JPH0815212B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0815212B2 JPH0815212B2 JP60191717A JP19171785A JPH0815212B2 JP H0815212 B2 JPH0815212 B2 JP H0815212B2 JP 60191717 A JP60191717 A JP 60191717A JP 19171785 A JP19171785 A JP 19171785A JP H0815212 B2 JPH0815212 B2 JP H0815212B2
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- JP
- Japan
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- layer
- gaas
- alas
- superlattice
- phonon
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Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/17—Semiconductor regions connected to electrodes not carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. channel regions
- H10D62/351—Substrate regions of field-effect devices
- H10D62/357—Substrate regions of field-effect devices of FETs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/40—FETs having zero-dimensional [0D], one-dimensional [1D] or two-dimensional [2D] charge carrier gas channels
- H10D30/47—FETs having zero-dimensional [0D], one-dimensional [1D] or two-dimensional [2D] charge carrier gas channels having two-dimensional [2D] charge carrier gas channels, e.g. nanoribbon FETs or high electron mobility transistors [HEMT]
- H10D30/471—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT]
- H10D30/473—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT] having confinement of carriers by multiple heterojunctions, e.g. quantum well HEMT
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置、特にGaAs基板上に化合物半導体
層をエピタキシャル成長して動作領域を形成する種々の
化合物半導体装置例えば２次元電子ガスチャンネルによ
るFET、いわゆるHEMT等の化合物半導体装置に係わる。
層をエピタキシャル成長して動作領域を形成する種々の
化合物半導体装置例えば２次元電子ガスチャンネルによ
るFET、いわゆるHEMT等の化合物半導体装置に係わる。
〔発明の概要〕 本発明はGaAs基板上に（AlAs）ｍ（GaAs）ｎの超格子
構造のバッファを形成し、これの上に化合物半導体例え
ばAlGaAs系化合物半導体をエピタキシャル成長させるこ
とによって高品位の化合物半導体層を形成する。
構造のバッファを形成し、これの上に化合物半導体例え
ばAlGaAs系化合物半導体をエピタキシャル成長させるこ
とによって高品位の化合物半導体層を形成する。
HEMT等の化合物半導体装置においては、例えばCrがド
ープされた半絶縁性GaAs基板上にAlGaAs系の各半導体
層、例えばアンドープのGaAs半導体層、ｎ型のAlGaAs半
導体層、さらにその上にGaAs半導体層が順次例えばMOCV
D（Metalorganic Chemical Vapor Deposition）法或い
はMBE（Molecular Beam Epitaxy）法等によって、順次
エピタキシャル成長してその動作領域、即ちHEMTにおい
ては、２次元電子ガスチャンネルを形成する領域を含む
各領域の形成を行う。この場合、高品質のエピタキシャ
ル層を得るためには、その動作領域を形成する部分例え
ば前述したHEMTにおけるアンドープのGaAs層は数十μｍ
程度の厚さまで成長させる必要があった。これはGaAs基
板からのCr等の不純物の拡散や結晶欠陥の伝播がGaAs基
板の界面側から生ずることがないようにバッファ層とし
ての機能をもたらしめるために厚い成長膜を形成すると
か或いは実質的にバッファ層の介在を行わしめるもので
ある。
ープされた半絶縁性GaAs基板上にAlGaAs系の各半導体
層、例えばアンドープのGaAs半導体層、ｎ型のAlGaAs半
導体層、さらにその上にGaAs半導体層が順次例えばMOCV
D（Metalorganic Chemical Vapor Deposition）法或い
はMBE（Molecular Beam Epitaxy）法等によって、順次
エピタキシャル成長してその動作領域、即ちHEMTにおい
ては、２次元電子ガスチャンネルを形成する領域を含む
各領域の形成を行う。この場合、高品質のエピタキシャ
ル層を得るためには、その動作領域を形成する部分例え
ば前述したHEMTにおけるアンドープのGaAs層は数十μｍ
程度の厚さまで成長させる必要があった。これはGaAs基
板からのCr等の不純物の拡散や結晶欠陥の伝播がGaAs基
板の界面側から生ずることがないようにバッファ層とし
ての機能をもたらしめるために厚い成長膜を形成すると
か或いは実質的にバッファ層の介在を行わしめるもので
ある。
近年このエピタキシャル成長層を薄くしても高品質な
エピタキシャル層を得る対策して超格子の構造のバッフ
ァ層を介してエピタキシャル成長をさせる試みがなされ
ている。例えば超格子構造のバッファ層上に連続して成
長させた量子井戸層の光学的特性が改善されるという報
告がある（藤井他；昭和59年春応用物理学会予稿集29P
N−1,アーノルド（D.Arnold）他；アイ・イー・イー・
イー・エレクトロンデバイスレターズ（IEEE Electron
Device Letters）Vol.EDL−5,No.3,82（1984）参照）。
しかしながらこれらの報告においても、その超格子バッ
ファ層の、バッファ層として作用する機構や最適構造に
関する究明、知見等の報告は未だなされていない。
エピタキシャル層を得る対策して超格子の構造のバッフ
ァ層を介してエピタキシャル成長をさせる試みがなされ
ている。例えば超格子構造のバッファ層上に連続して成
長させた量子井戸層の光学的特性が改善されるという報
告がある（藤井他；昭和59年春応用物理学会予稿集29P
N−1,アーノルド（D.Arnold）他；アイ・イー・イー・
イー・エレクトロンデバイスレターズ（IEEE Electron
Device Letters）Vol.EDL−5,No.3,82（1984）参照）。
しかしながらこれらの報告においても、その超格子バッ
ファ層の、バッファ層として作用する機構や最適構造に
関する究明、知見等の報告は未だなされていない。
本発明においては、特にGaAs基板上に化合物半導体層
のエピタキシャル成長を形成する場合における化合物半
導体の超格子バッファ層としての機能の究明に基づいて
その有効な構造を提供するものであり、これに基づいて
各種半導体装置、例えばHEMT等の化合物半導体において
その高純度、高品質のエピタキシャル層の形成を可能に
し各種半導体装置例えばHEMTにおける特性改善を図るも
のである。
のエピタキシャル成長を形成する場合における化合物半
導体の超格子バッファ層としての機能の究明に基づいて
その有効な構造を提供するものであり、これに基づいて
各種半導体装置、例えばHEMT等の化合物半導体において
その高純度、高品質のエピタキシャル層の形成を可能に
し各種半導体装置例えばHEMTにおける特性改善を図るも
のである。
本発明においては第１図に示すように例えばCrがドー
プされた半絶縁性のGaAs基板（１）上に特定された構造
による超格子バッファ層（２）を介して目的とする動作
領域を形成する半導体層例えばAlGaAs系或いはAlGaInP
系等の半導体層（５）を連続的にMOCVD或いはMBE法等に
よる一連のエピタキシャル工程で形成する。
プされた半絶縁性のGaAs基板（１）上に特定された構造
による超格子バッファ層（２）を介して目的とする動作
領域を形成する半導体層例えばAlGaAs系或いはAlGaInP
系等の半導体層（５）を連続的にMOCVD或いはMBE法等に
よる一連のエピタキシャル工程で形成する。
超格子バッファ層（２）は（AlAs）ｍ（GaAs）ｎで、
６≦ｍ≦12,6≦ｎ≦12とする１周期以上の超格子構造と
する。すなわち、不純物は選択的にAlAs層にゲッタさ
れ、そのゲッタリングのためには、AlAs層厚が６原子層
以上（ｍ≧６）必要である事がわかった。この様にする
と、はさまれたGaAsの純度は向上し、従って超格子上の
GaAsの純度も向上する事になる。AlAsのｍ原子層（３）
とGaAsのｎ原子層（４）の繰り返し積層した構成とす
る。AlAs層とGaAsとはｎ＝ｍに選定し得る。
６≦ｍ≦12,6≦ｎ≦12とする１周期以上の超格子構造と
する。すなわち、不純物は選択的にAlAs層にゲッタさ
れ、そのゲッタリングのためには、AlAs層厚が６原子層
以上（ｍ≧６）必要である事がわかった。この様にする
と、はさまれたGaAsの純度は向上し、従って超格子上の
GaAsの純度も向上する事になる。AlAsのｍ原子層（３）
とGaAsのｎ原子層（４）の繰り返し積層した構成とす
る。AlAs層とGaAsとはｎ＝ｍに選定し得る。
上述したように半絶縁性のGaAs基板上に（AlAs）ｍ及
び（GaAs）ｎの各原子層の１周期以上の積層による超格
子バッファ層（２）を形成し、これの上に半導体層
（５）をエピタキシャル成長させる場合、この半導体層
（５）としては、高品質で高純度の即ち基板からの例え
ばCr不純物の拡散による侵入が抑えられる。従って電子
移動度の高い半導体層を構成することができる。
び（GaAs）ｎの各原子層の１周期以上の積層による超格
子バッファ層（２）を形成し、これの上に半導体層
（５）をエピタキシャル成長させる場合、この半導体層
（５）としては、高品質で高純度の即ち基板からの例え
ばCr不純物の拡散による侵入が抑えられる。従って電子
移動度の高い半導体層を構成することができる。
これは（AlAs）ｍ（GaAs）ｎの超格子バッファ層
（２）によってGaAs基板からのエピタキシャル成長に際
して混入する不純物例えばCrがAlAs層によってゲットリ
ングされることによる。このAlAsのゲッタリングは、第
３図に示すような混晶と超格子のラマン散乱の結果から
示唆される。即ち、AlGaAs3元混晶でも、（AlAs）ｍ（G
aAs）ｎ超格子でもGaAs的LOフォノンとAlAs的LOフォノ
ンの２つのピークがラマン散乱で見えるが、その後者の
前者に対する強度比IAl/IGaは混晶の場合には、存在比
できまっていることがわかる。すなわち同図において△
印と○印とは夫々AlxGa1-xAs混晶と、（AlAs）ｍ（GaA
s）ｎ超格子との、夫々のx/（１−ｘ）（但しｘはAlの
分率、（ｘ−１）はGaの分率）を変化させたときのIAl/
IGaを示したものであるが、混晶の場合は、x/（１−
ｘ）の直線に良くのっているに比し超格子にするとこの
比がx/（１−ｘ）よりずっと小さくなっている。一般に
フォノンピーク強度は結晶の質に比例するのでこのこと
は、AlAs層の質が落ち、反面GaAs層の質は向上したこと
を示すものとみられる。つまり、AlAsによるゲッタリン
グがおこっていると思われる。
（２）によってGaAs基板からのエピタキシャル成長に際
して混入する不純物例えばCrがAlAs層によってゲットリ
ングされることによる。このAlAsのゲッタリングは、第
３図に示すような混晶と超格子のラマン散乱の結果から
示唆される。即ち、AlGaAs3元混晶でも、（AlAs）ｍ（G
aAs）ｎ超格子でもGaAs的LOフォノンとAlAs的LOフォノ
ンの２つのピークがラマン散乱で見えるが、その後者の
前者に対する強度比IAl/IGaは混晶の場合には、存在比
できまっていることがわかる。すなわち同図において△
印と○印とは夫々AlxGa1-xAs混晶と、（AlAs）ｍ（GaA
s）ｎ超格子との、夫々のx/（１−ｘ）（但しｘはAlの
分率、（ｘ−１）はGaの分率）を変化させたときのIAl/
IGaを示したものであるが、混晶の場合は、x/（１−
ｘ）の直線に良くのっているに比し超格子にするとこの
比がx/（１−ｘ）よりずっと小さくなっている。一般に
フォノンピーク強度は結晶の質に比例するのでこのこと
は、AlAs層の質が落ち、反面GaAs層の質は向上したこと
を示すものとみられる。つまり、AlAsによるゲッタリン
グがおこっていると思われる。
第４図，第５図，第６図及び第７図は夫々（AlAs）ｍ
（GaAs）ｎ超格子構造のｍ＝ｎとし、夫々ｎ＝6,8,12,2
としたときのラマンスペクトルを示し、第８図はAl0.5G
a0.5Asの混晶の同様のラマンスペクトルを示す。また第
９図中曲線（31）及び（32）は夫々（AlAs）ｍ（GaAs）
ｎ超格子構造のｍ＝ｎとしたときのラマンスペクトルに
おけるAlAs的LOフォノン及びGaAs的LOフォノンの各ピー
ク強度のｎの値に対する依存性を示したものであり、同
図中×印及び○印は夫々そのAlAs的フォノン及びGaAs的
フォノンの各ｎの値を変化させたときの各ピーク強度の
測定値をプロットしたものである。これによれば、AlAs
的LOフォノンのピーク強度は、ｎ＝６以上でほぼ一定と
なりまたGaAs的LOフォノンの強度は、ｎの増加と共に増
大し、ｍ＝ｎ＝６〜12でAlAs的LOフォノンピーク強度が
GaAs的LOフォノンピーク強度に比し充分小さくなること
が分かる。すなわち、フォノンのピーク強度はLOフォノ
ンの寿命に比例するものであるので、ｎの増加と共にフ
ォノンの寿命が増加していること、つまりGaAsの純度が
向上していることが分かる。また第10図は同様のｎ値に
対するLOフォノンピークの半値幅の依存性を示すもの
で、第10図において○印はGaAs的LOフォノンの半値幅、
△印はAlAs的LOフォノンのそれを示す。これによれば両
者共ｎの増大と共に半値幅が減少しｎ＝６以上でほぼ一
定になることが分かる。即ちフォノンのピークの反値幅
はLOフォノンの寿命の逆数に比例するのでｎ（＝ｍ）が
増大するにつれてLOフォノンのダンピングが小さくなり
エピタキシャル層の結晶性が良くなっていることが分か
る。つまり（AlAs）ｍ（GaAs）ｎ超格子構造では、エピ
タキシャル成長の際に混入する不純物がAlAs層によって
ゲッタリングされ、ｎ＝ｍ＝６〜12GaAs層及びAlAs層の
純度が向上しており、このような構造がバッファ層とし
て有効であることを示している。
（GaAs）ｎ超格子構造のｍ＝ｎとし、夫々ｎ＝6,8,12,2
としたときのラマンスペクトルを示し、第８図はAl0.5G
a0.5Asの混晶の同様のラマンスペクトルを示す。また第
９図中曲線（31）及び（32）は夫々（AlAs）ｍ（GaAs）
ｎ超格子構造のｍ＝ｎとしたときのラマンスペクトルに
おけるAlAs的LOフォノン及びGaAs的LOフォノンの各ピー
ク強度のｎの値に対する依存性を示したものであり、同
図中×印及び○印は夫々そのAlAs的フォノン及びGaAs的
フォノンの各ｎの値を変化させたときの各ピーク強度の
測定値をプロットしたものである。これによれば、AlAs
的LOフォノンのピーク強度は、ｎ＝６以上でほぼ一定と
なりまたGaAs的LOフォノンの強度は、ｎの増加と共に増
大し、ｍ＝ｎ＝６〜12でAlAs的LOフォノンピーク強度が
GaAs的LOフォノンピーク強度に比し充分小さくなること
が分かる。すなわち、フォノンのピーク強度はLOフォノ
ンの寿命に比例するものであるので、ｎの増加と共にフ
ォノンの寿命が増加していること、つまりGaAsの純度が
向上していることが分かる。また第10図は同様のｎ値に
対するLOフォノンピークの半値幅の依存性を示すもの
で、第10図において○印はGaAs的LOフォノンの半値幅、
△印はAlAs的LOフォノンのそれを示す。これによれば両
者共ｎの増大と共に半値幅が減少しｎ＝６以上でほぼ一
定になることが分かる。即ちフォノンのピークの反値幅
はLOフォノンの寿命の逆数に比例するのでｎ（＝ｍ）が
増大するにつれてLOフォノンのダンピングが小さくなり
エピタキシャル層の結晶性が良くなっていることが分か
る。つまり（AlAs）ｍ（GaAs）ｎ超格子構造では、エピ
タキシャル成長の際に混入する不純物がAlAs層によって
ゲッタリングされ、ｎ＝ｍ＝６〜12GaAs層及びAlAs層の
純度が向上しており、このような構造がバッファ層とし
て有効であることを示している。
第２図はHEMTに本発明を適用した場合の一例で、この
例ではCrがドープされた半絶縁性のGaAs基板（１）上に
（AlAs）６（GaAs）６の２〜３周期の超格子バッファ層
（２）を形成し、これの上に不純物がドープされない厚
さ２μｍのGaAs層より成る第１の半導体層（13）、さら
にこれの上にノーンドープのAlGaAs層より成る第２の半
導体層（14）、さらにこれの上に例えばｎ型のAl0.3Ga
0.7As層より成る第３の半導体層（15）を形成した。こ
れら層（２），（13）〜（15）は、連続的にMOCVD法或
いはMBE法によって供給する原料ガスを切換ることによ
って一連のエピタキシャル工程で形成できる。そして、
層（15）に対してショットキゲート電極（16）を被着
し、これの両側にソース及びドレインの各電極（17）及
び（18）を夫々オーミックに被着した。この場合、GaAs
の第１の半導体層（13）のAlGaAsの第２の半導体層（1
4）との界面に２次元電子ガスチャンネルが形成される
ものであるが、これら層（13）及び（14）の界面部分は
すぐれた純度及び結晶性を有するので、より高い電子移
動度が得られ、高速性にすぐれたHEMTが構成できる。
例ではCrがドープされた半絶縁性のGaAs基板（１）上に
（AlAs）６（GaAs）６の２〜３周期の超格子バッファ層
（２）を形成し、これの上に不純物がドープされない厚
さ２μｍのGaAs層より成る第１の半導体層（13）、さら
にこれの上にノーンドープのAlGaAs層より成る第２の半
導体層（14）、さらにこれの上に例えばｎ型のAl0.3Ga
0.7As層より成る第３の半導体層（15）を形成した。こ
れら層（２），（13）〜（15）は、連続的にMOCVD法或
いはMBE法によって供給する原料ガスを切換ることによ
って一連のエピタキシャル工程で形成できる。そして、
層（15）に対してショットキゲート電極（16）を被着
し、これの両側にソース及びドレインの各電極（17）及
び（18）を夫々オーミックに被着した。この場合、GaAs
の第１の半導体層（13）のAlGaAsの第２の半導体層（1
4）との界面に２次元電子ガスチャンネルが形成される
ものであるが、これら層（13）及び（14）の界面部分は
すぐれた純度及び結晶性を有するので、より高い電子移
動度が得られ、高速性にすぐれたHEMTが構成できる。
また本発明は、上述した例に限らず、種々の化合物半
導体装置においてGaAs基板上にその動作層ないしは活性
層をエピタキシャル成長させる場合に基板上にバッファ
層（２）を形成し、これの上に目的とする動作層ないし
は活性層を形成することができる。
導体装置においてGaAs基板上にその動作層ないしは活性
層をエピタキシャル成長させる場合に基板上にバッファ
層（２）を形成し、これの上に目的とする動作層ないし
は活性層を形成することができる。
上述したように本発明においては（AlAs）ｍ（GaAs）
ｎのｍ＝ｎ＝６〜12で２〜３周期の超格子構造の極めて
薄いバッファ層（２）を設けるのみで基板（１）側から
のCr等の不純物をゲッタリングする効果を得ることがで
き、これの上に形成するエピタキシャル半導体層の純度
を向上しキャリア移動度の高い高品質の半導体層を形成
できるので、各種化合物半導体装置の動作領域をエピタ
キシャルする場合に用いて特性の向上をはかることがで
きる。
ｎのｍ＝ｎ＝６〜12で２〜３周期の超格子構造の極めて
薄いバッファ層（２）を設けるのみで基板（１）側から
のCr等の不純物をゲッタリングする効果を得ることがで
き、これの上に形成するエピタキシャル半導体層の純度
を向上しキャリア移動度の高い高品質の半導体層を形成
できるので、各種化合物半導体装置の動作領域をエピタ
キシャルする場合に用いて特性の向上をはかることがで
きる。
第１図は本発明装置の一例の要部の略線的拡大断面図、
第２図は本発明をHEMTに適用した場合の一例の略線的拡
大断面図、第３図〜第７図は夫々（AlAs）ｍ（GaAs）ｎ
のラマンスペクトル図、第８図はAlGaAs混晶のラマンス
ペクトル図、第９図及び第10図は夫々（AlAs）ｍ（GaA
s）ｎ（ｍ＝ｎ）のラマンスペクトルのフォノンピーク
強度及び半値幅のｎの値に対する依存性を示す図であ
る。 （１）はGaAs基板、（２）は超格子バッファ層である。
第２図は本発明をHEMTに適用した場合の一例の略線的拡
大断面図、第３図〜第７図は夫々（AlAs）ｍ（GaAs）ｎ
のラマンスペクトル図、第８図はAlGaAs混晶のラマンス
ペクトル図、第９図及び第10図は夫々（AlAs）ｍ（GaA
s）ｎ（ｍ＝ｎ）のラマンスペクトルのフォノンピーク
強度及び半値幅のｎの値に対する依存性を示す図であ
る。 （１）はGaAs基板、（２）は超格子バッファ層である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/812
Claims (1)
- 【請求項１】GaAs基板上に（AlAs）ｍ（GaAs）ｎで６≦
ｍ≦12,6≦ｎ≦12の１周期以上の超格子構造によるバッ
ファ層を介して動作領域となる半導体層をエピタキシャ
ル成長させて成り、GaAs的LOフォノンピークに比し、Al
As的LOフォノンピークの強度が小とされ、GaAs基板から
の不純物がAlAsにゲッタリングされてなることを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60191717A JPH0815212B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60191717A JPH0815212B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6251266A JPS6251266A (ja) | 1987-03-05 |
| JPH0815212B2 true JPH0815212B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=16279306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60191717A Expired - Lifetime JPH0815212B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0815212B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07120792B2 (ja) * | 1987-09-04 | 1995-12-20 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| DE3885436T2 (de) * | 1987-12-29 | 1994-05-19 | Nippon Electric Co | Halbleiterkristallstruktur und deren Herstellungsverfahren. |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5929462A (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | ヘテロ接合素子 |
| JPS61216317A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 単結晶ＧａＡｓ基板上への単結晶ＧａＡｓ層の形成法 |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP60191717A patent/JPH0815212B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6251266A (ja) | 1987-03-05 |
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