JPH08174338A - 放電機器用電源装置 - Google Patents

放電機器用電源装置

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JPH08174338A
JPH08174338A JP7228102A JP22810295A JPH08174338A JP H08174338 A JPH08174338 A JP H08174338A JP 7228102 A JP7228102 A JP 7228102A JP 22810295 A JP22810295 A JP 22810295A JP H08174338 A JPH08174338 A JP H08174338A
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discharge
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淳 種田
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浩二 赤松
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Satoshi Suzuki
智 鈴木
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    • B23H1/02Electric circuits specially adapted therefor, e.g. power supply, control, preventing short circuits or other abnormal discharges
    • B23H1/022Electric circuits specially adapted therefor, e.g. power supply, control, preventing short circuits or other abnormal discharges for shaping the discharge pulse train
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 放電待機時間中の演算増幅器の出力電圧をク
ランプすることにより,演算増幅器および電流制限素子
の飽和状態を回避し,放電発生時に出現する加工電流立
ち上がりのオーバーシュートをなくし,電極消耗特性を
向上させる。 【解決手段】 加工電極と被加工物とからなる加工間隙
に,直列に電源100,FET101および電流検出器
102を接続し,放電電流パルスのパルス形状に対応し
た電流指令値を出力する電流指令部114から出力され
た電流指令値と電流検出器102により検出された出力
電流値との差分を増幅して半導体増幅回路101を駆動
する演算増幅器117と,演算増幅器117を駆動する
電圧源208と,演算増幅器117の出力端子と電圧源
208との間に直列に接続される複数の抵抗器205,
206,207と,該抵抗器の間と演算増幅器117の
入力端子との間に接続されるダイオード209とを有す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は,加工液中に設け
られた電極と被加工物間に加工電力を供給する放電機器
用電源装置に関し,特に,電流立ち上がりのオーバーシ
ュートをなくし,電極消耗特性を向上させる放電機器用
電源装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来における放電機器用電源装置とし
て,図18に示す構成のものがある。この従来技術は,
加工電流の検出値と電流指令部からの指令値との差を増
幅し,その増幅した信号により電流制御素子の動作抵抗
を制御するとともに,該電流制御素子の制御入力側には
放電指令部からの信号によりオン/オフするスイッチを
備え,オフ時には電流制御素子を高速に遮断することに
より,放電加工用電力を供給するものである。
【0003】さらに,図18に示した従来の放電機器用
電源装置を詳細に説明する。図18において,100は
電源,101は電流制御素子,102は電流検出器,1
03は抵抗,104は電極,106は被加工物である。
また,105aは加工間隙であり,電極104と被加工
物106間には加工液が満たされ,放電可能な微小間隙
を構成しており,この間隙にて発生する放電現象により
被加工物106に対して放電加工を実行するものであ
る。
【0004】また,上記電源100,電流制御素子10
1,電流検出器102,抵抗103,電極104,被加
工物106は,それぞれ直列に接続されている。また,
107は定電圧体であり,これにより一定の電圧を維持
する。この定電圧体107とダイオード108を直列に
接続し,電流制御素子101のソース109と,電源1
00の被加工物106に接続している側部111との間
に接続する。
【0005】さらに,図において,112は放電指令部
であり,該放電指令部112からの信号によりスイッチ
113は電流制御素子101のゲート119とソース1
09との間を開閉制御する。すなわち,電流制御素子1
01を制御可能状態と遮断状態とに切り換えるものであ
る。114は電流指令部であり,該電流指令部114か
らの指令値115と電流検出器102により検出された
検出値116との差を増幅器117において増幅し,抵
抗118を介して電流制御素子101のゲート119に
接続し,スイッチ113がオフの期間電流制御素子10
1の動作抵抗を制御し,加工電流が流れたとき,上記加
工電流が電流指令値の指令値となるように制御するもの
である。
【0006】次に,上記回路の動作を図19を用いて詳
細に説明する。なお,図19において,加工電流波形と
して電流の立ち上がり部がスロープ状のスロープ電流波
形の場合について説明する。図19(a)は放電指令部
112の指令値であり,120で放電オン,121で放
電オフの指令をそれぞれ出力する。それにしたがって,
図19(c)に示すスイッチ113の動作は,120で
オフ,121でオンになる。また,図19(b)は電流
指令部114からの指令値115であり,この場合,放
電が発生するまで,例えば,122では3アンペアの指
令値で,しばらくして123のように指令値を増加さ
せ,124においては10アンペアの加工電流の指令値
とする波形を出力する。
【0007】この波形は,任意の波形が指令できるので
放電加工処理に最も適した波形を作ることができる。放
電指令が120でオンに設定されるとスイッチ113は
オフになり,図19(d)に示す増幅器117からの出
力が,加工電流が流れていない状態であるため,高い状
態になっており,抵抗118を介して電流制御素子10
1のゲート119を図19(e)に示すように駆動し,
電流制御素子101の動作抵抗を下げる。この状態にお
いては,加工電流はまだ流れていない。また,125に
おいて加工間隙105aに放電が発生すると,抵抗10
3と電流制御素子101の動作抵抗により決定される加
工電流が図19(g)に示すように流れ,極間の電圧は
それまでは第1の電源100の電圧127であったもの
が放電電圧,すなわち,図19(f)に示す126とな
る。
【0008】また,加工電流は,図19(g)に示すよ
うに電流指令値115にしたがって変化する。121で
放電指令がオフになるとスイッチ113はオンし,電流
制御素子101は遮断される。したがって,配線や抵抗
103等に含まれるインダクタンスによりソース109
の電圧には負の高電圧が発生するが,ダイオード108
が導通した定電圧体107の電圧を,図19(h)の1
28に示すように制限する。その結果,加工電流が,図
19(g)129に示すように急激に減少する。
【0009】その他,この発明に関連する参考技術文献
として特開昭63−123614号公報に開示されてい
る「放電加工方法」,特開平3−228520号公報に
開示されている「放電加工用電源の制御方法」,特開平
1−210219号公報に開示されている「放電加工電
流制御回路」,特開昭63−68316号公報に開示さ
れている「放電加工機」がある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は,以上
のように構成されているので,以下に示すような問題点
があった。放電待機時間,すなわち,放電指令値が12
0において放電オンし,125で放電が発生するまでの
間は加工電流は流れておらず,電流フィードバック制御
のフィードバックが切れた状態であり,増幅器117か
らの出力は図19(d)の130に示すように飽和状態
の最大電圧を出力しており,この電圧により制御される
電流制御素子101も飽和状態になり,その動作抵抗は
“0”となる。
【0011】また,125で放電が発生すると加工電流
が流れTEフィードバックが開始されるので,電流フィ
ードバック制御は加工電流が指令電流値になるように制
御する。フィードバックループが切れた状態では演算増
幅器117は飽和状態の最大電圧を出力しており,その
ため電流制限素子101も飽和状態にある。125の放
電検出と同時に電流フィードバック信号が帰るが演算増
幅器117,電流制御素子101が飽和状態から通常の
制御状態である非飽和状態に戻るまでには,図19
(d)の133に示す時間を要し,演算増幅器117か
らの出力である,図19(d)は所望の波形135(点
線)に対して134(実線)に示すような遅れた波形と
なる。そのため,電流の立ち上がり波形は図19(g)
の132(実線)に示すように大きくオーバーシュート
し,所望のスロープ電流波形図である19(g)の13
1(点線)とは大きくかけ離れた波形となる。
【0012】図20は,加工電流が矩形波の場合につい
て説明したものである。図19に示したものと同一の番
号は同一の信号を示す。図20(j)の電流指令値は1
36に示すように矩形である。スロープ電流の場合と同
様に飽和状態から通常の制御状態である非飽和状態に戻
るまでに図20(1)の137に示す時間を要し,増幅
器117からの出力である図20(1)は所望の波形1
39に対して138に示すように遅れた波形となる。そ
のため,電流の立ち上がり波形は,図20(o)の14
0に示すように大きくオーバーシュートし,所望の矩形
電流波形である図20(o)141とは大きくかけ離れ
た波形となる。すなわち,上記した電流立ち上がりのオ
ーバーシュートは,放電加工処理における電極消耗特性
を悪化させるという問題点があった。
【0013】この発明は,上記に鑑みてなされたもので
あって,放電待機時間中の演算増幅器の出力電圧をクラ
ンプすることにより,演算増幅器および電流制限素子の
飽和状態を回避し,放電発生時に出現する加工電流立ち
上がりのオーバーシュートをなくし,電極消耗特性のよ
い放電機器用電源装置を得ることを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに,この発明に係る放電機器用電源装置にあっては,
直列に直流電源,増幅回路および電流検出部を接続した
放電手段と,放電電流パルスのパルス形状に対応した電
流指令値を出力する電流指令手段と,前記電流指令手段
から出力された電流指令値と前記電流検出部により検出
された出力電流値との差分を増幅して前記増幅回路を駆
動する演算増幅手段と,前記演算増幅手段を駆動する電
圧電源と,前記演算増幅手段の出力端子と前記電圧電源
との間に直列に接続され,前記増幅回路の能動領域をク
ランプするクランプ手段とを具備するものである。
【0015】また,次の発明に係る放電機器用電源装置
にあっては,前記クランプ手段によるクランプレベルを
切り換えるクランプレベル切換手段を,さらに具備する
ものである。
【0016】また,次の発明に係る放電機器用電源装置
にあっては,加工間隙を介した加工電極と被加工物とに
対し,直列に直流電源,増幅回路および電流検出部を接
続した放電加工手段と,放電電流パルスのパルス形状に
対応した電流指令値を出力する電流指令手段と,前記電
流指令手段から出力された電流指令値と前記電流検出部
により検出された出力電流値との差分を増幅して前記増
幅回路を駆動する演算増幅手段と,前記演算増幅手段を
駆動する電圧電源と,前記演算増幅手段の出力端子と前
記電圧電源との間に直列に接続される複数の抵抗器と,
前記抵抗器の間と前記演算増幅手段の入力端子との間に
接続される整流手段とを具備するものである。
【0017】したがって,複数の抵抗器とダイオードに
より,出力電圧が負の電源電圧より高い状態にクランプ
(この出力クランプレベルは抵抗器により設定される)
され,それ以上下がらない。すなわち,放電待機状態に
おいては演算増幅器の抵抗器による反転増幅(フィード
バック)状態はダイオードによってフィードバックの定
常状態が維持される。
【0018】また,次の発明に係る放電機器用電源装置
にあっては,前記抵抗器がそれぞれ異なる抵抗値を有し
ており,電流指令手段からの出力に応じて,前記抵抗器
を切り換える抵抗器切換手段を,さらに具備するもので
ある。
【0019】また,次の発明に係る放電機器用電源装置
にあっては,前記抵抗器が可変抵抗器であり,前記電流
指令手段からの出力に応じて,その抵抗値を可変するも
のである。
【0020】したがって,複数の抵抗器(可変抵抗器)
を用いて複数通りにクランプ電圧を切り換えることで,
放電待機中に演算増幅器を能動領域に設定できることに
加えて,より高速にFETのゲート電圧が推移するの
で,オーバーシュートのより少ない電流波形を得ること
ができる。
【0021】また,次の発明に係る放電機器用電源装置
にあっては,加工間隙を介した加工電極と被加工物とに
対し,直列に直流電源,増幅回路および電流検出部を接
続した放電加工手段と,放電電流パルスのパルス形状に
対応した電流指令値を出力する電流指令手段と,前記電
流指令手段から出力された電流指令値と前記電流検出部
により検出された出力電流値との差分を増幅して前記増
幅回路を駆動する第1の演算増幅手段と,前記電流指令
手段から出力された電流指令信号を定数倍する第2の演
算増幅手段と,前記第1の演算増幅手段の出力端子と第
2の演算増幅手段の出力端子に接続される整流手段とを
具備するものである。
【0022】したがって,クランプレベルを,電流波形
の形状に対応させたクランプパターンとして構成するこ
とで,複雑な電流波形に対してもオーバーシュートを少
なくするものである。すなわち,電流指令部からの出力
を2つに分割し,FETを駆動する演算増幅器とともに
第2の演算増幅器に出力する。第2の演算増幅器の負帰
還ゲインは第1の演算増幅器のゲインよりも幾分高く設
定しておくことにより,所定のクランプパターンを発生
させる。このクランプパターンは,電流指令値に基づい
て作られるため,電流ピーク値の変更に対応できるほ
か,矩形以外の複雑形状を有する電流波形の指令値に対
しても,FETのゲート電圧を最適状態に維持すること
ができ,きわめて精度のよい電流波形を作る。
【0023】また,次の発明に係る放電機器用電源装置
にあっては,加工間隙を介した加工電極と被加工物とに
対し,直列に直流電源,増幅回路および電流検出部を接
続した放電加工手段と,放電電流パルスのパルス形状に
対応した電流指令値を出力する電流指令手段と,前記電
流指令手段から出力された電流指令値と前記電流検出部
により検出された出力電流値との差分を増幅して前記増
幅回路を駆動する演算増幅手段と,前記加工間隙の放電
を検出する放電検出手段と,前記電流検出部と前記演算
増幅手段との間に接続され,前記放電検出手段からの出
力信号に基づいて,前記電流検出部からの出力電流値を
切り換える出力電流値切換手段とを具備するものであ
る。
【0024】したがって,放電が発生するまでの待機時
間中は,電流フィードバック制御ループを切断すること
により,演算増幅器およびFETが飽和状態になること
を回避する。すなわち,電流検出器からの電流検出信
号,すなわち,電流フィードバックループをON/OF
Fするための切換器を設け,該切換器は,放電検出回路
からの指令によりフィードバック信号を切り換える。
【0025】また,次の発明に係る放電機器用電源装置
にあっては,加工間隙を介した加工電極と被加工物とに
対し,直列に直流電源,増幅回路および電流検出部を接
続した放電加工手段と,放電電流パルスのパルス形状に
対応した電流指令値を出力する電流指令手段と,前記電
流指令手段から出力された電流指令値と前記電流検出部
により検出された出力電流値との差分を増幅して前記増
幅回路を駆動する演算増幅手段と,前記演算増幅手段を
駆動する電圧電源と,前記演算増幅手段の出力端子と前
記電圧電源との間に直列に接続される複数の抵抗器と,
前記加工間隙の放電を検出する放電検出手段と,前記抵
抗器がそれぞれ異なる抵抗値を有しており,前記放電検
出手段からの出力に応じて,前記抵抗器を切り換える抵
抗器切換手段とを具備するものである。
【0026】したがって,待機時に設定したクランプレ
ベルを放電時に解放するようにして,放電検出回路の出
力に応じて切換器によりクランプをオン/オフする。放
電後にあっては,電流検出器からの出力が得られ,電流
フィードバックループが機能するため,クランプされな
くても指令値通りの出力電流波形を得ることでできる。
すなわち,放電待機時におけるクランプレベルを電流指
令値に対応して設定しておき,放電後,放電検出器の信
号に基づいてクランプを解除する。
【0027】また,次の発明に係る放電機器用電源装置
にあっては,前記演算増幅手段が,反転増幅回路あるい
は非反転増幅回路により構成されているものである。
【0028】したがって,演算増幅器に非反転増幅回路
を用いた場合,電流指令値が大きくなっても,放電待機
時の出力電圧レベルはそれに応じて大きくなるので,最
適クランプ電圧に近い状態を維持することができる。
【0029】
【発明の実施の形態】
〔実施例1〕以下,この発明に係る放電機器用電源装置
の実施例を図について説明する。まず,実施例1につい
て説明する。図1は,実施例1に係る構成を示し,図2
は,その動作を示している。図1において,加工回路は
直流電源100,電流検出器102,半導体増幅器10
1(以下,FETという),加工電極104,加工間隙
105a,被加工物106とが直列に接続された状態で
構成されている。
【0030】FET101は,パワートランジスタある
いはパワーMOSFET等が実際に使用される。本実施
例においてPチャンネル型のパワーMOSFETの例に
て説明するが,Nチャンネル型あるいは他のパワー半導
体デバイスであっても動作は同一である。また,このF
ET101は,スイッチング機能を含む増幅器である。
【0031】また,電流指令部114から得られる電流
指令信号115の指令波形は,例えば,図2の115の
ように出力される。この例は,矩形波の出力電流を得よ
うとする場合である。電流指令値115は,指令電流ピ
ーク値1を設定することによりFETゲート駆動信号2
00が2のように駆動され,極間電圧105が3のよう
に加工間隙105aに印加される。その後,放電処理に
移行するまでの待機時間の後,放電処理が開始すると,
加工間隙105aの電流,すなわち,出力電流132が
4のように立ち上がる。
【0032】ところで,実施例1においては,図1のご
とく,FET101のゲート204を制限抵抗118を
介して駆動する演算増幅器117からの出力は,抵抗器
205,206,207および電圧源208によって釣
り上げられており,さらに,演算増幅器117の入力端
子203と,抵抗器205と206との間にダイオード
209が挿入されている。
【0033】本ダイオード209の設置方向は,使用す
るFETのタイプ,すなわち,PタイプかNタイプ,ま
たは演算増幅器の使用方法により異なるものであるが,
本実施例ではFETとしてPタイプを用いており,演算
増幅器117にて直接駆動する場合を示しているため
に,図のように入力端子から出力端子に向かってダイオ
ード209が挿入されている。なお,201は電流指令
部114からの電流指令値115と電流検出器102か
らの検出信号116との差を求める減算器である。
【0034】放電待機中においては,図2の5のように
出力電流132は0となっているため,演算増幅器11
7の入力端子203には正の信号が印加されている。演
算増幅器117のゲインはある程度高く設定されるが,
出力は駆動電源の電圧以上あるいは以下にはならない。
図1において,演算増幅器117は反転増幅器として用
いられているため,出力はフィードバックの電源電圧付
近の電圧となりPチャンネルのFETゲート駆動信号2
00はON状態となる。
【0035】ところが,本実施例においては前記3つの
抵抗器205,206,207とダイオード209が用
いられているために,出力電圧は負の電源電圧6より高
い7にクランプされ,それ以上下がらないように構成し
ている(図2参照)。この出力クランプレベルは抵抗器
205,206,207により設定されるものであり,
通常,演算増幅器117の電源電圧が±15Vで使用さ
れたとすると,例えば,−10Vでクランプさせること
ができる。すなわち,放電待機状態においては演算増幅
器117の抵抗器202による反転増幅(フィードバッ
ク)状態はダイオード209によってフィードバックの
定常状態が維持されている。
【0036】一般に,演算増幅器117がフィードバッ
ク状態を維持できずに出力が飽和状態になっていると,
飽和状態から不飽和状態,すなわち,通常の動作状態で
ある能動状態に移行するのに多大な時間を要すること
は,従来例において説明した通りである。これに対して
本実施例においては,不飽和状態に置くことができるた
めに,放電が発生し,放電電流,すなわち,電流検出器
102からの電流フィードバック信号(出力電流)13
2(図2参照)が立ち上がるに従って,演算増幅器11
7からの出力,すなわち,FETゲート駆動信号200
は高速で変化することができる。
【0037】このため,加工間隙105aに得られる電
流波形(出力電流)132の立ち上がり速度はきわめて
高速であるとともにオーバーシュートは少なく,電流指
令部114からの電流指令値115にきわめて近い波形
を得ることができるため,安定した加工状態を得ること
ができ,高速な加工処理を実現することができる。
【0038】なお,この動作例の場合にあっては,電流
指令値115のピーク値1を得ることのできるFETゲ
ート駆動信号200のレベルは8のごとくであるため
に,クランプレベルが,例えば,9のように下回った場
合には,電流指令値115よりも小さな出力電流ピーク
値しか得られずに10のようになってしまうため,クラ
ンプを極端に小さくすることはできない。
【0039】〔実施例2〕次に,実施例2について説明
する。図3および図4は,請求項2に係る実施例を示
す。通常,放電加工における電流ピーク値,すなわち,
電流指令部114からの電流指令値115のピーク値
は,加工条件に応じて各種設定される。上記クランプレ
ベルは,演算増幅器117が出力飽和しないレベルに設
定されれば,加工電流の立ち上がり速度を高速化するこ
とができるが,クランプレベルに対して目標となるFE
Tゲート駆動信号(VG)200の信号レベルが離れて
いると,放電待機時に演算増幅器117が能動領域にあ
ったとしても,ゲート信号が定常レベルに落ちつくまで
に,幾分かのオーバーシュートがあるため,それが電流
波形のオーバーシュートとなって現れる。例えば,図4
の11である。
【0040】このオーバーシュートは,クランプレベル
をゲート信号の目標値付近に近づけることで,ゲート信
号の変化量を小さくすることができるために,結果とし
て小さくすることができる。図4(a),(b),
(c)は,それぞれその状態を示したもので,(a)よ
り(b),(b)より(c)の方がクランプレベルがよ
りゲート信号の目標値に近づいているためにオーバーシ
ュートが少なくなっている。
【0041】すなわち,放電待機時における演算増幅器
117およびFETゲート駆動信号200は電流ピーク
値に対応した信号レベルに近い方が立ち上がり時のオー
バーシュートをより少なくすることができ,電流指令値
115により一致した出力電流波形が得られ,加工結果
としても,均一な面を高速に加工することができる。
【0042】図2は,これらの機能を実現するための一
例であり,電流指令部114からの電流指令17により
抵抗器18a,18b,18c等の複数の抵抗器を切り
換え,クランプレベルを変更するように構成したもので
ある。19は電流指令部114からの指令17に基づい
て抵抗器18を切り換える切換器である。
【0043】ここで,本実施例に使用するのに適切なF
ETの1つとして,2SJ48がある。このFETはゲ
ート電圧に対するドレイン電流の線形性が高く,電流値
を連続的に制御するのに適しているが,そのゲート電圧
−ドレイン電流特性はおおむね図5に示すようになって
いる。ここで,加工電流,すなわち,ドレイン電流とし
て,例えば,0.8Aの電流を得ようとした場合,電流
フィードバック制御により,ゲート電圧は最終的に−
1.75Vに集束して,ピーク電流0.8Aを維持する
ことになるのが上記図5からわかる。
【0044】このため,クランプ電圧レベルを−1.7
5Vに極めて近い値,すなわち−1.8VすなわちVg
1 (34)等で放電待機するようにすれば,ゲート電圧
の変化量が少ないため,図4(c)のように電流オーバ
ーシュートは極めて少なくなる。もちろん,クランプ電
圧が−1.6V等下回ってしまえば,希望する電流ピー
ク値は得られなくなり,クランプ電圧が−1.75V丁
度になっていても,制御できる範囲が少なくなるため,
各種外乱を吸収したフィードバック制御が成立しなくな
る。すなわち,最終ゲート電圧よりも幾分高い(負に高
い)電圧にてクランプする必要があり,そのクランプ電
圧は希望する電流値,すなわち,最終ゲート電圧よりは
高めに設定されなければならない。
【0045】本実施例の場合には,3つの抵抗器18
a,18b,18cを用いて3通りにクランプ電圧を切
り換えるが,そのクランプ電圧レベルは,例えば,図5
に示したVg1 (34),Vg2 (35),Vg3 (3
6)のようになる。すなわち,出力電流I3 (約0.2
A)39からI2 (約0.55A)38を得ようとする
場合にはクランプ電圧Vg3 (36)を使用し,I
2 (約0.55A)38からI1 (0.85A)37を
得ようとする場合にはクランプ電圧Vg2 (35)を使
用し,I1 (約0.85A)37以上を得ようとする場
合にはクランプ電圧Vg1 (34)を使用する。
【0046】このようにすることで,放電待機中に演算
増幅器117を能動領域に設定できることに加えて,よ
り高速にFET101のゲート電圧が推移するので,オ
ーバーシュートのより少ない電流波形を得ることができ
る。
【0047】〔実施例3〕次に,実施例3について説明
する。図6および図7は,請求項3に係る実施例を示
す。放電加工において使用される電流波形は必ずしも矩
形ばかりではなく,図7のライン132に示されるよう
に,2段階の立ち上がり波形を使用することもある。こ
の波形の場合,22までを高速に立ち上げ,その後立ち
上がり速度を遅くして電流ピーク値23に到達させるよ
うにするものである。この波形を用いた場合には,電極
消耗をきわめて小さくすることができる。
【0048】この波形を本発明に係る回路にて出力させ
ようとした場合,上記実施例1,2の方法においては,
クランプレベル25を電流ピーク値より小さく設定する
ことができないために,1段目の立ち上がり22に向か
って電流が立ち上がるときは,クランプレベル25と目
標電流値21は大きく離れており,電流のオーバーシュ
ートは27のごとく,大きくなりがちである(図7参
照)。
【0049】本実施例にあっては,クランプレベルを,
電流波形の形状に対応させたクランプパターンとして構
成することで,複雑な電流波形に対してもオーバーシュ
ートを少なくするものである。
【0050】図6は,その回路例を示している。電流指
令部114からの出力115を2つに分割し,FET1
01を駆動する演算増幅器117とともに第2の演算増
幅器210に出力する。第2の演算増幅器210の負帰
還ゲインは第1の演算増幅器117のゲインよりも幾分
高く設定しておくことにより,図7の26に示すような
クランプパターンを発生させる。このクランプパターン
は,電流指令値115に基づいて作られるために,電流
ピーク値の変更に対応できるほか,矩形以外の複雑形状
は電流波形の指令値に対しても,FET101のゲート
電圧を最適状態に維持することができ,きわめて精度の
よい電流波形を作ることができる。すなわち,加工性能
を向上させることができるものである。
【0051】なお,第2の演算増幅回路210のゲイン
は第1の演算増幅回路の約1.1倍ほどが適当である。
すなわち,放電待機中のFETゲート駆動信号は,電流
指令値のそれよりも10%ほど高いレベルで待機させる
のがよい。しかしながら,その割合は使用するFET,
演算増幅器などの動作速度により,変わるものであるた
め,それぞれ調整,設定されるべきである。
【0052】〔実施例4〕次に,実施例4について説明
する。図8および図9は,請求項4に係る実施例を示
す。上記各実施例における放電加工装置の電源では,半
導体増幅回路,すなわち,パワーMOSFET等を能動
領域にて動作させており,一つの可変抵抗器として用い
ている。電流検出器102からの検出信号に基づいてF
ET101を駆動することで,電流出力波形に対してフ
ィードバック制御を行い,電流波形の精度,立ち上がり
速度を改善しようとするものである。しかしながら,加
工間隙105aに電圧が印加されてから実際に放電が発
生するまでの放電待機時間中は,この電流フィードバッ
ク制御が成り立たないことが,回路を遅れなく正常に動
作させる点での不具合になっている。
【0053】このため,図8に示した実施例4にあって
は,放電が発生するまでの待機時間中は,電流フィード
バック制御ループを切断することで,演算増幅器117
およびFET101を飽和させないようになるものであ
る。図中では電流検出器102からの電流検出信号11
6,すなわち,電流フィードバックループをON/OF
Fするための切換器27を接続している。この切換器2
7は別に設けられた放電検出回路29からの指令33に
よりフィードバック信号を切り換えるように構成されて
いる。
【0054】放電待機中は電流指令部114から電流指
令値波形とは別に出力される放電待機レベル信号28が
フィードバックループに入るようになっており,放電待
機レベル信号28と放電電流指令信号115との差分が
減算器201を介して演算増幅器117へ入力される。
演算増幅器117はそれ自体負帰還がかかっているため
に,その出力信号は入力に一定のゲインをかけたレベル
のものとなる。
【0055】すなわち,このとき得られるFETゲート
駆動信号200は,図9に示すように,レベル30とな
る。図9において,特徴的なことは,放電待機信号レベ
ルを適当に設定することにより,待機時におけるゲート
信号を電流指令値115に対応したものよりも小さくす
ることができる点である。すなわち,可変抵抗器として
機能しているFET101は抵抗の高い状態にて待機さ
せることができる。このため,放電に移行した瞬間の3
1におけるオーバーシュートをきわめて小さくすること
ができるものである。
【0056】〔実施例5〕次に,実施例5について説明
する。図10および図11は,実施例5に係る実施例を
示す。この例では,放電の前後でクランプレベルを設
定,開放できるようにしている。先にクランプレベルを
クランプパターンに変更することで,複雑な波形を出力
できる実施例を示したが,その場合,演算増幅器の個数
が多くなり,装置のコストが高くなるという問題点があ
る。
【0057】本実施例では,待機時に設定したクランプ
レベルを放電時に解放するようにして,放電検出回路2
9の出力33に応じて切換器32によりクランプをオン
/オフするものである。放電後にあっては,電流検出器
102からの出力が得られ,電流フィードバックループ
116が機能するため,クランプされなくても指令値通
りの出力電流波形を得ることでできる。すなわち,放電
待機時におけるクランプレベルを電流指令値に対応して
設定しておき,放電後,放電検出器29の信号に基づい
てクランプを解除する。
【0058】図12は,その動作を示したものである。
放電待機中3は,放電検出回路29からの検出信号33
に基づいて,電流ピーク指令値に応じたクランプレベル
32a,32b,32cのいずれかが選択される。さら
に,3回路以上の選択枝があれば,さらに適切なクラン
プレベルを設定することができる。ここで,ある電流ピ
ーク値に応じた32cレベルのクランプ電圧が選択され
たとすると,FET101のゲート電圧204は,放電
待機時においては7aのように低いクランプレベルで待
機する。
【0059】放電が開始されて放電検出器が放電検出信
号33aを出力すると,予めクランプ電圧32aを発生
させていた切換器32がOFFとなり,クランプが解除
され32dとなる。このときには既に電流フィードバッ
クループが形成されているので,FET101のゲート
電圧204は204aのように,所望の電流を供給する
レベルに到達している。これによって得られる電流波形
(出力電流)132aはオーバーシュートのない波形が
得られる。
【0060】上記実施例5の場合,放電開始とともにク
ランプ電圧を解除してしまうので,放電待機中のクラン
プレベルが,非常に低くなっていてもかまわない。上記
にて説明したクリンプ過剰状態により,電流指令値より
も小さな出力電流しか得られないような現象は起きるこ
とがなく,クランプレベルの設定は容易となる。かつ,
十分に小さなクランプ電圧がかけられるために電流のオ
ーバーシュートもきわめて小さくすることができる。す
なわち,本実施例の場合,回路を簡単に構成するととも
に,クランプ電圧をきわめて低く設定し,電流のオーバ
ーシュートを小さくすることができる。
【0061】〔実施例6〕次に,実施例6について説明
する。図13は,実施例6に係る実施例を示す。これま
での上記各実施例においては,演算増幅器は反転増幅回
路を構成していたが,非反転増幅回路を構成しても同様
の効果がある。
【0062】図13では演算増幅器121と117の2
段を用い,1段目の演算増幅器121で電流指令115
と電流現在値116との差分を演算し,2段目の演算増
幅器117に出力をクランプするためのダイオード20
9が接続されている。2段目の演算増幅器117は非反
転増幅回路を構成しており,ダイオード209はフィー
ドバックに入っているが,出力204が大きい(負に大
きい)場合には,ダイオード209がONとなり,負の
抵抗値は,抵抗器202と205の並列となるため,フ
ィードバックケインが下がる動作を実行する。
【0063】しかし,演算増幅器117は非反転なので
一般的にゲインは1以上の値となるため,出力204は
入力47よりも小さくなることはありえない。すなわ
ち,入力47が,所望の電流値を得るためのFETゲー
ト駆動信号(電圧)200あるいは204とほぼ等しい
値になるように初段演算増幅器121のゲイン40a,
40b,41を設定しておけば,放電待機中のゲート電
圧はダイオード209によりゲインが制限されるため,
目標とするゲート電圧に近い電圧出力を得ることができ
る。放電が開始されると,電流フィードバック信号が1
16から得られるために,初段演算増幅器121からの
出力は放電待機中よりも小さくなる。
【0064】この動作を説明したのが,図14〜図17
である。図14,図15は反転増幅回路を用いた例であ
り,図1に示した回路の動作を示したものである。図1
6,図17は非反転増幅回路を用いた例であり,図13
に示した回路の動作を示したものである。演算増幅器の
動作を主に比例動作として表したもので,図14は演算
増幅器117の入出力を,図15は電流指令値115に
対するFET101のゲート電圧をそれぞれ示してい
る。
【0065】図14について説明する。横軸は反転増幅
回路のゲインに対応しており,外部に接続される抵抗値
によって−a,+bの値が設定され,反転増幅器として
の比例ゲインが決定される。この場合には比例ゲインが
−b/a倍である状態を示している。ここで,放電待機
中に反転増幅回路の入力端子,図1に示した203に2
21aのレベル入力があったとする。このとき,出力は
本来222aとなるが,クランプレベルが(−α)に設
定してあるので,実際には223aの出力しか得られな
い。すなわち,出力がクランプされているものである。
入力端子203に221bレベルの入力があった場合に
は,同様にクランプされて出力223bが得られるが,
これは223aと同レベルであり,常に一定のレベルに
クランプされることを示している。
【0066】次に,放電が発生して,電流フィードバッ
クが帰り,演算増幅器の入力端子の信号レベルが221
cのように低くなると,出力はクランプレベル以下とな
るため,クランプされずに,通常の比例出力223cが
得られる。このように反転増幅回路を用いた場合は,放
電待機中の出力電圧は電流指令値の大きさに関わらず,
一定の値を示すことになる(外部定数,外部回路として
実施例2〜5のような操作をしない場合)。
【0067】図15ではそれを電流指令値に対するゲー
ト電圧で示している。放電中はクランプ電圧以下の範囲
において電流指令値115に対するFETゲート駆動信
号(電圧)200は線形に得られる。放電待機中におい
てはクランプされているために,電流指令値に関わらず
ほぼ一定の−αの出力電圧となる。なお,各電流指令値
に対して−α1,あるいは−α2というように最適なク
ランプ電圧を得るために,外部回路を変更させることで
最適クランプ電圧を調整する必要があるのは,上記実施
例において説明した通りである。
【0068】次に,非反転増幅回路を用いた回路動作を
図16,図17に示す。非反転増幅回路の場合は,得ら
れるゲインは1以上であるために,フィードバックルー
プにクランプがいくら多く入っていても,非反転増幅回
路の入力電圧を下回ることはない。図16において,ゲ
インはb/a倍が設定されている。入力電圧は230
a,b,cで与えられており,230cは放電中のもの
である。放電中は出力電流がフィードバックとして帰っ
ていくので,非反転増幅回路への入力信号レベルは図に
示すように小さくなる。
【0069】このとき,非反転増幅回路117のフィー
ドバックダイオード209はオフしているために,通常
の比例ゲインが得られる。これに対して放電待機中は,
出力電流のフィードバックがまだ帰ってこないために,
非反転増幅回路117への入力信号レベルは230b,
cのように大きなものとなる。このときはフィードバッ
クダイオード209が導通状態となり,抵抗202に並
列に205がフィードバック抵抗として入ることになる
ために,非反転増幅回路117のゲインは下がる。この
ため出力は231a,bのレベルとなる。
【0070】この動作を電流指令値とゲート電圧との関
係で示したのが,図17である。図17より明らかなよ
うに,電流指令値が大きくなっても,放電待機時におけ
る出力電圧レベルはそれに応じて大きくなるので,最適
クランプ電圧に近い状態を維持できる。
【0071】このように,非反転増幅回路とダイオード
を用いた出力クランプ回路を用いることにより,より容
易に,かつ,適切に制御回路を構成することができる。
本説明においては,反転増幅回路,非反転増幅回路とも
に,ダイオードを除いては抵抗のみにより構成されてい
る例にて説明したが,低域のゲイン向上あるいは広域の
位相補償等の意味でコンデンサなどを挿入することによ
り,さらに最適な制御系を構成することができる。
【0072】すなわち,演算増幅器に非反転増幅回路を
用いた場合,電流指令値が大きくなっても,放電待機時
の出力電圧レベルはそれに応じて大きくなるので,最適
クランプ電圧に近い状態を維持することができる。
【0073】
【発明の効果】以上説明した通り,この発明に係る放電
機器用電源装置は,加工間隙に得られる電流波形の立ち
上がり速度はきわめて高速であるとともにオーバーシュ
ートは少なく,電流指令値にきわめて近い波形を得るこ
とができるため,安定な加工状態を得ることができ,高
速な加工処理が実現する。
【0074】また,次の発明に係る放電機器用電源装置
は,放電待機時における演算増幅器およびFET101
のゲート駆動信号200は電流ピーク値に対応した信号
レベルに近い方が立ち上がり時のオーバーシュートをよ
り少なくすることができ,電流指令値により一致した出
力電流波形が得られ,加工結果としても,均一な面を高
速に加工することができる。
【0075】また,次の発明に係る放電機器用電源装置
は,電流指令部からの出力を2つに分割し,FET10
1を駆動する演算増幅器とともに第2の演算増幅器に対
して出力する。第2の演算増幅器の負帰還ゲインは第1
の演算増幅器のゲインよりも幾分高く設定しておくこと
により,所定のクランプパターンを発生させる。該クラ
ンプパターンは,電流指令値に基づいて作られるため
に,電流ピーク値の変更に対応できるほか,矩形以外の
複雑形状は電流波形の指令値に対しても,FET101
のゲート電圧を最適状態に維持することができ,きわめ
て精度のよい電流波形を作ることができる。
【0076】また,次の発明に係る放電機器用電源装置
は,放電待機信号レベルを適当に設定することにより,
待機時におけるゲート信号を電流指令値に対応したもの
よりも小さくすることができる。すなわち,可変抵抗器
として機能しているFET101は抵抗の高い状態にて
待機させることできるため,放電処理に移行した瞬間に
おけるオーバーシュートをきわめて小さくすることがで
きる。
【0077】また,次の発明に係る放電機器用電源装置
は,クランプ過剰状態により,電流指令値よりも小さな
出力電流しか得られないような現象は起きることがな
く,クランプレベルの設定は容易となる。かつ,十分に
小さなクランプ電圧がかけられるために電流のオーバー
シュートもきわめて小さくすることができる。
【0078】また,次の発明に係る放電機器用電源装置
は,電流指令値が大きくなっても,放電待機時の出力電
圧レベルはそれに応じて大きくなるので,最適クランプ
電圧に近い状態を維持でき,また,非反転増幅回路とダ
イオードを用いた出力クランプ回路を用いることによ
り,より容易に,かつ,適切に制御回路を構成すること
ができる。
【0079】このように,この発明に係る放電機器用電
源装置によれば,希望する加工電流波形が容易に,か
つ,高精度,高速度に得ることができ,放電加工を安定
化させるとともに高速加工を実現でき,電極消耗特性の
よい加工処理が実現する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例1に係る放電機器用電源装置の構成を
示す説明図である。
【図2】 実施例1の係る放電機器用電源装置の動作を
示す動作説明図である。
【図3】 実施例2に係る放電機器用電源装置の構成を
示す説明図である。
【図4】 実施例2に係る放電機器用電源装置の動作を
示す動作説明図である。
【図5】 ゲート電圧−ドレイン電流特性を示すグラフ
である。
【図6】 実施例3に係る放電機器用電源装置の構成を
示す説明図である。
【図7】 実施例3に係る放電機器用電源装置の動作を
示す動作説明図である。
【図8】 実施例4に係る放電機器用電源装置の構成を
示す説明図である。
【図9】 実施例4に係る放電機器用電源装置の動作を
示す動作説明図である。
【図10】 実施例5に係る放電機器用電源装置の構成
を示す説明図である。
【図11】 実施例5に係る放電機器用電源装置の動作
を示す動作説明図である。
【図12】 実施例5に係る放電機器用電源装置の動作
を示す動作説明図である。
【図13】 実施例6に係る放電機器用電源装置の動作
を示す動作説明図である。
【図14】 実施例6に係る放電機器用電源装置の動作
を示す動作説明図である。
【図15】 実施例6に係る放電機器用電源装置の動作
を示す動作説明図である。
【図16】 実施例6に係る放電機器用電源装置の動作
を示す動作説明図である。
【図17】 実施例6に係る放電機器用電源装置の動作
を示す動作説明図である。
【図18】 従来における放電機器用電源装置の構成を
示す説明図である。
【図19】 従来における放電機器用電源装置の動作を
示す動作説明図である。
【図20】 従来における放電機器用電源装置の動作を
示す動作説明図である。
【符号の説明】
18a〜18c 抵抗器,19,27,32 切換器,
29 放電検出回路,100 直流電源,101 FE
T,102 電流検出器,104 電極,105a 加
工間隙,106 被加工物,114 電流指令部,11
7 演算増幅器,205〜207 抵抗器,208 電
圧源,209 ダイオード,210 演算増幅器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 元 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 鈴木 智 東京都千代田区大手町二丁目6番2号 三 菱電機エンジニアリング株式会社内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 直列に直流電源,増幅回路および電流検
    出部を接続した放電手段と,放電電流パルスのパルス形
    状に対応した電流指令値を出力する電流指令手段と,前
    記電流指令手段から出力された電流指令値と前記電流検
    出部により検出された出力電流値との差分を増幅して前
    記増幅回路を駆動する演算増幅手段と,前記演算増幅手
    段を駆動する電圧電源と,前記演算増幅手段の出力端子
    と前記電圧電源との間に直列に接続され,前記増幅回路
    の能動領域をクランプするクランプ手段とを具備するこ
    とを特徴とする放電機器用電源装置。
  2. 【請求項2】 前記クランプ手段によるクランプレベル
    を切り換えるクランプレベル切換手段を,さらに具備す
    ることを特徴とする請求項1に記載の放電機器用電源装
    置。
  3. 【請求項3】 加工間隙を介した加工電極と被加工物と
    に対し,直列に直流電源,増幅回路および電流検出部を
    接続した放電加工手段と,放電電流パルスのパルス形状
    に対応した電流指令値を出力する電流指令手段と,前記
    電流指令手段から出力された電流指令値と前記電流検出
    部により検出された出力電流値との差分を増幅して前記
    増幅回路を駆動する演算増幅手段と,前記演算増幅手段
    を駆動する電圧電源と,前記演算増幅手段の出力端子と
    前記電圧電源との間に直列に接続される複数の抵抗器
    と,前記抵抗器の間と前記演算増幅手段の入力端子との
    間に接続される整流手段とを具備することを特徴とする
    放電機器用電源装置。
  4. 【請求項4】 前記抵抗器がそれぞれ異なる抵抗値を有
    しており,電流指令手段からの出力に応じて,前記抵抗
    器を切り換える抵抗器切換手段を,さらに具備すること
    を特徴とする請求項3に記載の放電機器用電源装置。
  5. 【請求項5】 前記抵抗器が可変抵抗器であり,前記電
    流指令手段からの出力に応じて,その抵抗値を可変する
    ことを特徴とする請求項3に記載の放電機器用電源装
    置。
  6. 【請求項6】 加工間隙を介した加工電極と被加工物と
    に対し,直列に直流電源,増幅回路および電流検出部を
    接続した放電加工手段と,放電電流パルスのパルス形状
    に対応した電流指令値を出力する電流指令手段と,前記
    電流指令手段から出力された電流指令値と前記電流検出
    部により検出された出力電流値との差分を増幅して前記
    増幅回路を駆動する第1の演算増幅手段と,前記電流指
    令手段から出力された電流指令信号を定数倍する第2の
    演算増幅手段と,前記第1の演算増幅手段の出力端子と
    第2の演算増幅手段の出力端子に接続される整流手段と
    を具備することを特徴とする放電機器用電源装置。
  7. 【請求項7】 加工間隙を介した加工電極と被加工物と
    に対し,直列に直流電源,増幅回路および電流検出部を
    接続した放電加工手段と,放電電流パルスのパルス形状
    に対応した電流指令値を出力する電流指令手段と,前記
    電流指令手段から出力された電流指令値と前記電流検出
    部により検出された出力電流値との差分を増幅して前記
    増幅回路を駆動する演算増幅手段と,前記加工間隙の放
    電を検出する放電検出手段と,前記電流検出部と前記演
    算増幅手段との間に接続され,前記放電検出手段からの
    出力信号に基づいて,前記電流検出部からの出力電流値
    を切り換える出力電流値切換手段とを具備することを特
    徴とする放電機器用電源装置。
  8. 【請求項8】 加工間隙を介した加工電極と被加工物と
    に対し,直列に直流電源,増幅回路および電流検出部を
    接続した放電加工手段と,放電電流パルスのパルス形状
    に対応した電流指令値を出力する電流指令手段と,前記
    電流指令手段から出力された電流指令値と前記電流検出
    部により検出された出力電流値との差分を増幅して前記
    増幅回路を駆動する演算増幅手段と,前記演算増幅手段
    を駆動する電圧電源と,前記演算増幅手段の出力端子と
    前記電圧電源との間に直列に接続される複数の抵抗器
    と,前記加工間隙の放電を検出する放電検出手段と,前
    記抵抗器がそれぞれ異なる抵抗値を有しており,前記放
    電検出手段からの出力に応じて,前記抵抗器を切り換え
    る抵抗器切換手段とを具備することを特徴とする放電機
    器用電源装置。
  9. 【請求項9】 前記演算増幅手段が,反転増幅回路ある
    いは非反転増幅回路により構成されていることを特徴と
    する請求項1,3,6〜8のいずれか一つに記載の放電
    機器用電源装置。
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