JPH0817198B2 - バーンイン試験用の回路チップと一時キャリアとの間の接続を行うための方法及び装置 - Google Patents
バーンイン試験用の回路チップと一時キャリアとの間の接続を行うための方法及び装置Info
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- JPH0817198B2 JPH0817198B2 JP4038149A JP3814992A JPH0817198B2 JP H0817198 B2 JPH0817198 B2 JP H0817198B2 JP 4038149 A JP4038149 A JP 4038149A JP 3814992 A JP3814992 A JP 3814992A JP H0817198 B2 JPH0817198 B2 JP H0817198B2
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- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
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- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、回路チップの試験用の
方法および装置、より詳しくは、回路チップのバーンイ
ン試験を実施する際に用いるための、回路チップと一時
キャリアとの間の接続を行うための方法および装置に関
する。
方法および装置、より詳しくは、回路チップのバーンイ
ン試験を実施する際に用いるための、回路チップと一時
キャリアとの間の接続を行うための方法および装置に関
する。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】半導
体装置は、新技術の進化とともにますます小型化し高密
度化している。しかしながら、回路密度の増大は、競争
力を保つためにチップ故障率を低減しなければならない
時に、全チップ故障率の対応した増加をもたらしてい
る。従って、チップ製造業者は、故障として公知である
欠陥チップを生じる欠点を識別してなくすることにより
自己の製品の品質を改善する課題をつきつけられてい
る。プロセスの変動性を低減することによりシステム上
の欠点をなくすために相当の改善がなされているが、収
量および信頼性の双方に影響するあらゆる偶発的欠点を
なくするにはプロセスの改善だけでは不十分である。従
来、そうした偶発的欠点の多くを排除することにより製
品故障率を許容水準まで改善するために、各種スクリー
ニング技法が採用されている。
体装置は、新技術の進化とともにますます小型化し高密
度化している。しかしながら、回路密度の増大は、競争
力を保つためにチップ故障率を低減しなければならない
時に、全チップ故障率の対応した増加をもたらしてい
る。従って、チップ製造業者は、故障として公知である
欠陥チップを生じる欠点を識別してなくすることにより
自己の製品の品質を改善する課題をつきつけられてい
る。プロセスの変動性を低減することによりシステム上
の欠点をなくすために相当の改善がなされているが、収
量および信頼性の双方に影響するあらゆる偶発的欠点を
なくするにはプロセスの改善だけでは不十分である。従
来、そうした偶発的欠点の多くを排除することにより製
品故障率を許容水準まで改善するために、各種スクリー
ニング技法が採用されている。
【0003】これらのスクリーニング形式の最も成功し
たものはバーンインであり、これも近年著しい改善が見
られる。静的バーンインが初めて導入された当時、バイ
ポーラ型および初期のMOSFET製品の場合、故障率
改善係数は2が通常であった。チップ入出力パッドに対
する刺激の付加を含む動的バーンインは、5〜20倍の
改善を得ている。バーンインの効率がバーンインプロセ
スにおける検出を逃れた故障によって制限されているこ
とは現在公知である。一部のチップは、不完全であるか
またはまったくバーンインを受けておらず、使用中に生
じる初期故障の多くを占めている。
たものはバーンインであり、これも近年著しい改善が見
られる。静的バーンインが初めて導入された当時、バイ
ポーラ型および初期のMOSFET製品の場合、故障率
改善係数は2が通常であった。チップ入出力パッドに対
する刺激の付加を含む動的バーンインは、5〜20倍の
改善を得ている。バーンインの効率がバーンインプロセ
スにおける検出を逃れた故障によって制限されているこ
とは現在公知である。一部のチップは、不完全であるか
またはまったくバーンインを受けておらず、使用中に生
じる初期故障の多くを占めている。
【0004】この非効率を克服するためにインサイトバ
ーンインが開発された。インサイトバーンインでは、試
験は、チップが正しいストレスを受けるように実施さ
れ、回復する可能性を有する故障が識別される。インサ
イトバーンインは、故障率を30以上の係数で改善させ
ることが示されている。シングルチップモジュールの場
合、バーンインプロセスは、通常、バーンインボードの
ソケットへの完全パッケージ化チップの挿入を含む。マ
ルチチップモジュール(MCM)の場合、プロセスは一
般に直接的ではなく、同一MCMの混合技術により、状
況はよりいっそう複雑になる。マルチチップパッケージ
でバイポーラ型チップとともに使用されるCMOSチッ
プは、信頼性目的を達成するために必要なインサイトバ
ーンインプロセスが使用できない。
ーンインが開発された。インサイトバーンインでは、試
験は、チップが正しいストレスを受けるように実施さ
れ、回復する可能性を有する故障が識別される。インサ
イトバーンインは、故障率を30以上の係数で改善させ
ることが示されている。シングルチップモジュールの場
合、バーンインプロセスは、通常、バーンインボードの
ソケットへの完全パッケージ化チップの挿入を含む。マ
ルチチップモジュール(MCM)の場合、プロセスは一
般に直接的ではなく、同一MCMの混合技術により、状
況はよりいっそう複雑になる。マルチチップパッケージ
でバイポーラ型チップとともに使用されるCMOSチッ
プは、信頼性目的を達成するために必要なインサイトバ
ーンインプロセスが使用できない。
【0005】高密度チップの場合、信頼性故障率を改善
するための最善かつ最も効率的な方法は、シングルチッ
プモジュールのインサイトバーンインを利用することで
ある。チップは、はんだリフローチップ結合プロセスに
よってセラミック基板上に置かれ、キャップを付けら
れ、試験を受け、バーンインが行われて、顧客に出荷さ
れる。
するための最善かつ最も効率的な方法は、シングルチッ
プモジュールのインサイトバーンインを利用することで
ある。チップは、はんだリフローチップ結合プロセスに
よってセラミック基板上に置かれ、キャップを付けら
れ、試験を受け、バーンインが行われて、顧客に出荷さ
れる。
【0006】Bry らによる“Reusable Chip Test Packa
ge”(IBM Technical DisclosureBulletin, Vol. 22, N
o. 4, Sept. 1979) では、最終カプセル封じに先行する
試験用のはんだその他の結合を用いずに集積回路チップ
の実装を可能にする試験パッケージを開示している。
ge”(IBM Technical DisclosureBulletin, Vol. 22, N
o. 4, Sept. 1979) では、最終カプセル封じに先行する
試験用のはんだその他の結合を用いずに集積回路チップ
の実装を可能にする試験パッケージを開示している。
【0007】“Dynamic Burn-In of Integrated Circui
t Chips at the Wafer Level”(IBMTechnical Disclosu
re Bulletin, Vol. 29, No. 6, November 1986)では、
ウェーハが放射熱源によってプリント回路基板に取り付
けおよび取り外されるウェーハレベルでのバーンイン試
験を開示している。
t Chips at the Wafer Level”(IBMTechnical Disclosu
re Bulletin, Vol. 29, No. 6, November 1986)では、
ウェーハが放射熱源によってプリント回路基板に取り付
けおよび取り外されるウェーハレベルでのバーンイン試
験を開示している。
【0008】“Improved Semiconductor Chip Solder B
all to Minimize Stress”(29111,Research Disclosur
e,July 1988,Number 291)では、チップはんだ球と、接
続を行うためのチップパッドサイトに穴を有する基板上
のはんだダムによって個別化されている基板との間に永
久接続を行う方法を開示している。
all to Minimize Stress”(29111,Research Disclosur
e,July 1988,Number 291)では、チップはんだ球と、接
続を行うためのチップパッドサイトに穴を有する基板上
のはんだダムによって個別化されている基板との間に永
久接続を行う方法を開示している。
【0009】“Test and Repair of Direct Chip Attac
h Modules ”(IBM TechnicalDisclosure Bulletin, Vo
l. 31, No. 3, August 1988)では、チップ試験が不良で
ある、または、モジュールパッドとチップ接続との間の
結合が不良であるモジュールからチップを取り外すため
の方法を開示している。開示された方法では、取り外し
プロセスでそのチップは破壊され、新しいチップが取り
付けられる。
h Modules ”(IBM TechnicalDisclosure Bulletin, Vo
l. 31, No. 3, August 1988)では、チップ試験が不良で
ある、または、モジュールパッドとチップ接続との間の
結合が不良であるモジュールからチップを取り外すため
の方法を開示している。開示された方法では、取り外し
プロセスでそのチップは破壊され、新しいチップが取り
付けられる。
【0010】“Solder Ball Reflow”(30239, Research
Disclosure, June 1989, No.302)では、はんだが接着
しないプレート固定具を基板上に重ねることによりはん
だ球とセラミック回路基板の金属パッドとの間の永久接
続を行う方法を開示している。プレートには穴が設けら
れており、リフローにおいてはんだ球を平坦にし、各自
のパッドおよびピンに達するように抑制する。
Disclosure, June 1989, No.302)では、はんだが接着
しないプレート固定具を基板上に重ねることによりはん
だ球とセラミック回路基板の金属パッドとの間の永久接
続を行う方法を開示している。プレートには穴が設けら
れており、リフローにおいてはんだ球を平坦にし、各自
のパッドおよびピンに達するように抑制する。
【0011】Beamanらによって1990年12月4 日に取得さ
れた米国特許第4,975,079 号“Connector Assembly for
Chip Testing ”は、試験中に電気デバイスの凸状変形
可能な接点領域と電気的接触を行わせるための、接点部
材を有する電気コネクタおよび刺激手段を開示してい
る。
れた米国特許第4,975,079 号“Connector Assembly for
Chip Testing ”は、試験中に電気デバイスの凸状変形
可能な接点領域と電気的接触を行わせるための、接点部
材を有する電気コネクタおよび刺激手段を開示してい
る。
【0012】本発明の目的は、被試験チップと接触する
ための接点を有する一時チップキャリア、チップと接点
との間の固体結合の領域を管理するための一時チップキ
ャリア上の接点制限層、および、試験後に損傷を生じず
に一時チップキャリアから回路チップを取り外すために
結合の領域が接点制限層によって制限されるように接点
で被試験チップをキャリアに結合するための結合材料を
含む、回路チップ試験装置を提供することである。
ための接点を有する一時チップキャリア、チップと接点
との間の固体結合の領域を管理するための一時チップキ
ャリア上の接点制限層、および、試験後に損傷を生じず
に一時チップキャリアから回路チップを取り外すために
結合の領域が接点制限層によって制限されるように接点
で被試験チップをキャリアに結合するための結合材料を
含む、回路チップ試験装置を提供することである。
【0013】本発明の第2の目的は、被試験チップと一
時チップキャリアとの間で接点で接触させることと、チ
ップと接点との間の固体結合領域を制限することと、試
験後に損傷を生じずに一時チップキャリアから回路チッ
プを取り外すために結合領域が制限されるように接点で
被試験チップを一時チップキャリアに結合することを含
む、回路チップを一時チップキャリアに接続する方法を
提供することである。
時チップキャリアとの間で接点で接触させることと、チ
ップと接点との間の固体結合領域を制限することと、試
験後に損傷を生じずに一時チップキャリアから回路チッ
プを取り外すために結合領域が制限されるように接点で
被試験チップを一時チップキャリアに結合することを含
む、回路チップを一時チップキャリアに接続する方法を
提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明では、被試験回路
チップはチップ製造プロセスのバーンインおよび試験段
階を実施するために一時的な犠牲キャリアに取り付けら
れる。この取り付け技法は、チップまたはキャリアにま
ったく損傷を与えずに回路チップを一時キャリアのセラ
ミック基板から剪断することができるので、キャリアの
再使用を可能にする。チップのはんだ球と、セラミック
基板の銅などのはんだ濡れ性材料のリード線またはパッ
ドとの間の接続は、チップをキャリアに置いて、はんだ
をリフローするためにチップ結合またはリフローファー
ネスで加熱することによって行われる。リード線または
パッドは、はんだが接着しないクロムなどの非濡れ性材
料の被覆によって覆われる。この被覆は、はんだ球と銅
リード線との間の制限された結合を作るためにはんだが
流れる穴を有する。バーンイン後、これらの制限された
結合は、チップまたはキャリアに損傷を生じることなく
剪断される。その後、高温水素リフロープロセスが使用
され、はんだ球をその原形に再形成する。チップは出荷
の前にいずれかの物理的損傷を目視検査される。
チップはチップ製造プロセスのバーンインおよび試験段
階を実施するために一時的な犠牲キャリアに取り付けら
れる。この取り付け技法は、チップまたはキャリアにま
ったく損傷を与えずに回路チップを一時キャリアのセラ
ミック基板から剪断することができるので、キャリアの
再使用を可能にする。チップのはんだ球と、セラミック
基板の銅などのはんだ濡れ性材料のリード線またはパッ
ドとの間の接続は、チップをキャリアに置いて、はんだ
をリフローするためにチップ結合またはリフローファー
ネスで加熱することによって行われる。リード線または
パッドは、はんだが接着しないクロムなどの非濡れ性材
料の被覆によって覆われる。この被覆は、はんだ球と銅
リード線との間の制限された結合を作るためにはんだが
流れる穴を有する。バーンイン後、これらの制限された
結合は、チップまたはキャリアに損傷を生じることなく
剪断される。その後、高温水素リフロープロセスが使用
され、はんだ球をその原形に再形成する。チップは出荷
の前にいずれかの物理的損傷を目視検査される。
【0015】本発明の取り付け技法は、バーンインおよ
び試験手順全体を通じてキャリアの適正位置にチップを
保持するに十分な強さでありながら、チップまたはキャ
リアのいずれにも損傷を生じずに剪断できる程度の強度
である電気的に高信頼性の結合をもたらす。本発明の取
り付け技法は、信頼性に劣る圧力接点を形成するために
高価で複雑な機械的コネクタまたはプローブを要求する
従来公知の技術に比較して極めて安価である。
び試験手順全体を通じてキャリアの適正位置にチップを
保持するに十分な強さでありながら、チップまたはキャ
リアのいずれにも損傷を生じずに剪断できる程度の強度
である電気的に高信頼性の結合をもたらす。本発明の取
り付け技法は、信頼性に劣る圧力接点を形成するために
高価で複雑な機械的コネクタまたはプローブを要求する
従来公知の技術に比較して極めて安価である。
【0016】
【実施例】図1は、本発明を用いたチップ製造における
ウェーハ試験10から在庫32までのプロセスフローの
説明図である。図1のブロック10は、この時点で良品
チップと不良チップを分離するためにウェーハの機能性
が試験されるウェーハ試験を示す。ブロック12は、ウ
ェーハの各チップの裏面がそのウェーハの個々のチップ
を識別するための識別とともにレーザでスクライブされ
る、スクライブ段階を示す。図1のブロック14は、ダ
イシング・ソート・ピック及びプレース段階を示す。ダ
イシング段階では、ウェーハが個々のチップに分割され
る。ソート段階では、個々のチップは、ウェーハ試験1
0で決定されたように、不良、良品および部分良品チッ
プに分類される。
ウェーハ試験10から在庫32までのプロセスフローの
説明図である。図1のブロック10は、この時点で良品
チップと不良チップを分離するためにウェーハの機能性
が試験されるウェーハ試験を示す。ブロック12は、ウ
ェーハの各チップの裏面がそのウェーハの個々のチップ
を識別するための識別とともにレーザでスクライブされ
る、スクライブ段階を示す。図1のブロック14は、ダ
イシング・ソート・ピック及びプレース段階を示す。ダ
イシング段階では、ウェーハが個々のチップに分割され
る。ソート段階では、個々のチップは、ウェーハ試験1
0で決定されたように、不良、良品および部分良品チッ
プに分類される。
【0017】ブロック14のピック及びプレース段階で
は、個々のチップは、後述の通り、チップ結合またはリ
フローファーネスで一時的犠牲キャリアに装填される。
ブロック16で、後述のバーンインおよびモジュール試
験においてチップを保護するために、各チップにドライ
キャップが取り付けられる。キャップ取り付け段階16
でチップにキャップが被せられた後、それらのチップは
バーンインボードに置かれ、さらにこれらのボードは図
1のブロック18の試験およびストレス付加を実施する
ためにバーンインツールに置かれる。ブロック18のバ
ーンイン試験後、チップはバーンインボードから取り外
され、バーンイン試験に合格したチップは個々にモジュ
ール試験段階20で試験される。
は、個々のチップは、後述の通り、チップ結合またはリ
フローファーネスで一時的犠牲キャリアに装填される。
ブロック16で、後述のバーンインおよびモジュール試
験においてチップを保護するために、各チップにドライ
キャップが取り付けられる。キャップ取り付け段階16
でチップにキャップが被せられた後、それらのチップは
バーンインボードに置かれ、さらにこれらのボードは図
1のブロック18の試験およびストレス付加を実施する
ためにバーンインツールに置かれる。ブロック18のバ
ーンイン試験後、チップはバーンインボードから取り外
され、バーンイン試験に合格したチップは個々にモジュ
ール試験段階20で試験される。
【0018】バーンイン試験18では、チップは高圧お
よび高温を適用することによりストレスがかけられ、前
述のように、故障を選別するために作動させる。モジュ
ール試験20では、顧客に出荷されるチップがシステム
要求条件を満たすことを保証するために、各チップはシ
ステムシュミレーションによって個別に試験される。バ
ーンイン試験およびモジュール試験とも当業者によって
十分に理解されており、本発明の一部を成さない。ブロ
ック22で、ブロック18のバーンイン試験およびブロ
ック20のモジュール試験の両方に合格したチップは、
ブロック16で付けられたドライキャップを取り外すこ
とによりキャップが外され、一時キャリアからチップが
取り外されるブロック24のチップ取り外し段階に進め
られる。ブロック24のチップ取り外しでは、個々のチ
ップはチップボートに載せられ、これが後述のようにブ
ロック26ではんだ球をその原形に再形成するためにリ
フローファーネスに入れられる。ブロック28で、それ
らのチップはいずれかの機械的損傷の徴候を有するチッ
プを選別するために目視検査を受ける。ブロック30
で、スクライブ段階12で加えられた識別情報が読み取
られ、追跡できるようにデータログシステムに付加され
る。チップはこの時点で完了し、顧客への出荷のために
ブロック32で在庫に加えられる。
よび高温を適用することによりストレスがかけられ、前
述のように、故障を選別するために作動させる。モジュ
ール試験20では、顧客に出荷されるチップがシステム
要求条件を満たすことを保証するために、各チップはシ
ステムシュミレーションによって個別に試験される。バ
ーンイン試験およびモジュール試験とも当業者によって
十分に理解されており、本発明の一部を成さない。ブロ
ック22で、ブロック18のバーンイン試験およびブロ
ック20のモジュール試験の両方に合格したチップは、
ブロック16で付けられたドライキャップを取り外すこ
とによりキャップが外され、一時キャリアからチップが
取り外されるブロック24のチップ取り外し段階に進め
られる。ブロック24のチップ取り外しでは、個々のチ
ップはチップボートに載せられ、これが後述のようにブ
ロック26ではんだ球をその原形に再形成するためにリ
フローファーネスに入れられる。ブロック28で、それ
らのチップはいずれかの機械的損傷の徴候を有するチッ
プを選別するために目視検査を受ける。ブロック30
で、スクライブ段階12で加えられた識別情報が読み取
られ、追跡できるようにデータログシステムに付加され
る。チップはこの時点で完了し、顧客への出荷のために
ブロック32で在庫に加えられる。
【0019】図2は、被試験チップ44のはんだ球40
と取り外し可能チップキャリア33の接点との間の1つ
の接続を示す説明図である。この接続は、前述の通り、
ブロック14のピック及びプレース段階で行われる。一
時キャリアは、接点を形成するための銅などのはんだ濡
れ性材料のリード線36が蒸着されているセラミック基
板34を含む。被覆38は、後述の通り、リード線36
とはんだ球40との間の接続領域を限定するためにリー
ド線36上に被覆される。
と取り外し可能チップキャリア33の接点との間の1つ
の接続を示す説明図である。この接続は、前述の通り、
ブロック14のピック及びプレース段階で行われる。一
時キャリアは、接点を形成するための銅などのはんだ濡
れ性材料のリード線36が蒸着されているセラミック基
板34を含む。被覆38は、後述の通り、リード線36
とはんだ球40との間の接続領域を限定するためにリー
ド線36上に被覆される。
【0020】被覆層38は、はんだ球40のはんだが接
着しないクロムなどの非濡れ性材料によって形成され
る。被覆層38は、各自の接点におけるはんだ球40と
リード線36との接触円の半径を縮小することによりリ
ード線36とはんだ球40との間の接続領域を限定する
ように設計されている穴42を含む。はんだ球40はチ
ップ44の回路に電気接続を付与することが理解されよ
う。
着しないクロムなどの非濡れ性材料によって形成され
る。被覆層38は、各自の接点におけるはんだ球40と
リード線36との接触円の半径を縮小することによりリ
ード線36とはんだ球40との間の接続領域を限定する
ように設計されている穴42を含む。はんだ球40はチ
ップ44の回路に電気接続を付与することが理解されよ
う。
【0021】図3は、取り外し可能チップキャリア33
のフィンガ46の設計の説明図である。図2に関連して
説明したように、フィンガ46は、非濡れ性層38が被
覆されたリード線36を含む。この層38は、リード線
36の表面をそこに置かれるはんだ球に触れさせるため
の穴42を有する。フィンガ46は、一実施例におい
て、直径6ミルとしてよい拡大部分48を含む。穴42
は、約4ミルを超える直径を有するはんだ球40によっ
て使用するために1.8ミル±0.6ミルの直径を有す
る。しかし、穴42は約0.8ミル程度に小さくしても
よい。上述の穴42による接続は、チップ44または一
時キャリア33のいずれにも損傷を与えるには十分では
ない、約6gの剪断力をかけることにより破壊し得るこ
とが知られている。さらに、接続を破壊するのに要する
剪断力は穴42によって得られる領域に関係することが
分かっている。例えば、約6.2ミルの直径を有する穴
は、約67gの破壊剪断力を要する。
のフィンガ46の設計の説明図である。図2に関連して
説明したように、フィンガ46は、非濡れ性層38が被
覆されたリード線36を含む。この層38は、リード線
36の表面をそこに置かれるはんだ球に触れさせるため
の穴42を有する。フィンガ46は、一実施例におい
て、直径6ミルとしてよい拡大部分48を含む。穴42
は、約4ミルを超える直径を有するはんだ球40によっ
て使用するために1.8ミル±0.6ミルの直径を有す
る。しかし、穴42は約0.8ミル程度に小さくしても
よい。上述の穴42による接続は、チップ44または一
時キャリア33のいずれにも損傷を与えるには十分では
ない、約6gの剪断力をかけることにより破壊し得るこ
とが知られている。さらに、接続を破壊するのに要する
剪断力は穴42によって得られる領域に関係することが
分かっている。例えば、約6.2ミルの直径を有する穴
は、約67gの破壊剪断力を要する。
【0022】図4は、前述の通り図1のキャップ取り付
け段階16において一時キャリアに接続されたチップ4
4上に置かれるドライキャップ50の説明図である。こ
のドライキャップ50は、チップ44の保護となり、さ
らに、図1のバーンイン段階18およびモジュール試験
段階20において用いる識別がマークされている。図4
はさらに、当業者で十分に理解されているように、チッ
プ44を動作させるために電力および電気信号をリード
線36に供給するための内部コネクタを有する一時キャ
リア33の接続ピン52を示す。
け段階16において一時キャリアに接続されたチップ4
4上に置かれるドライキャップ50の説明図である。こ
のドライキャップ50は、チップ44の保護となり、さ
らに、図1のバーンイン段階18およびモジュール試験
段階20において用いる識別がマークされている。図4
はさらに、当業者で十分に理解されているように、チッ
プ44を動作させるために電力および電気信号をリード
線36に供給するための内部コネクタを有する一時キャ
リア33の接続ピン52を示す。
【0023】図5は、図1のチップ取り外し段階24で
実行される、はんだ球44とリード線36との間の接続
の破壊を示す。54で図示したように、被覆層によって
生じた限定接続領域は、56で示す直線剪断力をかける
ことにより破壊される。この実施例では、直線剪断力5
6に加えて、または、その代わりとして、54で示す接
続を破壊するためにねじり力も使用することができる。
その前者の使用例では、少量の残留はんだが穴42に残
るが、その量は極めてわずかであり、はんだ球40がリ
フロー段階26で変形される場合にはんだ球40はその
原形に戻り、事実上影響を受けない。
実行される、はんだ球44とリード線36との間の接続
の破壊を示す。54で図示したように、被覆層によって
生じた限定接続領域は、56で示す直線剪断力をかける
ことにより破壊される。この実施例では、直線剪断力5
6に加えて、または、その代わりとして、54で示す接
続を破壊するためにねじり力も使用することができる。
その前者の使用例では、少量の残留はんだが穴42に残
るが、その量は極めてわずかであり、はんだ球40がリ
フロー段階26で変形される場合にはんだ球40はその
原形に戻り、事実上影響を受けない。
【0024】図6は、図1のチップ取り外し段階24に
おいて取り外し可能チップキャリア33からチップ44
を取り外すための機構の説明図である。チップキャリア
33は、モジュールホルダ60のキャビティに留められ
ているが、チップ44はアーム62によって正しい位置
に保持されており、モジュールホルダ60はチップ44
とキャリア33との間の接続がチップ44の1側面に対
するアーム62の端面64の作用によって破壊されるよ
うな直線剪断力56をかけることにより並進させられ
る。真空ペンシル66は、アームが第2の位置に持ち上
げられた際に、アーム62に対してチップ44を保持す
るための保持力を与える。図7は、アームが上述の第2
の位置に持ち上げられた際の図6のチップ取り外し機構
の別の図である。アーム62が持ち上げられた第2の位
置で、第2の真空ペンシル70がチップ44をアーム6
2のキャビティからチップボート72へ点線74によっ
て示されたように取り外すために使用される。チップ4
4は、はんだ球がリフロー段階26で正しく再形成され
るように、上部位置に自己のはんだ球を持ったチップボ
ート72に置かれることが理解されよう。チップボート
72は、一度充填されると、前述のように、はんだ球を
再形成するためにリフローファーネスに入れられる。
おいて取り外し可能チップキャリア33からチップ44
を取り外すための機構の説明図である。チップキャリア
33は、モジュールホルダ60のキャビティに留められ
ているが、チップ44はアーム62によって正しい位置
に保持されており、モジュールホルダ60はチップ44
とキャリア33との間の接続がチップ44の1側面に対
するアーム62の端面64の作用によって破壊されるよ
うな直線剪断力56をかけることにより並進させられ
る。真空ペンシル66は、アームが第2の位置に持ち上
げられた際に、アーム62に対してチップ44を保持す
るための保持力を与える。図7は、アームが上述の第2
の位置に持ち上げられた際の図6のチップ取り外し機構
の別の図である。アーム62が持ち上げられた第2の位
置で、第2の真空ペンシル70がチップ44をアーム6
2のキャビティからチップボート72へ点線74によっ
て示されたように取り外すために使用される。チップ4
4は、はんだ球がリフロー段階26で正しく再形成され
るように、上部位置に自己のはんだ球を持ったチップボ
ート72に置かれることが理解されよう。チップボート
72は、一度充填されると、前述のように、はんだ球を
再形成するためにリフローファーネスに入れられる。
【0025】図8は、図1のバーンイン試験18および
モジュール試験段階20による故障率の改善を示すグラ
フである。図8は、時間当たり電界等価電力供給後のチ
ップの累積故障のグラフである。線80は、バーンイン
試験18およびモジュール試験20を受けずに発生した
故障を表し、線82は、図1のプロセス後に発生した故
障を表す。
モジュール試験段階20による故障率の改善を示すグラ
フである。図8は、時間当たり電界等価電力供給後のチ
ップの累積故障のグラフである。線80は、バーンイン
試験18およびモジュール試験20を受けずに発生した
故障を表し、線82は、図1のプロセス後に発生した故
障を表す。
【図1】本発明を用いたチップ製造プロセスフローの説
明図。
明図。
【図2】図1のプロセスのピック及びプレース段階で形
成される被試験チップのはんだ球と取り外し可能チップ
キャリアとの間の1つの接続を示す説明図。
成される被試験チップのはんだ球と取り外し可能チップ
キャリアとの間の1つの接続を示す説明図。
【図3】図2の取り外し可能チップキャリアの接点のフ
ィンガの設計を示す説明図。
ィンガの設計を示す説明図。
【図4】図1のプロセスのキャップ取り付け段階で被試
験チップに付加されるドライキャップの説明図。
験チップに付加されるドライキャップの説明図。
【図5】図1のプロセスのチップ取り外し段階での図2
の接続の破壊を示す説明図。
の接続の破壊を示す説明図。
【図6】取り外し可能チップキャリアからチップを取り
外すための機構の説明図。
外すための機構の説明図。
【図7】チップ取り外し段階で取り外されたチップが図
1のリフロー段階で用いるチップボートに置かれる際の
図6の機構の別の説明図。
1のリフロー段階で用いるチップボートに置かれる際の
図6の機構の別の説明図。
【図8】図1のプロセスのバーンイン試験による故障率
の改善を示すグラフ。
の改善を示すグラフ。
33 取り外し可能チップキャリア 34 セラミック基板 36 リード線 38 被覆層 40 はんだ球 42 穴 44 チップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ファーディナンド、ダン、ディマリア アメリカ合衆国ニューヨーク州、ワッピン ガーズ、フォールズ、スプリット、ツリ ー、ドライブ、5 (72)発明者 ハミド、レザ、トラビー アメリカ合衆国バーモント州、エセック ス、ジャンクション、ビーチ、ストリー ト、41 (56)参考文献 特開 平1−215046(JP,A) 特公 平1−21620(JP,B2)
Claims (8)
- 【請求項1】回路チップ試験装置であって、 被試験チップと接触するための接点を有するキャリア
と、 チップと前記接点との間の固体結合の領域を、前記接点
上で通常の永久結合領域よりも狭く管理するための接点
制限手段と、 試験において前記接点で前記キャリアと被試験チップと
を結合するための結合手段であり、前記キャリアと回路
チップとの間の固体結合を破壊するのに必要とする力を
制限するために、前記固体結合領域が前記接点制限手段
によって制限せしめられる結合手段と、 試験後に前記キャリアからチップを取り外すための取り
外し手段とを含むことを特徴とする装置。 - 【請求項2】請求項1に記載の装置であって、前記接点
制限手段が、前記結合手段が接着しない非濡れ性材料に
よってできていることを特徴とする装置。 - 【請求項3】請求項1に記載の装置であって、前記取り
外し手段が、 前記試験後にチップおよび前記キャリアを保持するため
の保持手段と、 前記結合手段によって形成された結合を破壊するために
チップと前記キャリアとの間に剪断力を付与するための
力付加手段とを含むことを特徴とする装置。 - 【請求項4】チップ試験用の再使用可能チップキャリア
であって、 キャリア基板と、 被試験チップとの電気接続を作るための前記キャリア基
板の表面のはんだ濡れ性材料の1つ以上のキャリア接点
と、 前記キャリア接点上の被覆であり、前記被覆は、キャリ
ア接点とチップ接点との間の結合を分離するために必要
な力が、試験後にチップがチップキャリアから分離され
る際に所望の値に低減されるように、前記基礎キャリア
接点と被試験チップのチップ接点との間の固体接続の結
合を制限するための制限手段を有するものであり、この
制限手段によって固体結合領域が通常の永久結合領域よ
りも狭く定められるものである、前記被覆とを含むこと
を特徴とする再使用可能チップキャリア。 - 【請求項5】請求項4に記載の再使用可能チップキャリ
アであって、前記被覆がはんだ非濡れ性材料でできてい
ることを特徴とする再使用可能チップキャリア。 - 【請求項6】請求項4記載の再使用可能チップキャリア
であって、前記制限手段が、基礎キャリア接点と接触で
きるように前記被覆を貫通する穴を有することを特徴と
する再使用可能チップキャリア。 - 【請求項7】回路チップを試験するための方法であっ
て、 被試験チップを一時基板上に置く段階であり、前記チッ
プは前記一時基板のキャリア接点と前記チップのチップ
接点との間に1つ以上のはんだ球を有するものである前
記段階と、 前記はんだ球をリフローするために前記チップおよび前
記一時基板を加熱するための段階と、 前記はんだ球と前記キャリア接点との間の被覆によって
前記キャリア接点と前記チップ接点との間のはんだの流
れを通常の永久結合領域よりも狭く制限する段階であ
り、前記被覆がはんだ非濡れ性材料でできているもので
ある前記段階と、 前記一時基板と前記チップとの間の制限されたはんだ接
続を凝固するために前記チップおよび前記一時基板を冷
却する段階と、 前記チップのバーンイン試験を実施する段階と、 前記チップを前記一時キャリアから分離するために前記
制限されたはんだ接続を破壊するために前記チップと前
記一時基板との間に力を付加する段階とを含むことを特
徴とする方法。 - 【請求項8】請求項7記載の方法であって、前記はんだ
球をリフローするために前記一時基板とのチップの分離
後に前記チップを加熱し、前記はんだ球を以後の使用の
ために再形成する段階を含むことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| US676778 | 1991-03-27 | ||
| US07/676,778 US5237269A (en) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | Connections between circuit chips and a temporary carrier for use in burn-in tests |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582616A JPH0582616A (ja) | 1993-04-02 |
| JPH0817198B2 true JPH0817198B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=24715965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5237269A (ja) |
| JP (1) | JPH0817198B2 (ja) |
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| US5414372A (en) * | 1993-06-23 | 1995-05-09 | Vlsi Technology, Inc. | Reusable test apparatus for integrated circuit chips |
| US5800184A (en) * | 1994-03-08 | 1998-09-01 | International Business Machines Corporation | High density electrical interconnect apparatus and method |
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-
1991
- 1991-03-27 US US07/676,778 patent/US5237269A/en not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-02-25 JP JP4038149A patent/JPH0817198B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US5237269A (en) | 1993-08-17 |
| JPH0582616A (ja) | 1993-04-02 |
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