JPH08181543A - 変調器・周波数変換器用マイクロ波集積回路 - Google Patents
変調器・周波数変換器用マイクロ波集積回路Info
- Publication number
- JPH08181543A JPH08181543A JP32253194A JP32253194A JPH08181543A JP H08181543 A JPH08181543 A JP H08181543A JP 32253194 A JP32253194 A JP 32253194A JP 32253194 A JP32253194 A JP 32253194A JP H08181543 A JPH08181543 A JP H08181543A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- integrated circuit
- microwave integrated
- frequency converter
- modulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Amplitude Modulation (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波特性の変化がなく、入出力インピーダ
ンスの劣化がなく、基板裏面の目視ができ、かつ空胴共
振等の発生しない変調器・周波数変換器用マイクロ波集
積回路を提供する。 【構成】 基板１０１には片面に導体のマイクロストリ
ップライン１０２と，ＲＦ（高周波）入力点１０５ａと
ＬＯ（局部発振）入力点１０６ａとが形成されている。
反対面には必要部分にスロットライン１０４が設けられ
た導体１０３が形成され、２個の半導体チップのダイオ
ード１０８が所定の位置に実装されている。基板１０１
と基板に実装された部品の必要部分は、収納容器１１０
の収納空間に収納されて、気密封止されており、反対の
マイクロストリップライン１０２側は解放可能な蓋１１
１ａと収納容器１１０の組合せによって閉鎖空間となっ
ている。
ンスの劣化がなく、基板裏面の目視ができ、かつ空胴共
振等の発生しない変調器・周波数変換器用マイクロ波集
積回路を提供する。 【構成】 基板１０１には片面に導体のマイクロストリ
ップライン１０２と，ＲＦ（高周波）入力点１０５ａと
ＬＯ（局部発振）入力点１０６ａとが形成されている。
反対面には必要部分にスロットライン１０４が設けられ
た導体１０３が形成され、２個の半導体チップのダイオ
ード１０８が所定の位置に実装されている。基板１０１
と基板に実装された部品の必要部分は、収納容器１１０
の収納空間に収納されて、気密封止されており、反対の
マイクロストリップライン１０２側は解放可能な蓋１１
１ａと収納容器１１０の組合せによって閉鎖空間となっ
ている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、変調器・周波数変換器
用集積回路に関し、特にマイクロ波による無線通信装置
用変調器・周波数変換器用マイクロ波集積回路に関す
る。
用集積回路に関し、特にマイクロ波による無線通信装置
用変調器・周波数変換器用マイクロ波集積回路に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来用いられているこの種の変調器・周
波数変換器用マイクロ波集積回路としては、一般に図３
および図４にて示す構造のものが採用されていた。
波数変換器用マイクロ波集積回路としては、一般に図３
および図４にて示す構造のものが採用されていた。
【０００３】図３は、ダイオードに個別半導体を使用し
た周波数変換器用マイクロ波集積回路の上面図と下面図
である。基板３０１には片面に導体のマイクロストリッ
プライン３０２とＲＦ（高周波）入力点３０５ａとＬＯ
（局部発振）入力点３０６ａとが形成されている。反対
面には必要部分にスロットライン３０４が設けられた導
体３０３と、ＩＦ（中間周波）出力点３０７ａとが形成
され、２個の個別半導体ダイオード３０８が所定の位置
に実装されている。ダイオード３０８の片方のリードが
接続した導体と、ＩＦ出力点３０７とはボンディングワ
イヤ３０９で接続されている。
た周波数変換器用マイクロ波集積回路の上面図と下面図
である。基板３０１には片面に導体のマイクロストリッ
プライン３０２とＲＦ（高周波）入力点３０５ａとＬＯ
（局部発振）入力点３０６ａとが形成されている。反対
面には必要部分にスロットライン３０４が設けられた導
体３０３と、ＩＦ（中間周波）出力点３０７ａとが形成
され、２個の個別半導体ダイオード３０８が所定の位置
に実装されている。ダイオード３０８の片方のリードが
接続した導体と、ＩＦ出力点３０７とはボンディングワ
イヤ３０９で接続されている。
【０００４】ＲＦ入力点３０５ａから入力された高周波
信号は、マイクロストリップスロットライン変換によっ
てスロットラインの面に移り、ＬＯ入力点３０６ａから
入力された局部発振信号により周波数変換され、ＩＦ出
力点３０７ａより出力される。
信号は、マイクロストリップスロットライン変換によっ
てスロットラインの面に移り、ＬＯ入力点３０６ａから
入力された局部発振信号により周波数変換され、ＩＦ出
力点３０７ａより出力される。
【０００５】また、図３において、ＬＯ入力点３０６ａ
をＲＦ出力点とし、ＩＦ出力点３０７ａを変調信号入力
点とすれば変調器となることは明白であり、本回路は変
調器・周波数変換器用マイクロ波集積回路として使用で
きる。
をＲＦ出力点とし、ＩＦ出力点３０７ａを変調信号入力
点とすれば変調器となることは明白であり、本回路は変
調器・周波数変換器用マイクロ波集積回路として使用で
きる。
【０００６】図４は、ダイオードに半導体チップを使用
した周波数変換器用マイクロ波集積回路の斜視図であ
る。基板４０１には片面に導体のマイクロストリップラ
イン４０２と，ＬＯ（局部発振）入力点４０６ａと、図
示されていないがＲＦ（高周波）入力点とが形成されて
いる。図示されていないが反対面には必要部分にスロッ
トラインが設けられた導体と、ＩＦ（中間周波）出力点
とが形成され、２個の半導体チップのダイオードが所定
の位置に実装されている。ダイオードの片方のリードが
接続した導体と、ＩＦ出力点とはボンディングワイヤで
接続されている。基板４０１と基板に実装された部品
は、蓋４１１を有する収納容器４１０に収納され、気密
封止されている。基板に形成された入出力点はそれぞれ
収納容器４１０に設けられたＲＦ入力端子４０５、ＬＯ
入力端子４０６およびＬＦ出力端子４０７に接続されて
いる。
した周波数変換器用マイクロ波集積回路の斜視図であ
る。基板４０１には片面に導体のマイクロストリップラ
イン４０２と，ＬＯ（局部発振）入力点４０６ａと、図
示されていないがＲＦ（高周波）入力点とが形成されて
いる。図示されていないが反対面には必要部分にスロッ
トラインが設けられた導体と、ＩＦ（中間周波）出力点
とが形成され、２個の半導体チップのダイオードが所定
の位置に実装されている。ダイオードの片方のリードが
接続した導体と、ＩＦ出力点とはボンディングワイヤで
接続されている。基板４０１と基板に実装された部品
は、蓋４１１を有する収納容器４１０に収納され、気密
封止されている。基板に形成された入出力点はそれぞれ
収納容器４１０に設けられたＲＦ入力端子４０５、ＬＯ
入力端子４０６およびＬＦ出力端子４０７に接続されて
いる。
【０００７】図５は、特開昭６１−３０７６２で開示さ
れたマイクロ波集積回路の上面図と正面図と下面図と側
面図である。本発明では、基板５０１の半導体チップダ
イオード５０８の実装された面の必要部分が収納容器５
０１に収容されて気密封止されている。基板５０１には
片面に導体のマイクロストリップライン５０２と，ＲＦ
（高周波）入力点５０５ａとＬＯ（局部発振）入力点５
０６ａとが形成されている。一部が図示されていない
が、反対面には必要部分にスロットライン５０４が設け
られた導体５０３が形成され、２個の半導体チップのダ
イオード５０８が所定の位置に実装されている。ダイオ
ードの片方のリードが接続した導体と、反対面のＩＦ出
力点５０７ａとはスルーホールで接続されている。基板
５０１と基板に実装された部品の必要部分は、収納容器
５１０に収納され、気密封止されている。
れたマイクロ波集積回路の上面図と正面図と下面図と側
面図である。本発明では、基板５０１の半導体チップダ
イオード５０８の実装された面の必要部分が収納容器５
０１に収容されて気密封止されている。基板５０１には
片面に導体のマイクロストリップライン５０２と，ＲＦ
（高周波）入力点５０５ａとＬＯ（局部発振）入力点５
０６ａとが形成されている。一部が図示されていない
が、反対面には必要部分にスロットライン５０４が設け
られた導体５０３が形成され、２個の半導体チップのダ
イオード５０８が所定の位置に実装されている。ダイオ
ードの片方のリードが接続した導体と、反対面のＩＦ出
力点５０７ａとはスルーホールで接続されている。基板
５０１と基板に実装された部品の必要部分は、収納容器
５１０に収納され、気密封止されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】これら従来の変調器・
周波数変換器用マイクロ波集積回路において、個別半導
体を用いる場合は、高周波特性が劣化したり、あるいは
容器を持たない構造のため装置全体への組込時に空胴共
振等が発生し特性が変化する等の問題点があった。
周波数変換器用マイクロ波集積回路において、個別半導
体を用いる場合は、高周波特性が劣化したり、あるいは
容器を持たない構造のため装置全体への組込時に空胴共
振等が発生し特性が変化する等の問題点があった。
【０００９】回路全体を気密封止された容器に収納する
場合には入出力の特性インピーダンスの劣化や、容器へ
の組立後の基板裏面の目視ができないといった問題点が
あった。
場合には入出力の特性インピーダンスの劣化や、容器へ
の組立後の基板裏面の目視ができないといった問題点が
あった。
【００１０】また、半導体チップ部品を実装した面の必
要部分を気密封止する方法においても、気密封止されて
いない面は容器を持たないために、装置全体への組込み
時に空胴共振等が発生し、特性が変化する問題点があっ
た。
要部分を気密封止する方法においても、気密封止されて
いない面は容器を持たないために、装置全体への組込み
時に空胴共振等が発生し、特性が変化する問題点があっ
た。
【００１１】本発明の目的は、以上のような問題点を克
服し、高周波特性の変化がなく、入出力インピーダンス
の劣化がなく、基板裏面の目視ができ、かつ空胴共振等
の発生しない変調器・周波数変換器用マイクロ波集積回
路を提供することにある。
服し、高周波特性の変化がなく、入出力インピーダンス
の劣化がなく、基板裏面の目視ができ、かつ空胴共振等
の発生しない変調器・周波数変換器用マイクロ波集積回
路を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の変調器・周波数
変換器用マイクロ波集積回路は、マイクロストリップラ
インとスロットラインが形成された基板と、基板に実装
された複数のダイオードと、基板に設けられた高周波入
力端子と、局部発振入力端子と、中間周波出力端子で構
成される変調器・周波数変換器用マイクロ波集積回路に
おいて、ダイオードが半導体チップであり、基板が収納
容器に収納され、収納容器のスロットライン側収納部は
実装されたダイオードを含む必要部分のみを気密封止可
能とする空間を有し、反対のマイクロストリップライン
側は解放可能な蓋との組合せによって閉鎖空間となって
いる。
変換器用マイクロ波集積回路は、マイクロストリップラ
インとスロットラインが形成された基板と、基板に実装
された複数のダイオードと、基板に設けられた高周波入
力端子と、局部発振入力端子と、中間周波出力端子で構
成される変調器・周波数変換器用マイクロ波集積回路に
おいて、ダイオードが半導体チップであり、基板が収納
容器に収納され、収納容器のスロットライン側収納部は
実装されたダイオードを含む必要部分のみを気密封止可
能とする空間を有し、反対のマイクロストリップライン
側は解放可能な蓋との組合せによって閉鎖空間となって
いる。
【００１３】また、容器のスロットライン側収納部に、
気密封止時に蓋によって密閉可能な開口部を有していて
もよい。
気密封止時に蓋によって密閉可能な開口部を有していて
もよい。
【００１４】
【作用】ＲＦ入力点から入力された高周波信号は、マイ
クロストリップスロットライン変換により気密封止され
た面に移り、ＬＯ入力点から入力された局部発振信号に
より周波数変換され、ＩＦ出力点より中間周波として出
力される。
クロストリップスロットライン変換により気密封止され
た面に移り、ＬＯ入力点から入力された局部発振信号に
より周波数変換され、ＩＦ出力点より中間周波として出
力される。
【００１５】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【００１６】図１は、本発明の第１の実施例の周波数変
換器用マイクロ波集積回路の上面図、正面図、下面図お
よび側面図である。
換器用マイクロ波集積回路の上面図、正面図、下面図お
よび側面図である。
【００１７】基板１０１の半導体チップダイオード１０
８の実装された面の必要部分が収納容器１１０に収納さ
れて気密封止され、反対のマイクロストリップライン１
０２側は解放可能な蓋１１１ａとの組合せによって閉鎖
空間となっている。
８の実装された面の必要部分が収納容器１１０に収納さ
れて気密封止され、反対のマイクロストリップライン１
０２側は解放可能な蓋１１１ａとの組合せによって閉鎖
空間となっている。
【００１８】基板１０１には片面に導体のマイクロスト
リップライン１０２と，ＲＦ（高周波）入力点１０５ａ
とＬＯ（局部発振）入力点１０６ａとが形成されてい
る。一部が図示されていないが、反対面には必要部分に
スロットライン１０４が設けられた導体１０３が形成さ
れ、２個の半導体チップのダイオード１０８が所定の位
置に実装されている。ダイオードの片方のリードが接続
した導体と、反対面のＩＦ出力点１０７ａとはスルーホ
ールで接続されている。基板１０１と基板に実装された
部品の必要部分は、収納容器１１０の収納空間に収納さ
れて、気密封止されており、反対のマイクロストリップ
ライン１０２側は解放可能な蓋１１１ａと収納容器１１
０の組合せによって閉鎖空間となっている。
リップライン１０２と，ＲＦ（高周波）入力点１０５ａ
とＬＯ（局部発振）入力点１０６ａとが形成されてい
る。一部が図示されていないが、反対面には必要部分に
スロットライン１０４が設けられた導体１０３が形成さ
れ、２個の半導体チップのダイオード１０８が所定の位
置に実装されている。ダイオードの片方のリードが接続
した導体と、反対面のＩＦ出力点１０７ａとはスルーホ
ールで接続されている。基板１０１と基板に実装された
部品の必要部分は、収納容器１１０の収納空間に収納さ
れて、気密封止されており、反対のマイクロストリップ
ライン１０２側は解放可能な蓋１１１ａと収納容器１１
０の組合せによって閉鎖空間となっている。
【００１９】ＲＦ入力点１０５ａから入力された高周波
信号は、マイクロストリップスロットライン変換により
気密封止された面に移り、ＬＯ入力点１０６ａから入力
された局部発振信号により周波数変換され、ＩＦ出力点
１０７ａより出力される。
信号は、マイクロストリップスロットライン変換により
気密封止された面に移り、ＬＯ入力点１０６ａから入力
された局部発振信号により周波数変換され、ＩＦ出力点
１０７ａより出力される。
【００２０】また、図１において、ＬＯ入力点１０６ａ
をＲＦ出力点とし、ＩＦ出力点１０７ａを変調信号入力
点とすれば変調器となることは明白であり、本回路は変
調器・周波数変換器用マイクロ波集積回路として使用で
きる。
をＲＦ出力点とし、ＩＦ出力点１０７ａを変調信号入力
点とすれば変調器となることは明白であり、本回路は変
調器・周波数変換器用マイクロ波集積回路として使用で
きる。
【００２１】図２は、本発明の第２の実施例の周波数変
換器用マイクロ波集積回路の上面図、正面図、下面図お
よび側面図である。
換器用マイクロ波集積回路の上面図、正面図、下面図お
よび側面図である。
【００２２】基板２０１の半導体チップダイオード２０
８の実装された面の必要部分が収納容器２１０の蓋
（２）２１１ｂを有する収納空間に収納されて気密封止
され、反対のマイクロストリップライン２０２側は解放
可能な蓋（１）２１１ａとの組合せによって閉鎖空間と
なっている。本実施例では収納容器の構造と、ＩＦ出力
端子を除いては第１の実施例と同じ構造なので説明を省
略する。
８の実装された面の必要部分が収納容器２１０の蓋
（２）２１１ｂを有する収納空間に収納されて気密封止
され、反対のマイクロストリップライン２０２側は解放
可能な蓋（１）２１１ａとの組合せによって閉鎖空間と
なっている。本実施例では収納容器の構造と、ＩＦ出力
端子を除いては第１の実施例と同じ構造なので説明を省
略する。
【００２３】基板２０１の収納容器２１０の、半導体チ
ップダイオード２０８の実装された面の収納空間には、
気密封止時に蓋（２）２１１ｂによって密閉可能な開口
部を有する。反対のマイクロストリップライン２０２側
は解放可能な蓋（１）２１１ａとの組合せによって閉鎖
空間となっている。
ップダイオード２０８の実装された面の収納空間には、
気密封止時に蓋（２）２１１ｂによって密閉可能な開口
部を有する。反対のマイクロストリップライン２０２側
は解放可能な蓋（１）２１１ａとの組合せによって閉鎖
空間となっている。
【００２４】図示されていないが、基板２０１のダイオ
ード２０８側の面に形成されたＩＦ出力点は、収納容器
気密封止側のＩＦ出力点に近接して形成されたＩＦ出力
端子２０７に接続されている。
ード２０８側の面に形成されたＩＦ出力点は、収納容器
気密封止側のＩＦ出力点に近接して形成されたＩＦ出力
端子２０７に接続されている。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体チ
ップが存在するスロットライン基板面は必要部分のみを
収納容器の収納空間に気密封止し、もう一方のマイクロ
ストリップライン基板面は気密封止されない状態で空胴
共振を防ぐ容器内に収納することによって次の効果があ
る。
ップが存在するスロットライン基板面は必要部分のみを
収納容器の収納空間に気密封止し、もう一方のマイクロ
ストリップライン基板面は気密封止されない状態で空胴
共振を防ぐ容器内に収納することによって次の効果があ
る。
【００２６】１．半導体チップ使用による高周波数特性
を有する。
を有する。
【００２７】２．収納容器への基板取付後も半導体チッ
プ取付の反対面よりの目視が可能なので、気密封止後も
マイクロストリップライン面の調整が可能である。
プ取付の反対面よりの目視が可能なので、気密封止後も
マイクロストリップライン面の調整が可能である。
【００２８】３．入出力特性インピーダンスが良好であ
る。
る。
【００２９】４．容器内に格納されているため装置組込
時も空胴共振を生じない。
時も空胴共振を生じない。
【００３０】さらに、請求項２に示すごとく、収納容器
の気密封止側の収納空間に気密封止時に蓋によって密閉
可能な開口部を有することによって、基板を収納容器に
収納後でも、気密封止前に基板の両面の目視による検査
調整や、ＩＦ出力端子と基板のＩＦ出力点との接続が可
能である。
の気密封止側の収納空間に気密封止時に蓋によって密閉
可能な開口部を有することによって、基板を収納容器に
収納後でも、気密封止前に基板の両面の目視による検査
調整や、ＩＦ出力端子と基板のＩＦ出力点との接続が可
能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の周波数変換器用マイク
ロ波集積回路の（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図、
（ｃ）は下面図、（ｄ）は側面図である。
ロ波集積回路の（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図、
（ｃ）は下面図、（ｄ）は側面図である。
【図２】本発明の第２の実施例の周波数変換器用マイク
ロ波集積回路の（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図、
（ｃ）は下面図、（ｄ）は側面図である。
ロ波集積回路の（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図、
（ｃ）は下面図、（ｄ）は側面図である。
【図３】従来例のダイオードに個別半導体を使用した周
波数変換器用マイクロ波集積回路の（ａ）は上面図、
（ｂ）は下面図である。
波数変換器用マイクロ波集積回路の（ａ）は上面図、
（ｂ）は下面図である。
【図４】従来例のダイオードに半導体チップを使用した
周波数変換器用マイクロ波集積回路の斜視図である。
周波数変換器用マイクロ波集積回路の斜視図である。
【図５】特開昭６１−３０７６２で開示されたマイクロ
波集積回路の（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）
は下面図、（ｄ）は側面図である。
波集積回路の（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）
は下面図、（ｄ）は側面図である。
１０１、２０１、３０１、４０１、５０１ 基板 １０２、２０２、３０２、４０２、５０２ マイクロ
ストリップライン １０３、２０３、３０３、４０３、５０３ 導体 １０４、２０４、３０４、５０４ スロットライン ４０５ ＲＦ入力端子 １０５ａ、２０５ａ、３０５ａ、５０５ａ ＲＦ入力
点 ４０６ ＬＯ入力端子 １０６ａ、２０６ａ、３０６ａ、４０６ａ、５０６ａ
ＬＯ入力点 ２０７、４０７ ＩＦ出力端子 １０７ａ、２０７ａ、３０７ａ、５０７ａ ＩＦ出力
点 １０８、２０８、５０８ ダイオード半導体チップ ３０８ 個別半導体ダイオード ３０９、４０９ ボンディングワイヤ １１０、２１０、４１０、５１０ 収納容器 １１１ａ 蓋 ２１１ａ 蓋（１） ４１１ 蓋 ２１１ｂ 蓋（２）
ストリップライン １０３、２０３、３０３、４０３、５０３ 導体 １０４、２０４、３０４、５０４ スロットライン ４０５ ＲＦ入力端子 １０５ａ、２０５ａ、３０５ａ、５０５ａ ＲＦ入力
点 ４０６ ＬＯ入力端子 １０６ａ、２０６ａ、３０６ａ、４０６ａ、５０６ａ
ＬＯ入力点 ２０７、４０７ ＩＦ出力端子 １０７ａ、２０７ａ、３０７ａ、５０７ａ ＩＦ出力
点 １０８、２０８、５０８ ダイオード半導体チップ ３０８ 個別半導体ダイオード ３０９、４０９ ボンディングワイヤ １１０、２１０、４１０、５１０ 収納容器 １１１ａ 蓋 ２１１ａ 蓋（１） ４１１ 蓋 ２１１ｂ 蓋（２）
Claims (2)
- 【請求項１】 マイクロストリップラインとスロットラ
インが形成された基板と、該基板に実装された複数のダ
イオードと、前記基板に設けられた高周波入力端子と、
局部発振入力端子と、中間周波出力端子で構成される変
調器・周波数変換器用マイクロ波集積回路において、 前記ダイオードが半導体チップであり、前記基板が収納
容器に収納され、該収納容器のスロットライン側収納部
は実装された前記ダイオードを含む必要部分のみを気密
封止可能とする空間を有し、反対のマイクロストリップ
ライン側は解放可能な蓋との組合せによって閉鎖空間と
なることを特徴とする変調器・周波数変換器用マイクロ
波集積回路。 - 【請求項２】 請求項１記載の変調器・周波数変換器用
マイクロ波集積回路において、 前記容器のスロットライン側収納部に、気密封止時に蓋
によって密閉可能な開口部を有することを特徴とする変
調器・周波数変換器用マイクロ波集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32253194A JPH08181543A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 変調器・周波数変換器用マイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32253194A JPH08181543A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 変調器・周波数変換器用マイクロ波集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181543A true JPH08181543A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18144712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32253194A Pending JPH08181543A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | 変調器・周波数変換器用マイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08181543A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5955607A (ja) * | 1982-08-20 | 1984-03-30 | アルカテル・エスパ−ス | マイクロ波ミクサ |
| JPH02153606A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波ミキサ |
| JPH03160806A (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｓｈｆコンバータ装置 |
-
1994
- 1994-12-26 JP JP32253194A patent/JPH08181543A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5955607A (ja) * | 1982-08-20 | 1984-03-30 | アルカテル・エスパ−ス | マイクロ波ミクサ |
| JPH02153606A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波ミキサ |
| JPH03160806A (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｓｈｆコンバータ装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4423468A (en) | Dual electronic component assembly | |
| US6191494B1 (en) | Semiconductor device and method of producing the same | |
| JP2605502B2 (ja) | パッケージ | |
| EP2466638A3 (en) | High frequency module | |
| US5376909A (en) | Device packaging | |
| JP3209183B2 (ja) | 高周波信号用集積回路パッケージ及びその製造方法 | |
| US20250201728A1 (en) | Electronic component with lid to manage radiation feedback | |
| US6046501A (en) | RF-driven semiconductor device | |
| JP3231829B2 (ja) | マイクロ波帯ダウンコンバータ | |
| JP3485520B2 (ja) | 化合物半導体ベアチップ実装型ミリ波帯モジュール及びその製造方法 | |
| JP2000134095A (ja) | Ｐｌｌモジュール及び携帯端末機器 | |
| JP4269412B2 (ja) | 圧電発振器 | |
| US5206460A (en) | Oscillator package | |
| KR20020036660A (ko) | 광소자 모듈 | |
| US20040159929A1 (en) | Semiconductor die package having two die paddles | |
| JP2529967B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| US6025759A (en) | Microwave integrated circuit including surface mounting type isolator | |
| KR20020067977A (ko) | 마이크로파 기기의 도파관 | |
| JP3901458B2 (ja) | 電子回路ユニット | |
| JPH0248801A (ja) | 超高周波用パッケージ | |
| JPH06132708A (ja) | マイクロ波ｉｃモジュール | |
| JPH1041602A (ja) | 高周波回路基板の取り付け構造 | |
| JP2609767B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS582060Y2 (ja) | 超高周波トランジスタ装置 | |
| JP2002026227A (ja) | 集積回路パッケージ |