットしてパッケー
ジ本体６を成型する手順を示した工程図である。
の作用を説明する。図２は、半導体素子１が組み込まれ
たリードフレーム３を成型用金型にセットしてパッケー
ジ本体６を成型する手順を示した工程図である。
【００１９】図６に示した従来例と同様に、成型用金型
の下型８ａと上型８ｂとの間にリードフレーム３がセッ
トされて、下型８ａに設けられたゲート７から成型用樹
脂Ｒがキャビティ９内に注入される（図２（ａ）参
照）。
の下型８ａと上型８ｂとの間にリードフレーム３がセッ
トされて、下型８ａに設けられたゲート７から成型用樹
脂Ｒがキャビティ９内に注入される（図２（ａ）参
照）。
【００２０】キャビティ９内に注入された成型用樹脂Ｒ
は、主として放熱用金属板２によって上下に分割された
上空間９ａと下空間９ｂとを進む。図２（ｂ）に示すよ
うに、比較的広い上空間９ａでは成型用樹脂Ｒは速やか
に流動するが、狭い方の下空間９ｂでは成型用樹脂Ｒの
流れ抵抗が大きいので流動速度は遅くなる。結果、上空
間９ａを進む成型用樹脂Ｒが、下空間９ｂを進む成型用
樹脂Ｒよりも若干早く小孔２ａに到達し、この小孔２ａ
を介して成型用樹脂Ｒが上空間９ａから下空間９ｂへ流
れ込む（図２（ｃ）参照）。これにより、小孔２ａを介
して下空間９ｂへ流れ込んだ樹脂が、下空間９ｂを流れ
る成型用樹脂と合流し、上空間９ａと下空間９ｂとがほ
ぼ均等に充填される結果（図２（ｄ）参照）、キャビテ
ィ９内は成型用樹脂Ｒで完全に充填される（図２（ｅ）
参照）。なお、キャビティ９内を流れる樹脂で押しやら
れたキャビティ内の空気は、ゲート７とは反対側の上下
金型８ａ，８ｂのパーティング面に形成されたゲート
（図示せず）を介して外部へ放出される。
は、主として放熱用金属板２によって上下に分割された
上空間９ａと下空間９ｂとを進む。図２（ｂ）に示すよ
うに、比較的広い上空間９ａでは成型用樹脂Ｒは速やか
に流動するが、狭い方の下空間９ｂでは成型用樹脂Ｒの
流れ抵抗が大きいので流動速度は遅くなる。結果、上空
間９ａを進む成型用樹脂Ｒが、下空間９ｂを進む成型用
樹脂Ｒよりも若干早く小孔２ａに到達し、この小孔２ａ
を介して成型用樹脂Ｒが上空間９ａから下空間９ｂへ流
れ込む（図２（ｃ）参照）。これにより、小孔２ａを介
して下空間９ｂへ流れ込んだ樹脂が、下空間９ｂを流れ
る成型用樹脂と合流し、上空間９ａと下空間９ｂとがほ
ぼ均等に充填される結果（図２（ｄ）参照）、キャビテ
ィ９内は成型用樹脂Ｒで完全に充填される（図２（ｅ）
参照）。なお、キャビティ９内を流れる樹脂で押しやら
れたキャビティ内の空気は、ゲート７とは反対側の上下
金型８ａ，８ｂのパーティング面に形成されたゲート
（図示せず）を介して外部へ放出される。
【００２１】なお、上述した実施例では、放熱用金属板
２に一つの小孔２ａを形成したが、本発明はこれに限定
されず、図３に示すように、放熱用金属板２に複数個の
小孔２ａを形成してもよい。いずれにしても、小孔２ａ
はゲート７とは反対側の領域に形成されるのが好ましい
が、各小孔２ａのサイズや位置は、パッケージ本体６の
形態に応じて適宜に決定される。
２に一つの小孔２ａを形成したが、本発明はこれに限定
されず、図３に示すように、放熱用金属板２に複数個の
小孔２ａを形成してもよい。いずれにしても、小孔２ａ
はゲート７とは反対側の領域に形成されるのが好ましい
が、各小孔２ａのサイズや位置は、パッケージ本体６の
形態に応じて適宜に決定される。
【００２２】また、主として放熱用金属板２で上下に分
割されたキャビティ内の成型用樹脂の流通性を確保する
ための手段としては小孔２ａに限らず、図４に示すよう
に放熱用金属板２に形成された切り欠き２ｂであっても
よい。この切り欠き２ｂもゲート７とは反対側の領域に
形成されるのが好ましい。
割されたキャビティ内の成型用樹脂の流通性を確保する
ための手段としては小孔２ａに限らず、図４に示すよう
に放熱用金属板２に形成された切り欠き２ｂであっても
よい。この切り欠き２ｂもゲート７とは反対側の領域に
形成されるのが好ましい。
【００２３】さらに、実施例ではリードフレームのダイ
パッドに放熱板を直接的に接合した半導体装置を例にと
って説明したが、本発明はこれに限定されず、図７にお
いて説明したような、放熱板を接着剤を介してリードフ
レームに接合する装置にも適用することができる。ま
た、放熱板をダイパッドとは分離して、パッケージ本体
内に埋め込むタイプの半導体装置にも適用することがで
きる。
パッドに放熱板を直接的に接合した半導体装置を例にと
って説明したが、本発明はこれに限定されず、図７にお
いて説明したような、放熱板を接着剤を介してリードフ
レームに接合する装置にも適用することができる。ま
た、放熱板をダイパッドとは分離して、パッケージ本体
内に埋め込むタイプの半導体装置にも適用することがで
きる。
【００２４】また、実施例ではパッケージ本体の４つの
側面からリード端子が導出された、いわゆるＱＦＰ（Qu
ad Flat Package ）を例にとって説明したが、本発明
は、パッケージの２側面からリード端子が導出されたフ
ラットパッケージや、ＤＩＰ（Dual In-Line Packag
e）、ＳＩＰ（Single In-Line Package）にも適用する
ことができる。
側面からリード端子が導出された、いわゆるＱＦＰ（Qu
ad Flat Package ）を例にとって説明したが、本発明
は、パッケージの２側面からリード端子が導出されたフ
ラットパッケージや、ＤＩＰ（Dual In-Line Packag
e）、ＳＩＰ（Single In-Line Package）にも適用する
ことができる。
【００２５】さらに、上述の実施例ではパッケージ本体
に放熱用金属板が埋め込まれた半導体装置を例にとって
説明したが、本発明はこれに限らず、ダイパッド上に固
着された半導体素子を樹脂成型されたパッケージ本体で
封止した通常の半導体装置にも適用することができる。
以下、図５を参照する。図５は、ＱＦＰに適用した例を
示している。半導体素子１１はダイパッド１２上に固着
されており、ダイパッド１２の周囲に配置された多数の
リード端子１３との間を金属細線１４で接続さている。
ダイパッド１２には、パッケージ本体成型時の樹脂注入
口（ゲート）側と反対側に、成型時に樹脂の流通を許容
する小孔１２ａが形成されている。この例によれば、薄
型で比較的面積の大きなパッケージ本体の成型時に、キ
ャビティ内の上空間を流通する成型用樹脂が小孔１２ａ
を介してキャビティ内の下空間へ流入することにより、
未充填の発生が防止される。
に放熱用金属板が埋め込まれた半導体装置を例にとって
説明したが、本発明はこれに限らず、ダイパッド上に固
着された半導体素子を樹脂成型されたパッケージ本体で
封止した通常の半導体装置にも適用することができる。
以下、図５を参照する。図５は、ＱＦＰに適用した例を
示している。半導体素子１１はダイパッド１２上に固着
されており、ダイパッド１２の周囲に配置された多数の
リード端子１３との間を金属細線１４で接続さている。
ダイパッド１２には、パッケージ本体成型時の樹脂注入
口（ゲート）側と反対側に、成型時に樹脂の流通を許容
する小孔１２ａが形成されている。この例によれば、薄
型で比較的面積の大きなパッケージ本体の成型時に、キ
ャビティ内の上空間を流通する成型用樹脂が小孔１２ａ
を介してキャビティ内の下空間へ流入することにより、
未充填の発生が防止される。
【００２６】図６は、さらに別の実施例を示している。
この半導体装置では、半導体素子１１が固着されるダイ
パッド１２の、樹脂注入口（ゲート）側と反対側の側辺
部分に切り欠き１２ｂが形成されている。この半導体装
置によれば、パッケージ本体の成型時に、キャビティ内
の上空間を流通する成型用樹脂がこの切り欠き１２ｂを
介してキャビティ内の下空間へ流入することにより、未
充填が防止される。
この半導体装置では、半導体素子１１が固着されるダイ
パッド１２の、樹脂注入口（ゲート）側と反対側の側辺
部分に切り欠き１２ｂが形成されている。この半導体装
置によれば、パッケージ本体の成型時に、キャビティ内
の上空間を流通する成型用樹脂がこの切り欠き１２ｂを
介してキャビティ内の下空間へ流入することにより、未
充填が防止される。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば次のような効果を奏する。請求項１に記載の発
明によれば、パッケージ本体に埋め込まれる放熱板に小
孔および／または切り欠きを形成したので、パッケージ
本体の成型時に、放熱板の上下空間を流れる成型用樹脂
が、前記小孔および／または切り欠きを介して流通して
成型用金型のキャビティ全体が均一に充填され、その結
果、未充填を防止することができる。
によれば次のような効果を奏する。請求項１に記載の発
明によれば、パッケージ本体に埋め込まれる放熱板に小
孔および／または切り欠きを形成したので、パッケージ
本体の成型時に、放熱板の上下空間を流れる成型用樹脂
が、前記小孔および／または切り欠きを介して流通して
成型用金型のキャビティ全体が均一に充填され、その結
果、未充填を防止することができる。
【００２８】請求項２に記載の発明によれば、半導体素
子が固着されるダイパッドに小孔および／または切り欠
きを形成したので、パッケージ本体の成型時に、ダイパ
ッドの上下空間を流れる成型用樹脂が、前記小孔および
／または切り欠きを介して流通して成型用金型のキャビ
ティ全体が均一に充填され、その結果、未充填を防止す
ることができる。
子が固着されるダイパッドに小孔および／または切り欠
きを形成したので、パッケージ本体の成型時に、ダイパ
ッドの上下空間を流れる成型用樹脂が、前記小孔および
／または切り欠きを介して流通して成型用金型のキャビ
ティ全体が均一に充填され、その結果、未充填を防止す
ることができる。
【００２９】請求項３に記載の発明によれば、成型用樹
脂の流動性が落ちて未充填が発生しやすい、樹脂注入口
と反対側の放熱板またはダイパッドの部分に、前記小孔
および／または切り欠きを形成したので、成型用樹脂の
未充填を効果的に防止することができる。
脂の流動性が落ちて未充填が発生しやすい、樹脂注入口
と反対側の放熱板またはダイパッドの部分に、前記小孔
および／または切り欠きを形成したので、成型用樹脂の
未充填を効果的に防止することができる。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例に係る半導体装置の
要部断面図、（ｂ）は要部平面図である。
要部断面図、（ｂ）は要部平面図である。
【図２】実施例装置のパッケージ本体の成型工程を示す
図である。
図である。
【図３】本発明の別実施例の要部平面図である。
【図４】本発明のさらに別の実施例の要部平面図であ
る。
る。
【図５】本発明のさらに別の実施例の要部平面図であ
る。
る。
【図６】本発明のさらに別の実施例の要部平面図であ
る。
る。
【図７】（ａ）は従来例に係る半導体装置の要部断面
図、（ｂ）は要部平面図である。
図、（ｂ）は要部平面図である。
【図８】従来例のパッケージ本体の成型工程を示す図で
ある。
ある。
１…半導体素子 ２…放熱用金属板 ２ａ…小孔 ２ｂ…切り欠き ３…リードフレーム ６…パッケージ本体 ７…ゲート（樹脂注入口） １２…ダイパッド １２ａ…小孔 １２ｂ…切り欠き
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (3)
- 【請求項１】 樹脂成型されたパッケージ本体内に、半
導体素子から発生する熱を逃がすための放熱板を埋め込
んだ半導体装置において、前記放熱板にパッケージ本体
の成型時に成型用樹脂の流通を許容する小孔および／ま
たは切り欠きを形成したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 ダイパッド上に固着された半導体素子
を、樹脂成型されたパッケージ本体内に封止した半導体
装置において、前記ダイパッドにパッケージ本体の成型
時に成型用樹脂の流通を許容する小孔および／または切
り欠きを形成したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の装置におい
て、前記小孔および／または切り欠きは、少なくともパ
ッケージ本体の成型時の樹脂注入口側とは反対側の位置
に形成されている半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6312680A JP2726011B2 (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6312680A JP2726011B2 (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148517A true JPH08148517A (ja) | 1996-06-07 |
| JP2726011B2 JP2726011B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=18032137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6312680A Expired - Lifetime JP2726011B2 (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2726011B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100228776B1 (ko) * | 1997-03-12 | 1999-11-01 | 윤종용 | 반도체 칩 패키지 몰딩 장치 |
| JP2002289758A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04306865A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-10-29 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-11-21 JP JP6312680A patent/JP2726011B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04306865A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-10-29 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100228776B1 (ko) * | 1997-03-12 | 1999-11-01 | 윤종용 | 반도체 칩 패키지 몰딩 장치 |
| JP2002289758A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2726011B2 (ja) | 1998-03-11 |
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