JPH08167501A - 正特性サーミスタおよびその製造方法 - Google Patents
正特性サーミスタおよびその製造方法Info
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- JPH08167501A JPH08167501A JP6307400A JP30740094A JPH08167501A JP H08167501 A JPH08167501 A JP H08167501A JP 6307400 A JP6307400 A JP 6307400A JP 30740094 A JP30740094 A JP 30740094A JP H08167501 A JPH08167501 A JP H08167501A
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- positive temperature
- thermistor
- coefficient thermistor
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 還元性雰囲気下で使用された場合でも、特性
劣化が少なく、かつ、高信頼性を有する正特性サーミス
タを提供することを目的とする。 【構成】 チタン酸バリウムまたはその固溶体からなる
主成分と、半導体化元素およびＭｎ，Ａｌ，Ｓｉの各酸
化物を含む組成物に、ＣａＺｒＯ3を０．０５〜０．２
５ｍｏｌ添加含有させたもので正特性サーミスタ素子を
成形した後に、電極を形成するものである。
劣化が少なく、かつ、高信頼性を有する正特性サーミス
タを提供することを目的とする。 【構成】 チタン酸バリウムまたはその固溶体からなる
主成分と、半導体化元素およびＭｎ，Ａｌ，Ｓｉの各酸
化物を含む組成物に、ＣａＺｒＯ3を０．０５〜０．２
５ｍｏｌ添加含有させたもので正特性サーミスタ素子を
成形した後に、電極を形成するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は特定の温度で抵抗値が急
激に増大する正特性サーミスタに関するものであり、特
に還元性雰囲気下で使用された場合に特性劣化の少ない
高信頼性の正特性サーミスタおよびその製造方法に関す
るものである。
激に増大する正特性サーミスタに関するものであり、特
に還元性雰囲気下で使用された場合に特性劣化の少ない
高信頼性の正特性サーミスタおよびその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】チタン酸バリウムにＹ，Ｌａ，Ｃｅ等の
希土類元素あるいはＮｂ，Ｔａ等の金属酸化物を微量添
加すると半導体化し、そのキュリー点付近の温度で抵抗
値が急激に増大し正の抵抗温度特性（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ
Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ：
ＰＴＣ特性）を示すことは従来より広く知られている。
そのＰＴＣ特性を利用して、過電流保護用素子、温度制
御用素子、モータ起動用素子、ヒータ用といったさまざ
まな用途に応用されてきている。一方、このような正特
性サーミスタの製造方法としては、以下に示した方法が
一般に用いられている。まず所定の組成となるように配
合されたセラミック原料を湿式ボールミルやディスパー
ミルなどを用いて混合し、フィルタープレス、ドラムド
ライヤー等で脱水、乾燥した後、これらの混合粉末を仮
焼する。次にこの仮焼粉末を湿式ボールミルやサンドミ
ル等により粉砕し、バインダーを加えスラリー状にした
ものをスプレードライヤー等により造粒し、所望の形状
に成形した後、本焼成を行い、得られた焼結体に電極を
形成させ最終製品とするものである。一般に本焼成は大
気中で行われるが、低抵抗化を要求されている素子の中
には、一度還元雰囲気中で熱処理した後、再酸化処理す
ることも行われているものもある。また、昨今ではこの
ような素子の使用される環境条件も厳しく、特に耐還元
性能が要求される用途も多岐にわたってきており、組成
面及びプロセス面での検討が活発になされてきている。
希土類元素あるいはＮｂ，Ｔａ等の金属酸化物を微量添
加すると半導体化し、そのキュリー点付近の温度で抵抗
値が急激に増大し正の抵抗温度特性（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ
Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ：
ＰＴＣ特性）を示すことは従来より広く知られている。
そのＰＴＣ特性を利用して、過電流保護用素子、温度制
御用素子、モータ起動用素子、ヒータ用といったさまざ
まな用途に応用されてきている。一方、このような正特
性サーミスタの製造方法としては、以下に示した方法が
一般に用いられている。まず所定の組成となるように配
合されたセラミック原料を湿式ボールミルやディスパー
ミルなどを用いて混合し、フィルタープレス、ドラムド
ライヤー等で脱水、乾燥した後、これらの混合粉末を仮
焼する。次にこの仮焼粉末を湿式ボールミルやサンドミ
ル等により粉砕し、バインダーを加えスラリー状にした
ものをスプレードライヤー等により造粒し、所望の形状
に成形した後、本焼成を行い、得られた焼結体に電極を
形成させ最終製品とするものである。一般に本焼成は大
気中で行われるが、低抵抗化を要求されている素子の中
には、一度還元雰囲気中で熱処理した後、再酸化処理す
ることも行われているものもある。また、昨今ではこの
ような素子の使用される環境条件も厳しく、特に耐還元
性能が要求される用途も多岐にわたってきており、組成
面及びプロセス面での検討が活発になされてきている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような正特性サー
ミスタの特性は結晶粒界に依存することが古くから指摘
されているが、還元性雰囲気や中性雰囲気中で使用した
場合には、抵抗値が大きく低下したり、抵抗温度係数が
著しく小さくなってしまうなどの特性劣化を起こす。な
かでも特にヒータ素子を用いた機器の使用条件下では、
薬剤、衣類の柔軟仕上げ剤、ガソリンや機械油、食用
油、調味料などの有機成分からなり素子に付着し、素子
の発熱状態ではこれらの有機成分の燃焼に伴う還元作用
を引き起こし、種々の特性が劣化してしまう恐れがあ
り、そのためこういった有機成分との接触あるいは付着
を防止する必要があり、その使用用途が限定されてい
た。
ミスタの特性は結晶粒界に依存することが古くから指摘
されているが、還元性雰囲気や中性雰囲気中で使用した
場合には、抵抗値が大きく低下したり、抵抗温度係数が
著しく小さくなってしまうなどの特性劣化を起こす。な
かでも特にヒータ素子を用いた機器の使用条件下では、
薬剤、衣類の柔軟仕上げ剤、ガソリンや機械油、食用
油、調味料などの有機成分からなり素子に付着し、素子
の発熱状態ではこれらの有機成分の燃焼に伴う還元作用
を引き起こし、種々の特性が劣化してしまう恐れがあ
り、そのためこういった有機成分との接触あるいは付着
を防止する必要があり、その使用用途が限定されてい
た。
【０００４】また、還元性雰囲気中でのＰＴＣ特性劣化
機構は、一般に酸素欠陥の生成により発生した電子が導
電性に寄与するためと考えられている。
機構は、一般に酸素欠陥の生成により発生した電子が導
電性に寄与するためと考えられている。
【０００５】従って、耐還元性能を向上させるために
は、 （１）酸素欠陥が生成しないような（酸素を放出しにく
い）結晶構造にする （２）還元性物質等が素子の内部に侵入しにくい緻密化
された微細構造にする （３）発生した電子をトラップするアクセプター的役割
をする元素を導入する 等が考えられる。
は、 （１）酸素欠陥が生成しないような（酸素を放出しにく
い）結晶構造にする （２）還元性物質等が素子の内部に侵入しにくい緻密化
された微細構造にする （３）発生した電子をトラップするアクセプター的役割
をする元素を導入する 等が考えられる。
【０００６】そこで本発明はこれらのことを考慮して上
記のような用途に適合できる、耐還元性能に優れた正特
性サーミスタを提供することを目的とするものである。
記のような用途に適合できる、耐還元性能に優れた正特
性サーミスタを提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、チタン酸バリウムまたはその固溶体からな
る主成分１ｍｏｌに対して、副成分として希土類元素あ
るいはＮｂ，Ｓｂ，Ｂｉの金属酸化物を少なくとも１種
類と、さらにＳｉ，Ｍｎ，Ａｌの各酸化物とを添加して
仮焼し、次にこの仮焼粉にＣａＺｒＯ3を０．０５〜
０．２５ｍｏｌ添加混合し、成形後、焼成し、電極を形
成するものである。
に本発明は、チタン酸バリウムまたはその固溶体からな
る主成分１ｍｏｌに対して、副成分として希土類元素あ
るいはＮｂ，Ｓｂ，Ｂｉの金属酸化物を少なくとも１種
類と、さらにＳｉ，Ｍｎ，Ａｌの各酸化物とを添加して
仮焼し、次にこの仮焼粉にＣａＺｒＯ3を０．０５〜
０．２５ｍｏｌ添加混合し、成形後、焼成し、電極を形
成するものである。
【０００８】
【作用】ＰＴＣ特性の劣化は、その発現部である粒界の
ポテンシャルエネルギーの低下と考えることができる。
つまり還元性の物質が素子の表面と接触し粒界近傍を拡
散しポテンシャル障壁の形成に寄与している吸着酸素が
放出され伝導電子が増加するため特性が劣化すると考え
られる。さらに強い還元状態になると格子上の酸素まで
も解離してしまい電子濃度が一層増加し特性が劣化する
ものと思われる。
ポテンシャルエネルギーの低下と考えることができる。
つまり還元性の物質が素子の表面と接触し粒界近傍を拡
散しポテンシャル障壁の形成に寄与している吸着酸素が
放出され伝導電子が増加するため特性が劣化すると考え
られる。さらに強い還元状態になると格子上の酸素まで
も解離してしまい電子濃度が一層増加し特性が劣化する
ものと思われる。
【０００９】従って、本発明によると、サーミスタ素子
にＣａＺｒＯ3を添加することにより焼結体自体の緻密
化が進み、還元性の物質との接触度合いが低減し、単位
格子自体のパッキング性が向上したため吸着酸素や格子
位置の酸素が放出されにくくなったため耐還元性能が向
上する。
にＣａＺｒＯ3を添加することにより焼結体自体の緻密
化が進み、還元性の物質との接触度合いが低減し、単位
格子自体のパッキング性が向上したため吸着酸素や格子
位置の酸素が放出されにくくなったため耐還元性能が向
上する。
【００１０】その結果、本発明の正特性サーミスタを、
還元性雰囲気中等で使用しても、抵抗値が大きく低下し
たり、抵抗温度係数が著しく低下するなどのＰＴＣ特性
の劣化がないため、従来のように使用範囲が限定される
ことなく、その用途展開が拡大されるものと期待でき
る。
還元性雰囲気中等で使用しても、抵抗値が大きく低下し
たり、抵抗温度係数が著しく低下するなどのＰＴＣ特性
の劣化がないため、従来のように使用範囲が限定される
ことなく、その用途展開が拡大されるものと期待でき
る。
【００１１】一方、従来から、還元性雰囲気より素子を
保護するために保護ケース等のカバーを設けたり、ある
いは密閉構造にしたりと構造設計上さまざまな工夫を行
っていたが、本発明の正特性サーミスタを使用すること
により、これらの構造設計が不要となるため、その工数
の低減およびコストダウンが可能となり、その工業的利
用価値は大きい。さらに安全性の面でも本発明の正特性
サーミスタは特性の劣化がないために熱暴走し、正特性
サーミスタが破壊するということがなく、信頼性の極め
て高いものである。
保護するために保護ケース等のカバーを設けたり、ある
いは密閉構造にしたりと構造設計上さまざまな工夫を行
っていたが、本発明の正特性サーミスタを使用すること
により、これらの構造設計が不要となるため、その工数
の低減およびコストダウンが可能となり、その工業的利
用価値は大きい。さらに安全性の面でも本発明の正特性
サーミスタは特性の劣化がないために熱暴走し、正特性
サーミスタが破壊するということがなく、信頼性の極め
て高いものである。
【００１２】
【実施例】以下実施例により本発明について説明する。
【００１３】（実施例１）最終組成が（化１）となるよ
うに各原料を秤量する。
うに各原料を秤量する。
【００１４】
【化１】
【００１５】同時にＣａＺｒＯ3を（表１）の試料番号
２〜７に示す組成で秤量しすべての原料を同時にボール
ミルにて湿式混合する。
２〜７に示す組成で秤量しすべての原料を同時にボール
ミルにて湿式混合する。
【００１６】
【表１】
【００１７】次にこの混合物を乾燥した後、１０５０℃
で２時間仮焼する。その後、この仮焼粉をボールミルに
て湿式粉砕する。この粉砕物を乾燥した後、結合剤とし
てポリビニルアルコールを５％加え造粒し、８００kg／
cm2の圧力でプレス成形した。この成形物を約１３００
℃で空気中にて１時間焼成し、直径２０ｍｍ、厚さ２．
０ｍｍの円板状の正特性サーミスタ素子を得た。さらに
これらの焼結体にＮｉめっきを施した後、銀ペーストを
塗布し、その後、焼きつけすることにより電極を形成し
た。
で２時間仮焼する。その後、この仮焼粉をボールミルに
て湿式粉砕する。この粉砕物を乾燥した後、結合剤とし
てポリビニルアルコールを５％加え造粒し、８００kg／
cm2の圧力でプレス成形した。この成形物を約１３００
℃で空気中にて１時間焼成し、直径２０ｍｍ、厚さ２．
０ｍｍの円板状の正特性サーミスタ素子を得た。さらに
これらの焼結体にＮｉめっきを施した後、銀ペーストを
塗布し、その後、焼きつけすることにより電極を形成し
た。
【００１８】次に、このようにして得られた各試料の各
種電気特性を評価した。その抵抗温度特性曲線により、
常温抵抗値（Ｒ25）、抵抗変化幅（Ψ）を評価した後、
耐還元性の評価として、窒素ガス中で１００時間、１０
０Ｖの電圧を印加して、再び、Ｒ25、Ψを測定した。
種電気特性を評価した。その抵抗温度特性曲線により、
常温抵抗値（Ｒ25）、抵抗変化幅（Ψ）を評価した後、
耐還元性の評価として、窒素ガス中で１００時間、１０
０Ｖの電圧を印加して、再び、Ｒ25、Ψを測定した。
【００１９】その結果を（表２）に示す。
【００２０】
【表２】
【００２１】ここで抵抗変化幅とは最大抵抗値を最小抵
抗値で除算した数値の常用対数値であり、（数１）で表
される。
抗値で除算した数値の常用対数値であり、（数１）で表
される。
【００２２】
【数１】
【００２３】（表１）の試料番号１，２および７につい
ては本発明の範囲外の組成であり、試料番号３〜６は本
発明の範囲内の組成である。
ては本発明の範囲外の組成であり、試料番号３〜６は本
発明の範囲内の組成である。
【００２４】（表２）の試料番号１〜７の特性値を比較
して明らかなように、組成が本発明の範囲内である試料
番号３〜６については特性の劣化が認められず、耐還元
性能に優れていることがわかる。
して明らかなように、組成が本発明の範囲内である試料
番号３〜６については特性の劣化が認められず、耐還元
性能に優れていることがわかる。
【００２５】（実施例２）最終組成が（化２）となるよ
うに各原料を秤量する。
うに各原料を秤量する。
【００２６】
【化２】
【００２７】また、ＣａＺｒＯ3およびＰｂＳｉＯ3を
（表１）の試料番号８〜１５になるように秤量し、すべ
ての原料を同時にボールミルにて湿式混合する。その後
の試料作製工程および評価は（実施例１）と同様に行う
ものとする。
（表１）の試料番号８〜１５になるように秤量し、すべ
ての原料を同時にボールミルにて湿式混合する。その後
の試料作製工程および評価は（実施例１）と同様に行う
ものとする。
【００２８】その評価結果を（表２）の試料番号８〜１
５に示した。（表２）の試料番号８〜１５の特性値を比
較して明らかなように、組成が本発明の範囲内にある試
料番号１０〜１３については特性の劣化が認められず、
耐還元性能に優れていることがわかる。
５に示した。（表２）の試料番号８〜１５の特性値を比
較して明らかなように、組成が本発明の範囲内にある試
料番号１０〜１３については特性の劣化が認められず、
耐還元性能に優れていることがわかる。
【００２９】（実施例３）まず、（化３）の組成となる
ように各原料を秤量しボールミルにて湿式混合する。
ように各原料を秤量しボールミルにて湿式混合する。
【００３０】
【化３】
【００３１】次にこの混合物を乾燥した後、１０５０℃
で２時間仮焼する。この仮焼粉にＣａＺｒＯ3を（表
１）の試料番号１６〜２０の組成になるように秤量、添
加しボールミルにて湿式混合する。その混合物を乾燥し
た後、（実施例１）と同様に、造粒、成形、焼成し電極
を形成して正特性サーミスタを得る。得られた正特性サ
ーミスタの電気特性および耐還元性能の評価を（実施例
１）と同様に実施する。その評価結果を（表２）の試料
番号１６〜２０に示した。
で２時間仮焼する。この仮焼粉にＣａＺｒＯ3を（表
１）の試料番号１６〜２０の組成になるように秤量、添
加しボールミルにて湿式混合する。その混合物を乾燥し
た後、（実施例１）と同様に、造粒、成形、焼成し電極
を形成して正特性サーミスタを得る。得られた正特性サ
ーミスタの電気特性および耐還元性能の評価を（実施例
１）と同様に実施する。その評価結果を（表２）の試料
番号１６〜２０に示した。
【００３２】これらの結果より、本発明の範囲内におい
てＣａＺｒＯ3を仮焼後に添加することにより、さらに
耐還元性能に優れた正特性サーミスタを得られることが
わかった。
てＣａＺｒＯ3を仮焼後に添加することにより、さらに
耐還元性能に優れた正特性サーミスタを得られることが
わかった。
【００３３】（実施例４）（化４）の組成となるように
各原料を秤量しボールミルにて湿式混合する。
各原料を秤量しボールミルにて湿式混合する。
【００３４】
【化４】
【００３５】次にこの混合物を乾燥した後、１０５０℃
で２時間仮焼する。この仮焼粉にＣａＺｒＯ3およびＰ
ｂＳｉＯ3を（表１）の試料番号２１〜２８の組成にな
るように秤量、添加しボールミルにて湿式混合する。そ
の混合物を乾燥した後、（実施例１）と同様に、造粒、
成形、焼成し、電極を形成して正特性サーミスタを得
る。得られた正特性サーミスタの電気特性および耐還元
性能の評価を（実施例１）と同様に実施する。その評価
結果を（表２）の試料番号２１〜２８に示した。
で２時間仮焼する。この仮焼粉にＣａＺｒＯ3およびＰ
ｂＳｉＯ3を（表１）の試料番号２１〜２８の組成にな
るように秤量、添加しボールミルにて湿式混合する。そ
の混合物を乾燥した後、（実施例１）と同様に、造粒、
成形、焼成し、電極を形成して正特性サーミスタを得
る。得られた正特性サーミスタの電気特性および耐還元
性能の評価を（実施例１）と同様に実施する。その評価
結果を（表２）の試料番号２１〜２８に示した。
【００３６】これらの結果より、本発明の範囲内におい
てＣａＺｒＯ3およびＰｂＳｉＯ3を仮焼後に添加するこ
とにより、さらに耐還元性能に優れた正特性サーミスタ
を得ることができることがわかる。
てＣａＺｒＯ3およびＰｂＳｉＯ3を仮焼後に添加するこ
とにより、さらに耐還元性能に優れた正特性サーミスタ
を得ることができることがわかる。
【００３７】（実施例５）（実施例４）における、仮焼
粉に添加するＣａＺｒＯ3およびＰｂＳｉＯ3の添加量お
よび粒径を（表３）に示す粒径比になるように調整し、
（実施例４）と同様に試料を作製する。
粉に添加するＣａＺｒＯ3およびＰｂＳｉＯ3の添加量お
よび粒径を（表３）に示す粒径比になるように調整し、
（実施例４）と同様に試料を作製する。
【００３８】
【表３】
【００３９】さらに得られた正特性サーミスタの電気特
性および耐還元性能の評価を（実施例１）と同様に実施
する。その評価結果を（表４）に示した。
性および耐還元性能の評価を（実施例１）と同様に実施
する。その評価結果を（表４）に示した。
【００４０】
【表４】
【００４１】これらの結果より、本発明の範囲内におい
てＣａＺｒＯ3およびＰｂＳｉＯ3の粒径をコントロール
することにより、耐還元性能に優れた正特性サーミスタ
を得ることができることがわかる。
てＣａＺｒＯ3およびＰｂＳｉＯ3の粒径をコントロール
することにより、耐還元性能に優れた正特性サーミスタ
を得ることができることがわかる。
【００４２】
【発明の効果】以上、本発明の構成をとることにより耐
還元性能が向上する。その理由は、ＣａＺｒＯ3を添加
することにより焼結体自体の緻密化が進み、還元性の物
質との接触度合いが低減したことや単位格子自体のパッ
キング性が向上したため吸着酸素や格子位置の酸素が放
出されにくくなったためと考えられる。
還元性能が向上する。その理由は、ＣａＺｒＯ3を添加
することにより焼結体自体の緻密化が進み、還元性の物
質との接触度合いが低減したことや単位格子自体のパッ
キング性が向上したため吸着酸素や格子位置の酸素が放
出されにくくなったためと考えられる。
【００４３】その結果、本発明の正特性サーミスタを用
いることにより、還元性雰囲気中等で使用しても、抵抗
値が大きく低下したり、抵抗温度係数が著しく低下する
などのＰＴＣ特性の劣化がないため、従来のように使用
範囲が限定されることなく、その用途展開が拡大される
ものと期待できる。
いることにより、還元性雰囲気中等で使用しても、抵抗
値が大きく低下したり、抵抗温度係数が著しく低下する
などのＰＴＣ特性の劣化がないため、従来のように使用
範囲が限定されることなく、その用途展開が拡大される
ものと期待できる。
【００４４】一方、従来から、還元性雰囲気より素子を
保護するために保護ケース等のカバーを設けたり、ある
いは密閉構造にしたりと構造設計上さまざまな工夫を行
っていたが、本発明の正特性サーミスタを使用すること
により、これらの構造設計が不要となるため、その工数
の低減およびコストダウンが可能となり、その工業的利
用価値は大きい。さらに安全性の面でも本発明の正特性
サーミスタは特性の劣化がないために熱暴走し、正特性
サーミスタが破壊するということがなく、信頼性の極め
て高いものである。
保護するために保護ケース等のカバーを設けたり、ある
いは密閉構造にしたりと構造設計上さまざまな工夫を行
っていたが、本発明の正特性サーミスタを使用すること
により、これらの構造設計が不要となるため、その工数
の低減およびコストダウンが可能となり、その工業的利
用価値は大きい。さらに安全性の面でも本発明の正特性
サーミスタは特性の劣化がないために熱暴走し、正特性
サーミスタが破壊するということがなく、信頼性の極め
て高いものである。
Claims (6)
- 【請求項１】 サーミスタ素子と、このサーミスタ素子
の表面に設けた電極とを備え、前記サーミスタ素子は、
チタン酸バリウムまたはその固溶体からなる主成分１ｍ
ｏｌに対して、副成分として希土類元素の酸化物あるい
はＮｂ，Ｓｂ，Ｂｉの酸化物のうち少なくとも１種類
と、Ｓｉ，Ｍｎ，Ａｌの各酸化物と、ＣａＺｒＯ3を
０．０５〜０．２５ｍｏｌ含有させたもので形成した正
特性サーミスタ。 - 【請求項２】 サーミスタ素子と、このサーミスタ素子
の表面に設けた電極とを備え、前記サーミスタ素子は、
チタン酸バリウムまたはその固溶体からなる主成分１ｍ
ｏｌに対して、副成分として希土類元素の酸化物あるい
はＮｂ，Ｓｂ，Ｂｉの酸化物のうち少なくとも１種類
と、Ｍｎ，Ａｌの各酸化物と、ＣａＺｒＯ 3を０．０５
〜０．２５ｍｏｌ、ＰｂＳｉＯ3を０．００５〜０．０
４ｍｏｌ含有させたもので形成した正特性サーミスタ。 - 【請求項３】 チタン酸バリウムまたはその固溶体から
なる主成分に対して、副成分として希土類元素の酸化物
あるいはＮｂ，Ｓｂ，Ｂｉの酸化物のうち少なくとも１
種類と、Ｓｉ，Ｍｎ，Ａｌの各酸化物とを添加して仮焼
し、次に、この仮焼粉にＣａＺｒＯ3を前記主成分１ｍ
ｏｌに対して０．０５〜０．２５ｍｏｌ添加混合して成
形し、焼成した後電極を形成する正特性サーミスタの製
造方法。 - 【請求項４】 ＣａＺｒＯ3は、その粒径が仮焼粉の粒
径よりも大きいものを用いる請求項３記載の正特性サー
ミスタの製造方法。 - 【請求項５】 チタン酸バリウムまたはその固溶体から
なる主成分に対して、副成分として希土類元素の酸化物
あるいはＮｂ，Ｓｂ，Ｂｉの酸化物のうち少なくとも１
種類と、Ｍｎ，Ａｌの各酸化物とを添加して仮焼し、次
に、この仮焼粉に、前記主成分１ｍｏｌに対して、Ｃａ
ＺｒＯ3を０．０５〜０．２５ｍｏｌ、ＰｂＳｉＯ3を
０．００５〜０．０４ｍｏｌ添加混合して成形し、焼成
した後電極を形成する正特性サーミスタの製造方法。 - 【請求項６】 ＣａＺｒＯ3とＰｂＳｉＯ3とは、これら
の粒径が仮焼粉の粒径よりも大きいものを用いる請求項
５記載の正特性サーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6307400A JPH08167501A (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 正特性サーミスタおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6307400A JPH08167501A (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 正特性サーミスタおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08167501A true JPH08167501A (ja) | 1996-06-25 |
Family
ID=17968600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6307400A Pending JPH08167501A (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 正特性サーミスタおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08167501A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110218087A (zh) * | 2019-07-05 | 2019-09-10 | 威海市科博乐汽车电子有限公司 | 负温度系数热敏电阻材料的制备方法 |
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1994
- 1994-12-12 JP JP6307400A patent/JPH08167501A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110218087A (zh) * | 2019-07-05 | 2019-09-10 | 威海市科博乐汽车电子有限公司 | 负温度系数热敏电阻材料的制备方法 |
| CN110218087B (zh) * | 2019-07-05 | 2021-12-07 | 威海市科博乐汽车电子有限公司 | 负温度系数热敏电阻材料的制备方法 |
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