JPS6251266A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6251266A JPS6251266A JP60191717A JP19171785A JPS6251266A JP S6251266 A JPS6251266 A JP S6251266A JP 60191717 A JP60191717 A JP 60191717A JP 19171785 A JP19171785 A JP 19171785A JP S6251266 A JPS6251266 A JP S6251266A
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- Japan
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- layer
- gaas
- semiconductor
- buffer layer
- alas
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/17—Semiconductor regions connected to electrodes not carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. channel regions
- H10D62/351—Substrate regions of field-effect devices
- H10D62/357—Substrate regions of field-effect devices of FETs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/40—FETs having zero-dimensional [0D], one-dimensional [1D] or two-dimensional [2D] charge carrier gas channels
- H10D30/47—FETs having zero-dimensional [0D], one-dimensional [1D] or two-dimensional [2D] charge carrier gas channels having two-dimensional [2D] charge carrier gas channels, e.g. nanoribbon FETs or high electron mobility transistors [HEMT]
- H10D30/471—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT]
- H10D30/473—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT] having confinement of carriers by multiple heterojunctions, e.g. quantum well HEMT
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕 ・
本発明は半導体装置、特にＧａＡｓ基板上に化合物半導
体層をエピタキシャル成長して動作領域を形成する種々
の化合物半導体装置例えば２次元電子ガスチャンネルに
よるＦｌ！Ｔ 、いわゆ４１１ＢＭＴ等の化合物、半導
体装置に関わる。
体層をエピタキシャル成長して動作領域を形成する種々
の化合物半導体装置例えば２次元電子ガスチャンネルに
よるＦｌ！Ｔ 、いわゆ４１１ＢＭＴ等の化合物、半導
体装置に関わる。
本発明はＧａＡｓ基板上に（７八ｊｌ Ａｓ）ＩＩＩ
（ＧａＡｓ）ｎの超格子構造のバッファ層を形成し、こ
れの上に化合物半導体例えばＡｌＧａＡｓ系化合物半導
体をエピタキシャル成長させることによって高品位の化
合物半導体層を形成する。
（ＧａＡｓ）ｎの超格子構造のバッファ層を形成し、こ
れの上に化合物半導体例えばＡｌＧａＡｓ系化合物半導
体をエピタキシャル成長させることによって高品位の化
合物半導体層を形成する。
ＩＪＢＭＴ等の化合物半導体装置において仲、例えばＣ
ｒがドープさ、れた半絶暉性ＧａＡｓ基板上にＡｌｌＧ
ａＡｓ系の各、半導体層、例えばアンドープのＧａＡｓ
半導体層、ｎ型のＡＩ ＧａＡｓ半導体層、さらにその
上にＧａＡｓ半導体層が順次例えばＭＯＣＶＤ （Ｍ
ｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法或いはＭＢ［！（Ｍｏｌ
ｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法等によっ
て、順次エピタキシャル成長してその動作領域、即ちＩ
ＩＥＭＴにおいては、２次元電子ガスチャンネルを形成
する領域を含む各領域の形、成を行う。この場合、高量
質Ｑ↓ピタ士シャル層を得るためには、その動作領域を
形成する部分例えば前述したＨＩＩＭＴにおけるアンド
ープのＧａＡｓ層は数十μｍ程度の厚さまで成長させる
必要があった。これはＧａＡｓ基板からの（、ｒ等の不
純−の拡散や結晶欠陥の伝播がＧａＡｓ基板の界面側か
ら生ずることがないようにバッファ層としての機能をも
たらしためるために厚い成長膜を形成するとか或いは実
質的にバッファ層の介在を行わしめるものである。
ｒがドープさ、れた半絶暉性ＧａＡｓ基板上にＡｌｌＧ
ａＡｓ系の各、半導体層、例えばアンドープのＧａＡｓ
半導体層、ｎ型のＡＩ ＧａＡｓ半導体層、さらにその
上にＧａＡｓ半導体層が順次例えばＭＯＣＶＤ （Ｍ
ｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法或いはＭＢ［！（Ｍｏｌ
ｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法等によっ
て、順次エピタキシャル成長してその動作領域、即ちＩ
ＩＥＭＴにおいては、２次元電子ガスチャンネルを形成
する領域を含む各領域の形、成を行う。この場合、高量
質Ｑ↓ピタ士シャル層を得るためには、その動作領域を
形成する部分例えば前述したＨＩＩＭＴにおけるアンド
ープのＧａＡｓ層は数十μｍ程度の厚さまで成長させる
必要があった。これはＧａＡｓ基板からの（、ｒ等の不
純−の拡散や結晶欠陥の伝播がＧａＡｓ基板の界面側か
ら生ずることがないようにバッファ層としての機能をも
たらしためるために厚い成長膜を形成するとか或いは実
質的にバッファ層の介在を行わしめるものである。
近年このエピタキシャル成長層を薄くしても高品質なエ
ピタキシャル層を得る対策して超格子の構造のバッファ
層を介してエピタキシャル成長をさせる試みがなされて
いる。例えば超格子構造のバッファ層上に連続して成長
させた量子井戸層の光学的特性が改善されるという報告
がある（藤井他；昭和５９年春応用物理学会予稿集２９
Ｐ Ｎ−１，アーノルド（Ｄ、八ｒｎｏｌｄ） 他；ア
イ・イー・イー・イー・エレクトロンデバイスレターズ
（ＩＥＥＥ ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔ
ｅｒｓ） Ｖｏｌ、ＥＤＬ−５＋ Ｎａ３，８２ （１
９８４）参照）。しかしながらこれらの報告においても
、その超格子バッファ層の、バッファ層として作用する
機構や最適構造に関する究明、知見等の報告は未だなさ
れていない。
ピタキシャル層を得る対策して超格子の構造のバッファ
層を介してエピタキシャル成長をさせる試みがなされて
いる。例えば超格子構造のバッファ層上に連続して成長
させた量子井戸層の光学的特性が改善されるという報告
がある（藤井他；昭和５９年春応用物理学会予稿集２９
Ｐ Ｎ−１，アーノルド（Ｄ、八ｒｎｏｌｄ） 他；ア
イ・イー・イー・イー・エレクトロンデバイスレターズ
（ＩＥＥＥ ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔ
ｅｒｓ） Ｖｏｌ、ＥＤＬ−５＋ Ｎａ３，８２ （１
９８４）参照）。しかしながらこれらの報告においても
、その超格子バッファ層の、バッファ層として作用する
機構や最適構造に関する究明、知見等の報告は未だなさ
れていない。
本発明においては、特にＧａＡｓ基板上に化合物半導体
層のエピタキシャル成長を形成する場合における化合物
半導体の超格子バッファ層としての機能の究明に基づい
てその有効な構造を提供するものであり、これに基づい
て各種半導体装置、例えばＨＥＭＴ等の化合物半導体に
おいてその高純度、高品質のエピタキシャル層の形成を
可能にし各種半導体装置例えばＨＥＭＴにおける特性改
善を図るものである。
層のエピタキシャル成長を形成する場合における化合物
半導体の超格子バッファ層としての機能の究明に基づい
てその有効な構造を提供するものであり、これに基づい
て各種半導体装置、例えばＨＥＭＴ等の化合物半導体に
おいてその高純度、高品質のエピタキシャル層の形成を
可能にし各種半導体装置例えばＨＥＭＴにおける特性改
善を図るものである。
本発明においては第１図に示すように例えばＣｒがドー
プされた半絶縁性のＧａＡｓ基板（１）上に特定された
構造による超格子バッファ層（２）を介して目的とする
動作領域を形成する半導体層例えば＾７！ＧａＡｓ系或
いはｌｉｊ！ Ｇａ１ｎＰ系等の半導体層（５）を連続
的にＭＯＣＶＤ或いはＭＢＥ法等による一連のエピタキ
シャル工程で形成する。
プされた半絶縁性のＧａＡｓ基板（１）上に特定された
構造による超格子バッファ層（２）を介して目的とする
動作領域を形成する半導体層例えば＾７！ＧａＡｓ系或
いはｌｉｊ！ Ｇａ１ｎＰ系等の半導体層（５）を連続
的にＭＯＣＶＤ或いはＭＢＥ法等による一連のエピタキ
シャル工程で形成する。
超格子バッファ層（２）は（八ｊ！ Ａｓ）ｍ （Ｇａ
Ａｓ）ｎでｍ≧６とし、ｎを任意値とする１周期以上の
超格子構造とする。すなわち、不純物は選択的にＡｌＡ
ｓ層にゲッタされ、そのゲッタリングのためには、へβ
Ａｓ層厚が６原子層（ｍ≧６）以上必要である事がわか
った。この様にすると、はさまれたＧａＡｓの純度は向
上し、従って超格子上のＧａＡｓの純度も向上する事に
なる。超格子中のＧａＡｓの厚みは任意でよい。つまり
八ｌＡｓのｍ原子層（３）とＧａＡｓのｎ原子層（４
）の繰り返し積層した構成とする。 ＡＩｌ Ａｓ層と
ＧａＡｓとはｎ−ｍに選定し得る。
Ａｓ）ｎでｍ≧６とし、ｎを任意値とする１周期以上の
超格子構造とする。すなわち、不純物は選択的にＡｌＡ
ｓ層にゲッタされ、そのゲッタリングのためには、へβ
Ａｓ層厚が６原子層（ｍ≧６）以上必要である事がわか
った。この様にすると、はさまれたＧａＡｓの純度は向
上し、従って超格子上のＧａＡｓの純度も向上する事に
なる。超格子中のＧａＡｓの厚みは任意でよい。つまり
八ｌＡｓのｍ原子層（３）とＧａＡｓのｎ原子層（４
）の繰り返し積層した構成とする。 ＡＩｌ Ａｓ層と
ＧａＡｓとはｎ−ｍに選定し得る。
上述したように半絶縁性のＧａＡｓ基板上に（＾βＡｓ
）ｍ及び（ＧａＡｓ）ｎの各原子層の１周期以上の積層
による超格子バッファ層（２）を形成し、これの上に半
導体層（５）をエピタキシャル成長させる場合、この半
導体Ｎ（５）としては、高品質で高純度の即ち基板から
の例えばＣｒ不純物の拡散による侵入が抑えられる。従
って電子移動度の高い半導体層を構成することができる
。
）ｍ及び（ＧａＡｓ）ｎの各原子層の１周期以上の積層
による超格子バッファ層（２）を形成し、これの上に半
導体層（５）をエピタキシャル成長させる場合、この半
導体Ｎ（５）としては、高品質で高純度の即ち基板から
の例えばＣｒ不純物の拡散による侵入が抑えられる。従
って電子移動度の高い半導体層を構成することができる
。
これは（Ａ７！Ａｓ）ｎｌ （ＧａＡｓ）ｎの超格子バ
ッファ層（２）によってＧａＡｓ基板からのエピタキシ
ャル成長に際して混入する不純物例えばＣｒがＡｌＡｓ
１ｉｉｉによってゲッタリングされることによる。この
ＡＩｌＡｓのゲッタリングは、第３図に示すような混晶
と超格子のラマン散乱の結果から示唆される。即ち、Ａ
ｊ！ＧａＡｓ３元混晶でも、（八ＩＩ Ａｓ）ｍ （Ｇ
ａＡｓ）ｒ１超格子でもＧａＡｓ的ＬＯフォノンと Ａ
１＾Ｓ的１．０フオノンの２つのピークがラマン散乱で
見えるが、その後者の前者に対する強度比Ｔ Ａｅ／
Ｉ ｃａは混晶の場合には、存在比できまっていること
がわかる。すなわち同図において△印と○印とは夫々
ＡＩｌ Ｘ Ｇａ１−ｙ Ａｓ混晶と、（ＡＪ Ａｓ）
ｍ （ＧａＡｓ）ｎ超格子との、夫々のＸ／（１−ｘ）
（但しＸは八ｌの分率、（ｘ−１）はＧａの分率）を変
化させたときのＩ ＡＩ！／ Ｉ Ｃａを示したもので
あるが、混晶の場合は、Ｘ／（１−ｘ）の直線に良くの
っているに比し超格子にするとこの比がＸ／ｌｘよりず
っと小さくなっている。一般にフォノンビーク強度は結
晶の質に比例するのでこのことは、ＡｊｌＡｓ層の質が
落ち、反面ＧａＡｓ層の質は向上したことを示すものと
みられる。つまり、ＡｌＡｓによるゲッタリングがおこ
っていると思われる。
ッファ層（２）によってＧａＡｓ基板からのエピタキシ
ャル成長に際して混入する不純物例えばＣｒがＡｌＡｓ
１ｉｉｉによってゲッタリングされることによる。この
ＡＩｌＡｓのゲッタリングは、第３図に示すような混晶
と超格子のラマン散乱の結果から示唆される。即ち、Ａ
ｊ！ＧａＡｓ３元混晶でも、（八ＩＩ Ａｓ）ｍ （Ｇ
ａＡｓ）ｒ１超格子でもＧａＡｓ的ＬＯフォノンと Ａ
１＾Ｓ的１．０フオノンの２つのピークがラマン散乱で
見えるが、その後者の前者に対する強度比Ｔ Ａｅ／
Ｉ ｃａは混晶の場合には、存在比できまっていること
がわかる。すなわち同図において△印と○印とは夫々
ＡＩｌ Ｘ Ｇａ１−ｙ Ａｓ混晶と、（ＡＪ Ａｓ）
ｍ （ＧａＡｓ）ｎ超格子との、夫々のＸ／（１−ｘ）
（但しＸは八ｌの分率、（ｘ−１）はＧａの分率）を変
化させたときのＩ ＡＩ！／ Ｉ Ｃａを示したもので
あるが、混晶の場合は、Ｘ／（１−ｘ）の直線に良くの
っているに比し超格子にするとこの比がＸ／ｌｘよりず
っと小さくなっている。一般にフォノンビーク強度は結
晶の質に比例するのでこのことは、ＡｊｌＡｓ層の質が
落ち、反面ＧａＡｓ層の質は向上したことを示すものと
みられる。つまり、ＡｌＡｓによるゲッタリングがおこ
っていると思われる。
第４図、第５図、第６図及び第７図は夫々（Ａｌ＾ｓ）
ｍ （ＧａＡｓ）ｎ超格子構造のｍ ＝ ｎとし、夫々
ｎ＝６． ８． １０．１２としたときのラマンスペク
トルを示し、第８図は八ｊ！ ０．６ Ｇａｏ、５Ａｓ
の結晶の同様のラマンスペクトルを示す。また第９図中
曲線（３１）及び（３２）は夫々（ＡｌＡｓ）ｍ （Ｇ
ａＡｓ）ｎ超格子構造のｍ＝ｎとしたときのラマンスペ
クトルにおけるＡｌ１Ａｓ的ＬＯフオノン及びＧａＡＳ
ｖＪＬＯフォノンの各ピーク強度のｎの値に対する依存
性を示したものであり、同図中×印及び０印は夫々その
＾ＪＡｓ的フォノン及びＧａＡｓ的フォノンの各ｎの値
を変化させたときの各ピーク強度の測定値をプロットし
たものである。これによれば、 １ＩＡｓ的ＬＯフオノ
ンのピーク強度は、ｎ＝６以上でほぼ一定となりまたＧ
ａＡｓ的ＬＯフォノンの強度は、ｎの増加と共に増大す
ることが分かる。すなわち、フォノンのピーク強度は１
．０フオノンの寿命に比例するものであるので、ｎの増
加と共にフォノンの寿命が増加していること、つまりＧ
ａＡｓの純度が向上していることが分かる。また第１０
図は同様のｎ値に対するＬ０フォノンピークの半値幅の
依存性を示すもので、第９図において０印はＧａＡｓ的
ＬＯフォノンの半値幅、Δ印はＡｊｌＡｓ的ＬＯフォノ
ンのそれを示す。これによれば両者共ｎの増大と共に半
値幅が減少しｎ＝６以上でほぼ一定になることが分かる
。即ちフォノンのピークの反値幅はＬＯフォノンの寿命
の逆数に比例するのでｎ （−ｍ）が増大するにつれて
ＬＯフォノンのダンピングが小さくなりエピタキシャル
層の結晶性が良くなっていることが分かる。つまり（Ａ
ｎ！ Ａｓ）ｍ （ＧａＡｓ）ｎ超格子構造では、エピ
タキシャル成長の際に混入する不純物がＡＩＡｓＮによ
ってゲッタリングされｎ＝ｍ≧５ ＧａＡｓ層及びＡ６
Ａｓ層の純度が向上しており、このような構造がバッフ
ァ層として有効であることを示している。
ｍ （ＧａＡｓ）ｎ超格子構造のｍ ＝ ｎとし、夫々
ｎ＝６． ８． １０．１２としたときのラマンスペク
トルを示し、第８図は八ｊ！ ０．６ Ｇａｏ、５Ａｓ
の結晶の同様のラマンスペクトルを示す。また第９図中
曲線（３１）及び（３２）は夫々（ＡｌＡｓ）ｍ （Ｇ
ａＡｓ）ｎ超格子構造のｍ＝ｎとしたときのラマンスペ
クトルにおけるＡｌ１Ａｓ的ＬＯフオノン及びＧａＡＳ
ｖＪＬＯフォノンの各ピーク強度のｎの値に対する依存
性を示したものであり、同図中×印及び０印は夫々その
＾ＪＡｓ的フォノン及びＧａＡｓ的フォノンの各ｎの値
を変化させたときの各ピーク強度の測定値をプロットし
たものである。これによれば、 １ＩＡｓ的ＬＯフオノ
ンのピーク強度は、ｎ＝６以上でほぼ一定となりまたＧ
ａＡｓ的ＬＯフォノンの強度は、ｎの増加と共に増大す
ることが分かる。すなわち、フォノンのピーク強度は１
．０フオノンの寿命に比例するものであるので、ｎの増
加と共にフォノンの寿命が増加していること、つまりＧ
ａＡｓの純度が向上していることが分かる。また第１０
図は同様のｎ値に対するＬ０フォノンピークの半値幅の
依存性を示すもので、第９図において０印はＧａＡｓ的
ＬＯフォノンの半値幅、Δ印はＡｊｌＡｓ的ＬＯフォノ
ンのそれを示す。これによれば両者共ｎの増大と共に半
値幅が減少しｎ＝６以上でほぼ一定になることが分かる
。即ちフォノンのピークの反値幅はＬＯフォノンの寿命
の逆数に比例するのでｎ （−ｍ）が増大するにつれて
ＬＯフォノンのダンピングが小さくなりエピタキシャル
層の結晶性が良くなっていることが分かる。つまり（Ａ
ｎ！ Ａｓ）ｍ （ＧａＡｓ）ｎ超格子構造では、エピ
タキシャル成長の際に混入する不純物がＡＩＡｓＮによ
ってゲッタリングされｎ＝ｍ≧５ ＧａＡｓ層及びＡ６
Ａｓ層の純度が向上しており、このような構造がバッフ
ァ層として有効であることを示している。
第２図はＨｔｌＭＴに本発明を通用した場合の一例で、
この例ではＣｒがドープされた半絶縁性のＧａＡｓ基板
（１）上に（＾Ｉｔ Ａｓ）６ （ＧａＡｓ）ｅの２〜
３周期の超格子バッファ層（２）を形成し、これの上に
不純物がドープされない厚さ２μ川のＧａＡｓ層より成
る第１の半導体層（１３）、さらにこれの上にノーンド
ープのＡｌ１Ｇａ層より成る第２の半導体層（１４）、
さらにこれの上に例えばｎ型の＾ｊ！ ｏ、ｇ Ｇａｏ
、ｔ Ａｓ１ｉｉより成る第３の半導体層（１５）を形
成した。これら層（２）。
この例ではＣｒがドープされた半絶縁性のＧａＡｓ基板
（１）上に（＾Ｉｔ Ａｓ）６ （ＧａＡｓ）ｅの２〜
３周期の超格子バッファ層（２）を形成し、これの上に
不純物がドープされない厚さ２μ川のＧａＡｓ層より成
る第１の半導体層（１３）、さらにこれの上にノーンド
ープのＡｌ１Ｇａ層より成る第２の半導体層（１４）、
さらにこれの上に例えばｎ型の＾ｊ！ ｏ、ｇ Ｇａｏ
、ｔ Ａｓ１ｉｉより成る第３の半導体層（１５）を形
成した。これら層（２）。
（１３） 〜（１５）は、連続的ニＭＯＣＶＤ法或いは
ＭＢＥ法によって供給する原料ガスを切換ることによっ
て一連のエピタキシャル工程で形成できる。そして、層
（１５）に対してショットキゲート電極（１６）を被着
し、これの両側にソース及びドレインの各電極（１７）
及び（１８）を夫々オーミックに被着した。この場合、
ＧａＡｓの第１の半導体層（１３）のＡＮ ＧａＡｓの
第２の半導体層（１４）との界面に２次元電子ガスチャ
ンネルが形成されるものであるが、これらＩＩ（１３）
及び（１４）の界面部分はすぐれた純度及び結晶性を有
するので、より高い電子移動度が得られ、高速性にすぐ
れたＨｔｌＭＴが構成できる。
ＭＢＥ法によって供給する原料ガスを切換ることによっ
て一連のエピタキシャル工程で形成できる。そして、層
（１５）に対してショットキゲート電極（１６）を被着
し、これの両側にソース及びドレインの各電極（１７）
及び（１８）を夫々オーミックに被着した。この場合、
ＧａＡｓの第１の半導体層（１３）のＡＮ ＧａＡｓの
第２の半導体層（１４）との界面に２次元電子ガスチャ
ンネルが形成されるものであるが、これらＩＩ（１３）
及び（１４）の界面部分はすぐれた純度及び結晶性を有
するので、より高い電子移動度が得られ、高速性にすぐ
れたＨｔｌＭＴが構成できる。
また本発明は、上述した例に限らず、種々の化合物半導
体装置においてＧａＡｓ基板上にその動作層ないしは活
性層をエピタキシャル成長させる場合に基板上にバッフ
ァ層（２）を形成し、これの上に目的とする動作層ない
しは活性層を形成することができる。
体装置においてＧａＡｓ基板上にその動作層ないしは活
性層をエピタキシャル成長させる場合に基板上にバッフ
ァ層（２）を形成し、これの上に目的とする動作層ない
しは活性層を形成することができる。
上述したように本発明においては（Ａｊ！ Ａｓ）ｍ（
ＧａＡｓ）ｎのｍが６以上で２〜３周期の超格子構造の
極めて薄いバッファ層（２）を設けるのみで基板＋１１
側からのＣｒ等の不純物をゲッタリングする効果を得る
ことができ、これの上に形成するエピタキシャル半導体
層の純度を向上しキャリア移動度の高い高品質の半導体
層を形成できるので、各種化合１物半導体装置の動作領
域をエピタキシャルする場合に用いて特性の向上をはか
ることができる。
ＧａＡｓ）ｎのｍが６以上で２〜３周期の超格子構造の
極めて薄いバッファ層（２）を設けるのみで基板＋１１
側からのＣｒ等の不純物をゲッタリングする効果を得る
ことができ、これの上に形成するエピタキシャル半導体
層の純度を向上しキャリア移動度の高い高品質の半導体
層を形成できるので、各種化合１物半導体装置の動作領
域をエピタキシャルする場合に用いて特性の向上をはか
ることができる。
′１
第１図は本発明装置の一例の要部の路線的拡大□・。
断面図、第２図は本発明をＨｔｌＭＴに適用した場合の
一例め路線的拡大断面図、第３図〜第７図は夫々（八ｊ
ｌ Ａｓ）ｍ （ＧａＡｓ）１のラマンスペクトル図、
第８図はＡＩ ＧａＡｓ混晶のラマンスペクトル図、第
９図及び第１０図は夫々（八ｉｔ Ａ！１）ＩＩＩ （
Ｇａ＾ｓ）ｎ（ｍ＝ｎ）のラマンスペクトルのフォノン
ビーク強度及び半値幅のｎの値に対する依存性を示す図
である。 （］）はＧａＡｓＸ板、（２）は超格子バッファ層であ
る。 １■ 十導イネ層 本発明健１の９訃の郭成的き斤面閏 第１図 第２図 ＬＱフオノフのヒＯ−クラ会庸のｎイ夾存十生第９図 第１１図 手続補正書 １、事件の表示 昭和６０年 特 許 願 第１９１７１７号３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号、名称（
２１８）ソニー株式会社 、 代表取締役 大 賀 典 雄 ４、代理人 （羊、所 東京都新宿区西新宿１丁目８番１号、、、置
０３−３４３−５８２１＋？切 （新宅ビル）６、補
正により増加する発明の薮 （１）明細書中、第７頁３行「ｎ ＝ ６ 、 ８ 、
１０．１２Ｊをｒｎ＝６．８，１２，２Ｊと訂正する。 （２）同、同頁４行「結晶の同様」を「混晶の同様」と
訂正する。 （３）同、第９頁３行ｒＡ６Ｇａ層」を「＾７！ＧａＡ
ｓ層」と訂正する。 （４）図面中、第３図、４図、５図、６図、７図及び第
８図を別紙の様に訂正する。 以上
一例め路線的拡大断面図、第３図〜第７図は夫々（八ｊ
ｌ Ａｓ）ｍ （ＧａＡｓ）１のラマンスペクトル図、
第８図はＡＩ ＧａＡｓ混晶のラマンスペクトル図、第
９図及び第１０図は夫々（八ｉｔ Ａ！１）ＩＩＩ （
Ｇａ＾ｓ）ｎ（ｍ＝ｎ）のラマンスペクトルのフォノン
ビーク強度及び半値幅のｎの値に対する依存性を示す図
である。 （］）はＧａＡｓＸ板、（２）は超格子バッファ層であ
る。 １■ 十導イネ層 本発明健１の９訃の郭成的き斤面閏 第１図 第２図 ＬＱフオノフのヒＯ−クラ会庸のｎイ夾存十生第９図 第１１図 手続補正書 １、事件の表示 昭和６０年 特 許 願 第１９１７１７号３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号、名称（
２１８）ソニー株式会社 、 代表取締役 大 賀 典 雄 ４、代理人 （羊、所 東京都新宿区西新宿１丁目８番１号、、、置
０３−３４３−５８２１＋？切 （新宅ビル）６、補
正により増加する発明の薮 （１）明細書中、第７頁３行「ｎ ＝ ６ 、 ８ 、
１０．１２Ｊをｒｎ＝６．８，１２，２Ｊと訂正する。 （２）同、同頁４行「結晶の同様」を「混晶の同様」と
訂正する。 （３）同、第９頁３行ｒＡ６Ｇａ層」を「＾７！ＧａＡ
ｓ層」と訂正する。 （４）図面中、第３図、４図、５図、６図、７図及び第
８図を別紙の様に訂正する。 以上
Claims (1)
- ＧａＡｓ基板上に（ＡｌＡｓ）＿ｍ（ＧａＡｓ）＿ｎで
ｍ≧６の１周期以上の超格子構造によるバッファ層を介
して動作領域となる半導体層をエピタキシャル成長させ
て成ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60191717A JPH0815212B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60191717A JPH0815212B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6251266A true JPS6251266A (ja) | 1987-03-05 |
| JPH0815212B2 JPH0815212B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=16279306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60191717A Expired - Lifetime JPH0815212B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0815212B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6464367A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Nec Corp | Semiconductor device |
| US4980750A (en) * | 1987-12-29 | 1990-12-25 | Nec Corporation | Semiconductor crystal |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5929462A (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | ヘテロ接合素子 |
| JPS61216317A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 単結晶ＧａＡｓ基板上への単結晶ＧａＡｓ層の形成法 |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP60191717A patent/JPH0815212B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5929462A (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | ヘテロ接合素子 |
| JPS61216317A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 単結晶ＧａＡｓ基板上への単結晶ＧａＡｓ層の形成法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6464367A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Nec Corp | Semiconductor device |
| US4980750A (en) * | 1987-12-29 | 1990-12-25 | Nec Corporation | Semiconductor crystal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0815212B2 (ja) | 1996-02-14 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |