JPH0817765A - 半導体ウエハ用ダイシング装置 - Google Patents
半導体ウエハ用ダイシング装置Info
- Publication number
- JPH0817765A JPH0817765A JP15083594A JP15083594A JPH0817765A JP H0817765 A JPH0817765 A JP H0817765A JP 15083594 A JP15083594 A JP 15083594A JP 15083594 A JP15083594 A JP 15083594A JP H0817765 A JPH0817765 A JP H0817765A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- rotary blade
- dicing
- grinding
- chips
- Prior art date
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低流量の研削水で回転ブレードと半導体ウエ
ハが研削されている部分を冷却し、そして発生した切り
粉及び噴射した研削水を効果的に排出して、半導体ウエ
ハにコンタミネーションの発生を無くし、チップの歩留
りを向上させる。 【構成】 回転ブレード１１１の回転周面を覆うフラン
ジカバー１０を、回転ブレードが半導体ウエハを研削し
て飛散する研削水及び切り粉などが排出されるダイシン
グ部２の排出側を覆わない開口部１１で構成し、そして
この開口部１１に整流板２０を設け、飛散した研削水及
び切り粉Ｄなどを排出側から外方に案内し、排出するよ
うに構成されたダイシング装置１である。
ハが研削されている部分を冷却し、そして発生した切り
粉及び噴射した研削水を効果的に排出して、半導体ウエ
ハにコンタミネーションの発生を無くし、チップの歩留
りを向上させる。 【構成】 回転ブレード１１１の回転周面を覆うフラン
ジカバー１０を、回転ブレードが半導体ウエハを研削し
て飛散する研削水及び切り粉などが排出されるダイシン
グ部２の排出側を覆わない開口部１１で構成し、そして
この開口部１１に整流板２０を設け、飛散した研削水及
び切り粉Ｄなどを排出側から外方に案内し、排出するよ
うに構成されたダイシング装置１である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウエハを個々の
チップに分割するために采の目状に切断または切溝を加
工するダイシング装置に関するものである。
チップに分割するために采の目状に切断または切溝を加
工するダイシング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】先ず、従来技術のダイシング装置を図６
乃至図８を用いて説明する。図６は従来技術のダイシン
グ装置で半導体ウエハをダイシングしているところを示
した側面図であり、図７は図６における一方の冷却水ノ
ズルの各噴射孔を示していて、同図ＡはＡ−Ａ線上の噴
射孔の断面図、同図ＢはＢ−Ｂ線上の噴射孔の断面図、
同図ＣはＣ−Ｃ線上の噴射孔の断面図、そして同図Ｄは
Ｄ−Ｄ線上の噴射孔の断面図であり、図８は図６のダイ
シング装置のピュアリティノズルを除く背面図である。
乃至図８を用いて説明する。図６は従来技術のダイシン
グ装置で半導体ウエハをダイシングしているところを示
した側面図であり、図７は図６における一方の冷却水ノ
ズルの各噴射孔を示していて、同図ＡはＡ−Ａ線上の噴
射孔の断面図、同図ＢはＢ−Ｂ線上の噴射孔の断面図、
同図ＣはＣ−Ｃ線上の噴射孔の断面図、そして同図Ｄは
Ｄ−Ｄ線上の噴射孔の断面図であり、図８は図６のダイ
シング装置のピュアリティノズルを除く背面図である。
【０００３】符号１００はダイシング装置を指す。この
ダイシング装置１００はダイシング部１１０、カッティ
ングテーブル部１２０などから構成されている。前記ダ
イシング部１１０はモーターなどで、例えば、３０，０
００ｒｐｍの高速で図６において矢印Ｒの時計方向に回
転している回転ブレード１１１と、この回転ブレード１
１１の回転外周の上方及び左右両側を覆うように設けら
れたフランジカバー１１２と、このフランジカバー１１
２の一部下方両端に固定され、前記回転ブレード１１１
の両側面まで十分に延び、その下方で研削している回転
ブレード１１１及び研削されている半導体ウエハＳの表
面に研削水を噴射する冷却水ノズル１１３と、前記回転
ブレード１１１の研削入口側の回転接線方向に研削水を
噴射し、その研削している回転ブレード１１１と研削さ
れている半導体ウエハＳの表面を冷却する固定のピュア
リティノズル１１４などから構成されている。
ダイシング装置１００はダイシング部１１０、カッティ
ングテーブル部１２０などから構成されている。前記ダ
イシング部１１０はモーターなどで、例えば、３０，０
００ｒｐｍの高速で図６において矢印Ｒの時計方向に回
転している回転ブレード１１１と、この回転ブレード１
１１の回転外周の上方及び左右両側を覆うように設けら
れたフランジカバー１１２と、このフランジカバー１１
２の一部下方両端に固定され、前記回転ブレード１１１
の両側面まで十分に延び、その下方で研削している回転
ブレード１１１及び研削されている半導体ウエハＳの表
面に研削水を噴射する冷却水ノズル１１３と、前記回転
ブレード１１１の研削入口側の回転接線方向に研削水を
噴射し、その研削している回転ブレード１１１と研削さ
れている半導体ウエハＳの表面を冷却する固定のピュア
リティノズル１１４などから構成されている。
【０００４】前記カッティングテーブル部１２０は表面
１２２が平滑な平面で形成されたカッティングテーブル
１２１と駆動機構などで構成されており、駆動機構など
はこの発明の対象部分ではないので、図６では省略し
た。このカッティングテーブル１２１はその駆動機構で
図の紙面に垂直な方向に所定のピッチで移動することが
でき、また、９０度回動することができる。
１２２が平滑な平面で形成されたカッティングテーブル
１２１と駆動機構などで構成されており、駆動機構など
はこの発明の対象部分ではないので、図６では省略し
た。このカッティングテーブル１２１はその駆動機構で
図の紙面に垂直な方向に所定のピッチで移動することが
でき、また、９０度回動することができる。
【０００５】このような構成のダイシング装置１００の
前記カッティングテーブル１２１の表面１２２の所定の
位置に、ダイシングしようとする多数のＩＣが形成され
た半導体ウエハＳをセットする。この場合、半導体ウエ
ハＳの裏面にはダイシングシート１２３を貼り付け、そ
のダイシングシート１２３を図示していないダイシング
フレームにセットした後、ダイシングシート１２３側を
下にして半導体ウエハＳをセットする。
前記カッティングテーブル１２１の表面１２２の所定の
位置に、ダイシングしようとする多数のＩＣが形成され
た半導体ウエハＳをセットする。この場合、半導体ウエ
ハＳの裏面にはダイシングシート１２３を貼り付け、そ
のダイシングシート１２３を図示していないダイシング
フレームにセットした後、ダイシングシート１２３側を
下にして半導体ウエハＳをセットする。
【０００６】カッティングテーブル１２１に半導体ウエ
ハＳをセットし終わると、ダイシングの準備が完了し、
次に、回転ブレード１１１を所定の回転速度で回転させ
ながらダイシング部１１０を矢印Ｘの方向に一定の速度
で送って行き、半導体ウエハＳをこの矢印Ｘ方向に全て
研削し終わると、ダイシング部１１０を元の位置に戻
し、カッティングテーブル１２１を所定の１ピッチ移動
させ、そしてまたダイシング部１１０を矢印Ｘ方向に移
動させながら研削する。このような研削を半導体ウエハ
Ｓの全面積にわたって行い、終了すると、次にカッティ
ングテーブル１２１を９０度回動し、Ｘ軸方向に研削さ
れた半導体ウエハＳ上の溝と直角方向のＹ軸方向に所定
のピッチで回転ブレード１１１で研削し、同様にしてこ
のような研削を繰り返し、半導体ウエハＳを采の目状に
切断または切溝を加工し、半導体ウエハＳを所定の大き
さのチップに分割する。
ハＳをセットし終わると、ダイシングの準備が完了し、
次に、回転ブレード１１１を所定の回転速度で回転させ
ながらダイシング部１１０を矢印Ｘの方向に一定の速度
で送って行き、半導体ウエハＳをこの矢印Ｘ方向に全て
研削し終わると、ダイシング部１１０を元の位置に戻
し、カッティングテーブル１２１を所定の１ピッチ移動
させ、そしてまたダイシング部１１０を矢印Ｘ方向に移
動させながら研削する。このような研削を半導体ウエハ
Ｓの全面積にわたって行い、終了すると、次にカッティ
ングテーブル１２１を９０度回動し、Ｘ軸方向に研削さ
れた半導体ウエハＳ上の溝と直角方向のＹ軸方向に所定
のピッチで回転ブレード１１１で研削し、同様にしてこ
のような研削を繰り返し、半導体ウエハＳを采の目状に
切断または切溝を加工し、半導体ウエハＳを所定の大き
さのチップに分割する。
【０００７】この研削中、図７及び図８に示したよう
に、４個の噴射孔１１３Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを備え、回転ブ
レード１１１の両側に配設された一対の冷却水ノズル１
１３から半導体ウエハＳの研削部分に純水の研削水Ｗａ
を噴射し、また、ピュアリティノズル１１４の２個の噴
射孔１１４Ｂ、Ｃから回転ブレード１１１の周縁部分の
刃先及び半導体ウエハＳの研削部分に研削水Ｗｂ、Ｗｃ
を噴射して、研削部分の半導体ウエハＳ及び回転ブレー
ド１１１に付着した切り粉Ｄを洗浄するようにしてい
る。
に、４個の噴射孔１１３Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを備え、回転ブ
レード１１１の両側に配設された一対の冷却水ノズル１
１３から半導体ウエハＳの研削部分に純水の研削水Ｗａ
を噴射し、また、ピュアリティノズル１１４の２個の噴
射孔１１４Ｂ、Ｃから回転ブレード１１１の周縁部分の
刃先及び半導体ウエハＳの研削部分に研削水Ｗｂ、Ｗｃ
を噴射して、研削部分の半導体ウエハＳ及び回転ブレー
ド１１１に付着した切り粉Ｄを洗浄するようにしてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来技術
のダイシング装置１００では、研削水や半導体ウエハＳ
やダイシングシート１２３の切り粉Ｄなどが排出される
排出側で、フランジカバー１１２のスカート部１１２Ａ
が回転ブレード１１１の下方まで十分に覆うように構成
されているため、研削水に混じって前記切り粉Ｄの一部
は前記スカート部１１２Ａの内面で反射し、回転ブレー
ド１１１に巻き込まれてダイシング部１１０内で旋回
し、また他の切り粉Ｄの一部は前記スカート部１１２Ａ
の下端から半導体ウエハＳの表面上の方へ飛散し、それ
らが半導体ウエハＳの表面に付着してＩＣが形成されて
いる表面にコンタミネーションが生じるという欠点があ
った。また、前記ピュアリティノズル１１４の噴射孔１
１４Ｂ、Ｃから噴射される洗浄水Ｗｂ、Ｗｃでは回転ブ
レード１１１及び研削後の半導体ウエハＳを十分に洗浄
することができなかった。従って、この発明では、前記
のようなコンタミネーションの発生を防止でき、冷却効
果に優れ、しかも節水できるダイシング装置を提供する
ことを課題とするものである。
のダイシング装置１００では、研削水や半導体ウエハＳ
やダイシングシート１２３の切り粉Ｄなどが排出される
排出側で、フランジカバー１１２のスカート部１１２Ａ
が回転ブレード１１１の下方まで十分に覆うように構成
されているため、研削水に混じって前記切り粉Ｄの一部
は前記スカート部１１２Ａの内面で反射し、回転ブレー
ド１１１に巻き込まれてダイシング部１１０内で旋回
し、また他の切り粉Ｄの一部は前記スカート部１１２Ａ
の下端から半導体ウエハＳの表面上の方へ飛散し、それ
らが半導体ウエハＳの表面に付着してＩＣが形成されて
いる表面にコンタミネーションが生じるという欠点があ
った。また、前記ピュアリティノズル１１４の噴射孔１
１４Ｂ、Ｃから噴射される洗浄水Ｗｂ、Ｗｃでは回転ブ
レード１１１及び研削後の半導体ウエハＳを十分に洗浄
することができなかった。従って、この発明では、前記
のようなコンタミネーションの発生を防止でき、冷却効
果に優れ、しかも節水できるダイシング装置を提供する
ことを課題とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】それ故、この発明のダイ
シング装置では、回転周面をフランジカバーで覆われた
回転ブレードを移動させながら半導体ウエハを研削して
複数のチップに切り出すダイシング部を備え、前記フラ
ンジカバーを前記回転ブレードが半導体ウエハを研削し
て飛散する研削水及び切り粉などが排出されるダイシン
グ部の排出側を覆わないように構成し、そしてその飛散
した研削水及び切り粉などを前記ダイシング部の排出側
から外方に案内する整流板を設けて構成し、前記課題を
解決した。
シング装置では、回転周面をフランジカバーで覆われた
回転ブレードを移動させながら半導体ウエハを研削して
複数のチップに切り出すダイシング部を備え、前記フラ
ンジカバーを前記回転ブレードが半導体ウエハを研削し
て飛散する研削水及び切り粉などが排出されるダイシン
グ部の排出側を覆わないように構成し、そしてその飛散
した研削水及び切り粉などを前記ダイシング部の排出側
から外方に案内する整流板を設けて構成し、前記課題を
解決した。
【００１０】また、半導体ウエハを研削して複数のチッ
プに切り出す回転ブレードとこの回転ブレードの下方両
側面に複数の噴射孔を備えた一対の冷却水ノズルを配設
し、前記複数の噴射孔は回転ブレードの進行方向の最先
端の位置に存在する予備洗浄噴射孔と回転ブレードの進
行方向に対して最後端の位置に存在するバック洗浄噴射
孔とを備え、前記予備洗浄噴射孔から前記回転ブレード
で研削される前の半導体ウエハの表面に純水を噴射し
て、その純水で半導体ウエハの表面を覆い、その後前記
回転ブレードでその純水で覆われた状態の半導体ウエハ
を研削する構成を採り、前記課題を解決した。
プに切り出す回転ブレードとこの回転ブレードの下方両
側面に複数の噴射孔を備えた一対の冷却水ノズルを配設
し、前記複数の噴射孔は回転ブレードの進行方向の最先
端の位置に存在する予備洗浄噴射孔と回転ブレードの進
行方向に対して最後端の位置に存在するバック洗浄噴射
孔とを備え、前記予備洗浄噴射孔から前記回転ブレード
で研削される前の半導体ウエハの表面に純水を噴射し
て、その純水で半導体ウエハの表面を覆い、その後前記
回転ブレードでその純水で覆われた状態の半導体ウエハ
を研削する構成を採り、前記課題を解決した。
【００１１】そしてまた、前記ダイシング装置では、前
記バック洗浄噴射孔から研削された半導体ウエハの表面
及び回転ブレードの両側面に純水を噴射し、それら半導
体ウエハの表面及び回転ブレードに付着している場合の
切り粉を洗浄するように構成し、前記課題を解決した。
記バック洗浄噴射孔から研削された半導体ウエハの表面
及び回転ブレードの両側面に純水を噴射し、それら半導
体ウエハの表面及び回転ブレードに付着している場合の
切り粉を洗浄するように構成し、前記課題を解決した。
【００１２】そして更にまた、前記ダイシング装置で
は、回転ブレードの回転周縁の後方に角度を微調整で
き、回転ブレードの回転周縁とその両側面から半導体ウ
エハの研削部分に純水を噴射できる噴射孔が形成された
ピュアリティノズルを配設し、半導体ウエハの表面及び
回転ブレードに付着している場合の切り粉を洗浄するよ
うに構成し、前記課題を解決した。
は、回転ブレードの回転周縁の後方に角度を微調整で
き、回転ブレードの回転周縁とその両側面から半導体ウ
エハの研削部分に純水を噴射できる噴射孔が形成された
ピュアリティノズルを配設し、半導体ウエハの表面及び
回転ブレードに付着している場合の切り粉を洗浄するよ
うに構成し、前記課題を解決した。
【００１３】
【作用】従って、前記ダイシング部１１０の研削水及び
切り粉Ｄの排出側に大きい開口部ができるので、切り粉
Ｄなどは回転ブレード１１１に巻き込まれず、殆どの切
り粉Ｄをその開口部から排出することができ、その排出
された切り粉Ｄなどが混じった研削水を前記整流板で半
導体ウエハＳの外方に案内、放出することができる。ま
た、予備洗浄噴射孔から純水で研削しようとする半導体
ウエハの表面を予め覆うようにしたので、切り粉が付着
しても洗浄し易く、更にまた、回転ブレード１１１の両
側の下方位置に配設した冷却水ノズルの複数の噴射孔、
特にバック洗浄噴射孔から研削水を回転ブレード及び半
導体ウエハが研削されている部分に集中的に噴射させる
ようにしたので、効率的に冷却及び洗浄ができ、そして
更にまた、ピュアリティノズルの仰角を半導体ウエハの
水平面に対して微調整できるように構成してので、半導
体ウエハの微妙な傾斜に対応して、その研削されている
部分に集中的に研削水を噴射させることができると共
に、前記一対の冷却水ノズルなどから噴射された研削水
及び切り粉を能率良く開口部へ排出させることができ
る。
切り粉Ｄの排出側に大きい開口部ができるので、切り粉
Ｄなどは回転ブレード１１１に巻き込まれず、殆どの切
り粉Ｄをその開口部から排出することができ、その排出
された切り粉Ｄなどが混じった研削水を前記整流板で半
導体ウエハＳの外方に案内、放出することができる。ま
た、予備洗浄噴射孔から純水で研削しようとする半導体
ウエハの表面を予め覆うようにしたので、切り粉が付着
しても洗浄し易く、更にまた、回転ブレード１１１の両
側の下方位置に配設した冷却水ノズルの複数の噴射孔、
特にバック洗浄噴射孔から研削水を回転ブレード及び半
導体ウエハが研削されている部分に集中的に噴射させる
ようにしたので、効率的に冷却及び洗浄ができ、そして
更にまた、ピュアリティノズルの仰角を半導体ウエハの
水平面に対して微調整できるように構成してので、半導
体ウエハの微妙な傾斜に対応して、その研削されている
部分に集中的に研削水を噴射させることができると共
に、前記一対の冷却水ノズルなどから噴射された研削水
及び切り粉を能率良く開口部へ排出させることができ
る。
【００１４】
【実施例】次に、図１乃至図５を用いて、この発明のダ
イシング装置の実施例を説明する。図１はこの発明のダ
イシング装置の中心部であるダイシング部で半導体ウエ
ハをダイシングしているところを示した側面図であり、
図２は図１のダイシング部において整流板、フランジカ
バーなどの一部を除いて回転ブレードに対する冷却ノズ
ルとピュアリティノズルとの関係を示す上面図であり、
図３は図１においてピュアリティノズルを除いて、その
ピュアリティノズル側から見た背面図であり、図４は図
１における冷却ノズルの各噴射孔を示していて、同図Ａ
はＡ−Ａ線上の断面図、同図ＢはＢ−Ｂ線上の断面図、
同図ＣはＣ−Ｃ線上の断面図、同図ＤＤ−Ｄ線上の断面
図、同図ＥはＥ−Ｅ線上の断面図であり、そして図５は
図１におけるピュアリティノズルの複数の噴射孔を示す
正面図である。なお、従来技術のダイシング装置の構成
要素と同一の構成要素には同一の符号を付して説明す
る。
イシング装置の実施例を説明する。図１はこの発明のダ
イシング装置の中心部であるダイシング部で半導体ウエ
ハをダイシングしているところを示した側面図であり、
図２は図１のダイシング部において整流板、フランジカ
バーなどの一部を除いて回転ブレードに対する冷却ノズ
ルとピュアリティノズルとの関係を示す上面図であり、
図３は図１においてピュアリティノズルを除いて、その
ピュアリティノズル側から見た背面図であり、図４は図
１における冷却ノズルの各噴射孔を示していて、同図Ａ
はＡ−Ａ線上の断面図、同図ＢはＢ−Ｂ線上の断面図、
同図ＣはＣ−Ｃ線上の断面図、同図ＤＤ−Ｄ線上の断面
図、同図ＥはＥ−Ｅ線上の断面図であり、そして図５は
図１におけるピュアリティノズルの複数の噴射孔を示す
正面図である。なお、従来技術のダイシング装置の構成
要素と同一の構成要素には同一の符号を付して説明す
る。
【００１５】先ず、この発明のダイシング装置の構成を
説明する。符号１はこの発明のダイシング装置を指す。
このダイシング装置１はダイシング部２、カッティング
テーブル部１２０などから構成されていて、回転ブレー
ド１１１が、例えば、３０，０００ｒｐｍの高速で図１
において矢印Ｒの時計方向に回転していることは従来技
術のダイシング装置１００と同様である。
説明する。符号１はこの発明のダイシング装置を指す。
このダイシング装置１はダイシング部２、カッティング
テーブル部１２０などから構成されていて、回転ブレー
ド１１１が、例えば、３０，０００ｒｐｍの高速で図１
において矢印Ｒの時計方向に回転していることは従来技
術のダイシング装置１００と同様である。
【００１６】この回転ブレード１１１の回転外周の上方
及び後方側のみを覆うように、この発明の一つの特徴で
あるフランジカバー１０が設けられている。このフラン
ジカバー１０には、従来技術のフランジカバー１１２の
スカート部１１２Ａが無く、ダイシング部２の研削水及
び切り粉Ｄの排出側に大きい開口部１１を形成した。
及び後方側のみを覆うように、この発明の一つの特徴で
あるフランジカバー１０が設けられている。このフラン
ジカバー１０には、従来技術のフランジカバー１１２の
スカート部１１２Ａが無く、ダイシング部２の研削水及
び切り粉Ｄの排出側に大きい開口部１１を形成した。
【００１７】そしてこの開口部１１に整流板２０を設け
た。この整流板２０はその垂直な両側壁２１に前記開口
部１１の上方のフランジカバー１０に回動軸２２を中心
にして或る範囲の角度で回動する一対の逆Ｌ字型のアー
ム２３を固定して支持されている。符号２４は整流板２
０をアーム２３に固定した固定ネジである。そしてこの
整流板２０は、その一端が前記開口部１１の前記回転ブ
レード１１１に近接した下方位置に在り、その他端が研
削しようとする半導体ウエハＳの上方を跨いで斜め上方
に延在している。更にこの整流板２０の回動角度、即ち
仰角は前記回動軸２２の下方に設けた調整ネジ２５を前
記アーム２３に形成した僅かな円弧状のバカ孔２６に挿
入し、固定することで調整できるように構成した。この
整流板２０の長さは半導体ウエハＳの直径より十分に長
い寸法で構成することにより半導体ウエハＳを覆うこと
ができる。
た。この整流板２０はその垂直な両側壁２１に前記開口
部１１の上方のフランジカバー１０に回動軸２２を中心
にして或る範囲の角度で回動する一対の逆Ｌ字型のアー
ム２３を固定して支持されている。符号２４は整流板２
０をアーム２３に固定した固定ネジである。そしてこの
整流板２０は、その一端が前記開口部１１の前記回転ブ
レード１１１に近接した下方位置に在り、その他端が研
削しようとする半導体ウエハＳの上方を跨いで斜め上方
に延在している。更にこの整流板２０の回動角度、即ち
仰角は前記回動軸２２の下方に設けた調整ネジ２５を前
記アーム２３に形成した僅かな円弧状のバカ孔２６に挿
入し、固定することで調整できるように構成した。この
整流板２０の長さは半導体ウエハＳの直径より十分に長
い寸法で構成することにより半導体ウエハＳを覆うこと
ができる。
【００１８】また、前記フランジカバー１０の下方先端
部分には抑制板２７が前記整流板２０と所定の間隔を開
け、前記カッティングテーブル１２１の表面に平行に設
けられていて、排出側で飛び散る研削水及び切り粉Ｄが
上方へ高く跳ね上がることを抑制するようにしている。
部分には抑制板２７が前記整流板２０と所定の間隔を開
け、前記カッティングテーブル１２１の表面に平行に設
けられていて、排出側で飛び散る研削水及び切り粉Ｄが
上方へ高く跳ね上がることを抑制するようにしている。
【００１９】また、この発明の他の一つの特徴であるＬ
字状の一対の冷却ノズル３０が、その一端が開口部１１
の上方のフランジカバー１０に、他端が前記回転ブレー
ド１１１の下方両側面まで十分に延在するように固定さ
れている（図１、図３）。この冷却ノズル３０には、図
１及び図４に示したような複数の噴射孔３０Ａ、３０
Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ及び３０Ｅを備えている。図４Ａに
示したように、噴射孔３０Ａから研削水Ｗａ及び研削水
Ｗｂが噴射され、半導体ウエハＳが研削される部分及び
回転ブレード１１１を冷却し、噴射孔３０Ｂ、３０Ｃ及
び３０Ｄからは研削水Ｗａが噴射され、更にまた、図１
に示したように、予備洗浄噴射孔３０Ｅから研削水Ｗｃ
が噴射される。
字状の一対の冷却ノズル３０が、その一端が開口部１１
の上方のフランジカバー１０に、他端が前記回転ブレー
ド１１１の下方両側面まで十分に延在するように固定さ
れている（図１、図３）。この冷却ノズル３０には、図
１及び図４に示したような複数の噴射孔３０Ａ、３０
Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ及び３０Ｅを備えている。図４Ａに
示したように、噴射孔３０Ａから研削水Ｗａ及び研削水
Ｗｂが噴射され、半導体ウエハＳが研削される部分及び
回転ブレード１１１を冷却し、噴射孔３０Ｂ、３０Ｃ及
び３０Ｄからは研削水Ｗａが噴射され、更にまた、図１
に示したように、予備洗浄噴射孔３０Ｅから研削水Ｗｃ
が噴射される。
【００２０】更にまた、この発明の他の一つの特徴であ
るピュアリティノズル４０が回転ブレード１１１の回転
周縁の後方及び両冷却ノズル３０の後方の下方位置に設
置されている。このピュアリティノズル４０はフランジ
カバー１０の後方の中央下端面に矢印Ｙの方向に僅かに
回動できるように、即ち、仰角を微調整できるように固
定されている。これはカッティングテーブル１２１上に
セットされた半導体ウエハＳの水平度がカッティングテ
ーブル１２１を調整してもその傾きを取りきれない場合
があり、この場合にピュアリティノズル１１４の仰角を
調整し、各噴射孔の仰角を微調整できるようにした。
るピュアリティノズル４０が回転ブレード１１１の回転
周縁の後方及び両冷却ノズル３０の後方の下方位置に設
置されている。このピュアリティノズル４０はフランジ
カバー１０の後方の中央下端面に矢印Ｙの方向に僅かに
回動できるように、即ち、仰角を微調整できるように固
定されている。これはカッティングテーブル１２１上に
セットされた半導体ウエハＳの水平度がカッティングテ
ーブル１２１を調整してもその傾きを取りきれない場合
があり、この場合にピュアリティノズル１１４の仰角を
調整し、各噴射孔の仰角を微調整できるようにした。
【００２１】図５に示したように、このピュアリティノ
ズル４０は３個の噴射孔４０Ａ、４０Ｂを持ち、上側の
２個の噴射孔４０Ａは回転ブレード１１１の両側面から
半導体ウエハが研削されている部分に純水を噴射し、下
側の噴射孔４０Ｂは前記上側の２個の噴射孔４０Ａの中
間に在って、回転ブレード１１１の回転周縁に純水を噴
射するように構成されている。
ズル４０は３個の噴射孔４０Ａ、４０Ｂを持ち、上側の
２個の噴射孔４０Ａは回転ブレード１１１の両側面から
半導体ウエハが研削されている部分に純水を噴射し、下
側の噴射孔４０Ｂは前記上側の２個の噴射孔４０Ａの中
間に在って、回転ブレード１１１の回転周縁に純水を噴
射するように構成されている。
【００２２】カッティングテーブル部１２０の構成、動
作などは従来技術のものと同様であるので省略する。以
上説明した構成のこの発明のダイシング装置１を用いて
半導体ウエハＳをダイシングする場合、先ず、従来技術
と同様にカッティングテーブル１２１の表面１２２の所
定の位置に半導体ウエハＳをセットし、回転ブレード１
１１を所定の回転速度で回転させながらダイシング部２
を矢印Ｘの方向に一定の速度で送って半導体ウエハＳを
所定の大きさのチップにダイシングする。
作などは従来技術のものと同様であるので省略する。以
上説明した構成のこの発明のダイシング装置１を用いて
半導体ウエハＳをダイシングする場合、先ず、従来技術
と同様にカッティングテーブル１２１の表面１２２の所
定の位置に半導体ウエハＳをセットし、回転ブレード１
１１を所定の回転速度で回転させながらダイシング部２
を矢印Ｘの方向に一定の速度で送って半導体ウエハＳを
所定の大きさのチップにダイシングする。
【００２３】この研削中、図１、図４及び図５に示した
ように、５個の噴射孔３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ
及び３０Ｅを備えた２本の冷却ノズル３０と噴射孔４０
Ａ、４０Ｂを備えたピュアリティノズル４０で回転ブレ
ード１１１の両側面及び研削部分を冷却し、そして発生
した切り粉Ｄを排出側の開口部１１へ排出することがで
きる。特に、冷却ノズル３０の予備洗浄噴射孔３０Ｅか
らの研削水Ｗｃはこれから研削しようとしている半導体
ウエハＳの表面を予め研削水Ｗｃで被覆するものであ
り、研削によって生じた切り粉Ｄがその半導体ウエハＳ
の表面に飛散してきても、切り粉Ｄを浮遊させた状態に
留める働きをする。洗浄水Ｗｂ、Ｗｃを噴射して、研削
部分の半導体ウエハＳ及び回転ブレード１１１に付着し
た切り粉Ｄを洗浄するようにしている。また、研削水ノ
ズル３０の噴射孔３０Ａは研削水Ｗａで半導体ウエハＳ
が研削される部分だけを冷却するのみならず、研削水Ｗ
ｂを噴射するようにして、回転ブレード１１１の刃を冷
却及び洗浄するようにしている。
ように、５個の噴射孔３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ
及び３０Ｅを備えた２本の冷却ノズル３０と噴射孔４０
Ａ、４０Ｂを備えたピュアリティノズル４０で回転ブレ
ード１１１の両側面及び研削部分を冷却し、そして発生
した切り粉Ｄを排出側の開口部１１へ排出することがで
きる。特に、冷却ノズル３０の予備洗浄噴射孔３０Ｅか
らの研削水Ｗｃはこれから研削しようとしている半導体
ウエハＳの表面を予め研削水Ｗｃで被覆するものであ
り、研削によって生じた切り粉Ｄがその半導体ウエハＳ
の表面に飛散してきても、切り粉Ｄを浮遊させた状態に
留める働きをする。洗浄水Ｗｂ、Ｗｃを噴射して、研削
部分の半導体ウエハＳ及び回転ブレード１１１に付着し
た切り粉Ｄを洗浄するようにしている。また、研削水ノ
ズル３０の噴射孔３０Ａは研削水Ｗａで半導体ウエハＳ
が研削される部分だけを冷却するのみならず、研削水Ｗ
ｂを噴射するようにして、回転ブレード１１１の刃を冷
却及び洗浄するようにしている。
【００２４】前記ピュアリティノズル４０の噴射孔４０
Ａ、４０Ｂはそれらの仰角を半導体ウエハＳの表面に対
して微調整できるので、それらの噴射孔４０Ａ、４０Ｂ
からの研削水Ｗｄ、Ｗｅを半導体ウエハＳの研削部分に
集中的に噴射させることができ、また、それら両者の研
削水で半導体ウエハの表面及び回転ブレードに付着して
いる場合の切り粉を洗浄及び冷却することができ、更に
また、回転ブレード１１１の回転力により巻き込まれ、
前方、即ち開口部１１の方へ飛散し、或いは横方向に飛
散しようとする冷却ノズル３０から噴射される研削水Ｗ
ａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄ及び切り粉Ｄを僅かな水量で効率
良く開口部１１の排出側へ吹き飛ばすことができる。
Ａ、４０Ｂはそれらの仰角を半導体ウエハＳの表面に対
して微調整できるので、それらの噴射孔４０Ａ、４０Ｂ
からの研削水Ｗｄ、Ｗｅを半導体ウエハＳの研削部分に
集中的に噴射させることができ、また、それら両者の研
削水で半導体ウエハの表面及び回転ブレードに付着して
いる場合の切り粉を洗浄及び冷却することができ、更に
また、回転ブレード１１１の回転力により巻き込まれ、
前方、即ち開口部１１の方へ飛散し、或いは横方向に飛
散しようとする冷却ノズル３０から噴射される研削水Ｗ
ａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄ及び切り粉Ｄを僅かな水量で効率
良く開口部１１の排出側へ吹き飛ばすことができる。
【００２５】そして、回転ブレード１１１により巻き込
まれ、ピュアリティノズル４０からの研削水Ｗｄ、Ｗｅ
で開口部１１の方へ飛散した研削水及び切り粉Ｄは前記
整流板２０及び抑制板２７に導かれて、半導体ウエハＳ
の外方へ排出される。
まれ、ピュアリティノズル４０からの研削水Ｗｄ、Ｗｅ
で開口部１１の方へ飛散した研削水及び切り粉Ｄは前記
整流板２０及び抑制板２７に導かれて、半導体ウエハＳ
の外方へ排出される。
【００２６】
【発明の効果】以上、説明したように、この発明のダイ
シング装置は、低流量の研削水で回転ブレードと半導体
ウエハが研削されている部分を冷却し、そして発生した
切り粉及び噴射した研削水を効率良く排出することがで
き、従って、コンタミネーションが無くなり、チップの
歩留りを向上させることができた。また、各種の噴射孔
からの研削水を半導体ウエハの研削部分や研削中の回転
ブレードに効果的に噴射させるようにしたので、回転ブ
レードの損耗を低減できるのみならず、節水することも
できた。
シング装置は、低流量の研削水で回転ブレードと半導体
ウエハが研削されている部分を冷却し、そして発生した
切り粉及び噴射した研削水を効率良く排出することがで
き、従って、コンタミネーションが無くなり、チップの
歩留りを向上させることができた。また、各種の噴射孔
からの研削水を半導体ウエハの研削部分や研削中の回転
ブレードに効果的に噴射させるようにしたので、回転ブ
レードの損耗を低減できるのみならず、節水することも
できた。
【図１】 この発明のダイシング装置の中心部であるダ
イシング部で半導体ウエハをダイシングしているところ
を示した側面図である。
イシング部で半導体ウエハをダイシングしているところ
を示した側面図である。
【図２】 図１のダイシング部において整流板、フラン
ジカバーなどの一部を除いて回転ブレードに対する冷却
ノズルとピュアリティノズルとの関係を示す上面図であ
る。
ジカバーなどの一部を除いて回転ブレードに対する冷却
ノズルとピュアリティノズルとの関係を示す上面図であ
る。
【図３】 図１においてピュアリティノズルを除いて、
そのピュアリティノズル側から見た背面図である。
そのピュアリティノズル側から見た背面図である。
【図４】 図１における冷却ノズルの各噴射孔を示して
いて、同図ＡはＡ−Ａ線上の断面図、同図ＢはＢ−Ｂ線
上の断面図、同図ＣはＣ−Ｃ線上の断面図、同図ＤＤ−
Ｄ線上の断面図、同図ＥはＥ−Ｅ線上の断面図である。
いて、同図ＡはＡ−Ａ線上の断面図、同図ＢはＢ−Ｂ線
上の断面図、同図ＣはＣ−Ｃ線上の断面図、同図ＤＤ−
Ｄ線上の断面図、同図ＥはＥ−Ｅ線上の断面図である。
【図５】 図１におけるピュアリティノズルの複数の噴
射孔を示す正面図である。
射孔を示す正面図である。
【図６】 従来技術のダイシング装置で半導体ウエハを
ダイシングしているところを示した側面図である。
ダイシングしているところを示した側面図である。
【図７】 図６における一方の冷却水ノズルの各噴射孔
を示していて、同図ＡはＡ−Ａ線上の噴射孔の断面図、
同図ＢはＢ−Ｂ線上の噴射孔の断面図、同図ＣはＣ−Ｃ
線上の噴射孔の断面図、そして同図ＤはＤ−Ｄ線上の噴
射孔の断面図である。
を示していて、同図ＡはＡ−Ａ線上の噴射孔の断面図、
同図ＢはＢ−Ｂ線上の噴射孔の断面図、同図ＣはＣ−Ｃ
線上の噴射孔の断面図、そして同図ＤはＤ−Ｄ線上の噴
射孔の断面図である。
【図８】 図６のダイシング装置のピュアリティノズル
を除く背面図である。
を除く背面図である。
１ ダイシング装置 ２ ダイシング部 １０ フランジカバー １１ 開口部 ２０ 整流板 ２１ 側壁 ２２ 回動軸 ２３ アーム ２７ 抑制板 ３０ 冷却水ノズル ３０Ａ バック洗浄噴射孔 ３０Ｂ 噴射孔 ３０Ｃ 噴射孔 ３０Ｄ 噴射孔 ３０Ｅ 予備洗浄噴射孔 ４０ ピュアリティノズル ４０Ａ 噴射孔 ４０Ｂ 噴射孔 １１１ 回転ブレード １２０ カッティングテーブル部 １２１ カッティングテーブル
Claims (4)
- 【請求項１】 回転周面をフランジカバーで覆われた回
転ブレードを移動させながら半導体ウエハを研削して複
数のチップに切り出すダイシング部を備え、前記フラン
ジカバーを前記回転ブレードが半導体ウエハを研削して
飛散する研削水及び切り粉などが排出されるダイシング
部の排出側を覆わないように構成し、そしてその飛散し
た研削水及び切り粉などを前記ダイシング部の排出側か
ら外方に案内する整流板を設けたことを特徴とする半導
体ウエハ用ダイシング装置。 - 【請求項２】 半導体ウエハを研削して複数のチップに
切り出す回転ブレードとこの回転ブレードの下方両側面
に複数の噴射孔を備えた一対の冷却水ノズルを配設し、
前記複数の噴射孔は回転ブレードの進行方向の最先端の
位置に存在する予備洗浄噴射孔と回転ブレードの進行方
向に対して最後端の位置に存在するバック洗浄噴射孔と
からなり、前記予備洗浄噴射孔から前記回転ブレードで
研削される前の半導体ウエハの表面に純水を噴射して、
その純水で半導体ウエハの表面を覆い、その後前記回転
ブレードでその純水で覆われた状態の半導体ウエハを研
削することを特徴とする半導体ウエハ用ダイシング装
置。 - 【請求項３】 請求項２において、前記バック洗浄噴射
孔から研削された半導体ウエハの表面及び回転ブレード
の両側面に純水を噴射し、それら半導体ウエハの表面及
び回転ブレードに付着している場合の切り粉を洗浄する
ように構成したことを特徴とする請求項２における半導
体ウエハ用ダイシング装置。 - 【請求項４】 請求項２において、回転ブレードの回転
周縁の後方に角度を微調整でき、回転ブレードの回転周
縁とその両側面から半導体ウエハの研削部分に純水を噴
射できる噴射孔が形成されたピュアリティノズルを配設
し、半導体ウエハの表面及び回転ブレードに付着してい
る場合の切り粉を洗浄するように構成したことを特徴と
する請求項２に記載の半導体ウエハ用ダイシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15083594A JPH0817765A (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | 半導体ウエハ用ダイシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15083594A JPH0817765A (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | 半導体ウエハ用ダイシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817765A true JPH0817765A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15505426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15083594A Pending JPH0817765A (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | 半導体ウエハ用ダイシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817765A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19916071A1 (de) * | 1999-04-09 | 2000-10-26 | Siemens Ag | Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterbauelementen und Trennvorrichtung |
| DE19748055C2 (de) * | 1997-05-29 | 2001-05-03 | Samsung Electronics Co Ltd | Wafersägegerät |
| JP2006080296A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシング装置 |
| JP2007069280A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
| JP2007088157A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
| JP2007111840A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
-
1994
- 1994-07-01 JP JP15083594A patent/JPH0817765A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19748055C2 (de) * | 1997-05-29 | 2001-05-03 | Samsung Electronics Co Ltd | Wafersägegerät |
| DE19916071A1 (de) * | 1999-04-09 | 2000-10-26 | Siemens Ag | Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterbauelementen und Trennvorrichtung |
| US6364751B1 (en) | 1999-04-09 | 2002-04-02 | Infineon Technologies Ag | Method for singling semiconductor components and semiconductor component singling device |
| DE19916071B4 (de) * | 1999-04-09 | 2005-10-13 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterbauelementen und Trennvorrichtung |
| JP2006080296A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシング装置 |
| JP2007069280A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
| TWI397955B (zh) * | 2005-09-05 | 2013-06-01 | Disco Corp | The cutting device of the workpiece |
| JP2007088157A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
| JP2007111840A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
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