JPH08181132A - ポジ型パタン形成方法 - Google Patents
ポジ型パタン形成方法Info
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- JPH08181132A JPH08181132A JP31978494A JP31978494A JPH08181132A JP H08181132 A JPH08181132 A JP H08181132A JP 31978494 A JP31978494 A JP 31978494A JP 31978494 A JP31978494 A JP 31978494A JP H08181132 A JPH08181132 A JP H08181132A
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- Japan
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- forming
- polymer compound
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 芳香環を含む置換基（Ｒｎ）及び酸素原子が
シリコン原子と結合している構造を単位とする高分子化
合物を実質的に主成分として含むレジスト膜に、活性化
学線を照射して前記照射した部分のレジスト膜を揮発さ
せてパタンを形成する。 【効果】 短波長の活性化学線を用いた場合に、優れた
ドライエッチング耐性を持つパタンを形成できる。
シリコン原子と結合している構造を単位とする高分子化
合物を実質的に主成分として含むレジスト膜に、活性化
学線を照射して前記照射した部分のレジスト膜を揮発さ
せてパタンを形成する。 【効果】 短波長の活性化学線を用いた場合に、優れた
ドライエッチング耐性を持つパタンを形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、短波長の線源であるＡ
ｒＦ、ＫｒＦ等のエキシマレーザを光源にした遠紫外線
リソグラフィに好適なレジストパタン形成方法に関す
る。
ｒＦ、ＫｒＦ等のエキシマレーザを光源にした遠紫外線
リソグラフィに好適なレジストパタン形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、レジストのドライ現像の一種であ
る自己現像法について検討されてきている。自己現像法
とは、放射線照射により照射部分のレジスト膜が光エッ
チングにより直接蒸発し、現像液を用いずにレジストパ
タンを得る方法であり、ウエット現像が不必要なためリ
ソグラフィプロセスの工程数を低減できる。このドライ
現像に使われる放射線として、光、電子線、Ｘ線などが
ある。この方法では、レジストの吸収が強い程、放射線
照射による蒸発量が増加する。このため、短波長である
ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）を露光源とした場合、レジ
ストとして、２００ｎｍ付近に強い吸収を示す例えばト
リフタルアルデヒドのようなシリコン原子を有さない芳
香族系樹脂を用いている。
る自己現像法について検討されてきている。自己現像法
とは、放射線照射により照射部分のレジスト膜が光エッ
チングにより直接蒸発し、現像液を用いずにレジストパ
タンを得る方法であり、ウエット現像が不必要なためリ
ソグラフィプロセスの工程数を低減できる。このドライ
現像に使われる放射線として、光、電子線、Ｘ線などが
ある。この方法では、レジストの吸収が強い程、放射線
照射による蒸発量が増加する。このため、短波長である
ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）を露光源とした場合、レジ
ストとして、２００ｎｍ付近に強い吸収を示す例えばト
リフタルアルデヒドのようなシリコン原子を有さない芳
香族系樹脂を用いている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の芳香族
系樹脂はドライエッチング耐性に欠ける。すなわち、レ
ジスト直下の膜をエッチング加工する際、レジスト自体
が損傷してしまう。特に、自己現像の感度が高い樹脂か
ら成るレジスト程損傷が顕著となる本発明の目的は、短
波長の露光源を用いた場合に、優れたドライエッチング
耐性を持つパタンの形成方法を提供することにある。
系樹脂はドライエッチング耐性に欠ける。すなわち、レ
ジスト直下の膜をエッチング加工する際、レジスト自体
が損傷してしまう。特に、自己現像の感度が高い樹脂か
ら成るレジスト程損傷が顕著となる本発明の目的は、短
波長の露光源を用いた場合に、優れたドライエッチング
耐性を持つパタンの形成方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的は、芳香環を含
む置換基及び酸素原子がシリコン原子と結合している構
造を単位とする高分子化合物を実質的に主成分として含
むレジスト膜に、活性化学線を照射して、前記照射した
部分のレジスト膜を揮発させることにより達成できる。
む置換基及び酸素原子がシリコン原子と結合している構
造を単位とする高分子化合物を実質的に主成分として含
むレジスト膜に、活性化学線を照射して、前記照射した
部分のレジスト膜を揮発させることにより達成できる。
【０００５】
【作用】本発明では、芳香族系の官能基が直接シリコン
原子につき、このシリコン原子が１つ以上のＳｉ−Ｏ結
合を有する構造を単位とする高分子化合物に、活性化学
線を照射している。このＳｉ−Ｏ結合は化学結合が強
く、Ｓｉ−Ｏ結合を有するレジストを用いることによっ
て、ドライエッチングに優れた耐性を示す。なお、酸素
プラズマ等の酸化性雰囲気下でもドライエッチング耐性
が優れている。
原子につき、このシリコン原子が１つ以上のＳｉ−Ｏ結
合を有する構造を単位とする高分子化合物に、活性化学
線を照射している。このＳｉ−Ｏ結合は化学結合が強
く、Ｓｉ−Ｏ結合を有するレジストを用いることによっ
て、ドライエッチングに優れた耐性を示す。なお、酸素
プラズマ等の酸化性雰囲気下でもドライエッチング耐性
が優れている。
【０００６】また、レジストの膜厚１ミクロン当り２０
以上の吸光度となるように活性化学線を照射すると、レ
ジストの高分子化合物は非常に効率よく光を吸収する。
このため、光照射部において光吸収後の光化学反応並び
に熱反応による高分子化合物の分解、蒸発が効率良く生
じる。
以上の吸光度となるように活性化学線を照射すると、レ
ジストの高分子化合物は非常に効率よく光を吸収する。
このため、光照射部において光吸収後の光化学反応並び
に熱反応による高分子化合物の分解、蒸発が効率良く生
じる。
【０００７】図１は高分子化合物にＡｒＦエキシマレー
ザを照射したときの蒸発量を示したものである。図１の
横軸は光照射量（ｍＪ／ｃｍ2）、縦軸は蒸発した膜厚
（ｎｍ）である。図１より、ＡｒＦエキシマレーザの波
長において、吸光度が膜厚１ミクロンあたり２０である
芳香族系のポリシルセスキオキサンは１０００ｍＪ／ｃ
ｍ2の照射量の時、蒸発した膜厚が約１００ｎｍであっ
た。一方、非芳香族系のポリシルセスキオキサンは、
０．３吸光度／ミクロン以下であり、２０００ｍＪ／ｃ
ｍ2の照射量でもまったく膜の蒸発がみられなかった。
この様に、芳香族系の官能基及びＳｉ−Ｏ結合を有する
構造を単位とする高分子化合物に吸光度が膜厚１ミクロ
ンあたり２０以上となる波長の光を照射した場合、光照
射部は効率良く光蒸発している。一方、未照射部は何も
反応が起きない。その結果、現像プロセスを経ることな
く光照射だけでポジ型レジストパタンが得られる。
ザを照射したときの蒸発量を示したものである。図１の
横軸は光照射量（ｍＪ／ｃｍ2）、縦軸は蒸発した膜厚
（ｎｍ）である。図１より、ＡｒＦエキシマレーザの波
長において、吸光度が膜厚１ミクロンあたり２０である
芳香族系のポリシルセスキオキサンは１０００ｍＪ／ｃ
ｍ2の照射量の時、蒸発した膜厚が約１００ｎｍであっ
た。一方、非芳香族系のポリシルセスキオキサンは、
０．３吸光度／ミクロン以下であり、２０００ｍＪ／ｃ
ｍ2の照射量でもまったく膜の蒸発がみられなかった。
この様に、芳香族系の官能基及びＳｉ−Ｏ結合を有する
構造を単位とする高分子化合物に吸光度が膜厚１ミクロ
ンあたり２０以上となる波長の光を照射した場合、光照
射部は効率良く光蒸発している。一方、未照射部は何も
反応が起きない。その結果、現像プロセスを経ることな
く光照射だけでポジ型レジストパタンが得られる。
【０００８】本発明の高分子化合物の一例を図３（ａ）
に示す。ここで、Ｒ1、Ｒ2 の少なくとも１つは芳香族
系の官能基である。Ｒ1、Ｒ2 は同一でも異なっていて
も良い。また、高分子化合物の他の例として、図３
（ｂ）に示す一般式で表されるポリシロキサンが挙げら
れる。図３（ｂ）について、Ｒ1、Ｒ2 の少なくとも１
つは芳香族系の官能基である。Ｒ1、Ｒ2 は同一でも異
なっていても良い。Ｒ3 は、水素原子、水酸基、または
脂肪族系の官能基である。また、ｎは正の整数である。
さらに、高分子化合物の例として、図３（ｃ）に示す一
般式で表されるポリシルセスキオキサンのホモポリマー
若しくはコポリマーが挙げられる。図３（ｃ）につい
て、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4 の少なくとも１つは芳香族系
の官能基である。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4 は同一でも異な
っていても良い。また、ｎは正の整数である。
に示す。ここで、Ｒ1、Ｒ2 の少なくとも１つは芳香族
系の官能基である。Ｒ1、Ｒ2 は同一でも異なっていて
も良い。また、高分子化合物の他の例として、図３
（ｂ）に示す一般式で表されるポリシロキサンが挙げら
れる。図３（ｂ）について、Ｒ1、Ｒ2 の少なくとも１
つは芳香族系の官能基である。Ｒ1、Ｒ2 は同一でも異
なっていても良い。Ｒ3 は、水素原子、水酸基、または
脂肪族系の官能基である。また、ｎは正の整数である。
さらに、高分子化合物の例として、図３（ｃ）に示す一
般式で表されるポリシルセスキオキサンのホモポリマー
若しくはコポリマーが挙げられる。図３（ｃ）につい
て、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4 の少なくとも１つは芳香族系
の官能基である。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4 は同一でも異な
っていても良い。また、ｎは正の整数である。
【０００９】具体的には、芳香族系の置換基の一種であ
るフェニル基ならびにその誘導体がＳｉ原子に直接結合
した形のフェニルシロキサン、フェニルシルセスキオキ
サンからなるホモポリマ、あるいはコポリマ等が使用で
きる。また、前記のフェニル基誘導体に限らず、ベンジ
ル基、フェネチル基、スチリル基、シンナミル基、ベン
ズヒドリル基などの様に六員環骨格を持つ官能基ならび
にそれらの誘導体も使用可能である。なお、芳香族系の
置換基として、ナフタレン、アントラセン骨格などの芳
香環を持つ官能基ならびにそれらの誘導体、複素環芳香
族系置換基も使用可能である。
るフェニル基ならびにその誘導体がＳｉ原子に直接結合
した形のフェニルシロキサン、フェニルシルセスキオキ
サンからなるホモポリマ、あるいはコポリマ等が使用で
きる。また、前記のフェニル基誘導体に限らず、ベンジ
ル基、フェネチル基、スチリル基、シンナミル基、ベン
ズヒドリル基などの様に六員環骨格を持つ官能基ならび
にそれらの誘導体も使用可能である。なお、芳香族系の
置換基として、ナフタレン、アントラセン骨格などの芳
香環を持つ官能基ならびにそれらの誘導体、複素環芳香
族系置換基も使用可能である。
【００１０】照射光源としては、重水素ランプ、ＳＯＲ
光、紫外レーザが可能である。エキシマレーザに代表さ
れるパルスレーザ光は、ランプなどの定常光と比べて単
位時間あたりの照射エネルギーが多く、１パルスの発光
時間が約数十ナノ秒という短時間に膨大な量の光が高分
子化合物にそそがれる。このため、熱、光吸収により、
ポリマが効率的に蒸発する。従って、照射光源として
は、パルスレーザが望ましい。また、レーザ光を照射す
る雰囲気は、大気中、真空中、または不活性ガス中のい
ずれでも可能である。
光、紫外レーザが可能である。エキシマレーザに代表さ
れるパルスレーザ光は、ランプなどの定常光と比べて単
位時間あたりの照射エネルギーが多く、１パルスの発光
時間が約数十ナノ秒という短時間に膨大な量の光が高分
子化合物にそそがれる。このため、熱、光吸収により、
ポリマが効率的に蒸発する。従って、照射光源として
は、パルスレーザが望ましい。また、レーザ光を照射す
る雰囲気は、大気中、真空中、または不活性ガス中のい
ずれでも可能である。
【００１１】高分子化合物の芳香族系の置換基がフェニ
ル基に代表される六員環誘導体の場合、照射する光の波
長として、六員環誘導体の強い吸収帯がある２００ｎｍ
付近の紫外光が適している。特にＡｒＦエキシマレーザ
ー（波長１９３ｎｍ）が光源として最適である。また、
芳香族系の置換基がナフタレン誘導体の場合、２５０ｎ
ｍ付近の紫外光がよく、ＫｒＦエキシマレーザー（波長
２４８ｎｍ）が照射に適している。
ル基に代表される六員環誘導体の場合、照射する光の波
長として、六員環誘導体の強い吸収帯がある２００ｎｍ
付近の紫外光が適している。特にＡｒＦエキシマレーザ
ー（波長１９３ｎｍ）が光源として最適である。また、
芳香族系の置換基がナフタレン誘導体の場合、２５０ｎ
ｍ付近の紫外光がよく、ＫｒＦエキシマレーザー（波長
２４８ｎｍ）が照射に適している。
【００１２】また、２層レジスト法の上層レジストパタ
ンとして効果的な転写マスクパタンとなる。このとき、
下層レジスト膜として、熱処理した高分子膜を使用する
ことができる。なお、下層への転写には、酸素の反応性
イオンエッチングの他、酸素やオゾン等の酸化雰囲気化
での光酸化エッチングを用いることも可能である。
ンとして効果的な転写マスクパタンとなる。このとき、
下層レジスト膜として、熱処理した高分子膜を使用する
ことができる。なお、下層への転写には、酸素の反応性
イオンエッチングの他、酸素やオゾン等の酸化雰囲気化
での光酸化エッチングを用いることも可能である。
【００１３】また、本発明で使用する芳香族系シリコン
高分子化合物は複雑な化学反応系を組み込む必要がない
ので環境変化や経時変化が少なく、取扱容易である。
高分子化合物は複雑な化学反応系を組み込む必要がない
ので環境変化や経時変化が少なく、取扱容易である。
【００１４】
（実施例１）図３（ｄ）（但し、ｎは正の整数）で示さ
れる梯子型ポリフェニルシロキサンを１−ブタノールに
溶解し、６．７ｗｔ％溶液とした。この溶液をシリコン
基板にスピン塗布し、１００℃で３分間プリベークして
膜厚９０ｎｍの薄膜を得た。
れる梯子型ポリフェニルシロキサンを１−ブタノールに
溶解し、６．７ｗｔ％溶液とした。この溶液をシリコン
基板にスピン塗布し、１００℃で３分間プリベークして
膜厚９０ｎｍの薄膜を得た。
【００１５】次に前記の薄膜に、ＡｒＦエキシマレーザ
ー（波長１９３ｎｍ）を大気中で照射した。このとき、
１パルス当たりのエネルギーが１２０ｍＪ、繰返し周波
数２Ｈｚの条件であった。その結果、照射量１０００ｍ
Ｊ／ｃｍ2のとき、照射部の薄膜が完全に蒸発し、良好
な０．２５ミクロンのポジ型ラインアンドスペースパタ
ンを形成することができた。光照射量が１０００ｍＪ／
ｃｍ2未満の時には、照射部に薄膜の残渣が見られた。
ー（波長１９３ｎｍ）を大気中で照射した。このとき、
１パルス当たりのエネルギーが１２０ｍＪ、繰返し周波
数２Ｈｚの条件であった。その結果、照射量１０００ｍ
Ｊ／ｃｍ2のとき、照射部の薄膜が完全に蒸発し、良好
な０．２５ミクロンのポジ型ラインアンドスペースパタ
ンを形成することができた。光照射量が１０００ｍＪ／
ｃｍ2未満の時には、照射部に薄膜の残渣が見られた。
【００１６】（実施例２）実施例１において、梯子型ポ
リシロキサンの代りに、図３（ｅ）（但し、ｎは正の整
数）に示される直鎖状ポリフェニルシロキサンのアルコ
ール溶液をシリコン基板にスピン塗布して、膜厚１００
ｎｍの薄膜を形成した。この薄膜に、ＡｒＦエキシマレ
ーザーを真空中で照射して、良好なポジ型のパタンを得
た。
リシロキサンの代りに、図３（ｅ）（但し、ｎは正の整
数）に示される直鎖状ポリフェニルシロキサンのアルコ
ール溶液をシリコン基板にスピン塗布して、膜厚１００
ｎｍの薄膜を形成した。この薄膜に、ＡｒＦエキシマレ
ーザーを真空中で照射して、良好なポジ型のパタンを得
た。
【００１７】このように真空中で照射することにより、
他の雰囲気中で照射することと比べて効率良く蒸発す
る。
他の雰囲気中で照射することと比べて効率良く蒸発す
る。
【００１８】（実施例３）実施例１のＡｒＦエキシマレ
ーザー光を大気中で照射する代りに、窒素ガス１気圧中
で照射した結果、良好なポジ型のパタンを得た。このよ
うに窒素ガス中で照射することにより、大気中で照射を
行なう場合と比べ、レジスト表面が変質しにくい。
ーザー光を大気中で照射する代りに、窒素ガス１気圧中
で照射した結果、良好なポジ型のパタンを得た。このよ
うに窒素ガス中で照射することにより、大気中で照射を
行なう場合と比べ、レジスト表面が変質しにくい。
【００１９】（実施例４）本発明を使用した２層レジス
トパタン形成方法を図２に示す。ジアゾナフトキノンー
ノボラック樹脂系ポジ型フォトレジストをシリコン基板
上にスピン塗布し、２００℃で２０分間ハードベークし
て膜厚１ミクロンの下層レジスト膜を形成した。次にこ
のレジスト膜の上に、ポリヒドロキシベンジルシルセス
キオキサンをスピン塗布し、８０℃、２０分ベークして
膜厚３００ｎｍの上層レジスト膜を形成した。このよう
に２層レジストとすると、下層レジストの形成により表
面を平坦化できるので、レジスト下地に表面凹凸が有っ
てもパターン形成が可能となる。
トパタン形成方法を図２に示す。ジアゾナフトキノンー
ノボラック樹脂系ポジ型フォトレジストをシリコン基板
上にスピン塗布し、２００℃で２０分間ハードベークし
て膜厚１ミクロンの下層レジスト膜を形成した。次にこ
のレジスト膜の上に、ポリヒドロキシベンジルシルセス
キオキサンをスピン塗布し、８０℃、２０分ベークして
膜厚３００ｎｍの上層レジスト膜を形成した。このよう
に２層レジストとすると、下層レジストの形成により表
面を平坦化できるので、レジスト下地に表面凹凸が有っ
てもパターン形成が可能となる。
【００２０】この２層レジスト膜に対し、ＡｒＦエキシ
マレーザーを実施例１と同じ条件で大気中で照射した。
その結果、照射量１２００ｍＪ／ｃｍ2のとき、照射部
のレジスト膜が完全に蒸発し、良好なポジ型レジストパ
タンを上層に形成できた。図２において、１はシリコン
基板、２は下層レジスト膜、３はＡｒＦエキシマレーザ
ー照射により形成された上層レジストパタンをそれぞれ
示す。
マレーザーを実施例１と同じ条件で大気中で照射した。
その結果、照射量１２００ｍＪ／ｃｍ2のとき、照射部
のレジスト膜が完全に蒸発し、良好なポジ型レジストパ
タンを上層に形成できた。図２において、１はシリコン
基板、２は下層レジスト膜、３はＡｒＦエキシマレーザ
ー照射により形成された上層レジストパタンをそれぞれ
示す。
【００２１】次にこの基板を１２０ｗの低圧水銀ランプ
を備えたレジスト剥離装置に入れて、４０分間、酸素雰
囲気下で光を照射しながら、上層レジストパタンをマス
クとして下層レジストの光酸化エッチングを行った。図
２において、符号４は、酸化性雰囲気を示す。また、符
号５は光酸化光線を示す。光酸化エッチングプロセスに
おいて、上層レジスト被覆部分はシリコンを含有するた
め光酸化により不揮発性の二酸化珪素が形成され、エッ
チングが進行しなかった。これに対し、上層レジストが
なく下層レジストがむきだしになっている部分は、下層
レジストが光を効果的に吸収して光酸化を起こし、最終
的に燃焼により除去（エッチング）され、シリコン基板
面に到達するまで光酸化エッチングが逐次的に進行し
た。光酸化エッチング終了後、ＳＥＭ観察した結果、上
層レジストパタンを忠実に転写した下層レジストパタン
が形成できた。このように、下層レジストを光酸化させ
ることによって通常行なわれるウエット現像が不要とな
り、上層及び下層レジストを共にドライプロセスで行な
うことができる。
を備えたレジスト剥離装置に入れて、４０分間、酸素雰
囲気下で光を照射しながら、上層レジストパタンをマス
クとして下層レジストの光酸化エッチングを行った。図
２において、符号４は、酸化性雰囲気を示す。また、符
号５は光酸化光線を示す。光酸化エッチングプロセスに
おいて、上層レジスト被覆部分はシリコンを含有するた
め光酸化により不揮発性の二酸化珪素が形成され、エッ
チングが進行しなかった。これに対し、上層レジストが
なく下層レジストがむきだしになっている部分は、下層
レジストが光を効果的に吸収して光酸化を起こし、最終
的に燃焼により除去（エッチング）され、シリコン基板
面に到達するまで光酸化エッチングが逐次的に進行し
た。光酸化エッチング終了後、ＳＥＭ観察した結果、上
層レジストパタンを忠実に転写した下層レジストパタン
が形成できた。このように、下層レジストを光酸化させ
ることによって通常行なわれるウエット現像が不要とな
り、上層及び下層レジストを共にドライプロセスで行な
うことができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、短波長の活性化学線を
用いた場合に、優れたドライエッチング耐性を持つパタ
ンを形成することができた。
用いた場合に、優れたドライエッチング耐性を持つパタ
ンを形成することができた。
【図１】ポリシルセスキオキサンにＡｒＦエキシマレー
ザを照射したときの蒸発量を示した図である。
ザを照射したときの蒸発量を示した図である。
【図２】本発明の実施例４において使用した２層レジス
トプロセスによるパタン形成方法を示す図である。
トプロセスによるパタン形成方法を示す図である。
【図３】本発明のレジスト中の主成分である高分子化合
物の一般式を示す図である。
物の一般式を示す図である。
１…シリコン基板、２…下層レジスト、３…上層レジス
トパタン、４…酸化性雰囲気、５…光酸化光線。
トパタン、４…酸化性雰囲気、５…光酸化光線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福田 宏 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 寺澤 恒男 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (11)
- 【請求項１】芳香環を含む置換基及び酸素原子がシリコ
ン原子と結合している構造を単位とする高分子化合物を
実質的に主成分として含むレジスト膜を基体上に形成す
る工程と、 活性化学線を前記レジスト膜に照射することによって、
前記照射した部分のレジスト膜を揮発させる工程とを有
することを特徴とするポジ型パタン形成方法。 - 【請求項２】請求項１記載のポジ型パタン形成方法にお
いて、前記照射は前記レジスト膜の膜厚１ミクロンあた
り２０以上の吸光度となるような照射であることを特徴
とするポジ型パタン形成方法。 - 【請求項３】請求項１または２記載のポジ型パタン形成
方法において、前記高分子化合物は一般式（１） 【化１】 （Ｒ1、Ｒ2 の少なくとも１つは芳香族系の官能基）で
表されることを特徴とするポジ型パタン形成方法。 - 【請求項４】請求項３記載のポジ型パタン形成方法にお
いて、前記Ｒ1と前記Ｒ2 は同一であることを特徴とす
るポジ型パタン形成方法。 - 【請求項５】請求項１または２記載のポジ型パタン形成
方法において、前記高分子化合物は一般式（２） 【化２】 （Ｒ1、Ｒ2 の少なくとも１つは芳香族系の官能基、Ｒ3
は、水素原子、水酸基、または脂肪族系の官能基、ｎ
は正の整数）で表されるポリシロキサンであることを特
徴とするポジ型パタン形成方法。 - 【請求項６】請求項１または２記載のポジ型パタン形成
方法において、前記高分子化合物は一般式（３） 【化３】 （Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4 の少なくとも１つは芳香族系の
官能基、ｎは正の整数）で表されるポリシルセスキオキ
サンのホモポリマー若しくはコポリマーであることを特
徴とするポジ型パタン形成方法。 - 【請求項７】請求項１乃至６記載のポジ型パタン形成方
法において、前記活性化学線がＡｒＦエキシマレーザー
光であることを特徴とするポジ型パタン形成方法。 - 【請求項８】請求項７記載のポジ型パタン形成方法にお
いて、前記ＡｒＦエキシマレーザー光は１９３ｎｍであ
ることを特徴とするポジ型パタン形成方法。 - 【請求項９】請求項１乃至８記載のポジ型パタン形成方
法において、前記照射は１０００ｍＪ／ｃｍ2以上で行
なうことを特徴とするポジ型パタン形成方法。 - 【請求項１０】基体上に第１のレジスト膜を形成する工
程と、 芳香環を含む置換基及び酸素原子がシリコン原子と結合
している構造を単位とする高分子化合物を実質的に主成
分として含む第２のレジスト膜を、前記第１のレジスト
膜上に形成する工程と、 活性化学線を前記第２のレジスト膜に照射することによ
って、前記照射した部分のレジスト膜を揮発させる工程
と、 前記第２のレジスト膜をマスクとして、前記第１のレジ
スト膜をエッチングする工程とを有することを特徴とす
るパタン形成方法。 - 【請求項１１】請求項５記載のパタン形成方法におい
て、前記エッチングは、光酸化を用いることを特徴とす
るパタン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31978494A JPH08181132A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | ポジ型パタン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31978494A JPH08181132A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | ポジ型パタン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181132A true JPH08181132A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18114155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31978494A Pending JPH08181132A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | ポジ型パタン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08181132A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100901837B1 (ko) * | 2006-08-17 | 2009-06-09 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴의 형성 방법, 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| US12360453B2 (en) | 2019-11-19 | 2025-07-15 | Merck Patent Gmbh | PAG-free positive chemically amplified resist composition and methods of using the same |
-
1994
- 1994-12-22 JP JP31978494A patent/JPH08181132A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100901837B1 (ko) * | 2006-08-17 | 2009-06-09 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴의 형성 방법, 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| US12360453B2 (en) | 2019-11-19 | 2025-07-15 | Merck Patent Gmbh | PAG-free positive chemically amplified resist composition and methods of using the same |
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