JPH08153470A - ガス放電パネルの保護膜およびその形成方法 - Google Patents
ガス放電パネルの保護膜およびその形成方法Info
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- JPH08153470A JPH08153470A JP6294340A JP29434094A JPH08153470A JP H08153470 A JPH08153470 A JP H08153470A JP 6294340 A JP6294340 A JP 6294340A JP 29434094 A JP29434094 A JP 29434094A JP H08153470 A JPH08153470 A JP H08153470A
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- Japan
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- protective film
- gas discharge
- oxide
- discharge panel
- powder
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スクリーン印刷法等の工程の簡単な形成法を
用いても、パネル駆動時の放電電圧が低く、同時に発光
効率も高いAC−PDPの保護膜とその形成方法を提供
する。 【構成】 交流型ガス放電パネルの誘電体層用の保護膜
が、第1酸化物としての第1焼成体からなる第1保護膜
と、第2酸化物の粉末と、この粉末の粒子を結合してい
る第3酸化物とを含む第2焼成体とからなる第2保護膜
とで少なくとも構成される。またこの発明のAC−PD
Pの保護膜を、以下に示す〜の工程でこの順に形成
する。焼成により第1焼成体を形成する第1前駆体を
含む第1ペースト層をスクリーン印刷法またはバーコー
タを用いて形成する。第1ペースト層を乾燥させてか
ら焼成して第1保護膜を形成する。酸化物の粉末と、
焼成により粉末の粒子間を結びつける第2焼成体を形成
する第2前駆体とを含む第2ペースト層をスクリーン印
刷法またはバーコータを用いて形成する。第2ペース
ト層を乾燥させてから焼成して第2保護膜を形成する。
用いても、パネル駆動時の放電電圧が低く、同時に発光
効率も高いAC−PDPの保護膜とその形成方法を提供
する。 【構成】 交流型ガス放電パネルの誘電体層用の保護膜
が、第1酸化物としての第1焼成体からなる第1保護膜
と、第2酸化物の粉末と、この粉末の粒子を結合してい
る第3酸化物とを含む第2焼成体とからなる第2保護膜
とで少なくとも構成される。またこの発明のAC−PD
Pの保護膜を、以下に示す〜の工程でこの順に形成
する。焼成により第1焼成体を形成する第1前駆体を
含む第1ペースト層をスクリーン印刷法またはバーコー
タを用いて形成する。第1ペースト層を乾燥させてか
ら焼成して第1保護膜を形成する。酸化物の粉末と、
焼成により粉末の粒子間を結びつける第2焼成体を形成
する第2前駆体とを含む第2ペースト層をスクリーン印
刷法またはバーコータを用いて形成する。第2ペース
ト層を乾燥させてから焼成して第2保護膜を形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、交流型ガス放電パネ
ルの保護膜およびその形成方法に関する。
ルの保護膜およびその形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】交流型ガス放電パネル(以下、AC−P
DPまたは単にパネルと称することがある。)では、通
常、対をなす表示電極上に電荷(壁電荷ともいう。)蓄
積用の誘電体層と、この誘電体層上に、放電時の損傷防
止の目的で保護膜とを設けてある。
DPまたは単にパネルと称することがある。)では、通
常、対をなす表示電極上に電荷(壁電荷ともいう。)蓄
積用の誘電体層と、この誘電体層上に、放電時の損傷防
止の目的で保護膜とを設けてある。
【0003】また、保護膜は、真空蒸着法により形成さ
れるのが一般的である。この方法を用いて形成された保
護膜中には、保護膜材料が偏りなく存在しているので、
保護膜材料の持つ本来の特性を生かすことができる。
れるのが一般的である。この方法を用いて形成された保
護膜中には、保護膜材料が偏りなく存在しているので、
保護膜材料の持つ本来の特性を生かすことができる。
【0004】しかし、パネルの大型化や、パネル製造工
程の簡略化等の要求が高まってきた現在では、例えば文
献(テレビジョン学会報告、IDY94−14、pp.
1−6)に開示されているような、スクリーン印刷法等
の工程が簡単な形成法を用いた保護膜の形成が検討され
てきている。
程の簡略化等の要求が高まってきた現在では、例えば文
献(テレビジョン学会報告、IDY94−14、pp.
1−6)に開示されているような、スクリーン印刷法等
の工程が簡単な形成法を用いた保護膜の形成が検討され
てきている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ような保護膜を持つAC−PDPには、以下のような問
題点があった。
ような保護膜を持つAC−PDPには、以下のような問
題点があった。
【0006】従来のAC−PDPは、CRTに比べて発
光効率が低いため、発光効率を高める手段を考慮する必
要がある。この手段の一つとして、保護膜の膜厚を厚く
設ける方法が考えられる。保護膜の膜厚が厚ければ、発
光効率を高めることができるだけでなく、保護膜の劣化
の原因となるピンホールの発生をも防ぐことができ、パ
ネルの長寿命化にも効果がある。保護膜を厚くするとパ
ネル駆動時の放電電圧が高くなってしまうので、保護膜
をMgO等の、放電電圧を低く抑える性質を持つものを
用いて形成する。真空蒸着法によりこの保護膜を形成す
ると、均一性が優れているため、保護膜本来の特性を生
かすことができる。
光効率が低いため、発光効率を高める手段を考慮する必
要がある。この手段の一つとして、保護膜の膜厚を厚く
設ける方法が考えられる。保護膜の膜厚が厚ければ、発
光効率を高めることができるだけでなく、保護膜の劣化
の原因となるピンホールの発生をも防ぐことができ、パ
ネルの長寿命化にも効果がある。保護膜を厚くするとパ
ネル駆動時の放電電圧が高くなってしまうので、保護膜
をMgO等の、放電電圧を低く抑える性質を持つものを
用いて形成する。真空蒸着法によりこの保護膜を形成す
ると、均一性が優れているため、保護膜本来の特性を生
かすことができる。
【0007】しかし、すでに述べてあるように、現在で
は、パネルの大型化や、パネル製造工程の簡略化等の要
求が高まってきたので、スクリーン印刷法による保護膜
の形成が検討されている。このため、保護膜の均一性に
ついて問題が生じてきた。スクリーン印刷法を用いて形
成された保護膜は、連続薄膜である蒸着膜に比して均一
性が劣る。すなわち保護膜の各領域で緻密さに偏りが生
じてしまうため、保護膜本来の特性を十分に生かすこと
ができない。したがって、発光効率の向上と放電電圧の
低下とを同時に達成することができなかった。
は、パネルの大型化や、パネル製造工程の簡略化等の要
求が高まってきたので、スクリーン印刷法による保護膜
の形成が検討されている。このため、保護膜の均一性に
ついて問題が生じてきた。スクリーン印刷法を用いて形
成された保護膜は、連続薄膜である蒸着膜に比して均一
性が劣る。すなわち保護膜の各領域で緻密さに偏りが生
じてしまうため、保護膜本来の特性を十分に生かすこと
ができない。したがって、発光効率の向上と放電電圧の
低下とを同時に達成することができなかった。
【0008】よって、スクリーン印刷法等の工程が簡単
な形成法を用いても、パネル駆動時の放電電圧を低く抑
えることができ、同時に発光効率をも高めることができ
るようなAC−PDPの保護膜とその形成方法の出現が
望まれていた。
な形成法を用いても、パネル駆動時の放電電圧を低く抑
えることができ、同時に発光効率をも高めることができ
るようなAC−PDPの保護膜とその形成方法の出現が
望まれていた。
【0009】
【課題を解決するための手段】このため、この発明のA
C−PDPの保護膜によれば、以下に示すように構成さ
れることを特徴とする。
C−PDPの保護膜によれば、以下に示すように構成さ
れることを特徴とする。
【0010】交流型ガス放電パネルを構成する二つの基
板の一方に、電荷蓄積用の誘電体層を介在させて設けら
れた誘電体層用の保護膜において、この保護膜は、第1
酸化物としての第1焼成体からなる第1保護膜と、第2
酸化物の粉末と、この粉末の粒子を結合している第3酸
化物とを含む第2焼成体とからなる第2保護膜とで少な
くとも構成される。
板の一方に、電荷蓄積用の誘電体層を介在させて設けら
れた誘電体層用の保護膜において、この保護膜は、第1
酸化物としての第1焼成体からなる第1保護膜と、第2
酸化物の粉末と、この粉末の粒子を結合している第3酸
化物とを含む第2焼成体とからなる第2保護膜とで少な
くとも構成される。
【0011】また、上述の第1保護膜を誘電体層上に設
けてあるものとし、この第1保護膜上に第2保護膜を設
けてあるものとするのがよい。
けてあるものとし、この第1保護膜上に第2保護膜を設
けてあるものとするのがよい。
【0012】また、この発明の実施に当たり、上述の第
1、第2および第3酸化物を同じ組成の酸化物とするの
が好適である。
1、第2および第3酸化物を同じ組成の酸化物とするの
が好適である。
【0013】またこの発明のAC−PDPの保護膜を、
以下に示す〜の工程でこの順に形成するのが良い。
以下に示す〜の工程でこの順に形成するのが良い。
【0014】焼成により第1焼成体を形成する第1前
駆体を含む第1ペースト層をスクリーン印刷法またはバ
ーコータを用いて形成する。
駆体を含む第1ペースト層をスクリーン印刷法またはバ
ーコータを用いて形成する。
【0015】第1ペースト層を乾燥させてから焼成し
て第1保護膜を形成する。
て第1保護膜を形成する。
【0016】酸化物の粉末と、焼成により粉末の粒子
間を結びつける第2焼成体を形成する第2前駆体とを含
む第2ペースト層をスクリーン印刷法またはバーコータ
を用いて形成する。
間を結びつける第2焼成体を形成する第2前駆体とを含
む第2ペースト層をスクリーン印刷法またはバーコータ
を用いて形成する。
【0017】第2ペースト層を乾燥させてから焼成し
て第2保護膜を形成する。
て第2保護膜を形成する。
【0018】また、この発明を実施するに当たり、第1
および第2前駆体として、同じ材料を用いるのが好適で
ある。
および第2前駆体として、同じ材料を用いるのが好適で
ある。
【0019】
【作用】上述したこの発明のAC−PDPの保護膜によ
れば、第1酸化物としての第1焼成体からなる第1保護
膜と、第2酸化物の粉末と、この粉末の粒子を結合して
いる第3酸化物とを含む第2焼成体とからなる第2保護
膜とで少なくとも構成される。このように、第2焼成体
が粉末の粒子を結合しているため、第2保護膜が緻密で
ある。また、第2保護膜のみでは放電電圧(放電開始時
の放電開始電圧と、放電を維持する放電維持電圧とがあ
る)が高くなってしまうので、第1保護膜を設けること
により、放電電圧を低く抑えながらも、高輝度と高効率
をも同時に達成することができる。
れば、第1酸化物としての第1焼成体からなる第1保護
膜と、第2酸化物の粉末と、この粉末の粒子を結合して
いる第3酸化物とを含む第2焼成体とからなる第2保護
膜とで少なくとも構成される。このように、第2焼成体
が粉末の粒子を結合しているため、第2保護膜が緻密で
ある。また、第2保護膜のみでは放電電圧(放電開始時
の放電開始電圧と、放電を維持する放電維持電圧とがあ
る)が高くなってしまうので、第1保護膜を設けること
により、放電電圧を低く抑えながらも、高輝度と高効率
をも同時に達成することができる。
【0020】また、第1保護膜を誘電体層上に設けてあ
るものとし、この第1保護膜上に第2保護膜を設けてあ
るものとする。このことには、次のような意味がある。
上述してあるように第2保護膜は、第2酸化物の粉末
と、この粉末の粒子を結合している第3酸化物とを含む
第2焼成体とからなっている。第3酸化物は、保護膜の
上側表面近傍に集中して存在し、下側表面に近付くにし
たがってその存在量は減少している。このため、誘電体
上に直接設ける保護膜としては、保護膜中の酸化物が膜
全体に散らばっている第1保護膜が適しているといえ
る。
るものとし、この第1保護膜上に第2保護膜を設けてあ
るものとする。このことには、次のような意味がある。
上述してあるように第2保護膜は、第2酸化物の粉末
と、この粉末の粒子を結合している第3酸化物とを含む
第2焼成体とからなっている。第3酸化物は、保護膜の
上側表面近傍に集中して存在し、下側表面に近付くにし
たがってその存在量は減少している。このため、誘電体
上に直接設ける保護膜としては、保護膜中の酸化物が膜
全体に散らばっている第1保護膜が適しているといえ
る。
【0021】また、この発明の実施に当たり、上述の第
1、第2および第3酸化物を同じ組成の酸化物とする
と、保護膜の膜質が均質となり、より緻密になるため、
保護膜本来の特性を生かすことができる。
1、第2および第3酸化物を同じ組成の酸化物とする
と、保護膜の膜質が均質となり、より緻密になるため、
保護膜本来の特性を生かすことができる。
【0022】またこの発明のAC−PDPの保護膜を形
成するに当たり、焼成により第1焼成体を形成する第1
前駆体を含む第1ペースト層と、酸化物の粉末と、焼成
により粉末の粒子間を結びつける第2焼成体を形成する
第2前駆体とを含む第2ペースト層とを、スクリーン印
刷法またはバーコータを用いて形成するので、コストを
低く抑えられる上に大型化が容易であるため量産性も高
い。また、第1ペースト層および第2ペースト層は、二
つの層を形成した後にまとめて焼成するのではなく、各
層を形成した後にそれぞれ焼成するため、保護膜中の酸
化物の偏りがより少なくなり、安定した特性を示す保護
膜が得られる。
成するに当たり、焼成により第1焼成体を形成する第1
前駆体を含む第1ペースト層と、酸化物の粉末と、焼成
により粉末の粒子間を結びつける第2焼成体を形成する
第2前駆体とを含む第2ペースト層とを、スクリーン印
刷法またはバーコータを用いて形成するので、コストを
低く抑えられる上に大型化が容易であるため量産性も高
い。また、第1ペースト層および第2ペースト層は、二
つの層を形成した後にまとめて焼成するのではなく、各
層を形成した後にそれぞれ焼成するため、保護膜中の酸
化物の偏りがより少なくなり、安定した特性を示す保護
膜が得られる。
【0023】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例に
つき説明をする。各図は、発明が理解できる程度に概略
的に示してあるにすぎない。また、以下の説明において
特定の材料および条件等を用いるが、これらは好適例の
一つにすぎず、したがって、この発明では何らこれに限
定されるものではない。なお、断面を表すハッチング等
は一部分を除き省略してある。
つき説明をする。各図は、発明が理解できる程度に概略
的に示してあるにすぎない。また、以下の説明において
特定の材料および条件等を用いるが、これらは好適例の
一つにすぎず、したがって、この発明では何らこれに限
定されるものではない。なお、断面を表すハッチング等
は一部分を除き省略してある。
【0024】図1は、この発明の実施例に係る面放電型
AC−PDPの基本構造を説明するための要部斜視図で
ある。
AC−PDPの基本構造を説明するための要部斜視図で
ある。
【0025】このパネル10の背面基板11上に、表示
電極13が対をなして平行配置されている。そして、こ
の表示電極を覆うように電荷蓄積用の誘電体層15が設
けられ、さらに誘電体層15上全面に保護膜17が設け
られている。この背面基板11と、壁(図示せず)およ
び緑色蛍光体層19を具えた前面基板21とを、放電空
間23を介して対向させるように重ね合わせてある。放
電空間23には、放電ガス(例えばHeが95Vol
%、Xeが5Vol%の混合ガス)が500Torr封
入してある。この実施例では、壁として黒色ガラス、緑
色蛍光体としてZnSiO4 :Mn(ジンクシリケート
マンガン、P1−G1(商品名)、化成オプトニクス社
製)、電極材料として金(A−3725(商品名)、エ
ンゲルハルド製)、誘電体として透明ガラス(G3−0
496(商品名)、奥野製薬工業社製)を用いている。
電極13が対をなして平行配置されている。そして、こ
の表示電極を覆うように電荷蓄積用の誘電体層15が設
けられ、さらに誘電体層15上全面に保護膜17が設け
られている。この背面基板11と、壁(図示せず)およ
び緑色蛍光体層19を具えた前面基板21とを、放電空
間23を介して対向させるように重ね合わせてある。放
電空間23には、放電ガス(例えばHeが95Vol
%、Xeが5Vol%の混合ガス)が500Torr封
入してある。この実施例では、壁として黒色ガラス、緑
色蛍光体としてZnSiO4 :Mn(ジンクシリケート
マンガン、P1−G1(商品名)、化成オプトニクス社
製)、電極材料として金(A−3725(商品名)、エ
ンゲルハルド製)、誘電体として透明ガラス(G3−0
496(商品名)、奥野製薬工業社製)を用いている。
【0026】このパネル10の駆動を10kHzで行
い、各条件下で放電特性等について比較する実験を行っ
た。
い、各条件下で放電特性等について比較する実験を行っ
た。
【0027】図2は、背面基板11上の誘電体層15と
その保護膜17の一部分を拡大して示す略線図である。
その保護膜17の一部分を拡大して示す略線図である。
【0028】この発明によれば、上述したような構造の
パネル10の保護膜17において、この保護膜17は第
1酸化物としての第1焼成体からなる第1保護膜17a
と、第2酸化物の粉末と、この粉末の粒子を結合してい
る第3酸化物とを含む第2焼成体からなる第2保護膜1
7bとで少なくとも構成されている。この実施例では、
誘電体層15上に直接設けられている保護膜を第1保護
膜17aとし、第1保護膜17a上を覆うように、さら
に設けられた保護膜を第2保護膜17bとした。
パネル10の保護膜17において、この保護膜17は第
1酸化物としての第1焼成体からなる第1保護膜17a
と、第2酸化物の粉末と、この粉末の粒子を結合してい
る第3酸化物とを含む第2焼成体からなる第2保護膜1
7bとで少なくとも構成されている。この実施例では、
誘電体層15上に直接設けられている保護膜を第1保護
膜17aとし、第1保護膜17a上を覆うように、さら
に設けられた保護膜を第2保護膜17bとした。
【0029】また、この実施例では、第1酸化物をMg
Oとし、第1保護膜17aを、第1焼成体18aである
MgOからなる保護膜とした。また、第2酸化物をMg
Oとし、この第2酸化物MgOの粉末を結合している第
3酸化物をMgOとした。よって、第2保護膜17b
は、MgO粉末(以下、単に粉末と称する場合があ
る。)と、粉末の粒子を結合しているMgOとを含む第
2焼成体18bからなる保護膜とした。
Oとし、第1保護膜17aを、第1焼成体18aである
MgOからなる保護膜とした。また、第2酸化物をMg
Oとし、この第2酸化物MgOの粉末を結合している第
3酸化物をMgOとした。よって、第2保護膜17b
は、MgO粉末(以下、単に粉末と称する場合があ
る。)と、粉末の粒子を結合しているMgOとを含む第
2焼成体18bからなる保護膜とした。
【0030】このように、この実施例のパネル10にお
ける保護膜17は、第1保護膜17aと第2保護膜17
bとからなる2層構造の保護膜であり、誘電体層15側
である下層側に第1保護膜17aが設けてあり、第1保
護膜17a上に第2保護膜17bが設けてある。後述す
るように、第2保護膜17b中のMgOは表面近傍に局
在するために、MgOの存在領域に著しい偏りのない第
1保護膜17aを介することによって、保護膜17全体
としてのMgOの偏りを抑えることができ、安定した保
護膜特性を得ることができる。また、後述するように、
第2保護膜17bのみではパネル駆動時の放電電圧を低
く抑えることができないので、放電電圧抑制に優れた第
1保護膜17aを介することによって、低電圧・低電流
・高効率を同時に達成させることができる。
ける保護膜17は、第1保護膜17aと第2保護膜17
bとからなる2層構造の保護膜であり、誘電体層15側
である下層側に第1保護膜17aが設けてあり、第1保
護膜17a上に第2保護膜17bが設けてある。後述す
るように、第2保護膜17b中のMgOは表面近傍に局
在するために、MgOの存在領域に著しい偏りのない第
1保護膜17aを介することによって、保護膜17全体
としてのMgOの偏りを抑えることができ、安定した保
護膜特性を得ることができる。また、後述するように、
第2保護膜17bのみではパネル駆動時の放電電圧を低
く抑えることができないので、放電電圧抑制に優れた第
1保護膜17aを介することによって、低電圧・低電流
・高効率を同時に達成させることができる。
【0031】また、この発明の実施例のパネル10の保
護膜17において、上述したように、第1、第2および
第3酸化物をすべて同じ組成であるMgOとした。これ
により保護膜17は一層均質となり、また、緻密になる
ため、安定した保護膜特性を得ることができる。
護膜17において、上述したように、第1、第2および
第3酸化物をすべて同じ組成であるMgOとした。これ
により保護膜17は一層均質となり、また、緻密になる
ため、安定した保護膜特性を得ることができる。
【0032】また、MgOには、2次電子放出比が高
く、イオン衝撃に強い等の優れた特性があるため、保護
膜として用いるには好適である。
く、イオン衝撃に強い等の優れた特性があるため、保護
膜として用いるには好適である。
【0033】図3は、この発明の実施例の保護膜17中
の酸化物(この実施例の場合はMgO)の存在領域を走
査型電子顕微鏡(SEM)で観測した結果を模式的に表
した断面図である。図3に模式的に示しているように、
第1保護膜17aは、MgO(第1酸化物)である第1
焼成体18aのみから成るため、MgOの存在領域に著
しい偏りは見られない。
の酸化物(この実施例の場合はMgO)の存在領域を走
査型電子顕微鏡(SEM)で観測した結果を模式的に表
した断面図である。図3に模式的に示しているように、
第1保護膜17aは、MgO(第1酸化物)である第1
焼成体18aのみから成るため、MgOの存在領域に著
しい偏りは見られない。
【0034】一方、第2保護膜17bは、第2酸化物で
あるMgO粉末25と、この粉末25の粒子を結合して
いる第3酸化物であるMgOとを含む第2焼成体18b
から成っているが、MgOの存在領域には偏りがみられ
る。第2焼成体18bのうち、粉末25の粒子を結合し
ているMgOは、第2保護膜17bの上側表面近傍に集
中して存在している。そして、第2保護膜の厚み方向に
沿って、第1保護膜17aに近づくほどそのMgO量が
少なくなっている。この、MgOが集中して存在する領
域をA層27とし、また、第2焼成体18bのうち、A
層27以外の領域をB層29とする。なお、この模式図
ではA層27とB層29との境界線を明確に示してある
が、実際にはA層27およびB層29は、このような明
確な領域として存在するのではなく、上述したようにM
gOの存在量は順次に変化しているので、この境界はぼ
やけている。
あるMgO粉末25と、この粉末25の粒子を結合して
いる第3酸化物であるMgOとを含む第2焼成体18b
から成っているが、MgOの存在領域には偏りがみられ
る。第2焼成体18bのうち、粉末25の粒子を結合し
ているMgOは、第2保護膜17bの上側表面近傍に集
中して存在している。そして、第2保護膜の厚み方向に
沿って、第1保護膜17aに近づくほどそのMgO量が
少なくなっている。この、MgOが集中して存在する領
域をA層27とし、また、第2焼成体18bのうち、A
層27以外の領域をB層29とする。なお、この模式図
ではA層27とB層29との境界線を明確に示してある
が、実際にはA層27およびB層29は、このような明
確な領域として存在するのではなく、上述したようにM
gOの存在量は順次に変化しているので、この境界はぼ
やけている。
【0035】次に、この発明のAC−PDPにおける保
護膜17の形成方法につき説明をする。
護膜17の形成方法につき説明をする。
【0036】この発明によれば、AC−PDPにおける
誘電体層15用の保護膜17を少なくとも第1および第
2保護膜17aおよび17bの二層構造として形成する
に当たり、焼成により第1焼成体18bを形成する第1
前駆体を含む第1ペースト層をスクリーン印刷法または
バーコータを用いて形成し、その後第1ペースト層を乾
燥させてから焼成して第1保護膜17aを形成し、さら
に酸化物の粉末と、焼成により粉末の粒子間を結びつけ
る第2焼成体18bを形成する第2前駆体とを含む第2
ペースト層をスクリーン印刷法またはバーコータを用い
て形成し、その後第2ペースト層を乾燥させてから焼成
して第2保護膜を形成する。ここでいう第1前駆体は、
焼成工程を経ることにより、第1焼成体18aを形成す
る物質のことであり、第2前駆体は同じく、焼成工程を
経ることにより、第2焼成体18bを形成する物質のこ
とである。
誘電体層15用の保護膜17を少なくとも第1および第
2保護膜17aおよび17bの二層構造として形成する
に当たり、焼成により第1焼成体18bを形成する第1
前駆体を含む第1ペースト層をスクリーン印刷法または
バーコータを用いて形成し、その後第1ペースト層を乾
燥させてから焼成して第1保護膜17aを形成し、さら
に酸化物の粉末と、焼成により粉末の粒子間を結びつけ
る第2焼成体18bを形成する第2前駆体とを含む第2
ペースト層をスクリーン印刷法またはバーコータを用い
て形成し、その後第2ペースト層を乾燥させてから焼成
して第2保護膜を形成する。ここでいう第1前駆体は、
焼成工程を経ることにより、第1焼成体18aを形成す
る物質のことであり、第2前駆体は同じく、焼成工程を
経ることにより、第2焼成体18bを形成する物質のこ
とである。
【0037】このため、この実施例では、以下のように
した。まず、第1保護膜17aの材料となるペースト
は、第1前駆体として、マグネシウムエトキシエトキサ
イド溶液が35.7wt%、樹脂としてエチルセルロー
スが7.1wt%、溶媒としてブチルカルビトールが5
7.2wt%でつくられる。このマグネシウムエトキシ
エトキサイド溶液は、加水分解性を抑制された、いわゆ
る安定化した状態であり、ブチルカルビトール液中に有
機MgがMgOに換算して約10wt%含まれている。
このペーストをスクリーン印刷法によりパネルの誘電体
層上に印刷して第1ペースト層を形成する。その後、第
1ペースト層の乾燥を150℃の温度を15分間保持し
て行い、さらに焼成を580℃の温度を12.5分間保
持して行って、第1保護膜を形成する。これらの処理に
より、第1前駆体はMgOからなる第1焼成体を形成す
る。このようにして形成した第1保護膜17aの厚さ
は、一例として約0.2μmである。
した。まず、第1保護膜17aの材料となるペースト
は、第1前駆体として、マグネシウムエトキシエトキサ
イド溶液が35.7wt%、樹脂としてエチルセルロー
スが7.1wt%、溶媒としてブチルカルビトールが5
7.2wt%でつくられる。このマグネシウムエトキシ
エトキサイド溶液は、加水分解性を抑制された、いわゆ
る安定化した状態であり、ブチルカルビトール液中に有
機MgがMgOに換算して約10wt%含まれている。
このペーストをスクリーン印刷法によりパネルの誘電体
層上に印刷して第1ペースト層を形成する。その後、第
1ペースト層の乾燥を150℃の温度を15分間保持し
て行い、さらに焼成を580℃の温度を12.5分間保
持して行って、第1保護膜を形成する。これらの処理に
より、第1前駆体はMgOからなる第1焼成体を形成す
る。このようにして形成した第1保護膜17aの厚さ
は、一例として約0.2μmである。
【0038】次に、第2保護膜17bの材料となるペー
ストは、酸化物の粉末として、MgO粉末を30wt%
含み、さらに第2前駆体としてマグネシウムエトキシエ
トキサイド溶液を25wt%、樹脂としてエチルセルロ
ースを5wt%、溶媒としてブチルカルビトールを40
wt%を含む。この場合も同様にマグネシウムエトキシ
エトキサイド溶液は、加水分解性を抑制された、いわゆ
る安定化した状態である。この場合はブチルカルビトー
ル液中に有機MgがMgOに換算して、約10wt%含
まれている。このペーストをスクリーン印刷法により第
1保護膜17a上に印刷し、第2ペースト層を形成す
る。その後、第2ペースト層の乾燥を150℃の10分
間保持で、さらに焼成を580℃の12.5分間保持で
行い、第2保護膜17bを形成する。これにより第2前
駆体はMgO粉末を結合する第2焼成体18bを形成
し、このようにして、図3に示すように、MgOの焼成
体が上側表面に集中して存在するA層27とMgOの少
ないB層29とを有する、第2保護膜17bが形成され
る。この第2保護膜17bの厚さは、一例として約4.
0μmである。このため、第1および第2保護膜17a
および17bをあわせた保護膜17全体の厚さは約4.
2μmである。
ストは、酸化物の粉末として、MgO粉末を30wt%
含み、さらに第2前駆体としてマグネシウムエトキシエ
トキサイド溶液を25wt%、樹脂としてエチルセルロ
ースを5wt%、溶媒としてブチルカルビトールを40
wt%を含む。この場合も同様にマグネシウムエトキシ
エトキサイド溶液は、加水分解性を抑制された、いわゆ
る安定化した状態である。この場合はブチルカルビトー
ル液中に有機MgがMgOに換算して、約10wt%含
まれている。このペーストをスクリーン印刷法により第
1保護膜17a上に印刷し、第2ペースト層を形成す
る。その後、第2ペースト層の乾燥を150℃の10分
間保持で、さらに焼成を580℃の12.5分間保持で
行い、第2保護膜17bを形成する。これにより第2前
駆体はMgO粉末を結合する第2焼成体18bを形成
し、このようにして、図3に示すように、MgOの焼成
体が上側表面に集中して存在するA層27とMgOの少
ないB層29とを有する、第2保護膜17bが形成され
る。この第2保護膜17bの厚さは、一例として約4.
0μmである。このため、第1および第2保護膜17a
および17bをあわせた保護膜17全体の厚さは約4.
2μmである。
【0039】第1および第2ペースト層を乾燥させた後
焼成する工程において、乾燥によりペースト中の溶媒
(ブチルカルビトール)が蒸発する。このとき、特に第
2ペースト層の場合は、第2前駆体であるマグネシウム
エトキシエトキサイド溶液が、ペースト層の表面近傍に
集められる。第1ペースト層の場合は第1前駆体である
マグネシウムエトキシエトキサイド溶液は分散したまま
である。さらに焼成によりエチルセルロース樹脂と、第
1および第2前駆体が燃焼する。この結果、マグネシウ
ムエトキシエトキサイド溶液は分解して、溶液中の成分
である有機Mgが成分Oと結びついてMgOになる。こ
のうち、第1保護膜17aを構成する、第1前駆体に起
因した成分であるMgOは、すでに説明してあるように
著しい偏りはみられない。一方、第2前駆体に起因した
成分であるMgOは、第2保護膜17bの上側表面近傍
のMgO粉末25の粒子間を結びつけて固定し、その結
果、MgO粉末からのMgOと第2前駆体からのMgO
の両者のMgOの焼成体としての保護膜となっている。
また、すでに説明してあるように、第2前駆体に起因し
たMgOが保護膜の表面近傍に偏在してA層27を形成
しており(図3)、第2保護膜17bの厚み方向に観察
すると、MgOの分布にむらが生じていることになる。
このようにして、図3に示すような保護膜17の構造に
なった。
焼成する工程において、乾燥によりペースト中の溶媒
(ブチルカルビトール)が蒸発する。このとき、特に第
2ペースト層の場合は、第2前駆体であるマグネシウム
エトキシエトキサイド溶液が、ペースト層の表面近傍に
集められる。第1ペースト層の場合は第1前駆体である
マグネシウムエトキシエトキサイド溶液は分散したまま
である。さらに焼成によりエチルセルロース樹脂と、第
1および第2前駆体が燃焼する。この結果、マグネシウ
ムエトキシエトキサイド溶液は分解して、溶液中の成分
である有機Mgが成分Oと結びついてMgOになる。こ
のうち、第1保護膜17aを構成する、第1前駆体に起
因した成分であるMgOは、すでに説明してあるように
著しい偏りはみられない。一方、第2前駆体に起因した
成分であるMgOは、第2保護膜17bの上側表面近傍
のMgO粉末25の粒子間を結びつけて固定し、その結
果、MgO粉末からのMgOと第2前駆体からのMgO
の両者のMgOの焼成体としての保護膜となっている。
また、すでに説明してあるように、第2前駆体に起因し
たMgOが保護膜の表面近傍に偏在してA層27を形成
しており(図3)、第2保護膜17bの厚み方向に観察
すると、MgOの分布にむらが生じていることになる。
このようにして、図3に示すような保護膜17の構造に
なった。
【0040】この実施例では、保護膜17のうち、第1
ペースト層をまず誘電体層15上に設けた後に乾燥させ
てから一旦焼成して第1保護膜17aを形成し、その後
第1保護膜17a上に第2ペースト層を設け、再度乾燥
させてから焼成して第2保護膜17bを形成した。この
ことには、次のような意味がある。もし、間に焼成工程
を入れず、第1および第2ペースト層を共に形成した後
にまとめて焼成をした場合、第1ペースト中に含まれる
第1前駆体も、粉末を結合する焼成体として働くことに
なり、第2前駆体と混ざり合って、保護膜17の上側表
面近傍に局在してしまう。こうすると、第2保護膜だけ
でなく、保護膜全体で、MgOが集中して存在するA層
と、MgOの少ない領域であるB層に分かれることにな
る。一旦焼成して第1保護膜17aを形成してしまえば
第1前駆体は第1焼成体を形成して事実上MgOは動か
ずに固定される。このため、第2保護膜17b表面がイ
オン衝撃などを受けても、誘電体層15がすぐに露出す
るようなことがない。また、最後にまとめて焼成をする
と、このときに第1ペースト層から発生するガス(H2
OやCO2 )などにより、第2ペースト層が影響を受
け、第2保護膜17bがポーラスになる可能性がある。
したがって、第1ペースト層形成後に焼成工程を入れる
と、第2保護膜17bがポーラスになるのを防ぐ効果も
ある。
ペースト層をまず誘電体層15上に設けた後に乾燥させ
てから一旦焼成して第1保護膜17aを形成し、その後
第1保護膜17a上に第2ペースト層を設け、再度乾燥
させてから焼成して第2保護膜17bを形成した。この
ことには、次のような意味がある。もし、間に焼成工程
を入れず、第1および第2ペースト層を共に形成した後
にまとめて焼成をした場合、第1ペースト中に含まれる
第1前駆体も、粉末を結合する焼成体として働くことに
なり、第2前駆体と混ざり合って、保護膜17の上側表
面近傍に局在してしまう。こうすると、第2保護膜だけ
でなく、保護膜全体で、MgOが集中して存在するA層
と、MgOの少ない領域であるB層に分かれることにな
る。一旦焼成して第1保護膜17aを形成してしまえば
第1前駆体は第1焼成体を形成して事実上MgOは動か
ずに固定される。このため、第2保護膜17b表面がイ
オン衝撃などを受けても、誘電体層15がすぐに露出す
るようなことがない。また、最後にまとめて焼成をする
と、このときに第1ペースト層から発生するガス(H2
OやCO2 )などにより、第2ペースト層が影響を受
け、第2保護膜17bがポーラスになる可能性がある。
したがって、第1ペースト層形成後に焼成工程を入れる
と、第2保護膜17bがポーラスになるのを防ぐ効果も
ある。
【0041】この実施例では、上述した説明からもわか
るように、第1および第2前駆体として、同じ材料であ
るマグネシウムエトキシエトキサイド溶液を用いた。こ
のようにすると、保護膜17全体の膜質がより均質にな
り、また緻密化する。
るように、第1および第2前駆体として、同じ材料であ
るマグネシウムエトキシエトキサイド溶液を用いた。こ
のようにすると、保護膜17全体の膜質がより均質にな
り、また緻密化する。
【0042】また、この実施例では、第1および第2前
駆体として、マグネシウムエトキシエトキサイドのブチ
ルカルビトール溶液としたが、マグネシウムエトキシエ
トキサイドの代わりに、マグネシウムエトキシエトキサ
イド、マグネシウムエトキシド、オクチル酸マグネシウ
ム、ナフテン酸マグネシウム、マグネシウムブトキシド
およびマグネシウムメトキシプロピレートの材料群から
選ばれた少なくとも一種類の材料のブチルカルビトール
溶液としても、前駆体として同様の働きを示す。
駆体として、マグネシウムエトキシエトキサイドのブチ
ルカルビトール溶液としたが、マグネシウムエトキシエ
トキサイドの代わりに、マグネシウムエトキシエトキサ
イド、マグネシウムエトキシド、オクチル酸マグネシウ
ム、ナフテン酸マグネシウム、マグネシウムブトキシド
およびマグネシウムメトキシプロピレートの材料群から
選ばれた少なくとも一種類の材料のブチルカルビトール
溶液としても、前駆体として同様の働きを示す。
【0043】また、この発明では、第2ペースト層中に
おける酸化物の粉末の含有量を最大でも30wt%とす
る。それには以下のような意味がある。第2前駆体とし
て、例えば実施例のマグネシウムエトキシエトキサイド
溶液の場合、ブチルカルビトール中に含まれる有機Mg
の量は6wt%程度しかない。このため第2ペースト層
中の第2前駆体は、粉末と同程度の量を添加するのが望
ましい。また、平坦性の良い保護膜を形成するために
は、ペースト中の樹脂と溶媒(エチルセルロースおよび
ブチルカルビトール)とが、全体の50wt%程度は含
まれるのが望ましい。以上の点を考慮して研究を重ねた
結果、良い特性を示す保護膜を得るためには、第2ペー
スト層中の酸化物の粉末の含有量は、30wt%を超え
ないのが望ましいことがわかった。
おける酸化物の粉末の含有量を最大でも30wt%とす
る。それには以下のような意味がある。第2前駆体とし
て、例えば実施例のマグネシウムエトキシエトキサイド
溶液の場合、ブチルカルビトール中に含まれる有機Mg
の量は6wt%程度しかない。このため第2ペースト層
中の第2前駆体は、粉末と同程度の量を添加するのが望
ましい。また、平坦性の良い保護膜を形成するために
は、ペースト中の樹脂と溶媒(エチルセルロースおよび
ブチルカルビトール)とが、全体の50wt%程度は含
まれるのが望ましい。以上の点を考慮して研究を重ねた
結果、良い特性を示す保護膜を得るためには、第2ペー
スト層中の酸化物の粉末の含有量は、30wt%を超え
ないのが望ましいことがわかった。
【0044】表1は、本実施例のパネルの放電特性を他
のパネルと比較して示したものである。なお、これらの
パネルの保護膜は、酸化物としてMgOを用いたもので
ある。
のパネルと比較して示したものである。なお、これらの
パネルの保護膜は、酸化物としてMgOを用いたもので
ある。
【0045】
【表1】
【0046】表1は、実施例のパネルも含めて4種類の
パネルの放電特性を調べた結果である。パネル1は、保
護膜を、実施例でいう第1保護膜のみで構成したもので
あり、パネル2は、第2保護膜のみで構成したものであ
る。また、パネル3は、第2保護膜を2回積層して2層
構造にしたものであり、パネル10は第1保護膜を下層
に、第2保護膜を上層に設けた実施例のパネルである。
このそれぞれのパネルについて、パネルの放電開始電圧
Vf 、放電維持電圧Vs 、パネルの輝度L、パネルの単
位セル(放電が起こる空間)あたりに流れる放電電流
I、およびパネルの発光効率ηを測定した。
パネルの放電特性を調べた結果である。パネル1は、保
護膜を、実施例でいう第1保護膜のみで構成したもので
あり、パネル2は、第2保護膜のみで構成したものであ
る。また、パネル3は、第2保護膜を2回積層して2層
構造にしたものであり、パネル10は第1保護膜を下層
に、第2保護膜を上層に設けた実施例のパネルである。
このそれぞれのパネルについて、パネルの放電開始電圧
Vf 、放電維持電圧Vs 、パネルの輝度L、パネルの単
位セル(放電が起こる空間)あたりに流れる放電電流
I、およびパネルの発光効率ηを測定した。
【0047】表1からも明らかなように、本実施例にお
けるパネル10では、低電流・低電圧・高効率を達成し
ている。第1保護膜のみで形成されたパネル1では、放
電開始電圧Vf が308V、放電維持電圧Vs は290
Vと低く、放電電圧抑制に優れている。しかし、セルご
とに流れる放電電流Iが13.28μAと非常に高く、
発光効率ηも4つのパネル中最低の0.69lm/Wで
ある。第2保護膜のみで形成されたパネル2では、放電
電流Iおよび発光効率ηに着目すると、パネル1に比べ
て非常に改善されているが、放電開始電圧Vf が374
V、放電維持電圧Vs が312Vと高く、低電圧化を同
時に達成することができない。第2保護膜を2回積層し
て2層構造にしたパネル3では、放電電流Iおよび発光
効率ηはパネル2よりもさらに改善されているが、放電
開始電圧Vf および放電維持電圧Vs はパネル2と同
様、高い値を示す。本実施例であるパネル10は、表1
によると、放電開始電圧Vf を352V、放電維持電圧
Vs を279V、また、放電電流Iを4.27μAまで
抑えた上で、発光効率ηを2.13lm/Wまで向上さ
せることに成功している。本実施例のパネル10を第1
保護膜のみで形成された保護膜を有するパネルと比較し
てみると、放電電流は1セルあたり9.01μA抑制さ
れ、発光効率は3倍以上も向上している。また、放電開
始電圧Vf はパネル1よりも多少高い値を示してはいる
ものの、第2保護膜のみで形成されたパネルと比較して
みると、22〜29V抑制されているし、また、放電維
持電圧Vs においては、4パネル中最も低い値を示して
いる。また、輝度Lについては、実施例のパネル10は
928cd/m2 であり、パネル1の967cd/m2
よりも低い値を示しているが、輝度Lについては450
cd/m2 あれば十分なので、この低減値は問題になら
ない程度である。つまり、放電電圧抑制に優れた第1保
護膜を介して第2保護膜を形成することにより、スクリ
ーン印刷法等の工程が簡単な形成法を用いても、低電流
・低電圧・高輝度・高効率を同時に達成することを実現
した。
けるパネル10では、低電流・低電圧・高効率を達成し
ている。第1保護膜のみで形成されたパネル1では、放
電開始電圧Vf が308V、放電維持電圧Vs は290
Vと低く、放電電圧抑制に優れている。しかし、セルご
とに流れる放電電流Iが13.28μAと非常に高く、
発光効率ηも4つのパネル中最低の0.69lm/Wで
ある。第2保護膜のみで形成されたパネル2では、放電
電流Iおよび発光効率ηに着目すると、パネル1に比べ
て非常に改善されているが、放電開始電圧Vf が374
V、放電維持電圧Vs が312Vと高く、低電圧化を同
時に達成することができない。第2保護膜を2回積層し
て2層構造にしたパネル3では、放電電流Iおよび発光
効率ηはパネル2よりもさらに改善されているが、放電
開始電圧Vf および放電維持電圧Vs はパネル2と同
様、高い値を示す。本実施例であるパネル10は、表1
によると、放電開始電圧Vf を352V、放電維持電圧
Vs を279V、また、放電電流Iを4.27μAまで
抑えた上で、発光効率ηを2.13lm/Wまで向上さ
せることに成功している。本実施例のパネル10を第1
保護膜のみで形成された保護膜を有するパネルと比較し
てみると、放電電流は1セルあたり9.01μA抑制さ
れ、発光効率は3倍以上も向上している。また、放電開
始電圧Vf はパネル1よりも多少高い値を示してはいる
ものの、第2保護膜のみで形成されたパネルと比較して
みると、22〜29V抑制されているし、また、放電維
持電圧Vs においては、4パネル中最も低い値を示して
いる。また、輝度Lについては、実施例のパネル10は
928cd/m2 であり、パネル1の967cd/m2
よりも低い値を示しているが、輝度Lについては450
cd/m2 あれば十分なので、この低減値は問題になら
ない程度である。つまり、放電電圧抑制に優れた第1保
護膜を介して第2保護膜を形成することにより、スクリ
ーン印刷法等の工程が簡単な形成法を用いても、低電流
・低電圧・高輝度・高効率を同時に達成することを実現
した。
【0048】図4の(A)、(B)および図5の
(A)、(B)は、表1に示されている4つのパネルの
それぞれについて駆動実験を行ったとき、印加した電圧
(単位:V)を縦軸に取り、そのときのセルごとに流れ
る放電電流(単位:μA)の平均を横軸に取ってこれを
グラフに表したものである。図4の(A)はパネル1、
図4の(B)はパネル2の結果であり、また、図5の
(A)はパネル3、図5の(B)はパネル10の結果で
ある。これらのグラフの直線の傾きであるセルインピー
ダンスを最小二乗法により求めた結果、パネル1は1.
3MΩ、パネル2は3.6MΩ、パネル3は2.3M
Ω、そしてパネル10は5.8MΩであった。このこと
から、実施例の保護膜17を用いたパネル10のセルイ
ンピーダンスが最も大きく、低電流化が達成されている
ことがわかる。
(A)、(B)は、表1に示されている4つのパネルの
それぞれについて駆動実験を行ったとき、印加した電圧
(単位:V)を縦軸に取り、そのときのセルごとに流れ
る放電電流(単位:μA)の平均を横軸に取ってこれを
グラフに表したものである。図4の(A)はパネル1、
図4の(B)はパネル2の結果であり、また、図5の
(A)はパネル3、図5の(B)はパネル10の結果で
ある。これらのグラフの直線の傾きであるセルインピー
ダンスを最小二乗法により求めた結果、パネル1は1.
3MΩ、パネル2は3.6MΩ、パネル3は2.3M
Ω、そしてパネル10は5.8MΩであった。このこと
から、実施例の保護膜17を用いたパネル10のセルイ
ンピーダンスが最も大きく、低電流化が達成されている
ことがわかる。
【0049】この発明は、上述した実施例にのみ限定さ
れるものではない。例えば、第1、第2、および第3酸
化物はMgOでなく、ZrO、SiO2 、Al2 O3 等
でも良いし、それらの組み合わせでも良い。また、以下
に示すような複合酸化物でも良い。すなわち、A1-x B
x C2 O4 (A、Bがアルカリ土類元素、Cが希土類元
素、xは組成比を表し、0≦x≦1の範囲の値であ
る。)の構造式で表されるスピネル構造を有する複合酸
化物、例えばBa0.6 Sr0.4 Gd2 O4 等である。こ
のようなスピネル構造を有する複合酸化物は仕事関数が
小さく、放電電圧を低く抑える働きがある。この場合
も、第1、第2、および第3酸化物は同じ組成のものに
するのが望ましいが、違う組成の酸化物の組み合わせで
も良い。また、第1および第2ペースト層をこの実施例
では、スクリーン印刷法を用いて形成したが、バーコー
タにより形成しても、スクリーン印刷法と同様に、コス
トの低減や、大型化が容易になる等の効果が期待でき
る。また、実施例の保護膜17では、第1保護膜17a
および第2保護膜17bからなる2層構造のものとした
が、2層以上の組み合わせによる膜でも良い。例えば、
この発明によるパネルの保護膜のうち第1保護膜をa
膜、第2保護膜をb膜とすると、a膜−a膜−b膜、あ
るいはa膜−b膜−b膜等の順で積層されている3層構
造でも良い。
れるものではない。例えば、第1、第2、および第3酸
化物はMgOでなく、ZrO、SiO2 、Al2 O3 等
でも良いし、それらの組み合わせでも良い。また、以下
に示すような複合酸化物でも良い。すなわち、A1-x B
x C2 O4 (A、Bがアルカリ土類元素、Cが希土類元
素、xは組成比を表し、0≦x≦1の範囲の値であ
る。)の構造式で表されるスピネル構造を有する複合酸
化物、例えばBa0.6 Sr0.4 Gd2 O4 等である。こ
のようなスピネル構造を有する複合酸化物は仕事関数が
小さく、放電電圧を低く抑える働きがある。この場合
も、第1、第2、および第3酸化物は同じ組成のものに
するのが望ましいが、違う組成の酸化物の組み合わせで
も良い。また、第1および第2ペースト層をこの実施例
では、スクリーン印刷法を用いて形成したが、バーコー
タにより形成しても、スクリーン印刷法と同様に、コス
トの低減や、大型化が容易になる等の効果が期待でき
る。また、実施例の保護膜17では、第1保護膜17a
および第2保護膜17bからなる2層構造のものとした
が、2層以上の組み合わせによる膜でも良い。例えば、
この発明によるパネルの保護膜のうち第1保護膜をa
膜、第2保護膜をb膜とすると、a膜−a膜−b膜、あ
るいはa膜−b膜−b膜等の順で積層されている3層構
造でも良い。
【0050】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明のAC−PDPによれば、第1酸化物としての第
1焼成体からなる第1保護膜と、第2酸化物の粉末と、
この粉末の粒子を結合している第3酸化物とを含む第2
焼成体とからなる第2保護膜とで少なくとも構成され
る。このように、第2焼成体が粉末の粒子を結合してい
るため、第2保護膜が緻密である。また、第2保護膜の
みでは放電電圧(放電開始時の放電開始電圧と、放電を
維持する放電維持電圧とがある)が高くなってしまうの
で、第1保護膜を設けることにより、放電電圧を低く抑
えながらも、高輝度と高効率をも同時に達成することが
できる。
の発明のAC−PDPによれば、第1酸化物としての第
1焼成体からなる第1保護膜と、第2酸化物の粉末と、
この粉末の粒子を結合している第3酸化物とを含む第2
焼成体とからなる第2保護膜とで少なくとも構成され
る。このように、第2焼成体が粉末の粒子を結合してい
るため、第2保護膜が緻密である。また、第2保護膜の
みでは放電電圧(放電開始時の放電開始電圧と、放電を
維持する放電維持電圧とがある)が高くなってしまうの
で、第1保護膜を設けることにより、放電電圧を低く抑
えながらも、高輝度と高効率をも同時に達成することが
できる。
【0051】またこの発明のAC−PDPの保護膜を形
成するに当たり、焼成により第1焼成体を形成する第1
前駆体を含む第1ペースト層と、酸化物の粉末と、焼成
により粉末の粒子間を結びつける第2焼成体を形成する
第2前駆体とを含む第2ペースト層とを、スクリーン印
刷法またはバーコータを用いて形成するので、コストを
低く抑えられる上に大型化が容易であるため量産性も高
い。また、第1ペースト層および第2ペースト層は、各
層を形成した後にそれぞれ焼成するため、保護膜中の酸
化物の偏りがより少なくなり、安定した特性を示す保護
膜が得られる。
成するに当たり、焼成により第1焼成体を形成する第1
前駆体を含む第1ペースト層と、酸化物の粉末と、焼成
により粉末の粒子間を結びつける第2焼成体を形成する
第2前駆体とを含む第2ペースト層とを、スクリーン印
刷法またはバーコータを用いて形成するので、コストを
低く抑えられる上に大型化が容易であるため量産性も高
い。また、第1ペースト層および第2ペースト層は、各
層を形成した後にそれぞれ焼成するため、保護膜中の酸
化物の偏りがより少なくなり、安定した特性を示す保護
膜が得られる。
【図1】この発明の、第一および第二実施例に係る面放
電型AC−PDPの概略的な斜視図である。
電型AC−PDPの概略的な斜視図である。
【図2】この発明の実施例のAC−PDPの一部分を拡
大して示す略線図である。
大して示す略線図である。
【図3】この発明の実施例の保護膜中の酸化物の存在領
域を模式的に表した断面図である。
域を模式的に表した断面図である。
【図4】(A)および(B)は、実施例のパネルと比較
例のパネルとの駆動実験の結果、印加電圧とセルごとに
流れる放電電流の平均との関係をグラフに表したもので
ある。
例のパネルとの駆動実験の結果、印加電圧とセルごとに
流れる放電電流の平均との関係をグラフに表したもので
ある。
【図5】(A)および(B)は、図4に続く、実施例の
パネルと比較例のパネルとの駆動実験の結果、印加電圧
とセルごとに流れる放電電流の平均との関係をグラフに
表したものである。
パネルと比較例のパネルとの駆動実験の結果、印加電圧
とセルごとに流れる放電電流の平均との関係をグラフに
表したものである。
10:AC−PDP(またはパネル) 11:背面基板 13:表示電極 15:誘電体層 17:保護膜 17a:第1保護膜 17b:第2保護膜 18a:第1焼成体 18b:第2焼成体 19:蛍光体層 21:前面基板 23:放電空間 25:粉末 27:A層 29:B層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金原 隆雄 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 ▲高▼崎 茂 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 山中 綾 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (8)
- 【請求項1】 交流型ガス放電パネルを構成する二つの
基板の一方に、電荷蓄積用の誘電体層を介在させて設け
られた該誘電体層用の保護膜において、 前記保護膜は、第1酸化物としての第1焼成体からなる
第1保護膜と、 第2酸化物の粉末と、該粉末の粒子を結合している第3
酸化物とを含む第2焼成体とからなる第2保護膜とで少
なくとも構成されることを特徴とするガス放電パネルの
保護膜。 - 【請求項2】 請求項1に記載のガス放電パネルの保護
膜において、前記第1保護膜を前記誘電体層上に設けて
あり、該第1保護膜上に前記第2保護膜を設けてあるこ
とを特徴とするガス放電パネルの保護膜。 - 【請求項3】 請求項1に記載のガス放電パネルの保護
膜において、前記第1、第2および第3酸化物を同じ組
成の酸化物としたことを特徴とするガス放電パネルの保
護膜。 - 【請求項4】 請求項1に記載のガス放電パネルの保護
膜において、前記第1、第2および第3酸化物を酸化マ
グネシウム(MgO)としたことを特徴とするガス放電
パネルの保護膜。 - 【請求項5】 請求項1に記載のガス放電パネルの保護
膜において、前記第1、第2および第3酸化物をA1-x
Bx C2 O4 (A、Bがアルカリ土類元素、Cが希土類
元素、0≦x≦1)の構造式で表されるスピネル構造を
有する複合酸化物とすることを特徴とするガス放電パネ
ルの保護膜。 - 【請求項6】 交流型ガス放電パネルを構成する二つの
基板の一方に、電荷蓄積用の誘電体層を介在させて、該
誘電体層用の保護膜を少なくとも第1および第2保護膜
の二層構造として形成するに当たり、 焼成により第1焼成体を形成する第1前駆体を含む第1
ペースト層をスクリーン印刷法またはバーコータを用い
て形成し、 その後該第1ペースト層を乾燥させてから焼成して第1
保護膜を形成し、 さらに酸化物の粉末と、焼成により前記粉末の粒子間を
結びつける第2焼成体を形成する第2前駆体とを含む第
2ペースト層をスクリーン印刷法またはバーコータを用
いて形成し、 その後該第2ペースト層を乾燥させてから焼成して第2
保護膜を形成することを特徴とするガス放電パネルの保
護膜形成方法。 - 【請求項7】 請求項6に記載のガス放電パネルの保護
膜形成方法において、前記第1および第2前駆体とし
て、同じ材料を用いたことを特徴とするガス放電パネル
の保護膜形成方法。 - 【請求項8】 請求項6に記載のガス放電パネルの保護
膜形成方法において、 前記第1および第2前駆体は、マグネシウムエトキシエ
トキサイド、マグネシウムエトキシド、オクチル酸マグ
ネシウム、ナフテン酸マグネシウム、マグネシウムブト
キシドおよびマグネシウムメトキシプロピレートの材料
群から選ばれた少なくとも一種類の材料のブチルカルビ
トール溶液とし、 前記第2ペースト層中における前記粉末の含有量を最大
限30wt%としたことを特徴とするガス放電パネルの
保護膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6294340A JPH08153470A (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | ガス放電パネルの保護膜およびその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6294340A JPH08153470A (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | ガス放電パネルの保護膜およびその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153470A true JPH08153470A (ja) | 1996-06-11 |
Family
ID=17806441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6294340A Withdrawn JPH08153470A (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | ガス放電パネルの保護膜およびその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08153470A (ja) |
Cited By (12)
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1994
- 1994-11-29 JP JP6294340A patent/JPH08153470A/ja not_active Withdrawn
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