JPH0817054B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH0817054B2 JPH0817054B2 JP1044730A JP4473089A JPH0817054B2 JP H0817054 B2 JPH0817054 B2 JP H0817054B2 JP 1044730 A JP1044730 A JP 1044730A JP 4473089 A JP4473089 A JP 4473089A JP H0817054 B2 JPH0817054 B2 JP H0817054B2
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 45
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 4
- 150000002611 lead compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000013329 compounding Methods 0.000 claims description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 11
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は誘電体磁器組成物に関し、特に、誘電率が
2500以上と高くかつ温度に対する静電容量の変化率が小
さく、比抵抗が1010Ωcm以上と大きい誘電体磁器組成物
に関する。
2500以上と高くかつ温度に対する静電容量の変化率が小
さく、比抵抗が1010Ωcm以上と大きい誘電体磁器組成物
に関する。
（従来技術および発明が解決しようとする課題） 従来、高誘電率系統器コンデンサ材料としてBaTiO3を
主体とした誘電体磁器組成物がある。しかし、これらの
磁器組成物においては、温度に対する静電容量の変化率
がJIS規格のＢ特性（−25℃〜＋85℃においてΔC/C20＝
±10％）を満足するものは室温での誘電率が2000と低
い。
主体とした誘電体磁器組成物がある。しかし、これらの
磁器組成物においては、温度に対する静電容量の変化率
がJIS規格のＢ特性（−25℃〜＋85℃においてΔC/C20＝
±10％）を満足するものは室温での誘電率が2000と低
い。
一方、鉛複合ペロブスカイト誘電体磁器組成物におい
て、比誘電率が10000以上で焼結温度が1050℃以下とい
う組成物はすでに知られている。しかし、これらの組成
物は、温度に対する静電容量の変化率が−25℃〜＋85℃
の範囲で−50％〜＋30％と大きい欠点を有していた。そ
こで、温度に対する静電容量の変化率が小さく、かつ高
誘電率である組成物が望まれていた。
て、比誘電率が10000以上で焼結温度が1050℃以下とい
う組成物はすでに知られている。しかし、これらの組成
物は、温度に対する静電容量の変化率が−25℃〜＋85℃
の範囲で−50％〜＋30％と大きい欠点を有していた。そ
こで、温度に対する静電容量の変化率が小さく、かつ高
誘電率である組成物が望まれていた。
また、酸化鉛を含む誘電体磁器組成物を用いて積層コ
ンデンサを製造するに当たっては、各誘電体材料層の間
に内部電極が介在されるが、酸化鉛を含む誘電体材料を
還元性雰囲気中で焼成すると、一般に絶縁特性が損なわ
れるために、内部電極材料としては、酸化性雰囲気中で
焼成しても酸化，溶解せず、また誘電体と反応しない安
定な銀−パラジウム合金等の貴金属が一般的に用いられ
る。しかしながら、銀−パラジウム合金の材料は高価で
あり、また、銀のマイグレーションにより特性が劣化し
たり、導電率が小さいため等価直列抵抗が大きくなるな
どの欠点を有している。
ンデンサを製造するに当たっては、各誘電体材料層の間
に内部電極が介在されるが、酸化鉛を含む誘電体材料を
還元性雰囲気中で焼成すると、一般に絶縁特性が損なわ
れるために、内部電極材料としては、酸化性雰囲気中で
焼成しても酸化，溶解せず、また誘電体と反応しない安
定な銀−パラジウム合金等の貴金属が一般的に用いられ
る。しかしながら、銀−パラジウム合金の材料は高価で
あり、また、銀のマイグレーションにより特性が劣化し
たり、導電率が小さいため等価直列抵抗が大きくなるな
どの欠点を有している。
つまり、積層コンデンサには、第１に誘電体磁器が高
誘電率であること、第２に誘電体磁器の温度に対する静
電容量の変化率が小さいこと、第３にマイグレーション
の心配かなくかつ導電率の大きい内部電極が用いられる
ことの３点が望まれている。また、上述の第３の要望に
答える電極として、安価な銅または銅系の合金材料があ
るが、これを用いるためには、還元雰囲気下で焼成して
も比抵抗が高い誘電体磁器でなければならない。
誘電率であること、第２に誘電体磁器の温度に対する静
電容量の変化率が小さいこと、第３にマイグレーション
の心配かなくかつ導電率の大きい内部電極が用いられる
ことの３点が望まれている。また、上述の第３の要望に
答える電極として、安価な銅または銅系の合金材料があ
るが、これを用いるためには、還元雰囲気下で焼成して
も比抵抗が高い誘電体磁器でなければならない。
それゆえに、この発明の主たる目的は、高誘電率を有
し、温度に対する静電容量の変化率が小さく、かつ、還
元雰囲気中で焼成しても比抵抗が高い、誘電体磁器組成
物を提供することである。
し、温度に対する静電容量の変化率が小さく、かつ、還
元雰囲気中で焼成しても比抵抗が高い、誘電体磁器組成
物を提供することである。
（課題を解決するための手段） この発明は、Pb（Mg1/2W1/2）O3-PbTiO3-PbZrO3の配
合比（モル％）を表す３成分組成図において、Ａ（52.
0,44.0,4.0）,B（47.0,38.0,15.0）,C（44.0,40.0,16.
0）,D（49.0,46.0,5.0）の各組成点を頂点とする多角形
A,B,C,Dで囲まれた範囲にある主成分を100重量％とした
とき、副成分としてZnOを0.3重量％以上2.0重量％以下
の範囲内で含有する誘電体成分に、一般式aLi2O＋ｂ（R
O）＋cB2O3＋（１−ａ−ｂ−ｃ）SiO2で表される成分に
おいて、a,b,cの値が、それぞれ、０＜ａ＜0.2、0.1≦
ｂ＜0.55、０＜ｃ＜0.4（ただし、ROは、BaO,CaO,SrOお
よびMgOの中の１種以上）の範囲内にある鉛複合ペロブ
スカイト用還元防止剤を0.05重量％以上6.5重量％以下
含有する、誘電体磁器組成物である。
合比（モル％）を表す３成分組成図において、Ａ（52.
0,44.0,4.0）,B（47.0,38.0,15.0）,C（44.0,40.0,16.
0）,D（49.0,46.0,5.0）の各組成点を頂点とする多角形
A,B,C,Dで囲まれた範囲にある主成分を100重量％とした
とき、副成分としてZnOを0.3重量％以上2.0重量％以下
の範囲内で含有する誘電体成分に、一般式aLi2O＋ｂ（R
O）＋cB2O3＋（１−ａ−ｂ−ｃ）SiO2で表される成分に
おいて、a,b,cの値が、それぞれ、０＜ａ＜0.2、0.1≦
ｂ＜0.55、０＜ｃ＜0.4（ただし、ROは、BaO,CaO,SrOお
よびMgOの中の１種以上）の範囲内にある鉛複合ペロブ
スカイト用還元防止剤を0.05重量％以上6.5重量％以下
含有する、誘電体磁器組成物である。
（発明の効果） この発明によれば、温度に対する静電容量の変化率が
小さくかつ誘電率が大きく、しかも、たとえば銅電極が
酸化しない還元雰囲気中で焼成しても比抵抗および誘電
損失などの電気的特性が劣化しない、誘電体磁器組成物
が得られる。
小さくかつ誘電率が大きく、しかも、たとえば銅電極が
酸化しない還元雰囲気中で焼成しても比抵抗および誘電
損失などの電気的特性が劣化しない、誘電体磁器組成物
が得られる。
くわしく述べると、この発明に係る組成物の主成分で
あるPb（Mg1 ］ 2W1 ］ ２）O3-PbTiO3-PbZrO3よりなる３成
分系の固溶体の誘電体磁器組成物については、既に特開
昭58-60671号に提案されている。しかしながら、この誘
電体磁器組成物では、温度に対する静電容量の変化率が
JIS規格のＢ特性（−25℃〜＋85℃においてΔC/C20＝±
10％）を満足するものは誘電率が2500未満である。その
上、還元雰囲気中で焼成すると電気的特性の劣化が生じ
る。
あるPb（Mg1 ］ 2W1 ］ ２）O3-PbTiO3-PbZrO3よりなる３成
分系の固溶体の誘電体磁器組成物については、既に特開
昭58-60671号に提案されている。しかしながら、この誘
電体磁器組成物では、温度に対する静電容量の変化率が
JIS規格のＢ特性（−25℃〜＋85℃においてΔC/C20＝±
10％）を満足するものは誘電率が2500未満である。その
上、還元雰囲気中で焼成すると電気的特性の劣化が生じ
る。
そこで、本発明者らは誘電率が2500以上で温度に対す
る静電容量の変化率がJIS規格のＢ特性（−25℃〜＋85
℃においてΔC/C20＝±10％）を満足し、かつ焼成温度
が900〜1050℃と低い誘電体磁器組成物を得るために検
討した結果、この発明に至ったのである。
る静電容量の変化率がJIS規格のＢ特性（−25℃〜＋85
℃においてΔC/C20＝±10％）を満足し、かつ焼成温度
が900〜1050℃と低い誘電体磁器組成物を得るために検
討した結果、この発明に至ったのである。
すなわち、この発明では、Pb（Mg1/2W1/2）O3-PbTiO3
-PbZrO3よりなる３成分系にZnOを添加した誘電体成分と
鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤とを混合すること
で、誘電率が2500以上と高く、温度に対する静電容量の
変化率がJIS規格のＢ特性（−25℃〜＋85℃においてΔC
/C20＝±10％）を満足し、かつ比抵抗が1010Ωcm以上で
あり、焼成温度が900〜1050℃と低く、銅電極が酸化し
ない低酸素分圧雰囲気中で焼成できる、誘電体磁器組成
物が得られたのである。
-PbZrO3よりなる３成分系にZnOを添加した誘電体成分と
鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤とを混合すること
で、誘電率が2500以上と高く、温度に対する静電容量の
変化率がJIS規格のＢ特性（−25℃〜＋85℃においてΔC
/C20＝±10％）を満足し、かつ比抵抗が1010Ωcm以上で
あり、焼成温度が900〜1050℃と低く、銅電極が酸化し
ない低酸素分圧雰囲気中で焼成できる、誘電体磁器組成
物が得られたのである。
この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利
点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
（実施例） 鉛複合ペロブスカイトの誘電体の原料として、Pb3O4,
MgO,WO3,TiO2,ZrO2,ZnO,MnO2を、別表１および別表２に
示す組成となるように秤量し、それらをボールミルで16
時間湿式混合した後、蒸発乾燥して混合粉末を得た。
MgO,WO3,TiO2,ZrO2,ZnO,MnO2を、別表１および別表２に
示す組成となるように秤量し、それらをボールミルで16
時間湿式混合した後、蒸発乾燥して混合粉末を得た。
得られた混合粉末をジルコニア質の匣に入れて680℃
で２時間焼成した後、200メッシュの篩を通過するよう
に粗粉砕して鉛複合ペロブスカイト粉末を準備した。
で２時間焼成した後、200メッシュの篩を通過するよう
に粗粉砕して鉛複合ペロブスカイト粉末を準備した。
さらに、別表１および別表２に示した組成の鉛複合ペ
ロブスカイト用還元防止剤が得られるように、各成分の
酸化物，炭酸塩あるいは水酸化物を調合し、これらをボ
ールミルで16時間湿式混合し粉砕した後、蒸発乾燥して
粉末を得た。得られた粉末を、アルミナ製のるつぼに入
れて1300℃の温度で１時間放置してから急冷してガラス
化した後、200メッシュの篩を通過するように粗粉砕し
て、鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤を準備した。
ロブスカイト用還元防止剤が得られるように、各成分の
酸化物，炭酸塩あるいは水酸化物を調合し、これらをボ
ールミルで16時間湿式混合し粉砕した後、蒸発乾燥して
粉末を得た。得られた粉末を、アルミナ製のるつぼに入
れて1300℃の温度で１時間放置してから急冷してガラス
化した後、200メッシュの篩を通過するように粗粉砕し
て、鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤を準備した。
次に、準備した鉛複合ペロブスカイト粉末に鉛複合ペ
ロブスカイト用還元防止剤のガラス化したものを別表１
および別表２に示す割合で添加し、これにポリビニルブ
チラール系のバインダおよび有機溶媒を加えてボールミ
ルで16時間湿式混合した。そして、これをドクターブレ
イド法によりシート状のグリーンシートに成型し乾燥
後、そのグリーンシートを適当な大きさにカットした。
それから、カットしたグリーンシートにスクリーン印刷
法で銅電極ペーストを用いて印刷した後、それらを圧着
し積層した。
ロブスカイト用還元防止剤のガラス化したものを別表１
および別表２に示す割合で添加し、これにポリビニルブ
チラール系のバインダおよび有機溶媒を加えてボールミ
ルで16時間湿式混合した。そして、これをドクターブレ
イド法によりシート状のグリーンシートに成型し乾燥
後、そのグリーンシートを適当な大きさにカットした。
それから、カットしたグリーンシートにスクリーン印刷
法で銅電極ペーストを用いて印刷した後、それらを圧着
し積層した。
圧着したグリーンシートをきまった規格にカットした
後、その両端面に外部電極として銅ペーストを塗布し
て、積層生ユニットを形成した。
後、その両端面に外部電極として銅ペーストを塗布し
て、積層生ユニットを形成した。
このようにして形成した積層生ユニットを、N2,H2お
よびH2Oの混合ガスを用いて、銅電極が酸化しない還元
雰囲気に調節した電気炉に入れて、900〜1050℃で２時
間焼成して、積層コンデンサ（試料）を得た。
よびH2Oの混合ガスを用いて、銅電極が酸化しない還元
雰囲気に調節した電気炉に入れて、900〜1050℃で２時
間焼成して、積層コンデンサ（試料）を得た。
得られた積層コンデンサ（試料）について、ふくしん
液に漬けて焼結度の試験を行い、最適焼成温度を決定し
た。
液に漬けて焼結度の試験を行い、最適焼成温度を決定し
た。
また、各試料について、25℃の温度における1KHz,1Vr
msでの誘電率（ε），誘電損失（tanδ），比抵抗およ
び−25〜＋85℃の温度範囲で＋20℃を基準にした誘電率
の温度特性を測定した。この測定結果を別表１および別
表２に示した。
msでの誘電率（ε），誘電損失（tanδ），比抵抗およ
び−25〜＋85℃の温度範囲で＋20℃を基準にした誘電率
の温度特性を測定した。この測定結果を別表１および別
表２に示した。
別表１および別表２において、温度特性について、B,
CおよびＤの各特性はJIS規格による温度特性を意味し、
各特性について詳細に説明すれば次のとおりである。
CおよびＤの各特性はJIS規格による温度特性を意味し、
各特性について詳細に説明すれば次のとおりである。
Ｂ特性:20℃における静電容量を基準として、−25℃〜
＋85℃における容量変化率が−10〜＋10％を超えない。
＋85℃における容量変化率が−10〜＋10％を超えない。
Ｃ特性:20℃における静電容量を基準として、−25℃〜
＋85℃における容量変化率が−20〜＋20％を超えない。
＋85℃における容量変化率が−20〜＋20％を超えない。
Ｄ特性:20℃における静電容量を基準として、−25℃〜
＋85℃における容量変化率が−30〜＋20％を超えない。
＋85℃における容量変化率が−30〜＋20％を超えない。
なお、別表１および別表２中、＊印を付したものはこ
の発明の範囲外のものである。
の発明の範囲外のものである。
さらに、別表１および別表２に示した実験例に基づい
て、図面に主成分の３成分組成図を示した。この図面に
おいて丸印を付した数字は各試料番号を示す。また、こ
の図面に、この発明の範囲内にある主成分の配合比（モ
ル％）を表す領域を、組成点A,B,C,Dを頂点とする多角
形A,B,C,Dで記入した。すなわち、この発明にかかる組
成物の主成分であるPb（Mg1/2W1/2）O3-PbTiO3-PbZrO3
の配合比（モル％）は、それらの配合比を表す３成分組
成図において、Ａ（52.0,44.0,4.0）,B（47.0,38.0,15.
0）,C（44.0,40.0,16.0）,D（49.0,46.0,5.0）の各組成
点を頂点とする多角形A,B,C,Dで囲まれた範囲内の配合
比に相当する。
て、図面に主成分の３成分組成図を示した。この図面に
おいて丸印を付した数字は各試料番号を示す。また、こ
の図面に、この発明の範囲内にある主成分の配合比（モ
ル％）を表す領域を、組成点A,B,C,Dを頂点とする多角
形A,B,C,Dで記入した。すなわち、この発明にかかる組
成物の主成分であるPb（Mg1/2W1/2）O3-PbTiO3-PbZrO3
の配合比（モル％）は、それらの配合比を表す３成分組
成図において、Ａ（52.0,44.0,4.0）,B（47.0,38.0,15.
0）,C（44.0,40.0,16.0）,D（49.0,46.0,5.0）の各組成
点を頂点とする多角形A,B,C,Dで囲まれた範囲内の配合
比に相当する。
次に、この発明にかかる組成物の組成範囲を限定した
理由について説明する。
理由について説明する。
まず、主成分の組成範囲を限定した理由について説明
する。
する。
組成点ＡおよびＢを結ぶ線の外側では、鉛複合ペロブ
スカイト用還元防止剤を混合した時、誘電率が2500より
小さくなり、かつ温度に対する静電容量の変化率がJIS
規格のＢ特性（−25℃から＋85℃においてΔC/C20＝±1
0％）を満足しないので好ましくない（試料番号２参
照）。
スカイト用還元防止剤を混合した時、誘電率が2500より
小さくなり、かつ温度に対する静電容量の変化率がJIS
規格のＢ特性（−25℃から＋85℃においてΔC/C20＝±1
0％）を満足しないので好ましくない（試料番号２参
照）。
組成点ＢおよびＣを結ぶ線の外側および組成点Ｃおよ
びＤを結ぶ線の外側では、温度に対する静電容量の変化
率がJIS規格のＢ特性を満足しないので好ましくない
（試料番号９および11参照）。
びＤを結ぶ線の外側では、温度に対する静電容量の変化
率がJIS規格のＢ特性を満足しないので好ましくない
（試料番号９および11参照）。
また、組成点ＤおよびＡを結ぶ線の外側では、鉛複合
ペロブスカイト用還元防止剤を混合した時、誘電損失が
５％を超え、比抵抗が1010Ωcmより小さくなり、かつ温
度に対する静電容量の変化率がJIS規格のＢ特性を満足
しないので好ましくない（試料番号３参照）。
ペロブスカイト用還元防止剤を混合した時、誘電損失が
５％を超え、比抵抗が1010Ωcmより小さくなり、かつ温
度に対する静電容量の変化率がJIS規格のＢ特性を満足
しないので好ましくない（試料番号３参照）。
次に、副成分の組成範囲を限定した理由について説明
する。
する。
ZnOの添加量が主成分100重量％に対して0.3重量％よ
り少ない場合には、鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤
を混合した時でも、誘電損失が５％を超え、比抵抗が10
10Ωcmより小さくなり、かつ温度に対する静電容量の変
化率がJIS規格のＢ特性を満足しないので好ましくない
（試料番号12参照）。
り少ない場合には、鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤
を混合した時でも、誘電損失が５％を超え、比抵抗が10
10Ωcmより小さくなり、かつ温度に対する静電容量の変
化率がJIS規格のＢ特性を満足しないので好ましくない
（試料番号12参照）。
一方、ZnOの添加量が2.0重量％より多い場合には、鉛
複合ペロブスカイト用還元防止剤を混合した時、誘電率
が2500未満になって好ましくない（試料番号14参照）。
複合ペロブスカイト用還元防止剤を混合した時、誘電率
が2500未満になって好ましくない（試料番号14参照）。
さらに、MnO2の添加量が主成分100重量％に対して2.0
重量％より多い場合には、鉛複合ペロブスカイト用還元
防止剤を混合した時でも、誘電損失が５％より大きくな
り好ましくない（試料番号17参照）。
重量％より多い場合には、鉛複合ペロブスカイト用還元
防止剤を混合した時でも、誘電損失が５％より大きくな
り好ましくない（試料番号17参照）。
次に、鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤の組成範囲
を限定した理由について説明する。
を限定した理由について説明する。
つまり、ｂ（RO）が10モル％未満では、鉛複合ペロブ
スカイト誘電体を銅電極使用可能な低酸素分圧（たとえ
ば1000℃，約10-7atm以下）で焼成することができない
（試料番号36,37,38,39参照）。
スカイト誘電体を銅電極使用可能な低酸素分圧（たとえ
ば1000℃，約10-7atm以下）で焼成することができない
（試料番号36,37,38,39参照）。
また、ｂ（RO）が10モル％未満では、誘電損失が５％
より大きくなり、かつ比抵抗が小さくなるので好ましく
ない（試料番号36,37,38,39参照）。
より大きくなり、かつ比抵抗が小さくなるので好ましく
ない（試料番号36,37,38,39参照）。
一方、ｂ（RO）が55モル％以上では、焼成温度が1050
℃を超えてしまい銅電極が融解して流れだすためこの発
明の目的を達成することができなくなってしまう（試料
番号28,29,30,31参照）。
℃を超えてしまい銅電極が融解して流れだすためこの発
明の目的を達成することができなくなってしまう（試料
番号28,29,30,31参照）。
また、ａ（Li2O）が20モル％以上あるいはｃ（B2O3）
が40モル％以上の場合には、誘電体特性が著しく損なわ
れたり、焼成が完了する前に軟化変形したりしてしまう
（試料番号44および46参照）。
が40モル％以上の場合には、誘電体特性が著しく損なわ
れたり、焼成が完了する前に軟化変形したりしてしまう
（試料番号44および46参照）。
最後に、鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤の添加量
を0.05重量％以上6.5重量％以下に限定した理由につい
て説明する。すなわち、その添加量を0.05重量％未満に
した場合には、誘電体が還元されて比抵抗が劣化する
（試料番号22および23参照）。一方、その添加量が6.5
重量％を超える場合には、誘電率が2500より小さくなっ
て好ましくない（試料番号52参照）。
を0.05重量％以上6.5重量％以下に限定した理由につい
て説明する。すなわち、その添加量を0.05重量％未満に
した場合には、誘電体が還元されて比抵抗が劣化する
（試料番号22および23参照）。一方、その添加量が6.5
重量％を超える場合には、誘電率が2500より小さくなっ
て好ましくない（試料番号52参照）。
なお、約10-7atmより高酸素分圧で焼成すれば、銅電
極が酸化してしまうので好ましくない（試料番号21参
照）。
極が酸化してしまうので好ましくない（試料番号21参
照）。
別表１および別表２に示す結果から明らかなように、
この発明によれば、誘電率が2500以上と高くJIS規格の
Ｂ特性を満足し、かつ比抵抗が1010Ωcm以上であり、最
適焼結温度が900〜1050℃と低く、銅電極が酸化しない
低酸素分圧雰囲気中で焼成できる、誘電体磁器組成物が
得られることがわかる。
この発明によれば、誘電率が2500以上と高くJIS規格の
Ｂ特性を満足し、かつ比抵抗が1010Ωcm以上であり、最
適焼結温度が900〜1050℃と低く、銅電極が酸化しない
低酸素分圧雰囲気中で焼成できる、誘電体磁器組成物が
得られることがわかる。
図はこの発明にかかる誘電体磁器組成物の主成分の配合
比の範囲を表す３成分組成図である。
比の範囲を表す３成分組成図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 3/12 ３１４ Ｈ０１Ｇ 4/12 ３５８ (72)発明者 坂部 行雄 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 昭63−221506（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−42277（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】Pb（Mg1/2W1/2）O3-PbTiO3-PbZrO3の配合
比（モル％）を表す３成分組成図において、Ａ（52.0,4
4.0,4.0）,B（47.0,38.0,15.0）,C（44.0,40.0,16.0）,
D（49.0,46.0,5.0）の各組成点を頂点とする多角形A,B,
C,Dで囲まれた範囲にある主成分を100重量％としたと
き、副成分としてZnOを0.3重量％以上2.0重量％以下の
範囲内で含有する誘電体成分に、 一般式aLi2O＋ｂ（RO）＋cB2O3＋（１−ａ−ｂ−ｃ）Si
O2で表される成分において、 a,b,cの値が、それぞれ、 ０＜ａ＜0.2 0.1≦ｂ＜0.55 ０＜ｃ＜0.4 （ただし、ROは、BaO,CaO,SrOおよびMgOの中の１種以
上） の範囲内にある鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤を0.
05重量％以上6.5重量％以下含有する、誘電体磁器組成
物。 - 【請求項２】さらに、前記主成分100重量％に対して、M
nをMnO2に換算して2.0重量％以下含有する、特許請求の
範囲第１項記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1044730A JPH0817054B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 誘電体磁器組成物 |
| US07/483,052 US4985381A (en) | 1989-02-23 | 1990-02-21 | Dielectric ceramic composition |
| DE4005507A DE4005507C2 (de) | 1989-02-23 | 1990-02-21 | Dielektrische keramische Zusammensetzung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1044730A JPH0817054B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02226612A JPH02226612A (ja) | 1990-09-10 |
| JPH0817054B2 true JPH0817054B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=12699562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1044730A Expired - Lifetime JPH0817054B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4985381A (ja) |
| JP (1) | JPH0817054B2 (ja) |
| DE (1) | DE4005507C2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831517B2 (ja) * | 1991-03-25 | 1996-03-27 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
| JP3350949B2 (ja) * | 1992-02-20 | 2002-11-25 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト |
| DE4402420C2 (de) * | 1993-01-27 | 1996-03-28 | Toshiba Kawasaki Kk | Piezoelektrisches Material und Ultraschallsonde |
| SG45241A1 (en) * | 1993-06-30 | 1998-01-16 | Murata Manufacturing Co | Dielectric ceramic composition |
| DE4442598A1 (de) * | 1994-11-30 | 1996-06-05 | Philips Patentverwaltung | Komplexer, substituierter Lanthan-Blei-Zirkon-Titan-Perowskit, keramische Zusammensetzung und Aktuator |
| JP2692667B2 (ja) * | 1995-02-20 | 1997-12-17 | 日本電気株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JP3204056B2 (ja) * | 1995-11-08 | 2001-09-04 | 株式会社村田製作所 | 圧電磁器 |
| JP2998639B2 (ja) * | 1996-06-20 | 2000-01-11 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP3039403B2 (ja) * | 1996-12-06 | 2000-05-08 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| US5792379A (en) * | 1997-03-27 | 1998-08-11 | Motorola Inc. | Low-loss PZT ceramic composition cofirable with silver at a reduced sintering temperature and process for producing same |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU474519A1 (ru) * | 1973-02-16 | 1975-06-25 | Ростовский Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет | Пьезокерамический материал |
| SU504736A1 (ru) * | 1974-04-02 | 1976-02-28 | Ростовский Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет | Пьезокерамический материал |
| JPS6033261A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-20 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
| JPS6036371A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-25 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
| JPS6042277A (ja) * | 1983-08-11 | 1985-03-06 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
| JPS6046965A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-14 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
| US4582814A (en) * | 1984-07-05 | 1986-04-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric compositions |
| JPH0651572B2 (ja) * | 1985-11-25 | 1994-07-06 | 三菱マテリアル株式会社 | 高誘電体粉末の製造方法 |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP1044730A patent/JPH0817054B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-02-21 DE DE4005507A patent/DE4005507C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-21 US US07/483,052 patent/US4985381A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02226612A (ja) | 1990-09-10 |
| DE4005507C2 (de) | 1998-07-02 |
| US4985381A (en) | 1991-01-15 |
| DE4005507A1 (de) | 1990-08-30 |
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