JPH07131036A - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサInfo
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- JPH07131036A JPH07131036A JP5301328A JP30132893A JPH07131036A JP H07131036 A JPH07131036 A JP H07131036A JP 5301328 A JP5301328 A JP 5301328A JP 30132893 A JP30132893 A JP 30132893A JP H07131036 A JPH07131036 A JP H07131036A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pedestal
- weight
- cantilever beam
- acceleration sensor
- semiconductor acceleration
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体加速度センサにおいて、ベース材と台
座の線膨張係数の差によって発生した熱応力の影響を排
除して、半導体加速度センサの出力温度特性の変動を防
止し、加速度検出方向に過大な衝撃荷重が加わってもカ
ンチレバービームを破損させず、更に部品点数、組立工
程の工数、時間の減少及びコストの安価を図ることを目
的とする。 【構成】 台座３上にアーム１１を設置し、アーム１１
には台座３の位置とは反対方向の位置に半導体ひずみゲ
ージ６及び重り５が取付けられたカンチレバービーム４
を取付ける。又カンチレバービーム４の先端に接合され
る重り１３を台形形状等とし、又台座１４の断面形状を
Ｌ型形状等とすることによって、台座１４と重り１３の
隙間及びアーム１１と重り１３の隙間により重り１３の
変位を制御できるような構成とする。又、台座１６と重
り１５を同一材料で構成する。
座の線膨張係数の差によって発生した熱応力の影響を排
除して、半導体加速度センサの出力温度特性の変動を防
止し、加速度検出方向に過大な衝撃荷重が加わってもカ
ンチレバービームを破損させず、更に部品点数、組立工
程の工数、時間の減少及びコストの安価を図ることを目
的とする。 【構成】 台座３上にアーム１１を設置し、アーム１１
には台座３の位置とは反対方向の位置に半導体ひずみゲ
ージ６及び重り５が取付けられたカンチレバービーム４
を取付ける。又カンチレバービーム４の先端に接合され
る重り１３を台形形状等とし、又台座１４の断面形状を
Ｌ型形状等とすることによって、台座１４と重り１３の
隙間及びアーム１１と重り１３の隙間により重り１３の
変位を制御できるような構成とする。又、台座１６と重
り１５を同一材料で構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、物理的振動を測定す
る機器に使用される半導体ひずみゲージを有する半導体
加速度センサの構造に関するものである。
る機器に使用される半導体ひずみゲージを有する半導体
加速度センサの構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１３(a)は例えば、特開昭６２−２２
１１６４号公報に示された従来の半導体加速度センサを
示す平面断面図、図１３(b)は図１３(a)のＸ−Ｘ線側面
断面図、図１３(c)はＹ−Ｙ線正面断面図である。図に
おいて、１は金属等からなり外周部に溶接部１ａが形成
されたベース、２は金属等からなり外周部に溶接部２ａ
が形成されたキャップで、ベース１とでパッケージを構
成する。３はベース１上に固定された台座、４は一端が
台座３に接着され、他端には出力感度を高めるために用
いる金属材料からなる重り５と接着するカンチレバービ
ームであり、このカンチレバービーム４には薄肉部４ａ
が形成されている。６はこの薄肉部４ａの上に形成され
た検出素子で、熱拡散又はイオン注入法により半導体ひ
ずみゲージが形成されアルミニウム蒸着などにより形成
された配線により電気的に接続され、フルブリッジ回路
を構成している。７はベース１を貫通し外部に出された
リード端子、８はこのリード端子の外周と貫通穴との間
に充てんされた硬質ガラス、９はリード端子７と半導体
ひずみゲージ６とをワイヤボディングした金線又は、ア
ルミニウム線などからなるワイヤ、１０はパッケージ内
に封入されたシリコンオイルなどからなるダンピング液
である。
１１６４号公報に示された従来の半導体加速度センサを
示す平面断面図、図１３(b)は図１３(a)のＸ−Ｘ線側面
断面図、図１３(c)はＹ−Ｙ線正面断面図である。図に
おいて、１は金属等からなり外周部に溶接部１ａが形成
されたベース、２は金属等からなり外周部に溶接部２ａ
が形成されたキャップで、ベース１とでパッケージを構
成する。３はベース１上に固定された台座、４は一端が
台座３に接着され、他端には出力感度を高めるために用
いる金属材料からなる重り５と接着するカンチレバービ
ームであり、このカンチレバービーム４には薄肉部４ａ
が形成されている。６はこの薄肉部４ａの上に形成され
た検出素子で、熱拡散又はイオン注入法により半導体ひ
ずみゲージが形成されアルミニウム蒸着などにより形成
された配線により電気的に接続され、フルブリッジ回路
を構成している。７はベース１を貫通し外部に出された
リード端子、８はこのリード端子の外周と貫通穴との間
に充てんされた硬質ガラス、９はリード端子７と半導体
ひずみゲージ６とをワイヤボディングした金線又は、ア
ルミニウム線などからなるワイヤ、１０はパッケージ内
に封入されたシリコンオイルなどからなるダンピング液
である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の半
導体加速度センサでは、通常ベースの金属材料として、
シリコン単結晶の線膨張係数に近い線膨張係数の金属材
料が一般的である。しかし、例えば、金属からなるベー
ス材とガラスまたは、シリコンからなる台座の線膨張係
数の差によって発生した熱応力が比較的台座部分から半
導体ひずみゲージの位置が近いことより、熱応力の影響
を受け、半導体加速度センサの出力温度特性を変動させ
るという問題点があった。また、従来の半導体加速度セ
ンサでは、加速度検出方向に過大な衝撃荷重が加わりカ
ンチレバービーム薄肉部の断面形状で許容応力を越えた
場合、カンチレバービームが破損するという問題点があ
った。さらに、従来の半導体加速度センサでは、センサ
の出力感度を高める為に、カンチレバービームの先端に
は金属からなる重りを接合しており、部品点数の増加及
び、組立工程に工数、時間を要する等、コスト高という
問題点があった。
導体加速度センサでは、通常ベースの金属材料として、
シリコン単結晶の線膨張係数に近い線膨張係数の金属材
料が一般的である。しかし、例えば、金属からなるベー
ス材とガラスまたは、シリコンからなる台座の線膨張係
数の差によって発生した熱応力が比較的台座部分から半
導体ひずみゲージの位置が近いことより、熱応力の影響
を受け、半導体加速度センサの出力温度特性を変動させ
るという問題点があった。また、従来の半導体加速度セ
ンサでは、加速度検出方向に過大な衝撃荷重が加わりカ
ンチレバービーム薄肉部の断面形状で許容応力を越えた
場合、カンチレバービームが破損するという問題点があ
った。さらに、従来の半導体加速度センサでは、センサ
の出力感度を高める為に、カンチレバービームの先端に
は金属からなる重りを接合しており、部品点数の増加及
び、組立工程に工数、時間を要する等、コスト高という
問題点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この発明は上記のよう
な問題点を解決するためになされたもので、ベース材も
しくはガラスとシリコンの線膨張係数の差により生ずる
熱応力を、カンチレバービーム、特に半導体ひずみゲー
ジ部分に伝達することなく、出力温度特性において、精
度の良い半導体加速度センサを得ることを目的としてい
る。また、加速度検出方向に過大な衝撃荷重が加わった
時、カンチレバービーム薄肉部の断面形状で、許容応力
内に応力変位を制限し、カンチレバービームが破損する
ことなく、高衝撃許容性を有する半導体加速度センサを
得ることを目的としている。さらに、部品点数及び、組
立工数削減により、安価な半導体加速度センサを得るこ
とを目的としている。
な問題点を解決するためになされたもので、ベース材も
しくはガラスとシリコンの線膨張係数の差により生ずる
熱応力を、カンチレバービーム、特に半導体ひずみゲー
ジ部分に伝達することなく、出力温度特性において、精
度の良い半導体加速度センサを得ることを目的としてい
る。また、加速度検出方向に過大な衝撃荷重が加わった
時、カンチレバービーム薄肉部の断面形状で、許容応力
内に応力変位を制限し、カンチレバービームが破損する
ことなく、高衝撃許容性を有する半導体加速度センサを
得ることを目的としている。さらに、部品点数及び、組
立工数削減により、安価な半導体加速度センサを得るこ
とを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体加
速度センサは、カンチレバービームを支持するアームを
設け、アームを保持する台座から反対の位置にカンチレ
バービームの半導体ひずみゲージ部を配置したものであ
る。
速度センサは、カンチレバービームを支持するアームを
設け、アームを保持する台座から反対の位置にカンチレ
バービームの半導体ひずみゲージ部を配置したものであ
る。
【０００６】また、カンチレバービームの先端に接合さ
れる重りを、カンチレバービーム裏面から取り付けると
ともに、重りの断面形状をほぼ台形形状とし、且つアー
ムを保持する台座の断面形状をＬ型形状としたものであ
る。
れる重りを、カンチレバービーム裏面から取り付けると
ともに、重りの断面形状をほぼ台形形状とし、且つアー
ムを保持する台座の断面形状をＬ型形状としたものであ
る。
【０００７】さらに、カンチレバービームの先端に接合
される重り及び、アームを保持する台座を共に同一材料
のガラス製としたものである。
される重り及び、アームを保持する台座を共に同一材料
のガラス製としたものである。
【０００８】
【作用】この発明における半導体加速度センサは、カン
チレバービームを支持するアームを設け、アームを保持
する台座から反対の位置にカンチレバービームの半導体
ひずみゲージ部を配置したことにより、例えば、金属か
らなるベース材とガラスまたは、シリコンからなる台座
の線膨張係数の差によって発生した熱応力が、台座を通
じ半導体ひずみゲージ部分に伝達されないよう配置した
もので、アーム部分で熱応力を吸収緩和することがで
き、出力温度特性において、精度向上がなされる。
チレバービームを支持するアームを設け、アームを保持
する台座から反対の位置にカンチレバービームの半導体
ひずみゲージ部を配置したことにより、例えば、金属か
らなるベース材とガラスまたは、シリコンからなる台座
の線膨張係数の差によって発生した熱応力が、台座を通
じ半導体ひずみゲージ部分に伝達されないよう配置した
もので、アーム部分で熱応力を吸収緩和することがで
き、出力温度特性において、精度向上がなされる。
【０００９】また、カンチレバービームの先端に接合さ
れる重りを、カンチレバービーム裏面から取り付けると
ともに、重りの断面形状をほぼ台形形状とし、且つアー
ムを保持する台座の断面形状をＬ型形状としたことによ
り、加速度検出方向に過大な衝撃荷重を加わった場合で
も、カンチレバービーム薄肉部の断面形状で、許容応力
内に応力変位を制限することができ、カンチレバービー
ムが破損することなく、耐衝撃性向上がなされる。
れる重りを、カンチレバービーム裏面から取り付けると
ともに、重りの断面形状をほぼ台形形状とし、且つアー
ムを保持する台座の断面形状をＬ型形状としたことによ
り、加速度検出方向に過大な衝撃荷重を加わった場合で
も、カンチレバービーム薄肉部の断面形状で、許容応力
内に応力変位を制限することができ、カンチレバービー
ムが破損することなく、耐衝撃性向上がなされる。
【００１０】さらに、カンチレバービームの先端に接合
される重り及び、アームを保持する台座を一対のガラス
から製作したことにより、金属材料からなる重りが不要
となり、部品点数の削減及び、組立工程数の減少がで
き、製作コスト低減がなされる。また、加速度検出方向
に過大な衝撃荷重が加わった場合でも、カンチレバービ
ーム薄肉部の断面形状で、許容応力内に応力変位を制限
することができ、カンチレバービームが破損することな
く、耐衝撃性向上がなされる。
される重り及び、アームを保持する台座を一対のガラス
から製作したことにより、金属材料からなる重りが不要
となり、部品点数の削減及び、組立工程数の減少がで
き、製作コスト低減がなされる。また、加速度検出方向
に過大な衝撃荷重が加わった場合でも、カンチレバービ
ーム薄肉部の断面形状で、許容応力内に応力変位を制限
することができ、カンチレバービームが破損することな
く、耐衝撃性向上がなされる。
【００１１】
【実施例】実施例１．以下、この発明の実施例１による
半導体加速度センサを図に基づいて説明する。図１はこ
の発明の実施例１による半導体加速度センサを示す平面
図、図２は図１におけるＡ−Ａ線側面断面図、図３は全
体の斜視図である。図において、従来技術と同一部分に
ついては同一符号により説明するものとする。１１は台
座３上に接続されたアームであり、カンチレバービーム
４は上記アーム１１と一体にかつ該アームを保持する台
座３から反対の位置に配置されていて、その先端に重り
５が接合されている。６はカンチレバービームの突出し
た根本部分に配置された半導体ひずみゲージ、１２は重
り５の下変位を制御するためベース１上に設けられたス
トッパの凸部である。
半導体加速度センサを図に基づいて説明する。図１はこ
の発明の実施例１による半導体加速度センサを示す平面
図、図２は図１におけるＡ−Ａ線側面断面図、図３は全
体の斜視図である。図において、従来技術と同一部分に
ついては同一符号により説明するものとする。１１は台
座３上に接続されたアームであり、カンチレバービーム
４は上記アーム１１と一体にかつ該アームを保持する台
座３から反対の位置に配置されていて、その先端に重り
５が接合されている。６はカンチレバービームの突出し
た根本部分に配置された半導体ひずみゲージ、１２は重
り５の下変位を制御するためベース１上に設けられたス
トッパの凸部である。
【００１２】次に動作について説明する。図に示すよう
に台座３部分から半導体ひずみゲージ６の位置が遠いの
で、金属からなるベース材とガラスまたはシリコンから
なる台座の線膨張係数の差によって発生する熱応力の影
響を受け難く、半導体加速度センサの出力温度特性を変
動させ難くなる。又、ストッパ凸部１２により重り５の
下変位を制御することができるので、加速度検出方向に
過大な衝撃荷重が加わってもカンチレバービーム４が破
損することもなくなる。
に台座３部分から半導体ひずみゲージ６の位置が遠いの
で、金属からなるベース材とガラスまたはシリコンから
なる台座の線膨張係数の差によって発生する熱応力の影
響を受け難く、半導体加速度センサの出力温度特性を変
動させ難くなる。又、ストッパ凸部１２により重り５の
下変位を制御することができるので、加速度検出方向に
過大な衝撃荷重が加わってもカンチレバービーム４が破
損することもなくなる。
【００１３】実施例２．次にこの発明の実施例２による
半導体加速度センサを図に基づいて説明する。図４は実
施例２による半導体加速度センサを示す平面図、図５は
図４におけるＢ−Ｂ線側面断面図、図６は図５における
Ｃ−Ｃ線正面断面図、図７は全体の斜視図である。図に
おいて、１３は断面形状をほぼ台形形状とされ、カンチ
レバービーム４の裏面から取り付けられると共に、カン
チレバービーム４の先端に接合される重りである。又１
４は断面形状をＬ型形状に形成された台座である。
半導体加速度センサを図に基づいて説明する。図４は実
施例２による半導体加速度センサを示す平面図、図５は
図４におけるＢ−Ｂ線側面断面図、図６は図５における
Ｃ−Ｃ線正面断面図、図７は全体の斜視図である。図に
おいて、１３は断面形状をほぼ台形形状とされ、カンチ
レバービーム４の裏面から取り付けられると共に、カン
チレバービーム４の先端に接合される重りである。又１
４は断面形状をＬ型形状に形成された台座である。
【００１４】次に動作について説明する。図に示すよう
に台座１４部分から半導体ひずみゲージ６の位置が遠い
ので、金属からなるベース材とガラスまたはシリコンか
らなる台座の線膨張係数の差によって発生する熱応力の
影響を受け難く、半導体加速度センサの出力温度特性を
変動させ難くなる。又、カンチレバービーム４の先端に
接合される重り１３の変位をアーム１１と重り１３のギ
ャップｄ１、及び台座１４と重り１３とのギャップｄ２
にて変位を制限するストッパ構造としたことにより、重
り１３の上下変位を制御することができるので、加速度
検出方向に過大な衝撃荷重が加わってもカンチレバービ
ーム４が破損することもなくなる。
に台座１４部分から半導体ひずみゲージ６の位置が遠い
ので、金属からなるベース材とガラスまたはシリコンか
らなる台座の線膨張係数の差によって発生する熱応力の
影響を受け難く、半導体加速度センサの出力温度特性を
変動させ難くなる。又、カンチレバービーム４の先端に
接合される重り１３の変位をアーム１１と重り１３のギ
ャップｄ１、及び台座１４と重り１３とのギャップｄ２
にて変位を制限するストッパ構造としたことにより、重
り１３の上下変位を制御することができるので、加速度
検出方向に過大な衝撃荷重が加わってもカンチレバービ
ーム４が破損することもなくなる。
【００１５】尚、上記実施例においては、重り１３の断
面形状をほぼ台形形状としたが、図８に示すような形状
でも同じ目的を達成でき、重り１３の変位をアーム１１
と重り１３のギャップ、及び台座１４と重り１３とのギ
ャップにて変位制限構造としたものであればどんな形状
であってもよい。
面形状をほぼ台形形状としたが、図８に示すような形状
でも同じ目的を達成でき、重り１３の変位をアーム１１
と重り１３のギャップ、及び台座１４と重り１３とのギ
ャップにて変位制限構造としたものであればどんな形状
であってもよい。
【００１６】実施例３．次にこの発明の実施例３による
半導体加速度センサを図に基づいて説明する。図９は実
施例３による半導体加速度センサを示す平面図、図１０
は図９におけるＤ−Ｄ線側面断面図、図１１は全体の斜
視図である。図において、１５はカンチレバービーム４
の先端に接合された断面Ｌ型形状の重り、１６は断面形
状をＬ型形状にされた台座であり、重り１５、台座１６
は共に同一材料のガラス材で構成されている。１７はベ
ース１上に形成された凸部である。
半導体加速度センサを図に基づいて説明する。図９は実
施例３による半導体加速度センサを示す平面図、図１０
は図９におけるＤ−Ｄ線側面断面図、図１１は全体の斜
視図である。図において、１５はカンチレバービーム４
の先端に接合された断面Ｌ型形状の重り、１６は断面形
状をＬ型形状にされた台座であり、重り１５、台座１６
は共に同一材料のガラス材で構成されている。１７はベ
ース１上に形成された凸部である。
【００１７】次に動作について説明する。図に示すよう
に台座１６部分から半導体ひずみゲージ６の位置が遠い
ので、金属からなるベース材とガラスまたはシリコンか
らなる台座の線膨張係数の差によって発生する熱応力の
影響を受け難く、半導体加速度センサの出力特性を変動
させ難くなる。又、カンチレバービーム４の先端に接合
される重り１５の変位をアーム１１と重り１５のギャッ
プｄ３、及びベース１と重り１５のギャップｄ４にて制
限するストッパ構造としたことにより、重り１５の上下
変位を制御することができるので、加速度検出方向に過
大な衝撃荷重が加わってもカンチレバービーム４が破損
することもなくなる。更に、カンチレバービーム４の先
端に接合される重り１５，及びアーム１１を保持する台
座１６が共に同一材料のガラス材からなっているので、
部品点数の減少及び組立工程における工数、時間を削減
することが可能となり、コストダウンを図ることができ
る。
に台座１６部分から半導体ひずみゲージ６の位置が遠い
ので、金属からなるベース材とガラスまたはシリコンか
らなる台座の線膨張係数の差によって発生する熱応力の
影響を受け難く、半導体加速度センサの出力特性を変動
させ難くなる。又、カンチレバービーム４の先端に接合
される重り１５の変位をアーム１１と重り１５のギャッ
プｄ３、及びベース１と重り１５のギャップｄ４にて制
限するストッパ構造としたことにより、重り１５の上下
変位を制御することができるので、加速度検出方向に過
大な衝撃荷重が加わってもカンチレバービーム４が破損
することもなくなる。更に、カンチレバービーム４の先
端に接合される重り１５，及びアーム１１を保持する台
座１６が共に同一材料のガラス材からなっているので、
部品点数の減少及び組立工程における工数、時間を削減
することが可能となり、コストダウンを図ることができ
る。
【００１８】次に重り１５及び台座１６の製造過程につ
いて図１２に基づいて説明する。まず特定の形状（凹
型）に加工したガラス材１８を図１２(a)(b)に示すよう
にカンチレバービーム４に接合する。その後図１２(c)
に示すようにガラス材１８の中間部分を例えばエッチン
グ等により切断、分離することによって重り１５，台座
１６を形成する。
いて図１２に基づいて説明する。まず特定の形状（凹
型）に加工したガラス材１８を図１２(a)(b)に示すよう
にカンチレバービーム４に接合する。その後図１２(c)
に示すようにガラス材１８の中間部分を例えばエッチン
グ等により切断、分離することによって重り１５，台座
１６を形成する。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体加速度
センサによれば、ベース材もしくはガラスとシリコンの
線膨張係数の差より生ずる熱応力を、アーム部分で吸収
緩和することができ、カンチレバービーム特に半導体ひ
ずみゲージ部分に熱応力が伝達することなく、出力温度
特性において精度の良い半導体加速度センサを得ること
ができる。また、加速度検出方向に過大な衝撃荷重が加
わった場合でも、カンチレバービームの許容応力内に応
力変位を制限でき、カンチレバービームが破損すること
なく、高衝撃許容性を有する半導体加速度センサを得る
ことができる。さらに、カンチレバービームに接合され
る重り及び、アームを保持する台座を共に同一材料で製
作したことにより、部品点数及び、組立工程数の削減が
可能で、安価な半導体加速度センサを得ることができる
効果がある。
センサによれば、ベース材もしくはガラスとシリコンの
線膨張係数の差より生ずる熱応力を、アーム部分で吸収
緩和することができ、カンチレバービーム特に半導体ひ
ずみゲージ部分に熱応力が伝達することなく、出力温度
特性において精度の良い半導体加速度センサを得ること
ができる。また、加速度検出方向に過大な衝撃荷重が加
わった場合でも、カンチレバービームの許容応力内に応
力変位を制限でき、カンチレバービームが破損すること
なく、高衝撃許容性を有する半導体加速度センサを得る
ことができる。さらに、カンチレバービームに接合され
る重り及び、アームを保持する台座を共に同一材料で製
作したことにより、部品点数及び、組立工程数の削減が
可能で、安価な半導体加速度センサを得ることができる
効果がある。
【図１】この発明の実施例１による半導体加速度センサ
を示す平面断面図である。
を示す平面断面図である。
【図２】この発明の実施例１による半導体加速度センサ
を示す側面断面図である。
を示す側面断面図である。
【図３】この発明の実施例１による半導体加速度センサ
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図４】この発明の実施例２による半導体加速度センサ
を示す平面断面図である。
を示す平面断面図である。
【図５】この発明の実施例２による半導体加速度センサ
を示す側面断面図である。
を示す側面断面図である。
【図６】この発明の実施例２による半導体加速度センサ
を示す正面断面図である。
を示す正面断面図である。
【図７】この発明の実施例２による半導体加速度センサ
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図８】この発明の実施例２において重りの形状を変え
たものを示す正面断面図である。
たものを示す正面断面図である。
【図９】この発明の実施例３による半導体加速度センサ
を示す平面断面図である。
を示す平面断面図である。
【図１０】この発明の実施例３による半導体加速度セン
サを示す側面断面図である。
サを示す側面断面図である。
【図１１】この発明の実施例３による半導体加速度セン
サを示す斜視図である。
サを示す斜視図である。
【図１２】この発明の実施例３による半導体加速度セン
サの製造過程を示す側面図である。
サの製造過程を示す側面図である。
【図１３】従来の半導体加速度センサを示す平面断面図
(a)、側面断面図(b)、正面断面図(c)である。
(a)、側面断面図(b)、正面断面図(c)である。
１ ベース ３ 台座 ４ カンチレバービーム ５ 重り ６ 半導体ひずみゲージ １１ アーム １２，１７ 凸部 １３，１５ 重り １４，１６ 台座 １８ ガラス材
Claims (3)
- 【請求項１】 ベース上に台座を介してカンチレバービ
ームが設置されると共に、当該カンチレバービームには
半導体ひずみゲージ及び重りが取付けられた半導体加速
度センサにおいて、上記台座上にアームを設置し、当該
アームには上記台座の位置とは反対方向の位置に上記カ
ンチレバービームを片持ち構造で取付けるとともに、台
座から反対の位置に半導体ひずみゲージ部を配置したこ
とを特徴とする半導体加速度センサ。 - 【請求項２】 重りをカンチレバービームの上部又は下
部に取付けると共に、台座と重りの隙間及びアームと重
りの隙間の変位を制限するストッパ部材を形成したこと
を特徴とする請求項１記載の半導体加速度センサ。 - 【請求項３】 台座及び重りを同一材料で構成したこと
を特徴とする請求項１または２記載の半導体加速度セン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5301328A JPH07131036A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 半導体加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5301328A JPH07131036A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 半導体加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07131036A true JPH07131036A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17895542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5301328A Pending JPH07131036A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | 半導体加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07131036A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6973829B2 (en) | 2000-08-29 | 2005-12-13 | Denso Corporation | Semiconductor dynamic quantity sensor with movable electrode and fixed electrode supported by support substrate |
| JP5370610B1 (ja) * | 2013-04-26 | 2013-12-18 | パナソニック株式会社 | センサ |
| CN106405152A (zh) * | 2016-10-19 | 2017-02-15 | 北京大学深圳研究生院 | 一种微加速度计及制造方法 |
-
1993
- 1993-11-05 JP JP5301328A patent/JPH07131036A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6973829B2 (en) | 2000-08-29 | 2005-12-13 | Denso Corporation | Semiconductor dynamic quantity sensor with movable electrode and fixed electrode supported by support substrate |
| JP5370610B1 (ja) * | 2013-04-26 | 2013-12-18 | パナソニック株式会社 | センサ |
| CN106405152A (zh) * | 2016-10-19 | 2017-02-15 | 北京大学深圳研究生院 | 一种微加速度计及制造方法 |
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