JPH08172307A - 誘電体同軸共振器及びその製造方法 - Google Patents

誘電体同軸共振器及びその製造方法

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JPH08172307A
JPH08172307A JP33384694A JP33384694A JPH08172307A JP H08172307 A JPH08172307 A JP H08172307A JP 33384694 A JP33384694 A JP 33384694A JP 33384694 A JP33384694 A JP 33384694A JP H08172307 A JPH08172307 A JP H08172307A
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JP
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conductor
dielectric
terminal
coaxial resonator
dielectric coaxial
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JP33384694A
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English (en)
Inventor
Shiyuntei Ri
春廷 李
Kuniaki Fujii
邦明 藤井
Etsuro Kato
悦朗 加藤
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Maruwa Co Ltd
Original Assignee
Maruwa Ceramic Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 共振器の特性のバラツキがなく,小型化で
き,かつ製造容易な低コストの誘電体同軸共振器及びそ
の製造方法を提供すること。 【構成】 誘電体5に内導体21と外導体22とを設け
てなる。誘電体5の端部51には,内導体21と導通
し,且つ外導体22とは絶縁された端子用導体ライン1
が設けられている。端子用導体ライン1は,例えば,内
導体21の一端部と接続されて,溝状に形成されてい
る。端子用導体ライン1は,内導体21と同じ材料によ
り連続的に形成されていることが好ましい。端子用導体
ライン1は,外導体22における基板搭載面59の方向
に向けて,誘電体の端部51において内導体21から延
設形成されている。また,端子用導体ライン1の開口端
は,外導体の基板搭載面59よりも窪んでいるか,又は
突出している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は,誘電体同軸共振器に関
し,特にその内導体と外部回路との間の接続構造に関す
る。
【0002】
【従来技術】一般に,誘電体同軸共振器は,図12,図
13に示すごとく,貫通穴90を有するセラミック誘電
体91に,内導体92と外導体93とを設けてなる構造
を有している。内導体92は貫通穴90の内壁に,また
外導体93はセラミック誘電体91の外表面に形成され
ている。外導体93は,半田94により,基板95の上
の接地電極96に接地されている。内導体92は,貫通
穴90に装着した金属製端子ピン97に接続されてい
る。更に該端子ピン97は基板95上の外部回路98と
半田99により接合されている。
【0003】端子ピン97の装着方法としては,図13
に示す金属の弾性を利用した直接嵌入法がある(例え
ば,実開昭62─86708号公報)。この方法は,端
子ピン97の一端に,その長手方向にスリット970
を,且つ外周に突起部971を設けて,これを貫通穴9
0の中に嵌入して,装着するというものである。また,
他の装着方法としては,半田により端子ピンを内導体に
接合する半田接合方法がある。
【0004】
【解決しようとする課題】しかしながら,上記従来の誘
電体同軸共振器9において,その内導体92と外部回路
98とを接続するに当たっては,以下の問題がある。即
ち,上記直接嵌入法による場合には,端子ピン97を精
密に加工し,所定の位置まで挿入する必要がある。ま
た,上記半田接合法による場合には,小さい径の内導体
92に対して,端子ピン97を所定の位置に半田付けし
なければならない。
【0005】このような端子ピンの加工,挿入,半田付
け等の作業は,端子ピンの挿入の深さ,半田の量などに
よる共振器の特性にバラツキを生じさせるだけでなく,
製造コストを高くする。更に,誘電体同軸共振器の内導
体に対して機械的又は熱的に損傷を与え,共振器の特性
を損なう場合もある。
【0006】一方,電子部品の小型化の傾向に合わせ
て,誘電体同軸共振器の小型化も着実に進んできてい
る。誘電体同軸共振器9が小さくなればなるほど,端子
ピン97の取り付け作業がより困難となる。また,端子
ピン97がセラミック誘電体91と外部回路98との間
に位置するため,端子ピン配置用の立体的なスペースを
必要とし,基板の高密度実装,及び小型化が困難とな
る。
【0007】本発明はかかる従来の問題点に鑑み,共振
器の特性のバラツキがなく,小型化でき,かつ製造容易
な低コストの誘電体同軸共振器及びその製造方法を提供
しようとするものである。
【0008】
【課題の解決手段】本発明は,誘電体に内導体と外導体
とを設けてなる誘電体同軸共振器において,上記誘電体
の端部には,上記内導体と導通し且つ上記外導体とは絶
縁された端子用導体ラインを設けてなることを特徴とす
る誘電体同軸共振器にある。
【0009】本発明において最も注目すべきことは,誘
電体の端部に,内導体と導通し且つ外導体とは絶縁され
た端子用導体ラインを設けたことである。
【0010】上記端子用導体ラインは,例えば,内導体
の一端部と接続されて,溝状又は平面状に形成されてい
る。溝状の端子用導体ラインは,例えば,後述する方法
により形成される。また,平面状の端子用導体ライン
は,例えば,印刷又は焼き付けにより形成される。
【0011】上記端子用導体ラインは,上記外導体にお
ける基板搭載面の方向に向けて,誘電体の端部において
上記内導体から延設形成されていることが好ましい(図
3)。これにより,端子用導体ラインを基板上の外部回
路と半田付け方法等により直接接合することができる。
そのため,従来のように端子ピンを用いることなく,基
板への取り付けが容易となる。
【0012】上記端子用導体ラインは,内導体と同じ材
料により連続的に形成されていることが好ましい。これ
により,端子用導体ラインと内導体とを一体的に形成す
ることができ,製造容易である。上記端子用導体ライン
と外導体とは,両者の間に,露出した誘電体を介在させ
ることにより絶縁することができる。
【0013】上記端子用導体ラインの開口端,即ち内導
体側と反対側における開口部分は,上記外導体の基板搭
載面よりも窪んだ窪み面に開口させることができる(図
3)。基板搭載面と窪み面との段差は,0.05〜2.
0mmであることが好ましい。0.05mm未満の場合
には,窪み面に導体電極膜が残り,端子用導体ラインと
外導体との間が絶縁されていないおそれがある。一方,
2.0mmを越える場合は,外部回路との接合が困難と
なるおそれがある。また,端子用導体ラインの開口端
は,外導体の基板搭載面よりも突出した突出面に開口さ
せることができる(図8)。基板搭載面と突出面との段
差は,基板への搭載の際の安定性に鑑み,小さい方が好
ましいが,0.5mm以下であれば,問題はない。
【0014】上記端子用導体ラインの幅は,0.2mm
以上であることが好ましい。0.2mm未満の場合に
は,端子用導体ラインが途中で断線するおそれがある。
また,外導体との接続が困難となるおそれがある。一
方,この端子用導体ラインの幅は誘電体同軸共振器の外
径より小さく,外導体との絶縁が取れていればよいが,
製造の容易さの面から,この幅は誘電体同軸共振器の外
径よりも0.8mm以上小さいことが好ましい。
【0015】次に,上記誘電体同軸共振器を製造する方
法としては,例えば,誘電体に貫通穴を設けると共に,
上記誘電体の一端面に上記貫通穴の開口端に連通する溝
を設け,次いで,上記貫通穴,溝,及び外表面を含めて
誘電体の全表面に導体電極膜を設けて,貫通穴内には内
導体を,外表面には外導体を形成し,その後,上記溝を
設けた誘電体の一端面を上記導体電極膜の厚みよりも大
きい深さに切断除去し,また,上記溝の開口端と上記外
導体との間を,上記導体電極膜の厚みよりも大きい厚み
に切断除去することにより,上記溝に,上記内導体と導
通し且つ外導体とは絶縁された端子用導体ラインを形成
することを特徴とする誘電体同軸共振器の製造方法があ
る。
【0016】上記誘電体の一端面に形成される溝の深さ
は,後工程の切断の際の切断厚みよりも深くする。上記
溝の開口端と上記外導体との間を切断除去するに当たっ
ては,例えば,導体電極膜形成後に,誘電体の一端面付
近の外導体を導体電極膜の厚みよりも深く凹状に切り欠
く方法(実施例1),或いは予め誘電体の一端面付近の
外導体に突出部分を設けておき,導体電極膜形成後に上
記突出部分を切断除去する方法を行う(実施例2)。こ
れにより,外導体と絶縁した端子用導体ラインを容易に
形成することができる。
【0017】
【作用及び効果】本発明の誘電体同軸共振器において
は,誘電体の端部に,内導体と導通する端子用導体ライ
ンが形成されている。この端子用導体ラインは,その一
端を外部回路と半田等により接続することにより端子と
しての役割を果たす。そのため,従来のように,内導体
内に挿入され且つ長い端子ピンを介することなく,上記
端子用導体ラインを外部回路に直接に半田付け法等によ
り接合することができる。
【0018】また,端子ピンを用いる必要がないので,
その取り付け作業も不要となる。更に,端子ピン取り付
け用の立体的スペースが必要でなく,誘電体同軸共振器
の小型化を図ることができる。また,端子ピン装着時に
伴う内導体への機械的又は熱的な影響が無い。従って,
誘電体同軸共振器の特性のバラツキを低減することがで
きる。
【0019】また,端子用導体ラインは,上記のように
誘電体同軸共振器自身に一体となって形成されているた
め,素子としての耐熱性,耐振動性などに対する信頼性
が高い。それ故,本発明の誘電体同軸共振器は,誘電体
フィルタ,電圧制御発振器等の様々な用途に用いること
ができ,またこれらを用いた高周波デバイスの小型化及
び高性能化を図ることができる。
【0020】次に,本発明の誘電体同軸共振器の製造方
法においては,誘電体の一端面へ溝を形成し,導体電極
膜を形成した後,その一端面を切断除去しているため,
溝内には導体電極膜が自然に残る。そのため,端子用導
体ラインの形成が容易である。また,導体電極膜形成に
より,内導体,外導体,及び端子用導体ラインが同一材
料により一体的に形成される。そのため,上記のごとく
優れた誘電体同軸共振器を容易に製造することができ,
製造コストの低減化を図ることができる。
【0021】本発明によれば,特性のバラツキがなく,
小型化でき,かつ製造容易な低コストの誘電体同軸共振
器及びその製造方法を提供することができる。
【0022】
【実施例】
実施例1 本発明の実施例に係る誘電体同軸共振器について,図1
〜図6を用いて説明する。本例の誘電体同軸共振器8
は,図1に示すごとく,誘電体5に内導体21と外導体
22とを有している。誘電体5の端部51には,内導体
21と導通し,且つ外導体22とは絶縁された,溝状の
端子用導体ライン1が設けられている。
【0023】端子用導体ライン1は,外導体22におけ
る基板搭載面59の方向に向けて,内導体21から延設
されている。端子用導体ライン1と外導体22とは,図
2に示すごとく,両者の間に誘電体5の露出させること
により,絶縁されている。この露出面は,図1,図3に
示すごとく,外導体22の基板搭載面59に対して窪ん
だ窪み面52において形成されている。
【0024】誘電体5は,酸化チタン,酸化バリウムを
主成分とする高周波用誘電体セラミックスである。誘電
体5の形状は,その横断面が正方形となる角柱状であ
る。誘電体5には,円筒状の貫通穴50が設けられてお
り,その内壁には上記内導体21が形成されている。内
導体21は,図3に示すごとく,上記端子用導体ライン
1を介して,基板6上に設けた外部回路62に半田7に
より接合される。また,誘電体5の外表面には上記外導
体22が形成されている。外導体22における基板搭載
面59は,基板6上に設けた接地回路61に半田により
接合される。
【0025】図3に示すごとく,溝状の端子用導体ライ
ン1は,その深さL0 が0.4mmであり,図2に示す
ごとく,その幅Wは1.0mmである。図3に示すごと
く,窪み面52と基板搭載面59との段差t1 は0.3
mmである。誘電体5の端部51から基板搭載面59ま
での間における上記窪み面52の長さL1 は,1.0m
mである。また,誘電体5は直方体であって,その断面
が1辺を4.0mmとする正方形であり,その長さL
は,8.8mmである。誘電体5に設けた貫通穴50の
直径は,1.2mmである。誘電体5の比誘電率は,9
0である。
【0026】次に,上記誘電体同軸共振器の製造方法に
ついて,図4〜図6を用いて説明する。まず,図4,図
5に示すごとく,上記の高周波用誘電体セラミックスを
用いて,正方形の横断面を有する四角柱形状の誘電体5
を製造する。また,この誘電体5の軸方向に沿って貫通
穴50を穿設し,誘電体5の一端面510に,貫通穴5
0と誘電体5の外表面との間に,上記深さL0 よりも大
きい深さの溝55を形成する。次いで,誘電体5を焼成
する。
【0027】次に,図6に示すごとく,上記貫通穴5
0,溝55,及び外表面を含めて誘電体5の全表面に,
ディップ法又はメッキ法により,膜厚約0.02mmの
導体電極膜2を設ける。これにより,貫通穴50の中に
は内導体21を,外表面には外導体22を形成する。
【0028】次に,横軸平面研削機により,図6に示す
ごとく,溝55を設けた誘電体5の一端面510を,矢
印C1において上記導体電極膜2の厚みよりも大きい厚
みL3 に切断除去する。また,図6の矢印C2の方向
に,切断研削機により,溝55の開口端と外導体22と
の間を,上記導体電極膜2の厚みよりも大きい厚みに切
断除去して,外導体22よりも段差t2 だけ窪んだ窪み
面52を形成する。これにより,図3に示すごとく,溝
55に,内導体21と導通し且つ外導体22とは絶縁さ
れた端子用導体ライン1が形成され,上記誘電体同軸共
振器8が得られる。
【0029】上記誘電体同軸共振器8の共振周波数は,
900MHZ であった。この共振周波数は,従来型端開
放λ/4同軸共振器と同様に,誘電体同軸共振器の長さ
Lによって決定される。誘電体同軸共振器の無負荷Q値
を測定したところ,410であり,従来のものとほぼ同
等であった。また,上記製造方法で製造した共振器のロ
ット内の特性を評価したところ,共振器の特性にバラツ
キが極めて小さかった。
【0030】次に,本例の作用効果について説明する。
本例の誘電体同軸共振器8においては,図3に示すごと
く,誘電体5の端部51に,内導体21と導通する端子
用導体ライン1が形成されている。この端子用導体ライ
ン1は,その一端を外部回路62と半田7により接続す
ることにより端子としての役割を果たす。そのため,従
来のように端子ピンを介することなく,上記端子用導体
ライン1を外部回路61に直接に半田付け法等により接
合することができる。また,端子用導体ライン1の開口
端は基板搭載面59の方向に開口しているため,基板上
の外部回路62と半田7により直接接合することができ
る。
【0031】また,従来のように端子ピンを用いる必要
がないので,その取り付け作業も不要である。更に,端
子ピン取り付け用の立体的スペースが必要でなく,誘電
体同軸共振器8の小型化を図ることができる。また,端
子ピン装着に伴う内導体21への機械的又は熱的な影響
がなく,誘電体同軸共振器の特性のバラツキを低減する
ことができる。また,端子用導体ライン1は,上記のよ
うに誘電体同軸共振器自身に一体となって形成されてい
るため,素子としての耐熱性,耐振動性などに対する信
頼性が高い。
【0032】次に,本例の誘電体同軸共振器の製造方法
においては,図6に示すごとく,誘電体5の一端面へ溝
55を形成し,導体電極膜2を形成した後,その一端面
を切断除去している。そのため,溝55の中には導体電
極膜2が自然に残る。そのため,端子用導体ライン1の
形成が容易である。
【0033】また,導体電極膜形成により,内導体2
1,外導体22,及び端子用導体ライン1が同一材料に
より一体的に形成される。そのため,上記のごとく優れ
た誘電体同軸共振器を容易に製造することができ,製造
コストの低減化を図ることができる。尚,本例において
は,誘電体5の断面が正方形であるが,この形状に限定
されず,断面が円形,多角形,長方形等の柱状であって
もよい。
【0034】実施例2 本例の誘電体同軸共振器においては,図7に示すごと
く,端子用導体ライン1の開口端は,外導体22の基板
搭載面59よりも突出した突出面53に開口している。
図8に示すごとく,突出面53の突出厚みt2 は,0.
2mmである。この突出厚みt2 は,基板への搭載に当
たり,誘電体同軸共振器の安定性に支障のないものであ
る。
【0035】また,溝状の端子用導体ライン1は,その
深さL0 が0.5mmであり,図9に示すごとく,その
幅Wは,1.5mmである。また,図8に示すごとく,
誘電体5の端部51から基板搭載面59までの間におけ
る上記突出面53の長さL1は2.0mmである。誘電
体5は直方体であって,その断面が1辺を6.0mmと
する正方形であり,その長さLは10.0mmである。
誘電体5に設けた貫通穴50の直径は,1.8mmであ
る。誘電体5の比誘電率は,90である。
【0036】次に,上記誘電体同軸共振器81を製造す
るに当たっては,まず,図10に示すごとく,2段下パ
ンチを有する金型を用いて,断面が正方形の角柱に突出
部分530を設けた誘電体5を製造する。突出部分53
0は,誘電体5の一端面510の付近における基板搭載
面59に形成する。
【0037】次に,図11に示すごとく,突出部分53
0,貫通穴50,溝55,及び外表面を含めて誘電体5
の全表面に,導体電極膜2を形成する。これにより,貫
通穴55の内壁には内導体21を,外表面には外導体2
2を形成する。
【0038】次に,横軸平面研削機により,誘電体5の
一端面510を,図11の矢印C3の方向に,導体電極
膜2の厚みよりも大きい厚みL3 に切断除去する。これ
により,図8に示すごとく,誘電体5が露出した端部5
1を形成する。また,図11の矢印C4 の方向に,切削
研削機により,上記突出部分530を,導体電極膜2の
厚みよりも大きい厚みt3 に切断除去する。これによ
り,図8,図9に示すごとく,誘電体5が露出した突出
面53を形成すると共に,内導体21と導通し且つ外導
体22とは絶縁された端子用導体ライン1が形成され,
上記誘電体同軸共振器81が得られる。
【0039】また,上記誘電体同軸共振器81の共振周
波数は800MHZ であり,無負荷Q値は530であっ
た。その他は,実施例1と同様である。本例において
も,実施例1と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1の誘電体同軸共振器の斜視図。
【図2】実施例1の誘電体同軸共振器の底面図。
【図3】実施例1の,基板上に搭載した誘電体同軸共振
器の断面図。
【図4】実施例1の誘電体同軸共振器の製造方法におけ
る,誘電体の斜視図。
【図5】実施例1の誘電体同軸共振器の製造方法におけ
る,誘電体の底面図。
【図6】実施例1の誘電体同軸共振器の製造方法におけ
る,導体電極膜を形成した誘電体の一部切欠底面図。
【図7】実施例2の誘電体同軸共振器の斜視図。
【図8】実施例2の誘電体同軸共振器の断面図。
【図9】実施例2の誘電体同軸共振器の底面図。
【図10】実施例2の誘電体同軸共振器の製造方法にお
ける,誘電体の側面図。
【図11】実施例2の誘電体同軸共振器の製造方法にお
ける,導体電極膜を形成した誘電体の一部切欠側面図。
【図12】従来例の,基板上に搭載した誘電体同軸共振
器の斜視図。
【図13】従来例の,端子ピンの装着方法の一例を示す
誘電体同軸共振器の断面図。
【符号の説明】
1...端子用導体ライン, 2...導体電極膜, 21...内導体, 22...外導体, 5...誘電体, 50...貫通穴, 51...端部, 52...窪み面, 53...突出面, 55...溝, 59...基板搭載面, 8,81...誘電体同軸共振器,

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 誘電体に内導体と外導体とを設けてなる
    誘電体同軸共振器において,上記誘電体の端部には,上
    記内導体と導通し且つ上記外導体とは絶縁された端子用
    導体ラインを設けてなることを特徴とする誘電体同軸共
    振器。
  2. 【請求項2】 請求項1において,上記端子用導体ライ
    ンは,内導体の一端部と接続されて,溝状に形成されて
    いることを特徴とする誘電体同軸共振器。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2において,上記端子用導
    体ラインは,内導体と同じ材料により連続的に形成され
    ていることを特徴とする誘電体同軸共振器。
  4. 【請求項4】 請求項1〜3のいずれか一項において,
    上記端子用導体ラインは,上記外導体における基板搭載
    面の方向に向けて,誘電体の端部において上記内導体か
    ら延設形成されていることを特徴とする誘電体同軸共振
    器。
  5. 【請求項5】 誘電体に貫通穴を設けると共に,上記誘
    電体の一端面に上記貫通穴の開口端に連通する溝を設
    け,次いで,上記貫通穴,溝,及び外表面を含めて誘電
    体の全表面に導体電極膜を設けて,貫通穴内には内導体
    を,外表面には外導体を形成し,その後,上記溝を設け
    た誘電体の一端面を上記導体電極膜の厚みよりも大きい
    深さに切断除去し,また,上記溝の開口端と上記外導体
    との間を,上記導体電極膜の厚みよりも大きい厚みに切
    断除去することにより,上記溝に,上記内導体と導通し
    且つ外導体とは絶縁された端子用導体ラインを形成する
    ことを特徴とする誘電体同軸共振器の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6941650B2 (en) 1996-07-15 2005-09-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing dielectric laminated device

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US6941650B2 (en) 1996-07-15 2005-09-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing dielectric laminated device

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