JPH08180414A - 光学的情報記録方法 - Google Patents
光学的情報記録方法Info
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- JPH08180414A JPH08180414A JP6318571A JP31857194A JPH08180414A JP H08180414 A JPH08180414 A JP H08180414A JP 6318571 A JP6318571 A JP 6318571A JP 31857194 A JP31857194 A JP 31857194A JP H08180414 A JPH08180414 A JP H08180414A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/006—Overwriting
- G11B7/0062—Overwriting strategies, e.g. recording pulse sequences with erasing level used for phase-change media
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は信号振幅が大きく、かつ記録、消去
の繰り返しによる特性の劣化の小さい相転移型光記録媒
体を提供することを目的とする。 【構成】 基板上に少なくとも誘電体保護層、相転移型
光記録層、誘電体保護層、反射層を順に積層してなる光
学的情報記録用媒体に、少なくとも記録レーザーパワー
Ｐ1とＰ1より小さい消去レーザーパワーＰ2を用いて１
ビームオーバーライト記録する方法であって、ビットを
形成する記録パルスを該ビット長よりも短い複数のパル
スに分割し、分割した各パルスのレーザーパワーは記録
レーザーパワーＰ1とし、分割したパルスの間のレーザ
ーパワーを消去レーザーパワーＰ2の１／２より小さく
ゼロでないレーザーパワーＰ3としたことを特徴とする
記録方法。
の繰り返しによる特性の劣化の小さい相転移型光記録媒
体を提供することを目的とする。 【構成】 基板上に少なくとも誘電体保護層、相転移型
光記録層、誘電体保護層、反射層を順に積層してなる光
学的情報記録用媒体に、少なくとも記録レーザーパワー
Ｐ1とＰ1より小さい消去レーザーパワーＰ2を用いて１
ビームオーバーライト記録する方法であって、ビットを
形成する記録パルスを該ビット長よりも短い複数のパル
スに分割し、分割した各パルスのレーザーパワーは記録
レーザーパワーＰ1とし、分割したパルスの間のレーザ
ーパワーを消去レーザーパワーＰ2の１／２より小さく
ゼロでないレーザーパワーＰ3としたことを特徴とする
記録方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学的情報記録方法に
関し、レーザー光などの照射により、情報を記録、消
去、再生可能な光学的情報記録用媒体を用いて記録再生
する方法に関する。
関し、レーザー光などの照射により、情報を記録、消
去、再生可能な光学的情報記録用媒体を用いて記録再生
する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報量の増大、記録再生の高密度
化、高速化の要求に応える記録媒体として、レーザー光
線を利用した光ディスクが開発されている。光ディスク
には、一度だけ記録が可能な追記型と、記録・消去が何
度でも可能な書換え型がある。
化、高速化の要求に応える記録媒体として、レーザー光
線を利用した光ディスクが開発されている。光ディスク
には、一度だけ記録が可能な追記型と、記録・消去が何
度でも可能な書換え型がある。
【０００３】書換え型光ディスクとしては、光磁気効果
を利用した光磁気記録媒体や、可逆的な結晶状態の変化
を利用した相変化媒体が挙げられる。相変化媒体は、外
部磁界を必要とせず、レーザー光のパワーを変調するだ
けで、記録・消去が可能であり、さらに、消去と再記録
を単一ビームで同時に行う１ビームオーバーライトが可
能であるという利点を有する。
を利用した光磁気記録媒体や、可逆的な結晶状態の変化
を利用した相変化媒体が挙げられる。相変化媒体は、外
部磁界を必要とせず、レーザー光のパワーを変調するだ
けで、記録・消去が可能であり、さらに、消去と再記録
を単一ビームで同時に行う１ビームオーバーライトが可
能であるという利点を有する。
【０００４】１ビームオーバーライト可能な相変化記録
方式では、記録膜を非晶質化させることによって記録ビ
ットを形成し、結晶化させることによって消去を行う場
合が一般的である。このような、相変化記録方式に用い
られる記録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用
いることが多い。
方式では、記録膜を非晶質化させることによって記録ビ
ットを形成し、結晶化させることによって消去を行う場
合が一般的である。このような、相変化記録方式に用い
られる記録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用
いることが多い。
【０００５】例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金薄膜
等が挙げられる。記録膜は適度に結晶化、非晶質化しや
すいこと、結晶状態と非晶質状態の反射率差が大きいこ
と、熱による体積変化が小さいこと等の観点から選定さ
れる。
系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金薄膜
等が挙げられる。記録膜は適度に結晶化、非晶質化しや
すいこと、結晶状態と非晶質状態の反射率差が大きいこ
と、熱による体積変化が小さいこと等の観点から選定さ
れる。
【０００６】一般に、書換え型の相変化記録媒体では、
相異なる構造を実現するために、２つの異なるレーザー
光パワーを用いる。この方式を、非晶質ビットと結晶化
された消去・初期状態で記録・消去を行う場合を例にと
って説明する。
相異なる構造を実現するために、２つの異なるレーザー
光パワーを用いる。この方式を、非晶質ビットと結晶化
された消去・初期状態で記録・消去を行う場合を例にと
って説明する。
【０００７】結晶化は、通常は記録層の結晶化温度より
十分高く、融点よりは低い温度まで記録層を加熱するこ
とによってなされる。この場合、冷却速度は結晶化が十
分なされる程度に遅くなるよう、記録層を誘電体層で挟
んだり、ビームの移動方向に長い楕円形ビームを用いた
りする。
十分高く、融点よりは低い温度まで記録層を加熱するこ
とによってなされる。この場合、冷却速度は結晶化が十
分なされる程度に遅くなるよう、記録層を誘電体層で挟
んだり、ビームの移動方向に長い楕円形ビームを用いた
りする。
【０００８】一方、非晶質化は記録層を融点より高い温
度まで加熱し、急冷することによって行う。この場合、
上記誘電体層は十分な冷却速度（過冷却速度）を得るた
めの放熱層としての機能も有する。さらに、上述のよう
な、加熱・冷却過程における記録層の溶融・体積変化に
伴う変形や、プラスチック基板への熱的ダメージを防い
だり、湿気による記録層の劣化を防止する機能、レーザ
ー光の干渉を利用しコントラストを高める機能等が重要
である。
度まで加熱し、急冷することによって行う。この場合、
上記誘電体層は十分な冷却速度（過冷却速度）を得るた
めの放熱層としての機能も有する。さらに、上述のよう
な、加熱・冷却過程における記録層の溶融・体積変化に
伴う変形や、プラスチック基板への熱的ダメージを防い
だり、湿気による記録層の劣化を防止する機能、レーザ
ー光の干渉を利用しコントラストを高める機能等が重要
である。
【０００９】保護層材料の材質は、レーザー光に対して
光学的に透明で、適当な屈折率を有すること、融点・軟
化点・分解温度が高いこと、形成が容易であること、適
度な熱伝導性を有することなどの観点から選定される。
１ビームオーバーライトを行うには非晶質ビットを形成
する記録レーザーパワーと非晶質ビットを結晶化する消
去レーザーパワーを用いる。
光学的に透明で、適当な屈折率を有すること、融点・軟
化点・分解温度が高いこと、形成が容易であること、適
度な熱伝導性を有することなどの観点から選定される。
１ビームオーバーライトを行うには非晶質ビットを形成
する記録レーザーパワーと非晶質ビットを結晶化する消
去レーザーパワーを用いる。
【００１０】非晶質ビットを形成する部分は記録レーザ
ーパワーを照射するが、特にディスクの回転速度が遅い
場合には、熱干渉の影響でビットの後端が前端と比較し
て幅が広くなる等の記録マーク歪が生じる。マーク歪は
特にマークエッジ検出方式で不都合を生じる。この歪を
改善するためビットを形成するための記録パルスを複数
のパルスに分割し、熱干渉の影響を小さくすることが提
案されている。
ーパワーを照射するが、特にディスクの回転速度が遅い
場合には、熱干渉の影響でビットの後端が前端と比較し
て幅が広くなる等の記録マーク歪が生じる。マーク歪は
特にマークエッジ検出方式で不都合を生じる。この歪を
改善するためビットを形成するための記録パルスを複数
のパルスに分割し、熱干渉の影響を小さくすることが提
案されている。
【００１１】分割したパルス間のレーザーパワーを消去
パワーまで落とすことにより、特に低線速で熱干渉によ
る最高到達温度や冷却速度のビット前後での非対称が緩
和される。
パワーまで落とすことにより、特に低線速で熱干渉によ
る最高到達温度や冷却速度のビット前後での非対称が緩
和される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、パルス
分割によりビット前後の対称性は改善されるものの、記
録信号強度が十分にとれない場合がある。これは一度溶
融した部分の冷却速度が遅いため再結晶化してしまい、
その結果ビットの幅が狭くなるためである。
分割によりビット前後の対称性は改善されるものの、記
録信号強度が十分にとれない場合がある。これは一度溶
融した部分の冷却速度が遅いため再結晶化してしまい、
その結果ビットの幅が狭くなるためである。
【００１３】このような場合、記録用レーザーパルスを
多少短くし、記録レーザーパワーを大きくすることによ
りビット長を変えずに幅を広げることができるが、繰り
返し記録による特性劣化が著しくなる。これは記録レー
ザーパワーを大きくすることにより到達温度が高くなっ
たり高温保持時間が長くなることにより、ディスクに与
える熱ダメージが大きくなるためである。
多少短くし、記録レーザーパワーを大きくすることによ
りビット長を変えずに幅を広げることができるが、繰り
返し記録による特性劣化が著しくなる。これは記録レー
ザーパワーを大きくすることにより到達温度が高くなっ
たり高温保持時間が長くなることにより、ディスクに与
える熱ダメージが大きくなるためである。
【００１４】本発明者らは記録パルス形状を検討するこ
とにより、信号振幅が大きく、かつ記録、消去の繰り返
しによる特性の劣化を小さくすることが可能であること
を見いだし本発明に到達した。
とにより、信号振幅が大きく、かつ記録、消去の繰り返
しによる特性の劣化を小さくすることが可能であること
を見いだし本発明に到達した。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、基板上
に少なくとも誘電体保護層、相転移型光記録層、誘電体
保護層、反射層を順に積層してなる光学的情報記録用媒
体に、少なくとも記録レーザーパワーＰ1とＰ1より小さ
い消去レーザーパワーＰ2を用いて１ビームオーバーラ
イト記録する方法であって、ビットを形成する記録パル
スを該ビット長よりも短い複数のパルスに分割し、分割
した各パルスのレーザーパワーは記録レーザーパワーＰ
1とし、分割したパルスの間のレーザーパワーを消去レ
ーザーパワーＰ2の１／２より小さくゼロでないレーザ
ーパワーＰ3としたことを特徴とする記録方法に関す
る。
に少なくとも誘電体保護層、相転移型光記録層、誘電体
保護層、反射層を順に積層してなる光学的情報記録用媒
体に、少なくとも記録レーザーパワーＰ1とＰ1より小さ
い消去レーザーパワーＰ2を用いて１ビームオーバーラ
イト記録する方法であって、ビットを形成する記録パル
スを該ビット長よりも短い複数のパルスに分割し、分割
した各パルスのレーザーパワーは記録レーザーパワーＰ
1とし、分割したパルスの間のレーザーパワーを消去レ
ーザーパワーＰ2の１／２より小さくゼロでないレーザ
ーパワーＰ3としたことを特徴とする記録方法に関す
る。
【００１６】分割したパルス間のレーザーパワーＰ3を
消去レーザーパワーＰ2の１／２より小さくすることに
より溶解した部分の冷却速度が大きくなりビット部が大
きくなる。その結果信号振幅が大きくなる。またビット
を大きくするために記録レーザーパワーＰ1を上げる必
要がないので、繰り返し記録特性も優れたディスクを得
ることができる。
消去レーザーパワーＰ2の１／２より小さくすることに
より溶解した部分の冷却速度が大きくなりビット部が大
きくなる。その結果信号振幅が大きくなる。またビット
を大きくするために記録レーザーパワーＰ1を上げる必
要がないので、繰り返し記録特性も優れたディスクを得
ることができる。
【００１７】ビットの大きさが本発明による記録方法と
従来のパルス分割法で大きく違わない場合であっても、
本発明の記録方法の方が熱ダメージが小さく、繰り返し
記録特性が優れる場合もある。これは、従来の記録法は
分割パルス間の消去レーザーパワーＰ2による熱干渉に
よって本発明の記録法より最高到達温度が高くなったり
高温での保持時間が長くなったりしているためであると
考えられる。
従来のパルス分割法で大きく違わない場合であっても、
本発明の記録方法の方が熱ダメージが小さく、繰り返し
記録特性が優れる場合もある。これは、従来の記録法は
分割パルス間の消去レーザーパワーＰ2による熱干渉に
よって本発明の記録法より最高到達温度が高くなったり
高温での保持時間が長くなったりしているためであると
考えられる。
【００１８】分割したパルス間のレーザーパワーＰ3が
消去レーザーパワーＰ2の１／２以上である場合にはこ
れらの効果は小さくなる。また、分割したパルス間のレ
ーザーパワーＰ3がゼロであるとトラッキングおよびフ
ォーカスをその間制御できなくなる。パルスの分割法は
媒体の層構成やディスク回転速度、Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3等の
値によって適当なものが選ばれるが、ビット先端部は直
前のレーザーパワーが消去パワーＰ2であり通常温度が
上がりにくいため、先頭の分割パルスのパルス幅をビッ
ト中間部や後端部より長くすると良い場合がある。
消去レーザーパワーＰ2の１／２以上である場合にはこ
れらの効果は小さくなる。また、分割したパルス間のレ
ーザーパワーＰ3がゼロであるとトラッキングおよびフ
ォーカスをその間制御できなくなる。パルスの分割法は
媒体の層構成やディスク回転速度、Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3等の
値によって適当なものが選ばれるが、ビット先端部は直
前のレーザーパワーが消去パワーＰ2であり通常温度が
上がりにくいため、先頭の分割パルスのパルス幅をビッ
ト中間部や後端部より長くすると良い場合がある。
【００１９】また、分割パルス間のレーザーパワーＰ3
を小さくすることに加えて、分割パルス群の直前または
直後に消去レーザーパワーＰ2の１／２よりも小さいパ
ワー部を設けた記録波形とすることにより再結晶化部を
小さくしてもよい。図１は記録パルス群の直後に消去レ
ーザーパワーＰ2の１／２よりも小さいパワー部Ｐ3を設
けた例である。
を小さくすることに加えて、分割パルス群の直前または
直後に消去レーザーパワーＰ2の１／２よりも小さいパ
ワー部を設けた記録波形とすることにより再結晶化部を
小さくしてもよい。図１は記録パルス群の直後に消去レ
ーザーパワーＰ2の１／２よりも小さいパワー部Ｐ3を設
けた例である。
【００２０】また、従来記録法において分割パルス間の
消去パワー照射部の一部分のレーザーパワーを消去レー
ザーパワーの１／２より小さくすることによっても同様
の効果が得られる。すなわち図３−ａ、ｂ、ｃのような
記録パルスとしても良い。分割パルス間のレーザーパワ
ーＰ3を消去レーザーパワーとする従来のパルス分割記
録法では再結晶化する部分が大きくなりビットが小さく
なるが、この現象は記録層と反射層の間の誘電体保護層
が厚く、熱の逃げにくい層構成のとき顕著となる。
消去パワー照射部の一部分のレーザーパワーを消去レー
ザーパワーの１／２より小さくすることによっても同様
の効果が得られる。すなわち図３−ａ、ｂ、ｃのような
記録パルスとしても良い。分割パルス間のレーザーパワ
ーＰ3を消去レーザーパワーとする従来のパルス分割記
録法では再結晶化する部分が大きくなりビットが小さく
なるが、この現象は記録層と反射層の間の誘電体保護層
が厚く、熱の逃げにくい層構成のとき顕著となる。
【００２１】したがって相変化光ディスクに望まれてい
る高記録感度化に関して重要な技術になると考えられ
る。また、記録層がＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる場合は特
にＧｅ含有量が２０％以上のとき顕著となり、３０％以
上のときはさらに顕著となる。Ｇｅ含有量が多いと信号
振幅は大きくすることができるため、信号振幅を大きく
する必要のあるＣＤ−ＲＯＭと互換性をもつ書換媒体の
開発に関しても重要な技術になると考えられる。
る高記録感度化に関して重要な技術になると考えられ
る。また、記録層がＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる場合は特
にＧｅ含有量が２０％以上のとき顕著となり、３０％以
上のときはさらに顕著となる。Ｇｅ含有量が多いと信号
振幅は大きくすることができるため、信号振幅を大きく
する必要のあるＣＤ−ＲＯＭと互換性をもつ書換媒体の
開発に関しても重要な技術になると考えられる。
【００２２】本発明における記録媒体の基板としては、
ガラス、プラスチック、ガラス上に光硬化性樹脂を設け
たもの等のいずれであってもよい。基板、記録層を保護
するため保護層を設ける必要があるが、保護層として耐
熱性に優れ、基板の熱的変形防止効果があり、基板との
密着性の強いものを用いれば、現在光ディスク用基板と
して一般的に使用されているポリカーボネート樹脂基板
を使用することが可能である。
ガラス、プラスチック、ガラス上に光硬化性樹脂を設け
たもの等のいずれであってもよい。基板、記録層を保護
するため保護層を設ける必要があるが、保護層として耐
熱性に優れ、基板の熱的変形防止効果があり、基板との
密着性の強いものを用いれば、現在光ディスク用基板と
して一般的に使用されているポリカーボネート樹脂基板
を使用することが可能である。
【００２３】保護層の厚みは、１０から５００ｎｍの範
囲であることが望ましい。一般に保護層の厚みが１０ｎ
ｍ未満であると、基板や記録膜の変形防止効果が不十分
である。一方、プラスチック基板を用いた場合、５００
ｎｍを越えると、保護層自体の内部応力や基板との弾性
特性の差が顕著になって、クラックが発生しやすくな
る。
囲であることが望ましい。一般に保護層の厚みが１０ｎ
ｍ未満であると、基板や記録膜の変形防止効果が不十分
である。一方、プラスチック基板を用いた場合、５００
ｎｍを越えると、保護層自体の内部応力や基板との弾性
特性の差が顕著になって、クラックが発生しやすくな
る。
【００２４】記録感度を良くするためには記録層と反射
層の間の保護層膜厚は１００ｎｍ以上が好ましい。ま
た、このとき再結晶化しやすくなるため、本発明による
記録法の効果が大きくなる。相変化光記録層はＧｅＳｂ
Ｔｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系等が用いられ、結晶化速度、非
晶質化のしやすさ、結晶粒径、保存安定性等の改善のた
めＳｎ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｂｉ、
Ａｕ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｎｉ等を
加えてもよい。
層の間の保護層膜厚は１００ｎｍ以上が好ましい。ま
た、このとき再結晶化しやすくなるため、本発明による
記録法の効果が大きくなる。相変化光記録層はＧｅＳｂ
Ｔｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系等が用いられ、結晶化速度、非
晶質化のしやすさ、結晶粒径、保存安定性等の改善のた
めＳｎ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｂｉ、
Ａｕ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｎｉ等を
加えてもよい。
【００２５】その厚みは一般的に１０ｎｍから１００ｎ
ｍの範囲に選ばれる。記録層の厚みが１０ｎｍより薄い
と十分なコントラストが得にくく、得られたとしても膜
厚依存性が大きいので実用的でない。一方１００ｎｍを
越すとクラックが生じ易くなる。記録層が主にＧｅ、Ｓ
ｂ、Ｔｅからなる場合はＧｅ含有量が２０％以上のとき
再結晶化が顕著となり本発明による記録法の効果が大き
くなり、Ｇｅ含有量が３０％以上のときはさらに効果は
顕著となる。
ｍの範囲に選ばれる。記録層の厚みが１０ｎｍより薄い
と十分なコントラストが得にくく、得られたとしても膜
厚依存性が大きいので実用的でない。一方１００ｎｍを
越すとクラックが生じ易くなる。記録層が主にＧｅ、Ｓ
ｂ、Ｔｅからなる場合はＧｅ含有量が２０％以上のとき
再結晶化が顕著となり本発明による記録法の効果が大き
くなり、Ｇｅ含有量が３０％以上のときはさらに効果は
顕著となる。
【００２６】Ｇｅ含有量が５０％以上になると書き変え
が難しくなる。記録層は、保護層で挟んで基板上に設
け、さらに反射層を設ける。更には紫外線硬化樹脂層等
を設けることが好ましい。記録層、保護層、反射層はス
パッタリング法などによって形成される。記録層用ター
ゲット、保護層用ターゲット、必要な場合には反射層材
料用ターゲットを同一真空チャンバー内に設置したイン
ライン装置で膜形成を行うことが各層間の酸化や汚染を
防ぐ点で望ましい。また、生産性の面からもすぐれてい
る。
が難しくなる。記録層は、保護層で挟んで基板上に設
け、さらに反射層を設ける。更には紫外線硬化樹脂層等
を設けることが好ましい。記録層、保護層、反射層はス
パッタリング法などによって形成される。記録層用ター
ゲット、保護層用ターゲット、必要な場合には反射層材
料用ターゲットを同一真空チャンバー内に設置したイン
ライン装置で膜形成を行うことが各層間の酸化や汚染を
防ぐ点で望ましい。また、生産性の面からもすぐれてい
る。
【００２７】
【実施例】以下実施例をもって本発明を詳細に説明す
る。 実施例１ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
（ｍｏｌ．％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2層を１３０ｎ
ｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ．％）層を１
８０ｎｍ、Ｇｅ43Ｓｂ10Ｔｅ47（ａｔ．％）層を２５ｎ
ｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ．％）層を１
９０ｎｍ、Ａｕ合金層を１００ｎｍ順次マグネトロンス
パッタリング法にて積層した。
る。 実施例１ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
（ｍｏｌ．％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2層を１３０ｎ
ｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ．％）層を１
８０ｎｍ、Ｇｅ43Ｓｂ10Ｔｅ47（ａｔ．％）層を２５ｎ
ｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ．％）層を１
９０ｎｍ、Ａｕ合金層を１００ｎｍ順次マグネトロンス
パッタリング法にて積層した。
【００２８】さらに紫外線硬化樹脂層を４μｍ設けるこ
とによりディスクを作製した。このディスクを光ディス
ク評価装置（レーザー波長７８０ｎｍ、対物レンズ開口
数ＮＡ０．５５）を用い、以下のように繰り返し記録特
性を測定した。ディスクを１．４ｍ／ｓで回転させ、図
１に示すような本発明のパルス分割法で記録パワーＰ1
および消去パワーＰ2をそれぞれ１５ｍＷ、６ｍＷ、分
割パルスの間のレーザーパワーＰ3を０．８ｍＷとしＥ
ＦＭランダム信号を記録した。
とによりディスクを作製した。このディスクを光ディス
ク評価装置（レーザー波長７８０ｎｍ、対物レンズ開口
数ＮＡ０．５５）を用い、以下のように繰り返し記録特
性を測定した。ディスクを１．４ｍ／ｓで回転させ、図
１に示すような本発明のパルス分割法で記録パワーＰ1
および消去パワーＰ2をそれぞれ１５ｍＷ、６ｍＷ、分
割パルスの間のレーザーパワーＰ3を０．８ｍＷとしＥ
ＦＭランダム信号を記録した。
【００２９】結晶状態の反射率レベルをＲc、１１Ｔ信
号の反射率レベルをＲa、製膜直後のアモルファス状態
での反射率レベルをＲasとしたときの（Ｒc−Ｒa）／
（Ｒc−Ｒas）の値は０．７７であった。この値が大き
いほどアモルファスビットの幅が広い。また、繰り返し
記録回数と３Ｔビットジッタの関係を調べたところ、ジ
ッタが４０ｎｓｅｃ以下に保たれる記録回数は１５回で
あった。
号の反射率レベルをＲa、製膜直後のアモルファス状態
での反射率レベルをＲasとしたときの（Ｒc−Ｒa）／
（Ｒc−Ｒas）の値は０．７７であった。この値が大き
いほどアモルファスビットの幅が広い。また、繰り返し
記録回数と３Ｔビットジッタの関係を調べたところ、ジ
ッタが４０ｎｓｅｃ以下に保たれる記録回数は１５回で
あった。
【００３０】なお結晶状態の反射率は６２％、１１Ｔビ
ット部の反射率は２９％であった。一方、従来のパルス
分割法を用い、記録、消去レーザーパワーは変化させ
ず、図２のような波形で記録した場合には、（Ｒc−Ｒ
a）／（Ｒc−Ｒas）の値は０．６７で、ジッタが４０ｎ
ｓｅｃ以下に保たれる記録回数は３回であった。実施例
１で使用した記録層組成は、繰り返し記録特性が実施例
２で用いた組成と比較すると劣っているが、信号振幅を
大きくとることができるという利点をもつ。
ット部の反射率は２９％であった。一方、従来のパルス
分割法を用い、記録、消去レーザーパワーは変化させ
ず、図２のような波形で記録した場合には、（Ｒc−Ｒ
a）／（Ｒc−Ｒas）の値は０．６７で、ジッタが４０ｎ
ｓｅｃ以下に保たれる記録回数は３回であった。実施例
１で使用した記録層組成は、繰り返し記録特性が実施例
２で用いた組成と比較すると劣っているが、信号振幅を
大きくとることができるという利点をもつ。
【００３１】実施例２ ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20
（ｍｏｌ．％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2層を１３０ｎ
ｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ．％）層を１
８０ｎｍ、Ｇｅ25Ｓｂ25Ｔｅ50（ａｔ．％）層を３０ｎ
ｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ．％）層を１
８５ｎｍ、Ａｕ合金層を１００ｎｍ順次マグネトロンス
パッタリング法にて積層しさらに紫外線硬化樹脂層を４
μｍ設けることによりディスクを作製した。
（ｍｏｌ．％）層を９０ｎｍ、ＳｉＯ2層を１３０ｎ
ｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ．％）層を１
８０ｎｍ、Ｇｅ25Ｓｂ25Ｔｅ50（ａｔ．％）層を３０ｎ
ｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ．％）層を１
８５ｎｍ、Ａｕ合金層を１００ｎｍ順次マグネトロンス
パッタリング法にて積層しさらに紫外線硬化樹脂層を４
μｍ設けることによりディスクを作製した。
【００３２】このディスクを光ディスク評価装置（レー
ザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用い以下のよう
に繰り返し記録特性を測定した。ディスクを１．４ｍ／
ｓで回転させ、図１に示すような本発明のパルス分割法
で記録パワーＰ1および消去パワーＰ2をそれぞれ１５．
２ｍＷ、６．１ｍＷ、分割パルスの間のレーザーパワー
Ｐ3を０．８ｍＷとしＥＦＭランダム信号を記録した。
ザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用い以下のよう
に繰り返し記録特性を測定した。ディスクを１．４ｍ／
ｓで回転させ、図１に示すような本発明のパルス分割法
で記録パワーＰ1および消去パワーＰ2をそれぞれ１５．
２ｍＷ、６．１ｍＷ、分割パルスの間のレーザーパワー
Ｐ3を０．８ｍＷとしＥＦＭランダム信号を記録した。
【００３３】結晶状態の反射率レベルをＲc、１１Ｔ信
号の反射率レベルをＲa、製膜直後のアモルファス状態
での反射率レベルをＲasとしたときの（Ｒc−Ｒa）／
（Ｒc−Ｒas）の値は０．８０であった。繰り返し記録
回数と３Ｔビットジッタの関係を調べたところ、ジッタ
が４０ｎｓｅｃ以下に保たれる記録回数は１００回であ
った。
号の反射率レベルをＲa、製膜直後のアモルファス状態
での反射率レベルをＲasとしたときの（Ｒc−Ｒa）／
（Ｒc−Ｒas）の値は０．８０であった。繰り返し記録
回数と３Ｔビットジッタの関係を調べたところ、ジッタ
が４０ｎｓｅｃ以下に保たれる記録回数は１００回であ
った。
【００３４】なお結晶状態の反射率は６４％、１１Ｔビ
ット部の反射率は４２％であった。一方、従来のパルス
分割法を用い、記録、消去レーザーパワーは変化させ
ず、図２のような波形で記録した場合には、（Ｒc−Ｒ
a）／（Ｒc−Ｒas）の値は０．７５で、ジッタが４０ｎ
ｓｅｃ以下に保たれる記録回数は１０回であった。
ット部の反射率は４２％であった。一方、従来のパルス
分割法を用い、記録、消去レーザーパワーは変化させ
ず、図２のような波形で記録した場合には、（Ｒc−Ｒ
a）／（Ｒc−Ｒas）の値は０．７５で、ジッタが４０ｎ
ｓｅｃ以下に保たれる記録回数は１０回であった。
【００３５】
【発明の効果】本発明の記録パルスを用いることにより
従来の分割パルス法と比較し、記録レーザーパワーを変
化させずに信号振幅を大きくすることができる。さら
に、本発明の記録法は媒体の熱ダメージを小さくするた
め、相変化光ディスクの欠点である繰り返し記録による
特性劣化を小さくすることができる。
従来の分割パルス法と比較し、記録レーザーパワーを変
化させずに信号振幅を大きくすることができる。さら
に、本発明の記録法は媒体の熱ダメージを小さくするた
め、相変化光ディスクの欠点である繰り返し記録による
特性劣化を小さくすることができる。
【００３６】本発明の効果は熱の逃げにくいディスク構
造、すなわち高記録感度媒体に対して特に顕著であり、
相変化光ディスクに望まれている高記録感度化に関して
重要な技術となる。また本発明の効果は、ＧｅＳｂＴｅ
系の場合、信号振幅を大きくすることができるＧｅ含有
量の多い組成に対して顕著である。
造、すなわち高記録感度媒体に対して特に顕著であり、
相変化光ディスクに望まれている高記録感度化に関して
重要な技術となる。また本発明の効果は、ＧｅＳｂＴｅ
系の場合、信号振幅を大きくすることができるＧｅ含有
量の多い組成に対して顕著である。
【００３７】したがって信号振幅を大きくする必要のあ
るＣＤ−ＲＯＭと互換性をもつ書換媒体の開発に関して
も重要な技術となる。
るＣＤ−ＲＯＭと互換性をもつ書換媒体の開発に関して
も重要な技術となる。
【図１】 本発明の方法によるパルス形状を示す図面。
【図２】 従来の方法によるパルス形状を示す図面。
【図３】 本発明の方法によるパルス形状の他の一例を
示す図面。
示す図面。
Ｐ1 記録パワー Ｐ2 消去パワー Ｐ3 分割パルスの間のレーザーパワー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１１ 7215−5Ｄ ５３７ Ｚ 7215−5Ｄ
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも誘電体保護層、相転
移型光記録層、誘電体保護層、反射層を順に積層してな
る光学的情報記録用媒体に、少なくとも記録レーザーパ
ワーＰ1とＰ1より小さい消去レーザーパワーＰ2を用い
て１ビームオーバーライト記録する方法であって、ビッ
トを形成する記録パルスを該ビット長よりも短い複数の
パルスに分割し、分割した各パルスのレーザーパワーは
記録レーザーパワーＰ1とし、分割したパルスの間のレ
ーザーパワーを消去レーザーパワーＰ2の１／２より小
さくゼロでないレーザーパワーＰ3としたことを特徴と
する記録方法。 - 【請求項２】 基板上に少なくとも誘電体保護層、相転
移型光記録層、誘電体保護層、反射層を順に積層してな
る光学的情報記録用媒体に、少なくとも記録レーザーパ
ワーＰ1とＰ1より小さい消去レーザーパワーＰ2を用い
て１ビームオーバーライト記録する方法であって、ビッ
トを形成する記録パルスを該ビット長よりも短い複数の
パルスに分割し、分割した各パルスのレーザーパワーは
記録レーザーパワーＰ1とし、分割したパルスの間のレ
ーザーパワーは、消去レーザーパワーＰ2の１／２より
小さくゼロでないレーザーパワーＰ3と消去レーザーパ
ワーＰ2近傍のレーザーパワーとで構成することを特徴
とする記録方法。 - 【請求項３】 記録層と反射層の間の誘電体保護層の膜
厚が１００〜５００ｎｍであることを特徴とする請求項
１に記載の記録方法。 - 【請求項４】 記録層と反射層の間の誘電体保護層の膜
厚が１００〜５００ｎｍであることを特徴とする請求項
２に記載の記録方法。 - 【請求項５】 相転移型光記録層が主にＧｅ、Ｓｂ、Ｔ
ｅからなり、Ｇｅの含有量が２０〜５０ａｔ．％である
ことを特徴とする請求項１に記載の記録方法。 - 【請求項６】相転移型光記録層が主にＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ
からなり、Ｇｅの含有量が２０〜５０ａｔ．％であるこ
とを特徴とする請求項２に記載の記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6318571A JPH08180414A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 光学的情報記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6318571A JPH08180414A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 光学的情報記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08180414A true JPH08180414A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18100625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6318571A Pending JPH08180414A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 光学的情報記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08180414A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998009823A1 (en) * | 1996-09-09 | 1998-03-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, its manufacturing method, optical information recording/reproducing method and optical information recorder/reproducer |
| US6811949B2 (en) | 1996-10-04 | 2004-11-02 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium and optical recording method |
| US6842415B2 (en) | 1997-09-09 | 2005-01-11 | Hitachi, Ltd. | Information recording method and apparatus with suppressed mark edge jitters |
-
1994
- 1994-12-21 JP JP6318571A patent/JPH08180414A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998009823A1 (en) * | 1996-09-09 | 1998-03-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, its manufacturing method, optical information recording/reproducing method and optical information recorder/reproducer |
| US6229785B1 (en) | 1996-09-09 | 2001-05-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, its manufacturing method, optical information recording/reproducing method and optical information recorder/reproducer |
| US6811949B2 (en) | 1996-10-04 | 2004-11-02 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium and optical recording method |
| US6842415B2 (en) | 1997-09-09 | 2005-01-11 | Hitachi, Ltd. | Information recording method and apparatus with suppressed mark edge jitters |
| KR100467917B1 (ko) * | 1997-09-09 | 2005-01-24 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 정보기록방법 및 정보기록장치 |
| US7012871B2 (en) | 1997-09-09 | 2006-03-14 | Hitachi, Ltd. | Information recording method and apparatus with suppressed mark edge jitters |
| US7042823B2 (en) | 1997-09-09 | 2006-05-09 | Hitachi, Ltd. | Information recording method and apparatus with suppressed mark edge jitters |
| US7417933B2 (en) | 1997-09-09 | 2008-08-26 | Hitachi, Ltd. | Information recording method and apparatus with suppressed mark edge jitters |
| US7684301B2 (en) | 1997-09-09 | 2010-03-23 | Hitachi, Ltd. | Information recording method and apparatus with suppressed mark edge jitters |
| US7852727B2 (en) | 1997-09-09 | 2010-12-14 | Hitachi, Ltd. | Information recording method and apparatus with suppressed mark edge jitters |
| US7907491B2 (en) | 1997-09-09 | 2011-03-15 | Hitachi, Ltd. | Information recording method and apparatus with suppressed mark edge jitters |
| US7907490B2 (en) | 1997-09-09 | 2011-03-15 | Hitachi, Ltd. | Information recording method and apparatus with suppressed mark edge jitters |
| US7911910B2 (en) | 1997-09-09 | 2011-03-22 | Hitachi, Ltd. | Information recording method and apparatus with suppressed mark edge jitters |
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