JPH0815225B2 - ２波長発振レ−ザ装置 - Google Patents
２波長発振レ−ザ装置Info
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- JPH0815225B2 JPH0815225B2 JP13179386A JP13179386A JPH0815225B2 JP H0815225 B2 JPH0815225 B2 JP H0815225B2 JP 13179386 A JP13179386 A JP 13179386A JP 13179386 A JP13179386 A JP 13179386A JP H0815225 B2 JPH0815225 B2 JP H0815225B2
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は２つの波長成分を含むレーザ光を発生するこ
とができる２波長発振レーザ装置に関する。
とができる２波長発振レーザ装置に関する。
（従来技術） 特定波長のレーザ光がある種の気体に吸収され易いこ
とを利用して気体の有無を検出できることが知られてお
り、この原理を応用したセンシング技術が工業計測、公
害監視などに広く用いられている。一例として、He−Ne
レーザにより発生されるレーザ光の3.39μｍ帯には真空
波長が3.3922μｍ（λ１）と3.3912μｍ（λ２）の２つ
の発振線があり、λ１はメタンに強く吸収され、λ２は
メタンにわずかしか吸収されない。そこでこの２つの波
長成分を含むレーザ光を使ってメタンの有無を感度よく
検出することが可能である。メタンは都市ガスの主成分
であるのでメタンガスの検出によって都市ガスの漏洩が
検知できる。
とを利用して気体の有無を検出できることが知られてお
り、この原理を応用したセンシング技術が工業計測、公
害監視などに広く用いられている。一例として、He−Ne
レーザにより発生されるレーザ光の3.39μｍ帯には真空
波長が3.3922μｍ（λ１）と3.3912μｍ（λ２）の２つ
の発振線があり、λ１はメタンに強く吸収され、λ２は
メタンにわずかしか吸収されない。そこでこの２つの波
長成分を含むレーザ光を使ってメタンの有無を感度よく
検出することが可能である。メタンは都市ガスの主成分
であるのでメタンガスの検出によって都市ガスの漏洩が
検知できる。
この種のメタン漏洩センサが米国特許第4,489,239号
ですでに提案されており、この米国特許の第１図には、
真空波長3.3922μｍと3.3912μｍの２台のHe−Neレーザ
を用いたセンサシステムが開示されている。このセンサ
システムにおいては、２台のHe−Neレーザからの２波長
のレーザ光を２台のメカニカルチョッパーを用いて、そ
れぞれ異なった周波数で変調して出射し、大気通過後、
そのレーザ光を受光するセンサ出力のうち、それぞれの
周波数に同期した成分をロックインアンプにて検出し、
その出力の比からメタンの有無を検知する。
ですでに提案されており、この米国特許の第１図には、
真空波長3.3922μｍと3.3912μｍの２台のHe−Neレーザ
を用いたセンサシステムが開示されている。このセンサ
システムにおいては、２台のHe−Neレーザからの２波長
のレーザ光を２台のメカニカルチョッパーを用いて、そ
れぞれ異なった周波数で変調して出射し、大気通過後、
そのレーザ光を受光するセンサ出力のうち、それぞれの
周波数に同期した成分をロックインアンプにて検出し、
その出力の比からメタンの有無を検知する。
もう１つの方法として、１台のメカニカルチョッパー
を用い、通過と反射とを繰返させるかまたは２波長のビ
ームをチョッパーの穴の径だけずらすことにより２波長
を等しい出力に調整しておけば、センサ出力のうちチョ
ッパーに同期した周波数成分をロックインアンプにて検
出することにより、２波長の出力の差によりメタンの有
無を検知することができる。
を用い、通過と反射とを繰返させるかまたは２波長のビ
ームをチョッパーの穴の径だけずらすことにより２波長
を等しい出力に調整しておけば、センサ出力のうちチョ
ッパーに同期した周波数成分をロックインアンプにて検
出することにより、２波長の出力の差によりメタンの有
無を検知することができる。
このような構成のメタン検知システムは多数のミラー
やハーフミラーを用いるため光学系が複雑で大きな体積
を要するだけでなく光軸調整が厄介であり、レーザ光の
損失が大きい。また、振動や温度変化等による経時的な
光軸のズレも考えられる。また信号処理が複雑な上メカ
ニカルチョッパーの動作上の限界から高周波変調ができ
ずSN比の点で不利である。さらに前者の場合は２台のレ
ーザの他に、２台のチョッパーと２台のロックインアン
プが必要なため装置が大がかりとなる。また後者の場合
は２波長を等しい出力に調整することが難しく、温度変
化等のため経時的に２波長の出力のバランスがくずれる
おそれがある。
やハーフミラーを用いるため光学系が複雑で大きな体積
を要するだけでなく光軸調整が厄介であり、レーザ光の
損失が大きい。また、振動や温度変化等による経時的な
光軸のズレも考えられる。また信号処理が複雑な上メカ
ニカルチョッパーの動作上の限界から高周波変調ができ
ずSN比の点で不利である。さらに前者の場合は２台のレ
ーザの他に、２台のチョッパーと２台のロックインアン
プが必要なため装置が大がかりとなる。また後者の場合
は２波長を等しい出力に調整することが難しく、温度変
化等のため経時的に２波長の出力のバランスがくずれる
おそれがある。
上記２台のHe−Neレーザを用いたセンサシステムの欠
点のいくつかを解消したセンサシステムが米国特許の第
４図に提案されている。このセンサシステムは、３枚の
ミラーで構成される共振空洞内にHe−Neプラズマ管を配
置し、Fabry−Perotinterferometerを構成する２枚のミ
ラーの一方に圧電素子を取り付け、この圧電素子を約１
μｍで振動させることにより２波長を交互に切り換えて
発生させるものである。
点のいくつかを解消したセンサシステムが米国特許の第
４図に提案されている。このセンサシステムは、３枚の
ミラーで構成される共振空洞内にHe−Neプラズマ管を配
置し、Fabry−Perotinterferometerを構成する２枚のミ
ラーの一方に圧電素子を取り付け、この圧電素子を約１
μｍで振動させることにより２波長を交互に切り換えて
発生させるものである。
この２波長発振レーザを用いればチョッパーが不要に
なるので構成が簡潔になるが、２波長の出力を等しくす
るために共振器内にメタンセルを挿入することが考えら
れるが、フィードバック機構がないので２波長の出力を
完全に等しくできず、温度変化等により経時的にバラン
スがくずれるおそれがある。また共振器長に限界がある
ために出力を大きくできないという問題もある。
なるので構成が簡潔になるが、２波長の出力を等しくす
るために共振器内にメタンセルを挿入することが考えら
れるが、フィードバック機構がないので２波長の出力を
完全に等しくできず、温度変化等により経時的にバラン
スがくずれるおそれがある。また共振器長に限界がある
ために出力を大きくできないという問題もある。
一方、上記米国特許の第９欄、第56行〜第62行に触れ
ているように、J.E.Bjorkholmほかによる論文“Improve
d Use of Grantings in Tunable Lasers"には、Grating
sの直前にハーフミラーを設置することによりGratings
の反射率を改善し共振器の効率を上げ、出力を高めた３
ミラー共振器が言及されているが、ハーフミラーとGrat
ingsとでFarby−Perotを構成しているようなもので、ハ
ーフミラーの位置を波長オーダーで制御しないと反射率
は高まらない。逆に反射率が０になることも考えられ
る。
ているように、J.E.Bjorkholmほかによる論文“Improve
d Use of Grantings in Tunable Lasers"には、Grating
sの直前にハーフミラーを設置することによりGratings
の反射率を改善し共振器の効率を上げ、出力を高めた３
ミラー共振器が言及されているが、ハーフミラーとGrat
ingsとでFarby−Perotを構成しているようなもので、ハ
ーフミラーの位置を波長オーダーで制御しないと反射率
は高まらない。逆に反射率が０になることも考えられ
る。
ところでメタンに吸収され易い波長として上記3.39μ
ｍ帯のほかに1.33μｍ帯と1.67μｍ帯とがある。一方、
通信用に用いられている半導体レーザには1.3μｍ帯の
レーザ光を発生するものが知られている。そこで、メタ
ンの漏洩検出にこの半導体レーザを用いることを考えて
みると、半導体レーザのレーザ光出力と発振波長は駆動
電流によって第４図および第５図に示すように変化する
ことが知られている。そこで半導体レーザの駆動電流を
I1とI2とで交互に変化させることにより２つの異なる波
長レーザ光を発振させることができる。
ｍ帯のほかに1.33μｍ帯と1.67μｍ帯とがある。一方、
通信用に用いられている半導体レーザには1.3μｍ帯の
レーザ光を発生するものが知られている。そこで、メタ
ンの漏洩検出にこの半導体レーザを用いることを考えて
みると、半導体レーザのレーザ光出力と発振波長は駆動
電流によって第４図および第５図に示すように変化する
ことが知られている。そこで半導体レーザの駆動電流を
I1とI2とで交互に変化させることにより２つの異なる波
長レーザ光を発振させることができる。
（発明の目的および構成） 本発明は上記の点にかんがみてなされたもので、小型
で高出力且つ高い変調周波数の２波長発振半導体レーザ
を提案することを目的とし、この目的を達成するため
に、駆動電流に応じた波長および出力のレーザ光を発振
するレーザを用い、所定の電流を中心として異なる２つ
の駆動電流でレーザを変調して異なる２波長のレーザ光
を発振せしめ、波長依存性のある吸収体または反射体を
利用してレーザ出力の変調周波数成分が０になるように
駆動電流にフィードバックをかけるように構成した。
で高出力且つ高い変調周波数の２波長発振半導体レーザ
を提案することを目的とし、この目的を達成するため
に、駆動電流に応じた波長および出力のレーザ光を発振
するレーザを用い、所定の電流を中心として異なる２つ
の駆動電流でレーザを変調して異なる２波長のレーザ光
を発振せしめ、波長依存性のある吸収体または反射体を
利用してレーザ出力の変調周波数成分が０になるように
駆動電流にフィードバックをかけるように構成した。
（実施例） 以下本発明を図面に基づいて説明する。なお、以下に
例示する２波長発振レーザ装置はメタン検知用として説
明するが、本発明はこれに限定されるものでないことは
もちろんである。
例示する２波長発振レーザ装置はメタン検知用として説
明するが、本発明はこれに限定されるものでないことは
もちろんである。
第１図はメタン検知を目的とした本発明による２波長
発振半導体レーザ装置の一実施例を示しており、１はた
とえばGaYsInP半導体レーザ、２は半導体レーザ１から
発生するレーザ光を集光するコリメートレンズ、３はメ
タンガスを含むメタンセル、４はレーザ光の光軸中に配
置されメタンセル３を通過したレーザ光を分割するビー
ムスプリッタ、５はPINホトダイオードなどの光セン
サ、６は発振器７の周波数に同期して変化する光センサ
５の出力成分を検出するロックインアンプ、８はロック
インアンプ６の出力を積分する積分器、９は積分器８の
出力と発振器７の出力とに基づいて半導体レーザ１の駆
動電流を制御する電流制御回路、10は電流制御回路９に
より制御される変調中心を中心にして２つの異なる電流
で半導体レーザ１を駆動するレーザ駆動回路、11はやは
り積分器８の出力に基づいて半導体レーザ１の温度を制
御する周知の温度制御回路である。
発振半導体レーザ装置の一実施例を示しており、１はた
とえばGaYsInP半導体レーザ、２は半導体レーザ１から
発生するレーザ光を集光するコリメートレンズ、３はメ
タンガスを含むメタンセル、４はレーザ光の光軸中に配
置されメタンセル３を通過したレーザ光を分割するビー
ムスプリッタ、５はPINホトダイオードなどの光セン
サ、６は発振器７の周波数に同期して変化する光センサ
５の出力成分を検出するロックインアンプ、８はロック
インアンプ６の出力を積分する積分器、９は積分器８の
出力と発振器７の出力とに基づいて半導体レーザ１の駆
動電流を制御する電流制御回路、10は電流制御回路９に
より制御される変調中心を中心にして２つの異なる電流
で半導体レーザ１を駆動するレーザ駆動回路、11はやは
り積分器８の出力に基づいて半導体レーザ１の温度を制
御する周知の温度制御回路である。
いま半導体レーザ１をレーザ駆動回路10により電流I0
を中心にしてI1とI2（I2＞I1）で駆動すると、半導体レ
ーザ１から波長λ１およびλ２のレーザ光が発生する。
このレーザ光はコリメートレンズ２により集光された後
メタンセル３を通過するが、波長λ２成分はメタンセル
３内のメタンセルにより吸収されて総合出力が減少しメ
タン圧を適当に選ぶと波長λ１成分の出力とほぼ等しく
することができる。
を中心にしてI1とI2（I2＞I1）で駆動すると、半導体レ
ーザ１から波長λ１およびλ２のレーザ光が発生する。
このレーザ光はコリメートレンズ２により集光された後
メタンセル３を通過するが、波長λ２成分はメタンセル
３内のメタンセルにより吸収されて総合出力が減少しメ
タン圧を適当に選ぶと波長λ１成分の出力とほぼ等しく
することができる。
さて、こうして出力がほぼ等しくなった波長λ１成分
と波長λ２成分のビーム光出力Ｐ（Ｉ）はビームスプリ
ッタ４でPA（Ｉ）とPB（Ｉ）とに分割され、分割された
レーザ光出力成分PA（Ｉ）は次の式で表わすことができ
る。
と波長λ２成分のビーム光出力Ｐ（Ｉ）はビームスプリ
ッタ４でPA（Ｉ）とPB（Ｉ）とに分割され、分割された
レーザ光出力成分PA（Ｉ）は次の式で表わすことができ
る。
PA（Ｉ）＝Ａ・Ｇ（Ｉ）exp｛−α（Ｉ）cl｝ ここでＡは定数、Ｇ（Ｉ）はレーザの発振出力、α
（Ｉ）メタンの吸収係数、ｃはメタンセル３内のメタン
圧、ｌはメタンセル３の長さ（従ってclはメタンセル内
のメタン量に相当する）であり、吸収係数αは第２図に
示すように駆動電流Ｉの関数となる。
（Ｉ）メタンの吸収係数、ｃはメタンセル３内のメタン
圧、ｌはメタンセル３の長さ（従ってclはメタンセル内
のメタン量に相当する）であり、吸収係数αは第２図に
示すように駆動電流Ｉの関数となる。
いま電流Ｉを適当な値I0を中心にしてΔＩ、周波数ｆ
で微小振動させると、分割された光出力成分PA（Ｉ）は
次の式で表わすことができる。
で微小振動させると、分割された光出力成分PA（Ｉ）は
次の式で表わすことができる。
ここで光出力成分PA（Ｉ）のうち変調周波数成分（す
なわちｆ成分）のみをロックインアンプ６により検出
し、その出力を誤差信号としてそれが０となるように電
流の中心I0を変化させるようにフィードバックをかけ
る。すなわち、 を満足するように電流中心I0を制御する。
なわちｆ成分）のみをロックインアンプ６により検出
し、その出力を誤差信号としてそれが０となるように電
流の中心I0を変化させるようにフィードバックをかけ
る。すなわち、 を満足するように電流中心I0を制御する。
第１図に示した光センサ５、ロックインアンプ６、積
分器８、電流制御回路９でフィードバック回路を構成し
ており、レーザ光出力の一部が光センサ５によって検出
され、そのうち変調周波数成分がロックインアンプ６に
より検波され、積分器８により積分されて電流制御回路
９によりレーザ駆動回路10のバイアス電流I0を中心にし
て発振器７の発振周波数で駆動電流をI1、I2の間で変調
する。フィードバック効果により変調周波数成分がなく
なったときは積分器８がそのとき保持している積分値に
より電流制御回路９によりレーザ駆動回路10のバイアス
電流I0が保持されて発振が継続される。
分器８、電流制御回路９でフィードバック回路を構成し
ており、レーザ光出力の一部が光センサ５によって検出
され、そのうち変調周波数成分がロックインアンプ６に
より検波され、積分器８により積分されて電流制御回路
９によりレーザ駆動回路10のバイアス電流I0を中心にし
て発振器７の発振周波数で駆動電流をI1、I2の間で変調
する。フィードバック効果により変調周波数成分がなく
なったときは積分器８がそのとき保持している積分値に
より電流制御回路９によりレーザ駆動回路10のバイアス
電流I0が保持されて発振が継続される。
動作中に温度変化などにより半導体レーザ１の発振波
長が変化したときは積分器８の積分値に基づいて電流制
御回路９により駆動電流を微小変動させて修正すること
もできるが、積分値に基づいて温度制御回路11により大
幅な修正を行うことができる。しかし、この温度制御に
よる光出力制御は通常行なわれており、本発明の要旨で
はないのでこれ以上の説明は省略する。
長が変化したときは積分器８の積分値に基づいて電流制
御回路９により駆動電流を微小変動させて修正すること
もできるが、積分値に基づいて温度制御回路11により大
幅な修正を行うことができる。しかし、この温度制御に
よる光出力制御は通常行なわれており、本発明の要旨で
はないのでこれ以上の説明は省略する。
このようにフィードバック制御された半導体レーザ１
から発生する波長λ１、λ２のレーザ光PB（Ｉ）を第３
図に示すように被検領域Ｋに通過させ、光センサ５と同
じ光センサ12で受光し、ロックインアンプ13で変調周波
数成分（すなわちｆ成分）を検出する。その被検領域Ｋ
にもしメタンガスが存在しなければロックインアンプ13
の出力は０であるが、メタンガスMG（破線で囲んで示
す）が存在する場合には、その領域における漏洩メタン
のメタン圧をＣ、漏洩長さをＬとすると領域Ｋを通過後
の光出力PB（Ｉ）は次の式で表わすことができる。
から発生する波長λ１、λ２のレーザ光PB（Ｉ）を第３
図に示すように被検領域Ｋに通過させ、光センサ５と同
じ光センサ12で受光し、ロックインアンプ13で変調周波
数成分（すなわちｆ成分）を検出する。その被検領域Ｋ
にもしメタンガスが存在しなければロックインアンプ13
の出力は０であるが、メタンガスMG（破線で囲んで示
す）が存在する場合には、その領域における漏洩メタン
のメタン圧をＣ、漏洩長さをＬとすると領域Ｋを通過後
の光出力PB（Ｉ）は次の式で表わすことができる。
そこで上記（１）式を考慮すると、PB（Ｉ）のうちの
変調周波数成分は、 となり、αCL《１の低メタン量領域ではCLに比例した光
出力となる。この変調周波数成分をレコーダ14で記録す
れば漏洩メタンの有無や漏洩量が得られる。
変調周波数成分は、 となり、αCL《１の低メタン量領域ではCLに比例した光
出力となる。この変調周波数成分をレコーダ14で記録す
れば漏洩メタンの有無や漏洩量が得られる。
上記実施例では半導体レーザから出力する２波長のレ
ーザ光の出力を等しくするのにメタンセルを用いたが、
メタンセルの代りに半導体レーザの共振器を構成するレ
ーザ両端面に波長特性のある誘電体コーティングを施し
てもよい。
ーザ光の出力を等しくするのにメタンセルを用いたが、
メタンセルの代りに半導体レーザの共振器を構成するレ
ーザ両端面に波長特性のある誘電体コーティングを施し
てもよい。
本発明は半導体レーザについて例示したが、これに限
らず発振波長がアナログ的に変化する、たとえば色素レ
ーザのようなレーザにも適用することができる。
らず発振波長がアナログ的に変化する、たとえば色素レ
ーザのようなレーザにも適用することができる。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明においては、駆動電流に
応じた波長および出力のレーザ光を発振するレーザを用
い、所定の電流を中心として異なる２つの駆動電流でレ
ーザを変調して異なる２波長のレーザ光を発振せしめ、
レーザ光の変調周波数成分が０になるように駆動電流に
フィードバックをかけるように構成したので、簡潔な構
成および制御で２波長発振レーザが実現できる。
応じた波長および出力のレーザ光を発振するレーザを用
い、所定の電流を中心として異なる２つの駆動電流でレ
ーザを変調して異なる２波長のレーザ光を発振せしめ、
レーザ光の変調周波数成分が０になるように駆動電流に
フィードバックをかけるように構成したので、簡潔な構
成および制御で２波長発振レーザが実現できる。
本発明による２波長発振レーザ装置を用いて気体検知
システムを構成すれば、１台のレーザですむので使用す
るミラーやハーフミラーが少なくなって光学系が簡潔に
なり光損失が減少するとともに光軸調整の煩わしさが減
少する。また、レーザの駆動中心電流の変調を電気的に
行なっているので、従来のメカニカルチョッパーより高
い周波数での変調が可能になりSN比を改善することがで
きる。また、２波長を分離して検出する必要がないため
に測定系（たとえばロックインアンプを含む信号処理
系）が極めて簡潔になる。
システムを構成すれば、１台のレーザですむので使用す
るミラーやハーフミラーが少なくなって光学系が簡潔に
なり光損失が減少するとともに光軸調整の煩わしさが減
少する。また、レーザの駆動中心電流の変調を電気的に
行なっているので、従来のメカニカルチョッパーより高
い周波数での変調が可能になりSN比を改善することがで
きる。また、２波長を分離して検出する必要がないため
に測定系（たとえばロックインアンプを含む信号処理
系）が極めて簡潔になる。
さらに、本発明によるレーザ装置を用い発振レーザ光
を光ファイバーで導けば遠隔、広域での気体検知が可能
になり、ガス漏れ検知をはじめとして工業計測や公害監
視などその応用分野は極めて広いと考えられる。
を光ファイバーで導けば遠隔、広域での気体検知が可能
になり、ガス漏れ検知をはじめとして工業計測や公害監
視などその応用分野は極めて広いと考えられる。
第１図は本発明による２波長発振レーザ装置の一実施例
の概略線図、第２図は半導体レーザの駆動電流とメタン
吸収係数αとの関係を示す特性図、第３図は本発明によ
る２波長発振レーザ装置により発生されるレーザ光を用
いて漏洩メタンの検出を行う系の概略線図、第４図は半
導体レーザの駆動電流とレーザ光出力との関係を示す特
性図、第５図は半導体レーザの駆動電流と発振レーザ光
の波長との関係を示す特性図である。 １……半導体レーザ、３……メタンセル、４……ビーム
スプリッタ、５……光センサ、６……ロックイナンプ、
７……発振器、８……積分器、９……電流制御回路
の概略線図、第２図は半導体レーザの駆動電流とメタン
吸収係数αとの関係を示す特性図、第３図は本発明によ
る２波長発振レーザ装置により発生されるレーザ光を用
いて漏洩メタンの検出を行う系の概略線図、第４図は半
導体レーザの駆動電流とレーザ光出力との関係を示す特
性図、第５図は半導体レーザの駆動電流と発振レーザ光
の波長との関係を示す特性図である。 １……半導体レーザ、３……メタンセル、４……ビーム
スプリッタ、５……光センサ、６……ロックイナンプ、
７……発振器、８……積分器、９……電流制御回路
Claims (1)
- 【請求項１】駆動電流に応じた波長および出力のレーザ
光を発振するレーザと、該レーザを所定の電流値を中心
とする異なる２つの電流値で変調して駆動するレーザ駆
動回路と、前記レーザにより発振する２波長成分の出力
をほぼ等しく調整する出力調整手段と、レーザ出力の変
調周波数成分がほぼ０になるよるに前記レーザ駆動回路
の前記所定の電流値を制御する電流制御回路とを有する
ことを特徴とする２波長発振レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13179386A JPH0815225B2 (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | ２波長発振レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13179386A JPH0815225B2 (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | ２波長発振レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62290190A JPS62290190A (ja) | 1987-12-17 |
| JPH0815225B2 true JPH0815225B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=15066261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13179386A Expired - Lifetime JPH0815225B2 (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | ２波長発振レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0815225B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0315742A (ja) * | 1989-03-23 | 1991-01-24 | Anritsu Corp | ガス検出装置 |
| JPH0830680B2 (ja) * | 1990-10-15 | 1996-03-27 | アンリツ株式会社 | ガス検出装置 |
-
1986
- 1986-06-09 JP JP13179386A patent/JPH0815225B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62290190A (ja) | 1987-12-17 |
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