JPH0817798A - ベンゾシクロブテン層のドライエッチング処理方法、それを用いた多層配線用絶縁層の形成方法 - Google Patents
ベンゾシクロブテン層のドライエッチング処理方法、それを用いた多層配線用絶縁層の形成方法Info
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- JPH0817798A JPH0817798A JP6146303A JP14630394A JPH0817798A JP H0817798 A JPH0817798 A JP H0817798A JP 6146303 A JP6146303 A JP 6146303A JP 14630394 A JP14630394 A JP 14630394A JP H0817798 A JPH0817798 A JP H0817798A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ベンゾシクロブテン層表面にカーボンが付着
することなく、短時間で、再現性よく、ベンゾシクロブ
テン層のドライエッチングを行う方法を提供すること。 【構成】 エッチングガスとしてＣＦ4 ガスを８０ｓｃ
ｃｍ，Ｏ2 ガスを１２０ｓｃｃｍで供給し、反応室内の
ガス圧０．１〜１０Ｔｏｒｒ、とし、ＲＦ電力１０〜１
０００Ｗを電極に印加してエッチングガスを反応性ガス
２９に変えて、ベンゾシクロブテン層６３のドライエッ
チングを行う。次に、反応室内のガス圧０．１〜１０Ｔ
ｏｒｒ、ＲＦ電力３００Ｗ以下とした条件により、酸素
プラズマ３５を用いて、ドライエッチング後のベンゾシ
クロブテン層表面の付着物を除去する。
することなく、短時間で、再現性よく、ベンゾシクロブ
テン層のドライエッチングを行う方法を提供すること。 【構成】 エッチングガスとしてＣＦ4 ガスを８０ｓｃ
ｃｍ，Ｏ2 ガスを１２０ｓｃｃｍで供給し、反応室内の
ガス圧０．１〜１０Ｔｏｒｒ、とし、ＲＦ電力１０〜１
０００Ｗを電極に印加してエッチングガスを反応性ガス
２９に変えて、ベンゾシクロブテン層６３のドライエッ
チングを行う。次に、反応室内のガス圧０．１〜１０Ｔ
ｏｒｒ、ＲＦ電力３００Ｗ以下とした条件により、酸素
プラズマ３５を用いて、ドライエッチング後のベンゾシ
クロブテン層表面の付着物を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ベンゾシクロブテン
層のドライエッチング処理方法およびそれを用いた多層
配線用絶縁層の形成方法に関する。
層のドライエッチング処理方法およびそれを用いた多層
配線用絶縁層の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ドライエッチングはプラズマエッチング
装置を用いて行なわれ、例えば平行平板電極式のプラズ
マエッチング装置では、以下のよう行われる。反応室に
高周波印加電極と接地電極を有し、反応室内を真空ポン
プで排気した後、ＣＦ4 、ＳＦ6 、Ｏ2 、Ｎ2 等のエッ
チングガスを導入する。ガスの流量、排気速度を制御し
て、反応室内のガス圧を調整し、高周波を電極に印加す
ると、電極間の放電によりエッチングガスが解離してイ
オン、電子、中性ラジカルなどが発生し活性状態とな
る。反応性の高くなったガスが試料と反応し、反応生成
物はガスとなって排気されるためエッチングが行われ
る。
装置を用いて行なわれ、例えば平行平板電極式のプラズ
マエッチング装置では、以下のよう行われる。反応室に
高周波印加電極と接地電極を有し、反応室内を真空ポン
プで排気した後、ＣＦ4 、ＳＦ6 、Ｏ2 、Ｎ2 等のエッ
チングガスを導入する。ガスの流量、排気速度を制御し
て、反応室内のガス圧を調整し、高周波を電極に印加す
ると、電極間の放電によりエッチングガスが解離してイ
オン、電子、中性ラジカルなどが発生し活性状態とな
る。反応性の高くなったガスが試料と反応し、反応生成
物はガスとなって排気されるためエッチングが行われ
る。
【０００３】従来、マルチチップモジュールの有機絶縁
材料として、ポリイミドが使用されている。ポリイミド
に代わる有機絶縁材料として伝送特性にすぐれており、
加工のしやすいベンゾシクロブテン（以下ＢＣＢと称す
る場合がある）が知られている。
材料として、ポリイミドが使用されている。ポリイミド
に代わる有機絶縁材料として伝送特性にすぐれており、
加工のしやすいベンゾシクロブテン（以下ＢＣＢと称す
る場合がある）が知られている。
【０００４】ＢＣＢ層を多層配線用の絶縁層として用い
る場合、多層配線における配線間を電気的に接続するた
め、ＢＣＢ層にはドライエッチング法により接続穴が形
成されている。ＢＣＢ層の表面にカーボン（以下Ｃと称
する場合がある）が付着すると、ＢＣＢ層と配線金属
（例えばＣｕ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｒ）との密着力は、Ｃが
ＢＣＢ層に付着していない場合に比べて、著しく小さく
なる。このため、エッチングガスとしてＳＦ6 とＯ2 の
混合ガスを用いている。ＳＦ6 とＯ2 の混合ガスをエッ
チングガスとして用いると、この混合ガスが解離してＣ
が生成することはない。また、反応生成物、ラジカルが
ＢＣＢ層表面に付着しないようにするため、ＳＦ6 とＯ
2 の混合ガスにＡｒを加えている。
る場合、多層配線における配線間を電気的に接続するた
め、ＢＣＢ層にはドライエッチング法により接続穴が形
成されている。ＢＣＢ層の表面にカーボン（以下Ｃと称
する場合がある）が付着すると、ＢＣＢ層と配線金属
（例えばＣｕ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｒ）との密着力は、Ｃが
ＢＣＢ層に付着していない場合に比べて、著しく小さく
なる。このため、エッチングガスとしてＳＦ6 とＯ2 の
混合ガスを用いている。ＳＦ6 とＯ2 の混合ガスをエッ
チングガスとして用いると、この混合ガスが解離してＣ
が生成することはない。また、反応生成物、ラジカルが
ＢＣＢ層表面に付着しないようにするため、ＳＦ6 とＯ
2 の混合ガスにＡｒを加えている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エッチ
ングガスとしてＳＦ6 を用いると、プラズマエッチング
装置の高周波のマッチングを合わせることは困難であ
る。そのため、ＢＣＢ層のエッチング速度を上昇させる
には限界があり、またＢＣＢ層のエッチングを再現性よ
く行うことができないという問題点があった。
ングガスとしてＳＦ6 を用いると、プラズマエッチング
装置の高周波のマッチングを合わせることは困難であ
る。そのため、ＢＣＢ層のエッチング速度を上昇させる
には限界があり、またＢＣＢ層のエッチングを再現性よ
く行うことができないという問題点があった。
【０００６】また、多層配線用の絶縁層としてＢＣＢ層
を用いたとき、所望の絶縁層を形成することは困難であ
った。
を用いたとき、所望の絶縁層を形成することは困難であ
った。
【０００７】従って、従来より、ＢＣＢ層のエッチング
レートを高め、かつ、再現性良くＢＣＢ層をエッチング
出来る方法が望まれていた。また、ＢＣＢ層を用いて
も、所望の絶縁層を形成出来るＢＣＢのエッチング方法
の出現が望まれていた。
レートを高め、かつ、再現性良くＢＣＢ層をエッチング
出来る方法が望まれていた。また、ＢＣＢ層を用いて
も、所望の絶縁層を形成出来るＢＣＢのエッチング方法
の出現が望まれていた。
【０００８】さらに、これらＢＣＢ層のエッチング方法
を用いて、多層配線用絶縁層を形成する方法が望まれて
いた。
を用いて、多層配線用絶縁層を形成する方法が望まれて
いた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この出願の第１発明によるドライエッチング処理方
法によれば、先ずＢＣＢ層をＣＦ4 とＯ2 の混合ガスを
用いてドライエッチングする。次にドライエッチング後
のＢＣＢ層表面の付着物を、酸素プラズマを用いて除去
する。
め、この出願の第１発明によるドライエッチング処理方
法によれば、先ずＢＣＢ層をＣＦ4 とＯ2 の混合ガスを
用いてドライエッチングする。次にドライエッチング後
のＢＣＢ層表面の付着物を、酸素プラズマを用いて除去
する。
【００１０】このようなＢＣＢ層をドライエッチングす
る方法とドライエッチング後のＢＣＢ層表面の付着物を
除去する方法を用いて、多層配線用の絶縁層を形成する
方法について説明する。
る方法とドライエッチング後のＢＣＢ層表面の付着物を
除去する方法を用いて、多層配線用の絶縁層を形成する
方法について説明する。
【００１１】この出願の第２発明による多層配線用絶縁
層の形成方法によれば、先ず基板上に配線層を介してＢ
ＣＢ層を形成する。次に、ＢＣＢ層上にホトレジスト膜
を形成する。次に、ＢＣＢ層のビアホール形成予定領域
を露出する開口を形成するように、ホトレジスト膜をパ
ターニングする。次に、パターニング済みのホトレジス
ト膜をマスクとして用いて、ＣＦ4 とＯ2 の混合ガスに
よりＢＣＢ層をドライエッチングして配線層を露出する
ビアホールを形成する。次にパターニング済みのホトレ
ジスト膜をＯ2 ガスを用いたドライエッチングによって
除去する。ＢＣＢ層のドライエッチング後およびホトレ
ジスト膜のドライエッチング後に現れるＢＣＢ層表面の
付着物を、酸素プラズマを用いて、除去することによ
り、ビアホール形成済みのＢＣＢ層を多層配線用の絶縁
層とする。
層の形成方法によれば、先ず基板上に配線層を介してＢ
ＣＢ層を形成する。次に、ＢＣＢ層上にホトレジスト膜
を形成する。次に、ＢＣＢ層のビアホール形成予定領域
を露出する開口を形成するように、ホトレジスト膜をパ
ターニングする。次に、パターニング済みのホトレジス
ト膜をマスクとして用いて、ＣＦ4 とＯ2 の混合ガスに
よりＢＣＢ層をドライエッチングして配線層を露出する
ビアホールを形成する。次にパターニング済みのホトレ
ジスト膜をＯ2 ガスを用いたドライエッチングによって
除去する。ＢＣＢ層のドライエッチング後およびホトレ
ジスト膜のドライエッチング後に現れるＢＣＢ層表面の
付着物を、酸素プラズマを用いて、除去することによ
り、ビアホール形成済みのＢＣＢ層を多層配線用の絶縁
層とする。
【００１２】さらに、この出願の第３発明による多層配
線用絶縁層の形成方法によれば、先ず基板上に配線層を
介してビアポストを形成する。次に、ビアポストを覆う
ようにＢＣＢ層を形成する。次に、ＣＦ4 とＯ2 の混合
ガスにより、ビアポストの上端面が現れるまでＢＣＢ層
をドライエッチングする。次にＢＣＢ層のドライエッチ
ング後に現れるＢＣＢ層表面の付着物を、酸素プラズマ
を用いて除去することにより、ドライエッチング済みの
ＢＣＢ層を多層配線用の絶縁層とする。
線用絶縁層の形成方法によれば、先ず基板上に配線層を
介してビアポストを形成する。次に、ビアポストを覆う
ようにＢＣＢ層を形成する。次に、ＣＦ4 とＯ2 の混合
ガスにより、ビアポストの上端面が現れるまでＢＣＢ層
をドライエッチングする。次にＢＣＢ層のドライエッチ
ング後に現れるＢＣＢ層表面の付着物を、酸素プラズマ
を用いて除去することにより、ドライエッチング済みの
ＢＣＢ層を多層配線用の絶縁層とする。
【００１３】
【作用】このように、ＢＣＢ層のエッチングガスとして
ＣＦ4 とＯ2 の混合ガスを用いると、プラズマエッチン
グ装置の高周波のマッチングを良好にすることができ
る。
ＣＦ4 とＯ2 の混合ガスを用いると、プラズマエッチン
グ装置の高周波のマッチングを良好にすることができ
る。
【００１４】図１０は、エッチング速度のＲＦ電力依存
性を示す曲線図である。エッチングガスとしてＣＦ4 と
Ｏ2 の混合ガスを用いた場合には、ＣＦ4 ガスを８０ｓ
ｃｃｍ、Ｏ2 ガスを１２０ｓｃｃｍで供給し、ＳＦ6 と
Ｏ2 の混合ガスを用いた場合には、ＳＦ6 ガスを８０ｓ
ｃｃｍ、Ｏ2 ガスを１２０ｓｃｃｍで供給している。
性を示す曲線図である。エッチングガスとしてＣＦ4 と
Ｏ2 の混合ガスを用いた場合には、ＣＦ4 ガスを８０ｓ
ｃｃｍ、Ｏ2 ガスを１２０ｓｃｃｍで供給し、ＳＦ6 と
Ｏ2 の混合ガスを用いた場合には、ＳＦ6 ガスを８０ｓ
ｃｃｍ、Ｏ2 ガスを１２０ｓｃｃｍで供給している。
【００１５】この実験結果によると、ＲＦ電力が９００
Ｗのとき、エッチングガスとしてＣＦ4 とＯ2 の混合ガ
スを用いた場合、エッチング速度は約１２０００Å／ｍ
ｉｎであり、エッチングガスとしてＳＦ6 とＯ2 の混合
ガスを用いた場合、エッチング速度は約６０００Å／ｍ
ｉｎである。このようにＲＦ電力が９００Ｗのとき、エ
ッチングガスとしてＣＦ4 とＯ2 の混合ガスを用いたと
きのエッチング速度は、エッチングガスとしてＳＦ6 と
Ｏ2 の混合ガスを用いたときのエッチング速度の約２倍
である。
Ｗのとき、エッチングガスとしてＣＦ4 とＯ2 の混合ガ
スを用いた場合、エッチング速度は約１２０００Å／ｍ
ｉｎであり、エッチングガスとしてＳＦ6 とＯ2 の混合
ガスを用いた場合、エッチング速度は約６０００Å／ｍ
ｉｎである。このようにＲＦ電力が９００Ｗのとき、エ
ッチングガスとしてＣＦ4 とＯ2 の混合ガスを用いたと
きのエッチング速度は、エッチングガスとしてＳＦ6 と
Ｏ2 の混合ガスを用いたときのエッチング速度の約２倍
である。
【００１６】さらに、酸素プラズマを用いることにより
エッチング後のＢＣＢ層表面に付着したＣを除去するこ
とができる。
エッチング後のＢＣＢ層表面に付着したＣを除去するこ
とができる。
【００１７】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例に
つき説明する。
つき説明する。
【００１８】図１（Ａ）〜（Ｃ）は、この出願の第１発
明の第１実施例を説明するための工程図である。なお、
各図は主要工程段階の状態を断面切口で概略的に示す図
である。
明の第１実施例を説明するための工程図である。なお、
各図は主要工程段階の状態を断面切口で概略的に示す図
である。
【００１９】下地６１上にＢＣＢ層６３を形成した後、
ＢＣＢ層６３上にホトレジスト膜を形成し、さらに、開
口６７を有するように、ホトレジスト膜のパターニング
が行われているレジストパターニング済み下地６９を用
意する。なお、図中６５は、パターニング済みホトレジ
スト膜を示す。
ＢＣＢ層６３上にホトレジスト膜を形成し、さらに、開
口６７を有するように、ホトレジスト膜のパターニング
が行われているレジストパターニング済み下地６９を用
意する。なお、図中６５は、パターニング済みホトレジ
スト膜を示す。
【００２０】次に、レジストパターニング済み下地６９
を平行平板電極式のプラズマエッチング装置（図示せ
ず）の反応室内に設置する。そして、反応室内を真空
（１×１０-4〜１×１０-7ｔｏｒｒ）に引く。その後、
エッチングガスとしてＣＦ4 とＯ2 の混合ガスを反応室
内に導入し、ガスの流量や排気速度を制御して、反応室
内のガス圧が、０．１〜１０Ｔｏｒｒになるようにし、
ＲＦ電力（１０〜１０００Ｗ）を電極に印加してエッチ
ングガスを反応性ガス２９に変えて、ＢＣＢ層６３のド
ライエッチングを行う（図１の（Ａ））。ＢＣＢ層６３
のエッチングが終了したら、ＣＦ4 とＯ2 の混合ガスの
反応室内への導入をやめる。その後、残存ガスを反応室
内から除去するため反応室内を真空に引く。なお、図中
７１は、ドライエッチング済みＢＣＢ層を示し、７３は
開口を示す（図１の（Ｂ））。
を平行平板電極式のプラズマエッチング装置（図示せ
ず）の反応室内に設置する。そして、反応室内を真空
（１×１０-4〜１×１０-7ｔｏｒｒ）に引く。その後、
エッチングガスとしてＣＦ4 とＯ2 の混合ガスを反応室
内に導入し、ガスの流量や排気速度を制御して、反応室
内のガス圧が、０．１〜１０Ｔｏｒｒになるようにし、
ＲＦ電力（１０〜１０００Ｗ）を電極に印加してエッチ
ングガスを反応性ガス２９に変えて、ＢＣＢ層６３のド
ライエッチングを行う（図１の（Ａ））。ＢＣＢ層６３
のエッチングが終了したら、ＣＦ4 とＯ2 の混合ガスの
反応室内への導入をやめる。その後、残存ガスを反応室
内から除去するため反応室内を真空に引く。なお、図中
７１は、ドライエッチング済みＢＣＢ層を示し、７３は
開口を示す（図１の（Ｂ））。
【００２１】次に、エッチングガスとしてＯ2 ガスを反
応室内に導入し、ガスの流量や排気速度を制御して、反
応室内のガス圧が、０．１〜１０Ｔｏｒｒになるように
し、ＲＦ電力（１０〜１０００Ｗ）を電極に印加してエ
ッチングガスを反応性ガス３３に変えて、パターニング
済みホトレジスト膜６５のドライエッチングを行う。な
お、このドライエッチングは所要に応じて行えばよい。
応室内に導入し、ガスの流量や排気速度を制御して、反
応室内のガス圧が、０．１〜１０Ｔｏｒｒになるように
し、ＲＦ電力（１０〜１０００Ｗ）を電極に印加してエ
ッチングガスを反応性ガス３３に変えて、パターニング
済みホトレジスト膜６５のドライエッチングを行う。な
お、このドライエッチングは所要に応じて行えばよい。
【００２２】パターニング済みホトレジスト膜６５を除
去した後、Ｏ2 ガスを反応室内に導入し、ガスの流量や
排気速度を制御して、反応室内のガス圧が、０．１〜１
０Ｔｏｒｒになるようにし、ＲＦ電力（３００Ｗ以下）
を電極に印加しＯ2 ガスを酸素プラズマ３５に変えて、
この酸素プラズマ３５を用いてＢＣＢ層表面の付着物を
除去する（図１の（Ｃ））。反応性ガス３３を用いたド
ライエッチングを行った場合には、ＢＣＢ層表面は、主
として、ドライエッチング済みＢＣＢ層７１の上面と開
口７３に露出しているＢＣＢ層７１の面であり、このド
ライエッチングを行わない場合には、ＢＣＢ層表面は、
開口７３に露出した面となる。
去した後、Ｏ2 ガスを反応室内に導入し、ガスの流量や
排気速度を制御して、反応室内のガス圧が、０．１〜１
０Ｔｏｒｒになるようにし、ＲＦ電力（３００Ｗ以下）
を電極に印加しＯ2 ガスを酸素プラズマ３５に変えて、
この酸素プラズマ３５を用いてＢＣＢ層表面の付着物を
除去する（図１の（Ｃ））。反応性ガス３３を用いたド
ライエッチングを行った場合には、ＢＣＢ層表面は、主
として、ドライエッチング済みＢＣＢ層７１の上面と開
口７３に露出しているＢＣＢ層７１の面であり、このド
ライエッチングを行わない場合には、ＢＣＢ層表面は、
開口７３に露出した面となる。
【００２３】図２（Ａ）〜（Ｃ）は、この出願の第１発
明の第２実施例を説明するための工程図である。なお、
各図は主要工程段階の状態を断面切口で概略的に示す図
である。
明の第２実施例を説明するための工程図である。なお、
各図は主要工程段階の状態を断面切口で概略的に示す図
である。
【００２４】下地６１上に凸形物質７５を形成し、凸形
物質７５を覆うようにＢＣＢ層６３を形成しているＢＣ
Ｂ層形成済み下地７７を用意する。
物質７５を覆うようにＢＣＢ層６３を形成しているＢＣ
Ｂ層形成済み下地７７を用意する。
【００２５】次に、ＢＣＢ層形成済み下地７７を平行平
板電極式のプラズマエッチング装置（図示せず）の反応
室内に設置した後、真空（１×１０-4〜１×１０-7ｔｏ
ｒｒ）に引く。その後、エッチングガスとしてＣＦ4 と
Ｏ2 の混合ガスを反応室内に導入し、ガスの流量や排気
速度を制御して、反応室内のガス圧が、０．１〜１０Ｔ
ｏｒｒになるようにし、ＲＦ電力（１０〜１０００Ｗ）
を電極に印加してエッチングガスを反応性ガス２９に変
えて、凸形物質７５の上端面が現れるまでＢＣＢ層６３
のドライエッチングを行う（図２の（Ａ））。ＢＣＢ層
６３のエッチングが終了したら、ＣＦ4 とＯ2 の混合ガ
スの反応室内への導入をやめる。その後、残存ガスを反
応室内から除去するため、反応室内を真空に引く。な
お、図中７９は、ドライエッチング済みＢＣＢ層を示す
（図２の（Ｂ））。
板電極式のプラズマエッチング装置（図示せず）の反応
室内に設置した後、真空（１×１０-4〜１×１０-7ｔｏ
ｒｒ）に引く。その後、エッチングガスとしてＣＦ4 と
Ｏ2 の混合ガスを反応室内に導入し、ガスの流量や排気
速度を制御して、反応室内のガス圧が、０．１〜１０Ｔ
ｏｒｒになるようにし、ＲＦ電力（１０〜１０００Ｗ）
を電極に印加してエッチングガスを反応性ガス２９に変
えて、凸形物質７５の上端面が現れるまでＢＣＢ層６３
のドライエッチングを行う（図２の（Ａ））。ＢＣＢ層
６３のエッチングが終了したら、ＣＦ4 とＯ2 の混合ガ
スの反応室内への導入をやめる。その後、残存ガスを反
応室内から除去するため、反応室内を真空に引く。な
お、図中７９は、ドライエッチング済みＢＣＢ層を示す
（図２の（Ｂ））。
【００２６】次に、Ｏ2 ガスを反応室内に導入し、ガス
の流量や排気速度を制御して、反応室内のガス圧が、
０．１〜１０Ｔｏｒｒになるようにし、ＲＦ電力（３０
０Ｗ以下）を電極に印加しＯ2 ガスを酸素プラズマ３５
に変えて、この酸素プラズマ３５を用いてＢＣＢ層表面
の付着物を除去する（図２の（Ｃ））。
の流量や排気速度を制御して、反応室内のガス圧が、
０．１〜１０Ｔｏｒｒになるようにし、ＲＦ電力（３０
０Ｗ以下）を電極に印加しＯ2 ガスを酸素プラズマ３５
に変えて、この酸素プラズマ３５を用いてＢＣＢ層表面
の付着物を除去する（図２の（Ｃ））。
【００２７】図３（Ａ）〜（Ｃ），図４（Ａ）〜
（Ｃ），図５（Ａ）、（Ｂ）は、この出願の第１発明の
第１実施例を利用した第２発明の実施例の説明に供す
る、多層配線用絶縁層の形成方法を説明するための工程
図である。なお、各図は主要工程段階で多層配線用の絶
縁層形成の状態を断面切口で概略的に示す図である。
（Ｃ），図５（Ａ）、（Ｂ）は、この出願の第１発明の
第１実施例を利用した第２発明の実施例の説明に供す
る、多層配線用絶縁層の形成方法を説明するための工程
図である。なお、各図は主要工程段階で多層配線用の絶
縁層形成の状態を断面切口で概略的に示す図である。
【００２８】先ず、セラミックス基板１１上に作製した
第１ＢＣＢ層１３上に、配線層１５を形成した配線済み
基板１７を用意する（図３の（Ａ））。配線済み基板１
７上に、配線層１５を介して第２ＢＣＢ層１９をスピン
コート、バーコート、ロールコートのうち、いずれか一
つの方法を用いて形成し、然る後、ハーフキュア（約２
００℃、３０〜１２０分）を行って、図３の（Ｂ）に示
すような構造体を得る。この実施例では、配線層は、配
線金属としてＣｕを用い、電解めっき法により形成す
る。
第１ＢＣＢ層１３上に、配線層１５を形成した配線済み
基板１７を用意する（図３の（Ａ））。配線済み基板１
７上に、配線層１５を介して第２ＢＣＢ層１９をスピン
コート、バーコート、ロールコートのうち、いずれか一
つの方法を用いて形成し、然る後、ハーフキュア（約２
００℃、３０〜１２０分）を行って、図３の（Ｂ）に示
すような構造体を得る。この実施例では、配線層は、配
線金属としてＣｕを用い、電解めっき法により形成す
る。
【００２９】次に、第２ＢＣＢ層１９上に、ホトレジス
トをコーティングし、プリベークを行い、ホトレジスト
膜２１を形成する（図３の（Ｃ））。この実施例では、
ホトレジストとしてノボラック樹脂をベースとしたポジ
型レジストを用いる。
トをコーティングし、プリベークを行い、ホトレジスト
膜２１を形成する（図３の（Ｃ））。この実施例では、
ホトレジストとしてノボラック樹脂をベースとしたポジ
型レジストを用いる。
【００３０】次に、第２ＢＣＢ層１９のビアホール形成
予定領域を露出する開口２３を形成するように、このホ
トレジスト膜２１をパターニングする（図４の
（Ａ））。なお、図中２５は、パターニング済みホトレ
ジスト膜を示す。
予定領域を露出する開口２３を形成するように、このホ
トレジスト膜２１をパターニングする（図４の
（Ａ））。なお、図中２５は、パターニング済みホトレ
ジスト膜を示す。
【００３１】次に、レジストパターニング済み基板２７
を平行平板電極式のプラズマエッチング装置（図示せ
ず）の反応室内に設置する。そして、反応室内を真空
（１×１０-4〜１×１０-7ｔｏｒｒ）に引く。その後、
エッチングガスとしてＣＦ4 とＯ2 の混合ガスを反応室
内に導入し、ガスの流量や排気速度を制御して、反応室
内のガス圧が、０．１〜１０Ｔｏｒｒになるようにし、
ＲＦ電力（１０〜１０００Ｗ）を電極に印加してエッチ
ングガスを反応性ガス２９に変えて、第２ＢＣＢ層１９
のドライエッチングを行う（図４の（Ｂ））。第２ＢＣ
Ｂ層１９のエッチングが終了したら、ＣＦ4 とＯ2 の混
合ガスの反応室内への導入をやめる。その後、残存ガス
を反応室内から除去するため反応室内を真空に引く。な
お、図中３１は、ドライエッチング済み第２ＢＣＢ層を
示し、３４はビアホールを示す（図４の（Ｃ））。
を平行平板電極式のプラズマエッチング装置（図示せ
ず）の反応室内に設置する。そして、反応室内を真空
（１×１０-4〜１×１０-7ｔｏｒｒ）に引く。その後、
エッチングガスとしてＣＦ4 とＯ2 の混合ガスを反応室
内に導入し、ガスの流量や排気速度を制御して、反応室
内のガス圧が、０．１〜１０Ｔｏｒｒになるようにし、
ＲＦ電力（１０〜１０００Ｗ）を電極に印加してエッチ
ングガスを反応性ガス２９に変えて、第２ＢＣＢ層１９
のドライエッチングを行う（図４の（Ｂ））。第２ＢＣ
Ｂ層１９のエッチングが終了したら、ＣＦ4 とＯ2 の混
合ガスの反応室内への導入をやめる。その後、残存ガス
を反応室内から除去するため反応室内を真空に引く。な
お、図中３１は、ドライエッチング済み第２ＢＣＢ層を
示し、３４はビアホールを示す（図４の（Ｃ））。
【００３２】次に、エッチングガスとしてＯ2 ガスを反
応室内に導入し、ガスの流量や排気速度を制御して、反
応室内のガス圧が、０．１〜１０Ｔｏｒｒになるように
し、ＲＦ電力（１０〜１０００Ｗ）を電極に印加してエ
ッチングガスを反応性ガス３３に変えて、パターニング
済みホトレジスト膜２５のドライエッチングを行う（図
４の（Ｃ））。この時、Ｏ2 ガスによる反応性ガスで
は、ＢＣＢ層はほとんどエッチングされないことが知ら
れている。ホトレジストはＢＣＢと比較して、Ｏ2 ガス
やその反応性ガスに対する耐性が非常に小さいためエッ
チングの選択比が大きくとれる。
応室内に導入し、ガスの流量や排気速度を制御して、反
応室内のガス圧が、０．１〜１０Ｔｏｒｒになるように
し、ＲＦ電力（１０〜１０００Ｗ）を電極に印加してエ
ッチングガスを反応性ガス３３に変えて、パターニング
済みホトレジスト膜２５のドライエッチングを行う（図
４の（Ｃ））。この時、Ｏ2 ガスによる反応性ガスで
は、ＢＣＢ層はほとんどエッチングされないことが知ら
れている。ホトレジストはＢＣＢと比較して、Ｏ2 ガス
やその反応性ガスに対する耐性が非常に小さいためエッ
チングの選択比が大きくとれる。
【００３３】パターニング済みホトレジスト膜２５を除
去した後、Ｏ2 ガスを反応室内に導入し、ガスの流量や
排気速度を制御して、反応室内のガス圧が、０．１〜１
０Ｔｏｒｒになるようにし、ＲＦ電力（３００Ｗ以下）
を電極に印加しＯ2 ガスを酸素プラズマ３５に変えて、
この酸素プラズマ３５を用いてＢＣＢ層表面の付着物を
除去する（図５の（Ａ））。除去される付着物として、
次のようなものがある。第２ＢＣＢ層１９をエッチング
するときの生成物、パターニング済みホトレジスト膜２
５をエッチングするときの生成物、第２ＢＣＢ層１９を
エッチングするときに用いるエッチングガスから生成す
るラジカル、パターニング済みホトレジスト膜２５をエ
ッチングするときに用いるエッチングガスから生成する
ラジカルなどがある。これら付着物の中には、Ｃも含ま
れている。
去した後、Ｏ2 ガスを反応室内に導入し、ガスの流量や
排気速度を制御して、反応室内のガス圧が、０．１〜１
０Ｔｏｒｒになるようにし、ＲＦ電力（３００Ｗ以下）
を電極に印加しＯ2 ガスを酸素プラズマ３５に変えて、
この酸素プラズマ３５を用いてＢＣＢ層表面の付着物を
除去する（図５の（Ａ））。除去される付着物として、
次のようなものがある。第２ＢＣＢ層１９をエッチング
するときの生成物、パターニング済みホトレジスト膜２
５をエッチングするときの生成物、第２ＢＣＢ層１９を
エッチングするときに用いるエッチングガスから生成す
るラジカル、パターニング済みホトレジスト膜２５をエ
ッチングするときに用いるエッチングガスから生成する
ラジカルなどがある。これら付着物の中には、Ｃも含ま
れている。
【００３４】このような工程を経て、多層配線用絶縁層
３７を形成する（図５の（Ｂ））。
３７を形成する（図５の（Ｂ））。
【００３５】図６（Ａ）〜（Ｃ）、図７（Ａ）〜
（Ｃ）、図８（Ａ）〜（Ｃ）、図９は、この出願の第１
発明の第２実施例を利用した第３発明の実施例の説明に
供する、多層配線用絶縁層の形成方法を説明するための
工程図である。なお、各図は主要工程段階で多層配線用
の絶縁層形成の状態を断面切口で概略的に示す図であ
る。
（Ｃ）、図８（Ａ）〜（Ｃ）、図９は、この出願の第１
発明の第２実施例を利用した第３発明の実施例の説明に
供する、多層配線用絶縁層の形成方法を説明するための
工程図である。なお、各図は主要工程段階で多層配線用
の絶縁層形成の状態を断面切口で概略的に示す図であ
る。
【００３６】先ず、ビアポストの形成方法について説明
する。セラミックス基板１１上に第１ＢＣＢ層１３を形
成した第１ＢＣＢ層形成済み基板４２を用意する（図６
の（Ａ））。第１ＢＣＢ層形成済み基板４２上に、ＢＣ
Ｂ層１３を介して、カレントフィルム（図示せず）を形
成する。この実施例では、カレントフィルムは、Ｃｕを
用い、スパッタ法により形成する。次に、カレントフィ
ルム上に、Ｃｕを用い、電解めっき法により、配線層１
５を形成する（図６の（Ｂ））。次に、配線層とカレン
トフィルムを覆うようにホトレジスト膜４１を形成する
（図６の（Ｃ））。その後、ホトレジスト膜のパターニ
ングを行い、配線層上にビアポストを形成するための開
口４３を作製する（図７の（Ａ））。なお、図中４５は
パターニング済みホトレジスト膜を示す。次に、Ｃｕを
用い、電解めっき法により、開口４３内にビアポスト４
７を形成する（図７の（Ｂ））。この実施例では、カレ
ントフィルム、配線層およびビアポストを同じ材料を用
いて形成している。次に、パターニング済みのホトレジ
スト膜を除去した後、カレントフィルムを除去する。そ
の結果、図７の（Ｃ）に示すような構造体を得る。
する。セラミックス基板１１上に第１ＢＣＢ層１３を形
成した第１ＢＣＢ層形成済み基板４２を用意する（図６
の（Ａ））。第１ＢＣＢ層形成済み基板４２上に、ＢＣ
Ｂ層１３を介して、カレントフィルム（図示せず）を形
成する。この実施例では、カレントフィルムは、Ｃｕを
用い、スパッタ法により形成する。次に、カレントフィ
ルム上に、Ｃｕを用い、電解めっき法により、配線層１
５を形成する（図６の（Ｂ））。次に、配線層とカレン
トフィルムを覆うようにホトレジスト膜４１を形成する
（図６の（Ｃ））。その後、ホトレジスト膜のパターニ
ングを行い、配線層上にビアポストを形成するための開
口４３を作製する（図７の（Ａ））。なお、図中４５は
パターニング済みホトレジスト膜を示す。次に、Ｃｕを
用い、電解めっき法により、開口４３内にビアポスト４
７を形成する（図７の（Ｂ））。この実施例では、カレ
ントフィルム、配線層およびビアポストを同じ材料を用
いて形成している。次に、パターニング済みのホトレジ
スト膜を除去した後、カレントフィルムを除去する。そ
の結果、図７の（Ｃ）に示すような構造体を得る。
【００３７】このようにして形成したビアポスト４７を
用いて、次のようにして多層配線用の絶縁層を形成す
る。配線層１５とビアポスト４７を覆うように、第２Ｂ
ＣＢ層４９をスピンコート、バーコート、ロールコート
のうち、いずれか一つの方法を用いて形成し、ハーフキ
ュア（約２００℃、３０〜１２０分）を行って図８の
（Ａ）に示すような構造体を得る。
用いて、次のようにして多層配線用の絶縁層を形成す
る。配線層１５とビアポスト４７を覆うように、第２Ｂ
ＣＢ層４９をスピンコート、バーコート、ロールコート
のうち、いずれか一つの方法を用いて形成し、ハーフキ
ュア（約２００℃、３０〜１２０分）を行って図８の
（Ａ）に示すような構造体を得る。
【００３８】次に、第２ＢＣＢ層形成済み基板５１を平
行平板電極式のプラズマエッチング装置（図示せず）の
反応室内に設置した後、真空（１×１０-4〜１×１０-7
ｔｏｒｒ）に引く。その後、エッチングガスとしてＣＦ
4 とＯ2 の混合ガスを反応室内に導入し、ガスの流量や
排気速度を制御して、反応室内のガス圧が、０．１〜１
０Ｔｏｒｒになるようにし、ＲＦ電力（１０〜１０００
Ｗ）を電極に印加してエッチングガスを反応性ガス２９
に変えて、ビアポスト４７の上端面が現れるまで第２Ｂ
ＣＢ層４９のドライエッチングを行う（図８の
（Ｂ））。第２ＢＣＢ層４９のエッチングが終了した
ら、ＣＦ4 とＯ2 の混合ガスの反応室内への導入をやめ
る。その後、残存ガスを反応室内から除去するため、反
応室内を真空に引く。なお、図中５３は、ドライエッチ
ング済み第２ＢＣＢ層を示す（図８の（Ｃ））。
行平板電極式のプラズマエッチング装置（図示せず）の
反応室内に設置した後、真空（１×１０-4〜１×１０-7
ｔｏｒｒ）に引く。その後、エッチングガスとしてＣＦ
4 とＯ2 の混合ガスを反応室内に導入し、ガスの流量や
排気速度を制御して、反応室内のガス圧が、０．１〜１
０Ｔｏｒｒになるようにし、ＲＦ電力（１０〜１０００
Ｗ）を電極に印加してエッチングガスを反応性ガス２９
に変えて、ビアポスト４７の上端面が現れるまで第２Ｂ
ＣＢ層４９のドライエッチングを行う（図８の
（Ｂ））。第２ＢＣＢ層４９のエッチングが終了した
ら、ＣＦ4 とＯ2 の混合ガスの反応室内への導入をやめ
る。その後、残存ガスを反応室内から除去するため、反
応室内を真空に引く。なお、図中５３は、ドライエッチ
ング済み第２ＢＣＢ層を示す（図８の（Ｃ））。
【００３９】次に、Ｏ2 ガスを反応室内に導入し、ガス
の流量や排気速度を制御して、反応室内のガス圧が、
０．１〜１０Ｔｏｒｒになるようにし、ＲＦ電力（３０
０Ｗ以下）を電極に印加しＯ2 ガスを酸素プラズマ３５
に変えて、この酸素プラズマ３５を用いて第２ＢＣＢ層
表面の付着物を除去する（図８の（Ｃ））。
の流量や排気速度を制御して、反応室内のガス圧が、
０．１〜１０Ｔｏｒｒになるようにし、ＲＦ電力（３０
０Ｗ以下）を電極に印加しＯ2 ガスを酸素プラズマ３５
に変えて、この酸素プラズマ３５を用いて第２ＢＣＢ層
表面の付着物を除去する（図８の（Ｃ））。
【００４０】このような工程を経て、多層配線用絶縁層
５５を形成する（図９）。
５５を形成する（図９）。
【００４１】この発明は上述した実施例にのみ限定され
るものではないことは明らかである。例えば、上述の各
実施例では、基板としてセラミックスを用いたが、Ｓｉ
ウエハやガラスを用いてもよい。また、カレントフィル
ム、ビアポストおよび配線層をＣｕを用いて形成した
が、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｉ、Ａｕを用いて形成しても
よい。また、配線層とビアポストを電解めっき法により
形成したが、スパッタ法、蒸着法、無電解めっき法によ
り形成してもよい。
るものではないことは明らかである。例えば、上述の各
実施例では、基板としてセラミックスを用いたが、Ｓｉ
ウエハやガラスを用いてもよい。また、カレントフィル
ム、ビアポストおよび配線層をＣｕを用いて形成した
が、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｉ、Ａｕを用いて形成しても
よい。また、配線層とビアポストを電解めっき法により
形成したが、スパッタ法、蒸着法、無電解めっき法によ
り形成してもよい。
【００４２】ここでは、第１発明によるＢＣＢ層のドラ
イエッチング処理方法を多層配線用絶縁層を形成する場
合について適用したが、ＢＣＢ層を用いるすべてのプロ
セス、例えば磁気ハードディスクや液晶ディスプレイに
使用される絶縁層や表面保護膜を作製するプロセスに適
用することは可能である。
イエッチング処理方法を多層配線用絶縁層を形成する場
合について適用したが、ＢＣＢ層を用いるすべてのプロ
セス、例えば磁気ハードディスクや液晶ディスプレイに
使用される絶縁層や表面保護膜を作製するプロセスに適
用することは可能である。
【００４３】
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明によるＢＣＢ層のドライエッチング処理方法によれ
ば、エッチングガスとしてＣＦ4 とＯ2 の混合ガスを用
いているため、ＲＦ電力を大きくしてもプラズマエッチ
ング装置の高周波のマッチングを容易に合わせることが
できる。また、プラズマエッチング装置の高周波は、反
応室内の位置により一定である。これらのことからエッ
チングガスとしてＣＦ4とＯ2 の混合ガスを用いると、
エッチングガスとしてＳＦ6 とＯ2 の混合ガスを用いる
場合に比べて、ＢＣＢ層のエッチングを速く行うことが
できる。また、ＢＣＢ層のエッチングを再現性よく行う
ことができる。
発明によるＢＣＢ層のドライエッチング処理方法によれ
ば、エッチングガスとしてＣＦ4 とＯ2 の混合ガスを用
いているため、ＲＦ電力を大きくしてもプラズマエッチ
ング装置の高周波のマッチングを容易に合わせることが
できる。また、プラズマエッチング装置の高周波は、反
応室内の位置により一定である。これらのことからエッ
チングガスとしてＣＦ4とＯ2 の混合ガスを用いると、
エッチングガスとしてＳＦ6 とＯ2 の混合ガスを用いる
場合に比べて、ＢＣＢ層のエッチングを速く行うことが
できる。また、ＢＣＢ層のエッチングを再現性よく行う
ことができる。
【００４４】さらに、エッチング後のＢＣＢ層表面の付
着物を酸素プラズマを用いて除去するため、ＢＣＢ層表
面のＣの付着の問題がない。
着物を酸素プラズマを用いて除去するため、ＢＣＢ層表
面のＣの付着の問題がない。
【００４５】また、この出願の第１発明によるＢＣＢ層
のドライエッチング処理方法を用いて、多層配線用の絶
縁層を形成すると所望の絶縁層を形成することができ
る。
のドライエッチング処理方法を用いて、多層配線用の絶
縁層を形成すると所望の絶縁層を形成することができ
る。
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は、第１発明の第１実施例を説
明するための工程図である。
明するための工程図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、第１発明の第２実施例を説
明するための工程図である。
明するための工程図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は、第１発明の第１実施例を利
用した第２発明の実施例を説明するための工程図であ
る。
用した第２発明の実施例を説明するための工程図であ
る。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は、第１発明の第１実施例を利
用した第２発明の実施例を説明するための図３に続く工
程図である。
用した第２発明の実施例を説明するための図３に続く工
程図である。
【図５】（Ａ）及び（Ｂ）は、第１発明の第１実施例を
利用した第２発明の実施例を説明するための図４に続く
工程図である。
利用した第２発明の実施例を説明するための図４に続く
工程図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｃ）は、第１発明の第２実施例を利
用した第３発明の実施例を説明するための工程図であ
る。
用した第３発明の実施例を説明するための工程図であ
る。
【図７】（Ａ）〜（Ｃ）は、第１発明の第２実施例を利
用した第３発明の実施例を説明するための図６に続く工
程図である。
用した第３発明の実施例を説明するための図６に続く工
程図である。
【図８】（Ａ）〜（Ｃ）は、第１発明の第２実施例を利
用した第３発明の実施例を説明するための図７に続く工
程図である。
用した第３発明の実施例を説明するための図７に続く工
程図である。
【図９】第１発明の第２実施例を利用した第３発明の実
施例を説明するための図８に続く工程図である。
施例を説明するための図８に続く工程図である。
【図１０】エッチング速度のＲＦ電力依存性を示す曲線
図である。
図である。
１１：基板 １３：第１ＢＣＢ層 １５：配線層 １７：配線済み基板 １９：第２ＢＣＢ層 ２１：ホトレジスト膜 ２３：開口 ２５：パターニング済みホトレジスト膜 ２７：レジストパターニング済み基板 ２９：反応性ガス ３１：ドライエッチング済み第２ＢＣＢ層 ３３：反応性ガス ３４：ビアホール ３５：酸素プラズマ ３７：多層配線用絶縁層 ４１：ホトレジスト膜 ４２：第１ＢＣＢ層形成済み基板 ４３：開口 ４５：パターニング済みホトレジスト膜 ４７：ビアポスト ４９：第２ＢＣＢ層 ５１：第２ＢＣＢ層形成済み基板 ５３：ドライエッチング済み第２ＢＣＢ層 ５５：多層配線用絶縁層 ６１：下地 ６３：ＢＣＢ層 ６５：パターニング済みホトレジスト膜 ６７：開口 ６９：パターニング済み下地 ７１：ドライエッチング済みＢＣＢ層 ７３：開口 ７５：凸形物質 ７７：ＢＣＢ層形成済み下地 ７９：ドライエッチング済みＢＣＢ層
Claims (3)
- 【請求項１】 ベンゾシクロブテン層をＣＦ4 とＯ2 の
混合ガスを用いてドライエッチングする工程と、 ドライエッチング後のベンゾシクロブテン層表面の付着
物を、酸素プラズマを用いて、除去する工程と、を含む
ことを特徴とするベンゾシクロブテン層のドライエッチ
ング処理方法。 - 【請求項２】 基板上に配線層を介してベンゾシクロブ
テン層を形成する工程と、 該ベンゾシクロブテン層上にホトレジスト膜を形成する
工程と、 ベンゾシクロブテン層のビアホール形成予定領域を露出
する開口を形成するように、該ホトレジスト膜をパター
ニングする工程と、 パターニング済みのホトレジスト膜をマスクとして用い
て、ＣＦ4 とＯ2 の混合ガスにより前記ベンゾシクロブ
テン層をドライエッチングして前記配線層を露出するビ
アホールを形成する工程と、 パターニング済みの前記ホトレジスト膜をＯ2 ガスを用
いたドライエッチングによって除去する工程と、 前記ベンゾシクロブテン層のドライエッチング後および
前記ホトレジスト膜のドライエッチング後に現れるベン
ゾシクロブテン層表面の付着物を、酸素プラズマを用い
て、除去することにより、ビアホール形成済みの前記ベ
ンゾシクロブテン層を多層配線用絶縁層とする工程と、
を含むことを特徴とする多層配線用絶縁層の形成方法。 - 【請求項３】 基板上に配線層を介してビアポストを形
成する工程と、 該ビアポストを覆うようにベンゾシクロブテン層を形成
する工程と、 ＣＦ4 とＯ2 の混合ガスにより、前記ビアポストの上端
面が現れるまで該ベンゾシクロブテン層をドライエッチ
ングする工程と、 前記ベンゾシクロブテン層のドライエッチング後に現れ
るベンゾシクロブテン層表面の付着物を、酸素プラズマ
を用いて除去することにより、ドライエッチング済みの
前記ベンゾシクロブテン層を多層配線用絶縁層とする工
程と、を含むことを特徴とする多層配線用絶縁層の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6146303A JPH0817798A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | ベンゾシクロブテン層のドライエッチング処理方法、それを用いた多層配線用絶縁層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6146303A JPH0817798A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | ベンゾシクロブテン層のドライエッチング処理方法、それを用いた多層配線用絶縁層の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817798A true JPH0817798A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15404633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6146303A Withdrawn JPH0817798A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | ベンゾシクロブテン層のドライエッチング処理方法、それを用いた多層配線用絶縁層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817798A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100271041B1 (ko) * | 1997-11-05 | 2000-11-01 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시장치의 기판의 제조방법 및 액정표시장치의 기판의 구조(substrate of a siquid crystal display and method of manufacturing the same) |
| KR100271040B1 (ko) * | 1997-10-24 | 2000-11-01 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시장치의 배선구조 및 그 제조방법(the line structure of the lcd and the method of manufacturing the same) |
| KR100271042B1 (ko) * | 1997-11-11 | 2000-11-01 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시장치의 기판의 제조방법(substrate of a liquid crystal display and method of manufuc turing the same) |
| KR100271043B1 (ko) * | 1997-11-28 | 2000-11-01 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시장치의 기판 및 그 제조방법(liquid crystal display and method of manufacturing the same) |
| US6204081B1 (en) | 1999-05-20 | 2001-03-20 | Lg Lcd, Inc. | Method for manufacturing a substrate of a liquid crystal display device |
| JP2004281528A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| US6855613B1 (en) * | 1999-11-04 | 2005-02-15 | Lucent Technologies Inc. | Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor |
| US6927175B2 (en) * | 2000-12-29 | 2005-08-09 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Method of fabricating X-ray detecting device |
-
1994
- 1994-06-28 JP JP6146303A patent/JPH0817798A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100271040B1 (ko) * | 1997-10-24 | 2000-11-01 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시장치의 배선구조 및 그 제조방법(the line structure of the lcd and the method of manufacturing the same) |
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| US6552759B2 (en) * | 1997-11-28 | 2003-04-22 | Lg Electronics, Inc. | Liquid crystal display device substrate and method for manufacturing thereof |
| US6856361B2 (en) | 1997-11-28 | 2005-02-15 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device substrate and method for manufacturing thereof |
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| US7268366B2 (en) | 2000-12-29 | 2007-09-11 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method of fabricating X-ray detecting device |
| JP2004281528A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010904 |