JPH08153310A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH08153310A JPH08153310A JP6293469A JP29346994A JPH08153310A JP H08153310 A JPH08153310 A JP H08153310A JP 6293469 A JP6293469 A JP 6293469A JP 29346994 A JP29346994 A JP 29346994A JP H08153310 A JPH08153310 A JP H08153310A
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- guide layer
- layer
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- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
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- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 バルクハウゼンノイズの発生をほぼ皆無とす
るとともに、極めて高い出力を有し、製造過程における
各製品毎のヘッド諸特性のばらつきを抑えて歩留り及び
信頼性の大幅な向上を図る。 【構成】 フラックスガイド層１７ｂの両端部２２，２
３上にそれぞれ永久磁石として機能するハード膜２４，
２５を成膜してＭＲ薄膜ヘッドを構成する。
るとともに、極めて高い出力を有し、製造過程における
各製品毎のヘッド諸特性のばらつきを抑えて歩留り及び
信頼性の大幅な向上を図る。 【構成】 フラックスガイド層１７ｂの両端部２２，２
３上にそれぞれ永久磁石として機能するハード膜２４，
２５を成膜してＭＲ薄膜ヘッドを構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体からの記
録磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果を有する
磁性層が設けられ、抵抗変化を再生出力電圧として検出
する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関する。
録磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果を有する
磁性層が設けられ、抵抗変化を再生出力電圧として検出
する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置における小型
大容量化が進行する中で、特にノート型パーソナルコン
ピュータに代表されるような可搬型コンピュータへの適
用が考慮される用途では、例えば２．５インチ程度の小
型ハードディスク装置に対する要求が高まっている。
大容量化が進行する中で、特にノート型パーソナルコン
ピュータに代表されるような可搬型コンピュータへの適
用が考慮される用途では、例えば２．５インチ程度の小
型ハードディスク装置に対する要求が高まっている。
【０００３】このような小型ハードディスクでは、ディ
スク径に依存して媒体速度が遅くなるため、再生出力が
媒体速度に依存する従来の誘導型磁気ヘッドでは、再生
出力が低下し、大容量化の妨げとなっている。
スク径に依存して媒体速度が遅くなるため、再生出力が
媒体速度に依存する従来の誘導型磁気ヘッドでは、再生
出力が低下し、大容量化の妨げとなっている。
【０００４】これに対して、磁界によって抵抗率が変化
する磁気抵抗効果を有する磁性層（以下、単にＭＲ素子
と称する。）の抵抗変化を再生出力電圧として検出する
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下、単にＭＲ薄膜ヘ
ッドと称する。）は、その再生出力が媒体速度に依存せ
ず、低媒体速度でも高再生出力が得られるという特徴を
有するため、小型ハードディスクにおいて大容量化を実
現する磁気ヘッドとして注目されている。
する磁気抵抗効果を有する磁性層（以下、単にＭＲ素子
と称する。）の抵抗変化を再生出力電圧として検出する
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下、単にＭＲ薄膜ヘ
ッドと称する。）は、その再生出力が媒体速度に依存せ
ず、低媒体速度でも高再生出力が得られるという特徴を
有するため、小型ハードディスクにおいて大容量化を実
現する磁気ヘッドとして注目されている。
【０００５】このＭＲ薄膜ヘッドは、遷移金属に見られ
る磁化の向きとその内部を流れる電流の向きのなす角に
よって電気抵抗値が変化する、いわゆる磁気抵抗効果を
利用した再生用磁気ヘッドである。すなわち、磁気記録
媒体からの漏洩磁束を上記ＭＲ素子が受けると、その磁
束により上記ＭＲ素子の磁化の向きが反転し、上記ＭＲ
素子内部に流れる電流の向きに対して磁性量に応じた角
度をもつようになる。それ故に上記ＭＲ素子の電気抵抗
値が変化し、この変化量に応じた電圧変化がセンス電流
が流れているＭＲ素子の両端の電極に現れる。したがっ
て、この電圧変化を電圧信号として磁気記録信号を読み
だせることになる。このとき、ＭＲ素子の動作点が、外
部磁界に対して抵抗変化の線形性が優れ且つ最もＭＲ素
子の抵抗変化の大きくなる点、すなわち最適バイアスポ
イントとなるようにバイアス磁界を印加する。
る磁化の向きとその内部を流れる電流の向きのなす角に
よって電気抵抗値が変化する、いわゆる磁気抵抗効果を
利用した再生用磁気ヘッドである。すなわち、磁気記録
媒体からの漏洩磁束を上記ＭＲ素子が受けると、その磁
束により上記ＭＲ素子の磁化の向きが反転し、上記ＭＲ
素子内部に流れる電流の向きに対して磁性量に応じた角
度をもつようになる。それ故に上記ＭＲ素子の電気抵抗
値が変化し、この変化量に応じた電圧変化がセンス電流
が流れているＭＲ素子の両端の電極に現れる。したがっ
て、この電圧変化を電圧信号として磁気記録信号を読み
だせることになる。このとき、ＭＲ素子の動作点が、外
部磁界に対して抵抗変化の線形性が優れ且つ最もＭＲ素
子の抵抗変化の大きくなる点、すなわち最適バイアスポ
イントとなるようにバイアス磁界を印加する。
【０００６】上記ＭＲ薄膜ヘッドは、所定の基板上に、
薄膜技術により上記ＭＲ素子や電極膜、絶縁層等を成膜
し、フォトリソ技術によってこれらを所定形状にエッチ
ングすることにより形成され、再生時のギャップ長を規
定して不要な磁束の上記ＭＲ素子への浸入を防止するた
めに、シールド材となる下部磁性磁極及び上部磁性磁極
を上下に配したシールド構造を採用している。
薄膜技術により上記ＭＲ素子や電極膜、絶縁層等を成膜
し、フォトリソ技術によってこれらを所定形状にエッチ
ングすることにより形成され、再生時のギャップ長を規
定して不要な磁束の上記ＭＲ素子への浸入を防止するた
めに、シールド材となる下部磁性磁極及び上部磁性磁極
を上下に配したシールド構造を採用している。
【０００７】具体的に、例えば、センス電流がトラック
幅方向と直交する方向に流れる、いわゆる縦型のＭＲ薄
膜ヘッドは、非磁性の基板上に絶縁層，下部磁性磁極と
なる軟磁性膜及びＡｌ2 Ｏ3 或はＳｉＯ2 を材料とする
絶縁層が順次積層され、この絶縁層上に、ＭＲ素子が、
その長手方向が磁気記録媒体との対向面（磁気記録媒体
摺動面）と垂直になるように配され、且つその一方の端
面が磁気記録媒体摺動面に露出するかたちに形成されて
いる。さらに、ＭＲ素子の両端部上に、このＭＲ素子に
センス電流を提供するための前端電極及び後端電極が設
けられ、上記ＭＲ素子上にＡｌ2 Ｏ3 或はＳｉＯ2 を材
料とする絶縁層が形成されている。この絶縁層は上記前
端及び後端電極により狭持されたかたちとされている。
この絶縁層上には上記ＭＲ素子と対向して当該ＭＲ素子
にバイアス磁界を印加するためのバイアス導体が配され
て、さらにこの上に絶縁層が形成され、上記絶縁層上に
上部磁性磁極となる軟磁性膜が積層されて上記ＭＲ薄膜
ヘッドが構成されている。
幅方向と直交する方向に流れる、いわゆる縦型のＭＲ薄
膜ヘッドは、非磁性の基板上に絶縁層，下部磁性磁極と
なる軟磁性膜及びＡｌ2 Ｏ3 或はＳｉＯ2 を材料とする
絶縁層が順次積層され、この絶縁層上に、ＭＲ素子が、
その長手方向が磁気記録媒体との対向面（磁気記録媒体
摺動面）と垂直になるように配され、且つその一方の端
面が磁気記録媒体摺動面に露出するかたちに形成されて
いる。さらに、ＭＲ素子の両端部上に、このＭＲ素子に
センス電流を提供するための前端電極及び後端電極が設
けられ、上記ＭＲ素子上にＡｌ2 Ｏ3 或はＳｉＯ2 を材
料とする絶縁層が形成されている。この絶縁層は上記前
端及び後端電極により狭持されたかたちとされている。
この絶縁層上には上記ＭＲ素子と対向して当該ＭＲ素子
にバイアス磁界を印加するためのバイアス導体が配され
て、さらにこの上に絶縁層が形成され、上記絶縁層上に
上部磁性磁極となる軟磁性膜が積層されて上記ＭＲ薄膜
ヘッドが構成されている。
【０００８】上記ＭＲ薄膜ヘッドは、ＭＲ素子を上部磁
性磁極及び下部磁性磁極で挟む構造としているため、上
部及び下部磁性磁極のないものと比較して、再生出力の
Ｓ／Ｎ及び記録密度を向上させることができる。
性磁極及び下部磁性磁極で挟む構造としているため、上
部及び下部磁性磁極のないものと比較して、再生出力の
Ｓ／Ｎ及び記録密度を向上させることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記縦型の
ＭＲ薄膜ヘッドにおいては、センス電流をＭＲセンサに
対して磁気記録媒体摺動面に垂直に流すために前端電極
を接地することが可能であり、構造上、静電破壊に対す
る耐性に優れているという特徴がある。ところが、ＭＲ
素子の前端電極直下部分は磁気記録媒体からの信号磁界
を感磁しないいわゆる不感磁部となる。上記ＭＲ薄膜ヘ
ッドにおいては、磁気記録媒体からの信号磁界はＭＲセ
ンサの先端部ほど大きいため、再生出力を２０％程犠牲
にする一方で静電破壊に対する信頼性を得ている。
ＭＲ薄膜ヘッドにおいては、センス電流をＭＲセンサに
対して磁気記録媒体摺動面に垂直に流すために前端電極
を接地することが可能であり、構造上、静電破壊に対す
る耐性に優れているという特徴がある。ところが、ＭＲ
素子の前端電極直下部分は磁気記録媒体からの信号磁界
を感磁しないいわゆる不感磁部となる。上記ＭＲ薄膜ヘ
ッドにおいては、磁気記録媒体からの信号磁界はＭＲセ
ンサの先端部ほど大きいため、再生出力を２０％程犠牲
にする一方で静電破壊に対する信頼性を得ている。
【００１０】そこで、この再生出力の低下を補うため
に、高透磁率の軟磁性材よりなるフラックスガイド層を
設けることが提案されている。このフラックスガイド層
は、図７に示すように、ＭＲ素子１０１の後端部上に２
層構造に成膜されてなるものであり、高透磁率の軟磁性
材、例えばＴａよりなる下地層１０２上に、Ｎｉ−Ｆｅ
メッキ成膜のための中間層１０３とＮｉ−Ｆｅメッキ成
膜により成膜されるメッキ層１０４とが順次成膜され構
成されている。下地層１０２上に直接メッキ層１０４を
メッキ成膜することができないために、中間層１０３を
設ける必要がある。さらに、中間層１０３を用いて磁気
異方性の管理することが可能であり、この磁気異方性に
従ってメッキ層１０４が成長することになる。また、下
地層１０２は中間層１０３の磁気異方性の付与を促進す
る働きをする。
に、高透磁率の軟磁性材よりなるフラックスガイド層を
設けることが提案されている。このフラックスガイド層
は、図７に示すように、ＭＲ素子１０１の後端部上に２
層構造に成膜されてなるものであり、高透磁率の軟磁性
材、例えばＴａよりなる下地層１０２上に、Ｎｉ−Ｆｅ
メッキ成膜のための中間層１０３とＮｉ−Ｆｅメッキ成
膜により成膜されるメッキ層１０４とが順次成膜され構
成されている。下地層１０２上に直接メッキ層１０４を
メッキ成膜することができないために、中間層１０３を
設ける必要がある。さらに、中間層１０３を用いて磁気
異方性の管理することが可能であり、この磁気異方性に
従ってメッキ層１０４が成長することになる。また、下
地層１０２は中間層１０３の磁気異方性の付与を促進す
る働きをする。
【００１１】ここで、上記フラックスガイド層は、その
形状異方性を用いてＭＲ素子に対する磁気的安定性を得
るために、図８に示すように磁気記録媒体摺動方向に横
長形状、すなわち当該フラックスガイド層の横幅Ｌ１と
縦幅Ｗ１についてＬ１＞Ｗ１とされ、しかも角部を有し
ない形状であることが必要である。ところがこの場合、
フラックスガイド層は、自らが磁極を発生させないよう
に図中矢印Ｍで示すような環流磁区を形成する。この環
流磁区により生じる磁壁１０５が、センス電流により発
生する磁界やバイアス磁界、外乱磁界等によって急激に
移動すると、ＭＲ素子１０１の磁化状態も急激に変化
し、いわゆるバルクハウゼンノイズが発生して磁気ヘッ
ド動作が不安定化する虞れがある。またこのとき、フラ
ックスガイド層の磁気抵抗が変化してＭＲ素子１０１へ
のバイアス磁界が変化し、最適バイアスポイントからず
れて出力低下が引き起こされる可能性がある。さらに、
上記ＭＲ薄膜ヘッドの作製上、各ＭＲ薄膜ヘッドのフラ
ックスガイド層の磁化状態を一定とすることは極めて困
難であり、各製品間でバイアス磁界量にばらつきが生じ
てしまうという問題がある。
形状異方性を用いてＭＲ素子に対する磁気的安定性を得
るために、図８に示すように磁気記録媒体摺動方向に横
長形状、すなわち当該フラックスガイド層の横幅Ｌ１と
縦幅Ｗ１についてＬ１＞Ｗ１とされ、しかも角部を有し
ない形状であることが必要である。ところがこの場合、
フラックスガイド層は、自らが磁極を発生させないよう
に図中矢印Ｍで示すような環流磁区を形成する。この環
流磁区により生じる磁壁１０５が、センス電流により発
生する磁界やバイアス磁界、外乱磁界等によって急激に
移動すると、ＭＲ素子１０１の磁化状態も急激に変化
し、いわゆるバルクハウゼンノイズが発生して磁気ヘッ
ド動作が不安定化する虞れがある。またこのとき、フラ
ックスガイド層の磁気抵抗が変化してＭＲ素子１０１へ
のバイアス磁界が変化し、最適バイアスポイントからず
れて出力低下が引き起こされる可能性がある。さらに、
上記ＭＲ薄膜ヘッドの作製上、各ＭＲ薄膜ヘッドのフラ
ックスガイド層の磁化状態を一定とすることは極めて困
難であり、各製品間でバイアス磁界量にばらつきが生じ
てしまうという問題がある。
【００１２】このように、現在のところ、ＭＲ薄膜ヘッ
ドにおいてバルクハウゼンノイズの発生等を抑え、且つ
高出力を保持することは非常に困難であり、そのための
方法が模索されている現状である。
ドにおいてバルクハウゼンノイズの発生等を抑え、且つ
高出力を保持することは非常に困難であり、そのための
方法が模索されている現状である。
【００１３】本発明は、上述の様々な課題に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、バルクハウ
ゼンノイズの発生がほぼ皆無となるとともに、極めて高
い出力を有し、製造過程における各製品毎のヘッド諸特
性のばらつきを抑えて歩留り及び信頼性の大幅な向上を
図ることが可能となるＭＲ薄膜ヘッドを提供することに
ある。
れたものであり、その目的とするところは、バルクハウ
ゼンノイズの発生がほぼ皆無となるとともに、極めて高
い出力を有し、製造過程における各製品毎のヘッド諸特
性のばらつきを抑えて歩留り及び信頼性の大幅な向上を
図ることが可能となるＭＲ薄膜ヘッドを提供することに
ある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の対象となるもの
は、磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果を有す
る薄膜形成技術により成膜されてなる磁性層（ＭＲ素
子）が設けられてなり、当該ＭＲ素子の抵抗変化を再生
出力電圧として検出する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
（ＭＲ薄膜ヘッド）であり、主に磁気抵抗効果を有する
磁性層がその長手方向が磁気記録媒体摺動方向と直交す
る方向に設けられ、当該磁性層の長手方向の上下部に前
端電極及び後端電極が成膜されて、上記磁性層に対して
トラック幅方向と直交する方向にセンス電流を供給する
いわゆる縦型のＭＲ薄膜ヘッドに主眼をおいている。
は、磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果を有す
る薄膜形成技術により成膜されてなる磁性層（ＭＲ素
子）が設けられてなり、当該ＭＲ素子の抵抗変化を再生
出力電圧として検出する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
（ＭＲ薄膜ヘッド）であり、主に磁気抵抗効果を有する
磁性層がその長手方向が磁気記録媒体摺動方向と直交す
る方向に設けられ、当該磁性層の長手方向の上下部に前
端電極及び後端電極が成膜されて、上記磁性層に対して
トラック幅方向と直交する方向にセンス電流を供給する
いわゆる縦型のＭＲ薄膜ヘッドに主眼をおいている。
【００１５】本発明のＭＲ薄膜ヘッドは、磁気抵抗効果
を有する磁性層と、当該磁性層の一端部に成膜されてな
る高透磁率の軟磁性材よりなるフラックスガイド層とを
有し、上記フラックスガイド層の両端部にそれぞれ永久
磁石として機能するハード膜が成膜されてなることを特
徴とするものである。
を有する磁性層と、当該磁性層の一端部に成膜されてな
る高透磁率の軟磁性材よりなるフラックスガイド層とを
有し、上記フラックスガイド層の両端部にそれぞれ永久
磁石として機能するハード膜が成膜されてなることを特
徴とするものである。
【００１６】このとき、フラックスガイド層は、具体的
にはＮｉ−Ｆｅ系合金或はＣｏ−Ｚｒ系アモルファス合
金等を材料とすることが好ましく、ハード膜は、ＣＯ−
Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｓｍ−Ｃｏ系合金、Ｎ
ｄ−Ｆｅ系合金、フェライト等から選ばれた少なくとも
１種を材料とすることが望ましい。
にはＮｉ−Ｆｅ系合金或はＣｏ−Ｚｒ系アモルファス合
金等を材料とすることが好ましく、ハード膜は、ＣＯ−
Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｓｍ−Ｃｏ系合金、Ｎ
ｄ−Ｆｅ系合金、フェライト等から選ばれた少なくとも
１種を材料とすることが望ましい。
【００１７】また、フラックスガイド層の密着性等を考
慮して、当該フラックスガイド層をＴａ或はＣｒ等より
なる下地層を介して成膜することが好ましい。
慮して、当該フラックスガイド層をＴａ或はＣｒ等より
なる下地層を介して成膜することが好ましい。
【００１８】
【作用】本発明に係るＭＲ薄膜ヘッドにおいては、ＭＲ
素子の一端部に成膜されてなる高透磁率の軟磁性材より
なるフラックスガイド層の両端部にそれぞれ永久磁石と
して機能するハード膜が成膜されている。すなわち、上
記ハード膜に所定の着磁を施して発生磁界を磁気記録媒
体摺動方向に印加させると、当該フラックスガイド層に
は環流磁区が生じることなく一方のハード膜から他方の
ハード膜への一方向の磁界が発生して単磁区状態とな
る。したがって、フラックスガイド層における磁壁の発
生がほぼ皆無となり、必然的に磁壁の移動によるバルク
ハウゼンノイズの発生やそれに伴う磁気ヘッド動作の不
安定化、出力低下等が抑止されることになる。
素子の一端部に成膜されてなる高透磁率の軟磁性材より
なるフラックスガイド層の両端部にそれぞれ永久磁石と
して機能するハード膜が成膜されている。すなわち、上
記ハード膜に所定の着磁を施して発生磁界を磁気記録媒
体摺動方向に印加させると、当該フラックスガイド層に
は環流磁区が生じることなく一方のハード膜から他方の
ハード膜への一方向の磁界が発生して単磁区状態とな
る。したがって、フラックスガイド層における磁壁の発
生がほぼ皆無となり、必然的に磁壁の移動によるバルク
ハウゼンノイズの発生やそれに伴う磁気ヘッド動作の不
安定化、出力低下等が抑止されることになる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッド（以下、単にＭＲ薄膜ヘッドと称する）の実施例
を図面を参照しながら詳細に説明する。
ヘッド（以下、単にＭＲ薄膜ヘッドと称する）の実施例
を図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２０】この実施例に係るＭＲ薄膜ヘッドは、図１
に示すように、長手方向が磁気記録媒体摺動面ａと直交
するように形成された磁気抵抗効果を有する磁性層１
（以下、単にＭＲ素子１と称する）が下部磁性磁極２と
上部磁性磁極３とで挟まれた構造となっており、いわゆ
る縦型の薄膜磁気ヘッドとして構成されている。
に示すように、長手方向が磁気記録媒体摺動面ａと直交
するように形成された磁気抵抗効果を有する磁性層１
（以下、単にＭＲ素子１と称する）が下部磁性磁極２と
上部磁性磁極３とで挟まれた構造となっており、いわゆ
る縦型の薄膜磁気ヘッドとして構成されている。
【００２１】具体的には、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣよりなる
非磁性基板１１上に、絶縁層１２を介してＮｉ−Ｆｅ等
よりなるシールド磁性膜である下部磁性磁極２が成膜さ
れ、この下部磁性磁極２の表面上に二酸化珪素（ＳｉＯ
2 ）よりなる絶縁層１３が積層されている。
非磁性基板１１上に、絶縁層１２を介してＮｉ−Ｆｅ等
よりなるシールド磁性膜である下部磁性磁極２が成膜さ
れ、この下部磁性磁極２の表面上に二酸化珪素（ＳｉＯ
2 ）よりなる絶縁層１３が積層されている。
【００２２】そして、上記絶縁層１３上に上記ＭＲ素子
１が形成され、さらにこのＭＲ素子１の近傍の所定箇所
にＳｉＯ2 よりなる絶縁層１４が成膜され、ＭＲ素子１
上に絶縁層１８を介して当該ＭＲ素子１の構成要素であ
る後述するＭＲ素子１にバイアス磁界を印加するための
バイアス導体１５が成膜されている。そして更にこのバ
イアス導体１５上にＳｉＯ2 よりなる絶縁層１６が形成
され、その上にＮｉ−Ｆｅ等の磁性膜による上部磁性磁
極３が成膜されて上記ＭＲ薄膜ヘッドが構成されてい
る。
１が形成され、さらにこのＭＲ素子１の近傍の所定箇所
にＳｉＯ2 よりなる絶縁層１４が成膜され、ＭＲ素子１
上に絶縁層１８を介して当該ＭＲ素子１の構成要素であ
る後述するＭＲ素子１にバイアス磁界を印加するための
バイアス導体１５が成膜されている。そして更にこのバ
イアス導体１５上にＳｉＯ2 よりなる絶縁層１６が形成
され、その上にＮｉ−Ｆｅ等の磁性膜による上部磁性磁
極３が成膜されて上記ＭＲ薄膜ヘッドが構成されてい
る。
【００２３】なお、バイアス導体１５の配置位置及びそ
のパターンは種々の構造を取り得るものであり、例えば
２層構造や渦巻構造とすることも可能である。また、こ
のような通電による誘導磁界を利用するに限らず、永久
磁石薄膜を設けることもできる。
のパターンは種々の構造を取り得るものであり、例えば
２層構造や渦巻構造とすることも可能である。また、こ
のような通電による誘導磁界を利用するに限らず、永久
磁石薄膜を設けることもできる。
【００２４】また、絶縁層１３，１４の材料としてＳｉ
Ｏ2 の代わりに酸化ベリリウムや窒化アルミニウム等を
用いてもよい。
Ｏ2 の代わりに酸化ベリリウムや窒化アルミニウム等を
用いてもよい。
【００２５】ここで、上記ＭＲ薄膜ヘッドにおいては、
上記ＭＲ素子１を、その長手方向が磁気記録媒体との対
向面、即ち磁気記録媒体摺動面ａと垂直になるように配
置し、その一方の端面を磁気記録媒体摺動面ａに露出さ
せたかたちとなっている。このＭＲ素子１の磁気記録媒
体摺動面ａ側の一端部分と、この一端部分から所定距離
隔てた部分に、それぞれ導電膜による電極である前端電
極１７ａ及び後端電極としても機能する後述のフラック
スガイド層１７ｂが形成されている。これら前端電極１
７ａ及びフラックスガイド層１７ｂは、ＭＲ素子１の長
手方向に沿って（即ち、上記磁気記録媒体摺動面ａと直
交する方向に）センス電流を流す目的で形成される。す
なわち、前端電極１７ａ及びフラックスガイド層１７ｂ
により上記ＭＲ素子１及び絶縁層１８が狭持されたかた
ちとなっている。このとき、上記ＭＲ薄膜ヘッドにおい
ては、ＭＲ素子１中、前端電極１７ａ及びフラックスガ
イド層１７ｂ間の領域が磁気抵抗効果を示すことにな
る。
上記ＭＲ素子１を、その長手方向が磁気記録媒体との対
向面、即ち磁気記録媒体摺動面ａと垂直になるように配
置し、その一方の端面を磁気記録媒体摺動面ａに露出さ
せたかたちとなっている。このＭＲ素子１の磁気記録媒
体摺動面ａ側の一端部分と、この一端部分から所定距離
隔てた部分に、それぞれ導電膜による電極である前端電
極１７ａ及び後端電極としても機能する後述のフラック
スガイド層１７ｂが形成されている。これら前端電極１
７ａ及びフラックスガイド層１７ｂは、ＭＲ素子１の長
手方向に沿って（即ち、上記磁気記録媒体摺動面ａと直
交する方向に）センス電流を流す目的で形成される。す
なわち、前端電極１７ａ及びフラックスガイド層１７ｂ
により上記ＭＲ素子１及び絶縁層１８が狭持されたかた
ちとなっている。このとき、上記ＭＲ薄膜ヘッドにおい
ては、ＭＲ素子１中、前端電極１７ａ及びフラックスガ
イド層１７ｂ間の領域が磁気抵抗効果を示すことにな
る。
【００２６】フラックスガイド層１７ｂは、図２に示す
ように、Ｃｒ，Ｔａ等よりなる下地層２１上に、Ｃｏ−
Ｚｒ系アモルファス合金を材料としてスパッタ法により
成膜形成されている。このフラックスガイド層１７ｂの
材料としては、いわゆるべた膜の状態で初透磁率μが２
０００より大となる軟磁性材であればよく、例えばＮｉ
−Ｆｅを用いてもよい。但しこの場合、下地層２１上に
Ｎｉ−Ｆｅよりなるフラックスガイド層を直接メッキ成
膜することができないために下地層２１とフラックスガ
イド層との間に中間層を設ける必要がある。
ように、Ｃｒ，Ｔａ等よりなる下地層２１上に、Ｃｏ−
Ｚｒ系アモルファス合金を材料としてスパッタ法により
成膜形成されている。このフラックスガイド層１７ｂの
材料としては、いわゆるべた膜の状態で初透磁率μが２
０００より大となる軟磁性材であればよく、例えばＮｉ
−Ｆｅを用いてもよい。但しこの場合、下地層２１上に
Ｎｉ−Ｆｅよりなるフラックスガイド層を直接メッキ成
膜することができないために下地層２１とフラックスガ
イド層との間に中間層を設ける必要がある。
【００２７】そして特に、本実施例においては、図３及
び図４に示すように、フラックスガイド層１７ｂの両端
部２２，２３上にそれぞれ永久磁石として機能するハー
ド膜２４，２５が成膜されている。これらハード膜２
４，２５は、ＣＯ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｓ
ｍ−Ｃｏ系合金、Ｎｄ−Ｆｅ系合金、或はフェライト等
の永久磁石材よりなり、磁気記録媒体摺動方向に横長の
平面形状に成膜形成されている。このとき、各ハード膜
２４，２５の横幅Ｌ２及び縦幅Ｗ２（Ｌ２＞Ｗ２）は、
フラックスガイド層１７ｂの横幅Ｌ１及び縦幅Ｗ２（Ｌ
１＞Ｗ１）よりも大とされている。
び図４に示すように、フラックスガイド層１７ｂの両端
部２２，２３上にそれぞれ永久磁石として機能するハー
ド膜２４，２５が成膜されている。これらハード膜２
４，２５は、ＣＯ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｓ
ｍ−Ｃｏ系合金、Ｎｄ−Ｆｅ系合金、或はフェライト等
の永久磁石材よりなり、磁気記録媒体摺動方向に横長の
平面形状に成膜形成されている。このとき、各ハード膜
２４，２５の横幅Ｌ２及び縦幅Ｗ２（Ｌ２＞Ｗ２）は、
フラックスガイド層１７ｂの横幅Ｌ１及び縦幅Ｗ２（Ｌ
１＞Ｗ１）よりも大とされている。
【００２８】なお、フラックスガイド層１７ｂは、上記
図３に示すように、従来の如く角部を有しない形状とす
る必要は特になく、図５に示すように長方形状のものと
してもよい。また、フラックスガイド層１７ｂ及びハー
ド膜２４或はハード膜２５の総膜厚は１００〜４００ｎ
ｍ程度とされている。
図３に示すように、従来の如く角部を有しない形状とす
る必要は特になく、図５に示すように長方形状のものと
してもよい。また、フラックスガイド層１７ｂ及びハー
ド膜２４或はハード膜２５の総膜厚は１００〜４００ｎ
ｍ程度とされている。
【００２９】上記ＭＲ薄膜ヘッドにおいては、磁気記録
媒体からの漏洩磁束をＭＲ素子１が受けると、その磁束
によりＭＲ素子１の磁化の向きが反転し、ＭＲ素子１の
内部に流れる電流の向きに対して磁性量に応じた角度を
もつようになる。それ故に上記ＭＲ素子１の電気抵抗値
が変化し、この変化量に応じた電圧変化がセンス電流が
流れているＭＲ素子１の両端の電極に現れる。したがっ
て、この電圧変化を電圧信号として磁気記録信号を読み
出せることになる。このとき、図６に示すように、ＭＲ
素子の動作点Ａが、外部磁界Ｈに対して抵抗変化の線形
性が優れ且つ最もＭＲ素子の抵抗Ｒの変化量の大きくな
る点、すなわち最適バイアスポイントとなるようにバイ
アス磁界Ｈｂを印加する。このようにして、上記の如く
ＭＲ素子１にセンス電流を供給すると、入力された信号
磁界ΔＨｓが抵抗変化ΔＲに伴って電圧出力ΔＶとして
取り出すことができる。
媒体からの漏洩磁束をＭＲ素子１が受けると、その磁束
によりＭＲ素子１の磁化の向きが反転し、ＭＲ素子１の
内部に流れる電流の向きに対して磁性量に応じた角度を
もつようになる。それ故に上記ＭＲ素子１の電気抵抗値
が変化し、この変化量に応じた電圧変化がセンス電流が
流れているＭＲ素子１の両端の電極に現れる。したがっ
て、この電圧変化を電圧信号として磁気記録信号を読み
出せることになる。このとき、図６に示すように、ＭＲ
素子の動作点Ａが、外部磁界Ｈに対して抵抗変化の線形
性が優れ且つ最もＭＲ素子の抵抗Ｒの変化量の大きくな
る点、すなわち最適バイアスポイントとなるようにバイ
アス磁界Ｈｂを印加する。このようにして、上記の如く
ＭＲ素子１にセンス電流を供給すると、入力された信号
磁界ΔＨｓが抵抗変化ΔＲに伴って電圧出力ΔＶとして
取り出すことができる。
【００３０】このように、ＭＲ薄膜ヘッドにおいては、
ＭＲ素子１の一端部、ここでは後端電極を兼ねて成膜さ
れてなる高透磁率の軟磁性材よりなるフラックスガイド
層１７ｂの両端部２２，２３にそれぞれ永久磁石として
機能するハード膜２４，２５が成膜されている。すなわ
ち、上記ハード膜２４，２５に着磁を施して発生磁界を
磁気記録媒体摺動方向に印加させると、当該フラックス
ガイド層１７ｂには環流磁区が生じることなく例えば一
方のハード膜２４から他方のハード膜２５への一方向の
磁界が発生して単磁区状態となる。したがって、フラッ
クスガイド層１７ｂにおける磁壁の発生がほぼ皆無とな
り、必然的に磁壁の移動によるバルクハウゼンノイズの
発生やそれに伴う磁気ヘッド動作の不安定化、出力低下
等が抑止されることになる。
ＭＲ素子１の一端部、ここでは後端電極を兼ねて成膜さ
れてなる高透磁率の軟磁性材よりなるフラックスガイド
層１７ｂの両端部２２，２３にそれぞれ永久磁石として
機能するハード膜２４，２５が成膜されている。すなわ
ち、上記ハード膜２４，２５に着磁を施して発生磁界を
磁気記録媒体摺動方向に印加させると、当該フラックス
ガイド層１７ｂには環流磁区が生じることなく例えば一
方のハード膜２４から他方のハード膜２５への一方向の
磁界が発生して単磁区状態となる。したがって、フラッ
クスガイド層１７ｂにおける磁壁の発生がほぼ皆無とな
り、必然的に磁壁の移動によるバルクハウゼンノイズの
発生やそれに伴う磁気ヘッド動作の不安定化、出力低下
等が抑止されることになる。
【００３１】上記ＭＲ薄膜ヘッドを作製するには、先ず
Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等を材料とする非磁性基板１１上に
絶縁層１２を介して、所定のレジストパターン形成後に
例えばイオンビームエッチング法によりＮｉ−Ｆｅ等の
磁性膜による下部磁性磁極２を形成する。
Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等を材料とする非磁性基板１１上に
絶縁層１２を介して、所定のレジストパターン形成後に
例えばイオンビームエッチング法によりＮｉ−Ｆｅ等の
磁性膜による下部磁性磁極２を形成する。
【００３２】その後、下部磁性磁極２上に絶縁層１３を
積層形成し、この絶縁層１３上にＭＲ素子１を成膜す
る。すなわち、絶縁層１３上にＮｉ−Ｆｅを材料として
薄膜形成技術、すなわちスパッタ法或は真空蒸着法等の
手法により順次積層成膜した後、フォトレジストを用い
て所要のＭＲ素子１の形状にパターニングし、エッチン
グにより所要形状に形成する。
積層形成し、この絶縁層１３上にＭＲ素子１を成膜す
る。すなわち、絶縁層１３上にＮｉ−Ｆｅを材料として
薄膜形成技術、すなわちスパッタ法或は真空蒸着法等の
手法により順次積層成膜した後、フォトレジストを用い
て所要のＭＲ素子１の形状にパターニングし、エッチン
グにより所要形状に形成する。
【００３３】次いで、絶縁層１４をＭＲ素子１の近傍の
所定箇所に成膜し、前端電極１７ａ及び後端電極を兼ね
るフラックスガイド層１７ｂを成膜するための電極孔
（図示は省略する。）を形成する。すなわち、先ずレジ
ストを塗布してレジスト層を形成し、マスクを用いてレ
ジスト層を所定形状に形成する。そして、絶縁層１４に
リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）を施して所定
パターンに電極孔を形成した後に上記レジスト層を除去
する。
所定箇所に成膜し、前端電極１７ａ及び後端電極を兼ね
るフラックスガイド層１７ｂを成膜するための電極孔
（図示は省略する。）を形成する。すなわち、先ずレジ
ストを塗布してレジスト層を形成し、マスクを用いてレ
ジスト層を所定形状に形成する。そして、絶縁層１４に
リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）を施して所定
パターンに電極孔を形成した後に上記レジスト層を除去
する。
【００３４】次いで、上記ＭＲ素子１上に絶縁層１８を
介したバイアス導体１５と、Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ等を材料と
する前端電極１７ａ及びフラックスガイド層１７ｂとを
スパッタ成膜してＲＩＥエッチングを施すことにより形
成する。そして、図３或は図５中、矢印Ｎで示す方向、
すなわち磁気記録媒体摺動方向にハード膜２４，２５に
着磁を施して発生磁界を印加して、フラックスガイド層
１７ｂに上記矢印Ｎ方向に単磁区化する。
介したバイアス導体１５と、Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ等を材料と
する前端電極１７ａ及びフラックスガイド層１７ｂとを
スパッタ成膜してＲＩＥエッチングを施すことにより形
成する。そして、図３或は図５中、矢印Ｎで示す方向、
すなわち磁気記録媒体摺動方向にハード膜２４，２５に
着磁を施して発生磁界を印加して、フラックスガイド層
１７ｂに上記矢印Ｎ方向に単磁区化する。
【００３５】その後、フラックスガイド層１７ｂを成膜
した後にその両端部２２，２３上にそれぞれ永久磁石と
して機能するハード膜２４，２５を成膜する。すなわ
ち、前端電極１７ａ及びフラックスガイド層１７ｂと同
様に、レジストを塗布してレジスト層を形成し、マスク
を用いてレジスト層を所定形状に形成した後、各ハード
膜２４，２５をスパッタ成膜してＲＩＥエッチングを施
すことにより形成する。
した後にその両端部２２，２３上にそれぞれ永久磁石と
して機能するハード膜２４，２５を成膜する。すなわ
ち、前端電極１７ａ及びフラックスガイド層１７ｂと同
様に、レジストを塗布してレジスト層を形成し、マスク
を用いてレジスト層を所定形状に形成した後、各ハード
膜２４，２５をスパッタ成膜してＲＩＥエッチングを施
すことにより形成する。
【００３６】そして、前端電極１７ａ、フラックスガイ
ド層１７ｂ、及び各ハード膜２４，２５上に絶縁層１６
を成膜し、この絶縁層１６上にメッキ下地膜としてＴｉ
／Ｎｉ−Ｆｅ膜をスパッタ形成する。そして、所定のレ
ジストフレームを形成し、Ｎｉ−Ｆｅメッキを施して、
上記レジストフレームを除去して、更に所定の形状にレ
ジストを形成し、ウェットエッチングを施してレジスト
を除去することにより上部磁性磁極３を形成する。以上
の工程を経ることにより、上記ＭＲ薄膜ヘッドが完成す
る。
ド層１７ｂ、及び各ハード膜２４，２５上に絶縁層１６
を成膜し、この絶縁層１６上にメッキ下地膜としてＴｉ
／Ｎｉ−Ｆｅ膜をスパッタ形成する。そして、所定のレ
ジストフレームを形成し、Ｎｉ−Ｆｅメッキを施して、
上記レジストフレームを除去して、更に所定の形状にレ
ジストを形成し、ウェットエッチングを施してレジスト
を除去することにより上部磁性磁極３を形成する。以上
の工程を経ることにより、上記ＭＲ薄膜ヘッドが完成す
る。
【００３７】上記のように、各ＭＲ薄膜ヘッドの製品毎
にハード膜２４，２５の着磁を施す際に、当該ハード膜
２４，２５の着磁量を適宜加減することにより、フラッ
クスガイド層１７ｂの透磁率μを各ＭＲ薄膜ヘッドの製
品毎に調節することが可能であり、バイアス効率や信号
磁界の引き込み効果について各製品間でのバラツキを上
記の着磁量の調節により解消することができる。その結
果として、製品の歩留り及び信頼性の大幅な向上を図る
ことが可能となる。
にハード膜２４，２５の着磁を施す際に、当該ハード膜
２４，２５の着磁量を適宜加減することにより、フラッ
クスガイド層１７ｂの透磁率μを各ＭＲ薄膜ヘッドの製
品毎に調節することが可能であり、バイアス効率や信号
磁界の引き込み効果について各製品間でのバラツキを上
記の着磁量の調節により解消することができる。その結
果として、製品の歩留り及び信頼性の大幅な向上を図る
ことが可能となる。
【００３８】なお、本発明は上記実施例に限定されるこ
とはなく、その要旨を逸脱しない範囲内で材質、形状、
サイズ等を任意に設定することが可能である。例えば、
本例ではＭＲ薄膜ヘッドとしてＭＲ素子１がその長手方
向が磁気記録媒体摺動方向と直交する方向に設けられ、
当該ＭＲ素子１の長手方向の上下部に前端電極１７ａ及
びフラックスガイド層１７ｂが成膜されてなる縦型のＭ
Ｒ薄膜ヘッドについて説明したが、ＭＲ素子１がその長
手方向が磁気記録媒体摺動方向と平行な方向に設けら
れ、当該ＭＲ素子の長手方向の左右部に各電極が成膜さ
れてなるいわゆる横型のＭＲ薄膜ヘッドにも適用可能で
ある。この場合、ＭＲ素子の後方にフラックスガイド層
及び各ハード膜が形成されることになる。さらに、ＭＲ
素子としては、例えばＮｉ−Ｆｅ／ＣｕやＮｉ−Ｆｅ−
Ｃｏ／Ｃｕ等の２層膜が繰り返し多層成膜され形成され
てなる、いわゆる人工巨大磁気抵抗効果膜を用いてもよ
い。
とはなく、その要旨を逸脱しない範囲内で材質、形状、
サイズ等を任意に設定することが可能である。例えば、
本例ではＭＲ薄膜ヘッドとしてＭＲ素子１がその長手方
向が磁気記録媒体摺動方向と直交する方向に設けられ、
当該ＭＲ素子１の長手方向の上下部に前端電極１７ａ及
びフラックスガイド層１７ｂが成膜されてなる縦型のＭ
Ｒ薄膜ヘッドについて説明したが、ＭＲ素子１がその長
手方向が磁気記録媒体摺動方向と平行な方向に設けら
れ、当該ＭＲ素子の長手方向の左右部に各電極が成膜さ
れてなるいわゆる横型のＭＲ薄膜ヘッドにも適用可能で
ある。この場合、ＭＲ素子の後方にフラックスガイド層
及び各ハード膜が形成されることになる。さらに、ＭＲ
素子としては、例えばＮｉ−Ｆｅ／ＣｕやＮｉ−Ｆｅ−
Ｃｏ／Ｃｕ等の２層膜が繰り返し多層成膜され形成され
てなる、いわゆる人工巨大磁気抵抗効果膜を用いてもよ
い。
【００３９】
【発明の効果】本発明に係るＭＲセンサによれば、バル
クハウゼンノイズの発生がほぼ皆無となるとともに、極
めて高い出力を有し、製造過程における各製品毎のヘッ
ド諸特性のばらつきを抑えて歩留り及び信頼性の大幅な
向上を図ることが可能となる。
クハウゼンノイズの発生がほぼ皆無となるとともに、極
めて高い出力を有し、製造過程における各製品毎のヘッ
ド諸特性のばらつきを抑えて歩留り及び信頼性の大幅な
向上を図ることが可能となる。
【図１】本実施例に係るＭＲ薄膜磁気ヘッドの上部磁性
磁極を取り除いて模式的に示す断面図である。
磁極を取り除いて模式的に示す断面図である。
【図２】フラックスガイド層近傍の構造を模式的に示す
断面図である。
断面図である。
【図３】フラックスガイド層及び各ハード膜近傍の構造
を模式的に示す平面図である。
を模式的に示す平面図である。
【図４】フラックスガイド層及び各ハード膜近傍の構造
を模式的に示す断面図である。
を模式的に示す断面図である。
【図５】フラックスガイド層及び各ハード膜近傍の構造
の他の例を模式的に示す平面図である。
の他の例を模式的に示す平面図である。
【図６】磁気抵抗効果特性を示す特性図である。
【図７】従来のＭＲ薄膜ヘッドにおけるフラックスガイ
ド層近傍の構造を模式的に示す断面図である。
ド層近傍の構造を模式的に示す断面図である。
【図８】従来のＭＲ薄膜ヘッドにおけるフラックスガイ
ド層近傍の構造を模式的に示す平面図である。
ド層近傍の構造を模式的に示す平面図である。
１ ＭＲ素子 ２ 下部磁性磁極 ３ 上部磁性磁極 １１ 基板 １２，１３，１４，１６，１８ 絶縁層 １５ バイアス導体 １７ａ 前端電極 １７ｂ フラックスガイド層 ２１ 下地層 ２２，２３ 両端部 ２４，２５ ハード膜
Claims (7)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果を有する磁性層と、当該磁
性層の一端部に成膜されてなる高透磁率の軟磁性材より
なるフラックスガイド層とを有し、 上記フラックスガイド層の両端部にそれぞれ永久磁石と
して機能するハード膜が成膜されてなることを特徴とす
る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 フラックスガイド層がＮｉ−Ｆｅ系合金
或はＣｏ−Ｚｒ系アモルファス合金よりなることを特徴
とする請求項１記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 ハード膜がＣＯ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃ
ｒ系合金、Ｓｍ−Ｃｏ系合金、Ｎｄ−Ｆｅ系合金、フェ
ライトから選ばれた少なくとも１種よりなることを特徴
とする請求項１記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 下地層を介してフラックスガイド層が成
膜されていることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 下地層がＴａ或はＣｒよりなることを特
徴とする請求項４記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項６】 磁気抵抗効果を有する磁性層がその長手
方向が磁気記録媒体摺動方向と直交する方向に設けら
れ、当該磁性層の長手方向の上下部に前端電極及び後端
電極が成膜されていることを特徴とする請求項１記載の
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】 フラックスガイド層が後端電極を兼ねて
いることを特徴とする請求項６記載の磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッド。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6293469A JPH08153310A (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
| SG1995001921A SG33602A1 (en) | 1994-11-28 | 1995-11-24 | Magneto-resistive effect thin-film magnetic head |
| KR1019950043704A KR960019091A (ko) | 1994-11-28 | 1995-11-25 | 자기저항효과형 박막자기헤드 |
| US08/563,450 US5671105A (en) | 1994-11-28 | 1995-11-28 | Magneto-resistive effect thin-film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6293469A JPH08153310A (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153310A true JPH08153310A (ja) | 1996-06-11 |
Family
ID=17795157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6293469A Pending JPH08153310A (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5671105A (ja) |
| JP (1) | JPH08153310A (ja) |
| KR (1) | KR960019091A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6583967B2 (en) | 2000-06-30 | 2003-06-24 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and method of manufacturing same |
| US7068475B2 (en) * | 2001-02-27 | 2006-06-27 | Fujitsu Limited | Magnetic head having a flux-guide regulating film regulating a magnetic domain of a flux guide |
| US7170721B2 (en) * | 2002-06-25 | 2007-01-30 | Quantum Corporation | Method of producing flux guides in magnetic recording heads |
| US7290325B2 (en) | 2004-08-13 | 2007-11-06 | Quantum Corporation | Methods of manufacturing magnetic heads with reference and monitoring devices |
| US7751154B2 (en) | 2005-05-19 | 2010-07-06 | Quantum Corporation | Magnetic recording heads with bearing surface protections and methods of manufacture |
Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
| JPH09260742A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Sony Corp | 磁気抵抗効果素子 |
| US6137661A (en) * | 1998-10-19 | 2000-10-24 | Read-Rite Corporation | System for providing a magnetoresistive head having higher efficiency |
| US6826011B1 (en) | 1998-11-18 | 2004-11-30 | Seagate Technology Llc | Writer design eliminating transition curvature for very narrow writer widths |
| US6430010B1 (en) | 1999-05-03 | 2002-08-06 | Seagate Technology, Llc. | Disc drive reader with reduced off-track pickup |
| US7474547B2 (en) * | 2003-09-02 | 2009-01-06 | Nxp B.V. | Active shielding for a circuit comprising magnetically sensitive materials |
| US10289412B2 (en) | 2012-02-09 | 2019-05-14 | Qualcomm Incorporated | Floating point constant generation instruction |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5032945A (en) * | 1989-11-07 | 1991-07-16 | International Business Machines Corp. | Magnetic thin film structures fabricated with edge closure layers |
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