JPH0818462B2 - 光学記録媒体 - Google Patents
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- JPH0818462B2 JPH0818462B2 JP62228994A JP22899487A JPH0818462B2 JP H0818462 B2 JPH0818462 B2 JP H0818462B2 JP 62228994 A JP62228994 A JP 62228994A JP 22899487 A JP22899487 A JP 22899487A JP H0818462 B2 JPH0818462 B2 JP H0818462B2
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザ光、特に半導体レーザによる書き込
み記録に適した光学的記録媒体に関し、詳しくは光デイ
スクおよび光カード技術に用いうる改善された光学的記
録媒体に関するものである。
み記録に適した光学的記録媒体に関し、詳しくは光デイ
スクおよび光カード技術に用いうる改善された光学的記
録媒体に関するものである。
一般に、光デイスクおよび光カードは、基板の上に設
けた薄い記録層に形成された光学的に検出可能な小さな
（例えば、約１μ）ビツトをらせん状または円形のトラ
ツク形態にして高密度情報を記憶することができる。
けた薄い記録層に形成された光学的に検出可能な小さな
（例えば、約１μ）ビツトをらせん状または円形のトラ
ツク形態にして高密度情報を記憶することができる。
この様なデイスクに情報を書込むには、レーザ感応層
（記録層）の表面に集束したレーザを走査し、このレー
ザ光線が照射された表面のみがピツトを形成し、このピ
ツトをらせん状、円形または直線状トラツクの形態で形
成する。レーザ感応層（記録層）は、レーザ・エネルギ
ーを吸収して光学的に検出可能なピツトを形成できる。
例えば、ヒートモード記録方式では、レーザ感応層（記
録層）は熱エネルギーを吸収し、その個所に蒸発または
融解により小さな凹部（ピツト）を形成できる。また、
別のヒートモード記録方式では、照射されたレーザ・エ
ネルギーの吸収により、その個所に光学的に検出可能な
濃度差を有するピツトを形成できる。
（記録層）の表面に集束したレーザを走査し、このレー
ザ光線が照射された表面のみがピツトを形成し、このピ
ツトをらせん状、円形または直線状トラツクの形態で形
成する。レーザ感応層（記録層）は、レーザ・エネルギ
ーを吸収して光学的に検出可能なピツトを形成できる。
例えば、ヒートモード記録方式では、レーザ感応層（記
録層）は熱エネルギーを吸収し、その個所に蒸発または
融解により小さな凹部（ピツト）を形成できる。また、
別のヒートモード記録方式では、照射されたレーザ・エ
ネルギーの吸収により、その個所に光学的に検出可能な
濃度差を有するピツトを形成できる。
この光デイスクおよび光カードに記録された情報は、
レーザ光をトラツクに沿って走査し、ピツトが形成され
た部分とピツトが形成されていない部分の光学的変化を
読み取ることによって検出される。例えば、レーザ光が
トラツクに沿って走査され、デイスクにより反射された
エネルギーがフオトデイテクターによってモニターされ
る。ピツトが形成されている部分は、レーザ光の反射は
低くなりフオトデイテクターの出力は低下する。一方、
ピツトが形成されていない部分は、レーザ光は充分に反
射されフオトデイテクターの出力は大きくなる。
レーザ光をトラツクに沿って走査し、ピツトが形成され
た部分とピツトが形成されていない部分の光学的変化を
読み取ることによって検出される。例えば、レーザ光が
トラツクに沿って走査され、デイスクにより反射された
エネルギーがフオトデイテクターによってモニターされ
る。ピツトが形成されている部分は、レーザ光の反射は
低くなりフオトデイテクターの出力は低下する。一方、
ピツトが形成されていない部分は、レーザ光は充分に反
射されフオトデイテクターの出力は大きくなる。
この様な光デイスクおよび光カードに用いる光学的記
録媒体として、これまでアルミニウム蒸着膜などの金属
薄膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイト
系非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたものが提
案されている。これらの薄膜は、一般に350〜800nm付近
の波長光で感応性であるとともに、レーザ光に対する反
射率が高いため、レーザ光の利用率が低い等の欠点があ
る。
録媒体として、これまでアルミニウム蒸着膜などの金属
薄膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイト
系非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたものが提
案されている。これらの薄膜は、一般に350〜800nm付近
の波長光で感応性であるとともに、レーザ光に対する反
射率が高いため、レーザ光の利用率が低い等の欠点があ
る。
この様なことから、近年比較的長波長（例えば、780n
m以上）の光エネルギーで光学的な物性変化可能な有機
薄膜の研究がなされている。この様な有機薄膜は、例え
ば発振波長が780nmまたは830nm付近の半導体レーザによ
りピツトを形成できる点で有効なものである。
m以上）の光エネルギーで光学的な物性変化可能な有機
薄膜の研究がなされている。この様な有機薄膜は、例え
ば発振波長が780nmまたは830nm付近の半導体レーザによ
りピツトを形成できる点で有効なものである。
しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機化合物
は、熱に対して不安定な点で問題がある。
は、熱に対して不安定な点で問題がある。
例えば、該光学記録媒体の取扱いは、必ずしも空調設
備の整ったオフイースでのみ使用されるわけではなく、
運送、倉庫での保管、ドライブ装置の機内昇温等を考慮
する必要があり、高温における安定性により優れた媒体
が望まれている。特に光学記録媒体が光カードである場
合はカードとしての厚み、および強度の点で中空構造
（エアーサンドイツチ構造）を取ることは困難で、記録
層上に直接接着剤で対向基板を貼り合わせる貼り合わせ
構造となる。その際に用いる接着剤としては記録層の書
込み感度を落とさず作業性に優れるホツトメルト系の接
着剤のものが有効である。しかしホツトメルト系接着剤
では貼り合わせ時に短時間ではあるが100℃位になる
為、記録層はより耐熱性に優れたものが望まれている。
さらに光カードは個人での持運びによる取扱いとなる場
合が多く、粗雑に扱われる可能性が高い為、耐熱性を始
めとする環境安定性に優れたものが望まれている。
備の整ったオフイースでのみ使用されるわけではなく、
運送、倉庫での保管、ドライブ装置の機内昇温等を考慮
する必要があり、高温における安定性により優れた媒体
が望まれている。特に光学記録媒体が光カードである場
合はカードとしての厚み、および強度の点で中空構造
（エアーサンドイツチ構造）を取ることは困難で、記録
層上に直接接着剤で対向基板を貼り合わせる貼り合わせ
構造となる。その際に用いる接着剤としては記録層の書
込み感度を落とさず作業性に優れるホツトメルト系の接
着剤のものが有効である。しかしホツトメルト系接着剤
では貼り合わせ時に短時間ではあるが100℃位になる
為、記録層はより耐熱性に優れたものが望まれている。
さらに光カードは個人での持運びによる取扱いとなる場
合が多く、粗雑に扱われる可能性が高い為、耐熱性を始
めとする環境安定性に優れたものが望まれている。
本発明は、この様な現状に鑑みてなされたものであ
り、その目的はアズレン系色素（米国特許454886号明細
書）の持つ優れた光学特性および記録感度の閾値特性が
明確で高記録感度であること、塗工法による製造が可能
であることといった特性を落すことなく、高温高湿の環
境条件下においてもより安定性の向上した色素薄膜から
なる記録層を有する光学記録媒体を提供することにあ
る。
り、その目的はアズレン系色素（米国特許454886号明細
書）の持つ優れた光学特性および記録感度の閾値特性が
明確で高記録感度であること、塗工法による製造が可能
であることといった特性を落すことなく、高温高湿の環
境条件下においてもより安定性の向上した色素薄膜から
なる記録層を有する光学記録媒体を提供することにあ
る。
〔問題点を解決するための手段〕および〔作用〕 即ち、本発明は下記一般式［Ｉ］で表わされるアズレ
ニウム塩化合物を含有する記録層を有することを特徴と
する光学記録媒体である。
ニウム塩化合物を含有する記録層を有することを特徴と
する光学記録媒体である。
一般式［Ｉ］ 但し一般式［Ｉ］において、R1〜R7,R′1〜Ｒ′7は水
素原子、ハロゲン原子または１価の有機残基を表わし、
R1とR2，R2とR3，R3とR4，R4とR5，R5とR6，R6とR7,R′
1とＲ′2,R′2とＲ′3,R′3とＲ′4,R′4とＲ′5,R′5
とＲ′6，およびＲ′6とＲ′7の組合せのうち少なくと
も１つの組合せで置換または未置換の縮合環を形成して
もよい。
素原子、ハロゲン原子または１価の有機残基を表わし、
R1とR2，R2とR3，R3とR4，R4とR5，R5とR6，R6とR7,R′
1とＲ′2,R′2とＲ′3,R′3とＲ′4,R′4とＲ′5,R′5
とＲ′6，およびＲ′6とＲ′7の組合せのうち少なくと
も１つの組合せで置換または未置換の縮合環を形成して
もよい。
ただし、R1とＲ′1，R2とＲ′2，R3とＲ′3，R4と
Ｒ′4，R5とＲ′5，R6とＲ′6およびR7とＲ′7の組合せ
のうち少なくとも１組は異なる置換基の組合せである。
Ｒ′4，R5とＲ′5，R6とＲ′6およびR7とＲ′7の組合せ
のうち少なくとも１組は異なる置換基の組合せである。
つまり、この色素はスクワリツク酸の両端のアズレン
環の置換基が異なるいわゆる非対称形であることを特徴
とするものである。
環の置換基が異なるいわゆる非対称形であることを特徴
とするものである。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の光学記録媒体は、電磁放射線を吸収して熱作
用を受け、かかる熱作用によって光学変化を生じる前記
一般式［Ｉ］で示されるアズレニウム塩化合物を含有す
る薄膜からなる記録層を有することに特徴がある。
用を受け、かかる熱作用によって光学変化を生じる前記
一般式［Ｉ］で示されるアズレニウム塩化合物を含有す
る薄膜からなる記録層を有することに特徴がある。
一般式［Ｉ］において、R1〜R7およびＲ′1〜Ｒ′7は
水素原子、ハロゲン原子（塩素原子、臭素原子、沃素原
子）または１価の有機残基を表わす。
水素原子、ハロゲン原子（塩素原子、臭素原子、沃素原
子）または１価の有機残基を表わす。
１価の有機残基としては、広範なものから選択するこ
とができるが、特にアルキル基（メチル、エチル、ｎ−
プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ
−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘ
キシル、ｔ−オクチルなど）、アルコキシ基（メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、置換もし
くは未置換のアリール基（フエニル、トリル、キシリ
ル、エチルフエニル、メトキシフエニル、エトキシフエ
ニル、クロロフエニル、ニトロフエニル、ジメチルアミ
ノフエニル、α−ナフチル、β−ナフチルなど）、置換
もしくは未置換の複素環基（ピリジル、キノリル、カル
バゾリル、フリル、チエニル、ピラゾリルなど）置換も
しくは未置換のアラルキル基（ベンジル、２−フエニル
エチル、２−フエニル−１−メチルエチル、ブロモベン
ジル、２−ブロモフエニルエチル、メチルベンジル、メ
トキシベンジル、ニトロベンジル）、アシル基（アセチ
ル、プロピオニル、ブチリル、バレリル、ベンゾイル、
トリオイル、ナフトイル、フタロイル、フロイルな
ど）、置換もしくは未置換アミノ基（アミノ、ジメチル
アミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、アセチル
アミノ、ベンゾイルアミノなど）、置換もしくは未置換
スチリル基（スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエ
チルアミノスチリル、ジプロピルアミノスチリル、メト
キシスチリル、エトキシスチリル、メチルスチリルな
ど）、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、チオ−
エーテル基、カルボキシル基、カルボン酸エステル、カ
ルボン酸アミド、シアノ基または置換もしくは未置換ア
リールアゾ基（フエニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−
ナフチルアゾ、ジメチルアミノフエニルアゾ、クロロフ
エニルアゾ、ニトロフエニルアゾ、メトキシフエニルア
ゾ、トリルアゾなど）を挙げることができる。
とができるが、特にアルキル基（メチル、エチル、ｎ−
プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ
−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘ
キシル、ｔ−オクチルなど）、アルコキシ基（メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、置換もし
くは未置換のアリール基（フエニル、トリル、キシリ
ル、エチルフエニル、メトキシフエニル、エトキシフエ
ニル、クロロフエニル、ニトロフエニル、ジメチルアミ
ノフエニル、α−ナフチル、β−ナフチルなど）、置換
もしくは未置換の複素環基（ピリジル、キノリル、カル
バゾリル、フリル、チエニル、ピラゾリルなど）置換も
しくは未置換のアラルキル基（ベンジル、２−フエニル
エチル、２−フエニル−１−メチルエチル、ブロモベン
ジル、２−ブロモフエニルエチル、メチルベンジル、メ
トキシベンジル、ニトロベンジル）、アシル基（アセチ
ル、プロピオニル、ブチリル、バレリル、ベンゾイル、
トリオイル、ナフトイル、フタロイル、フロイルな
ど）、置換もしくは未置換アミノ基（アミノ、ジメチル
アミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、アセチル
アミノ、ベンゾイルアミノなど）、置換もしくは未置換
スチリル基（スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエ
チルアミノスチリル、ジプロピルアミノスチリル、メト
キシスチリル、エトキシスチリル、メチルスチリルな
ど）、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、チオ−
エーテル基、カルボキシル基、カルボン酸エステル、カ
ルボン酸アミド、シアノ基または置換もしくは未置換ア
リールアゾ基（フエニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−
ナフチルアゾ、ジメチルアミノフエニルアゾ、クロロフ
エニルアゾ、ニトロフエニルアゾ、メトキシフエニルア
ゾ、トリルアゾなど）を挙げることができる。
また、R1とR2，R2とR3，R3とR4，R4とR5，R5とR6，R6
とR7,R′1とＲ′2,R′2とＲ′3,R′3とＲ′4,R′4と
Ｒ′5,R′5とＲ′6およびＲ′6とＲ′7の組合せのう
ち、少なくとも１つの組合せで置換または未置換の縮合
環を形成してもよい。縮合環としては、５員、６員、ま
たは７員環の縮合環であり、芳香族環（ベンゼン、ナフ
タレン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、メチルベン
ゼン、エチルベンゼン、メトキシベンゼン、エトキシベ
ンゼンなど）、複素環（フラン環、ベンゾフラン環、ピ
ロール環、チオフエン環、ピリジン環、キノリン環、チ
アゾール環など）、脂肪族環（ジメチレン、トリメチレ
ン、テトラメチレンなど）が挙げられる。
とR7,R′1とＲ′2,R′2とＲ′3,R′3とＲ′4,R′4と
Ｒ′5,R′5とＲ′6およびＲ′6とＲ′7の組合せのう
ち、少なくとも１つの組合せで置換または未置換の縮合
環を形成してもよい。縮合環としては、５員、６員、ま
たは７員環の縮合環であり、芳香族環（ベンゼン、ナフ
タレン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、メチルベン
ゼン、エチルベンゼン、メトキシベンゼン、エトキシベ
ンゼンなど）、複素環（フラン環、ベンゾフラン環、ピ
ロール環、チオフエン環、ピリジン環、キノリン環、チ
アゾール環など）、脂肪族環（ジメチレン、トリメチレ
ン、テトラメチレンなど）が挙げられる。
以下、本発明で用いられるアズレニウム塩化合物の具
体例を下記に列挙するが、これらに制限されるものでは
ない。
体例を下記に列挙するが、これらに制限されるものでは
ない。
前記一般式［Ｉ］で表わされる化合物の例 前記一般式〔Ｉ〕で表される化合物はAngewandtechem
ie（アンゲバント ケミ）,78巻No.20,P937（1996年）
に記載されている様にアズレン化合物とスクワリツク酸
とを適当な溶媒中で反応させることによって容易に得る
ことができる。例えばブタノール／ベンゼン混合溶媒を
用い、ベンゼンとともに共沸する水を系から除くことに
よって反応させることができる。次にシリカゲルカラム
によって目的物である非対称化合物を分離精製すること
ができる。
ie（アンゲバント ケミ）,78巻No.20,P937（1996年）
に記載されている様にアズレン化合物とスクワリツク酸
とを適当な溶媒中で反応させることによって容易に得る
ことができる。例えばブタノール／ベンゼン混合溶媒を
用い、ベンゼンとともに共沸する水を系から除くことに
よって反応させることができる。次にシリカゲルカラム
によって目的物である非対称化合物を分離精製すること
ができる。
なお、R1とＲ′1，R2とＲ′2，R3とＲ′3，R4と
Ｒ′4，R5とＲ′5，R6とＲ′6およびR7とＲ′7の組合せ
の中で高温・高湿環境下の安定性に優れ、溶解性も向上
する。特に好ましい置換基の異なる組合せ例としては、
水素原子とメチル基、水素原子とエチル基、水素原子と
ｎ−プロピル基、水素原子とイソプロピル基、水素原子
とｎ−ブチル基、水素原子とｔ−ブチル基、等の水素原
子とアルキル基との組合せ、あるいは水素原子とメトキ
シ基、水素原子とエトキシ基等水素原子とアルコキシ基
との組合せがあげられる。
Ｒ′4，R5とＲ′5，R6とＲ′6およびR7とＲ′7の組合せ
の中で高温・高湿環境下の安定性に優れ、溶解性も向上
する。特に好ましい置換基の異なる組合せ例としては、
水素原子とメチル基、水素原子とエチル基、水素原子と
ｎ−プロピル基、水素原子とイソプロピル基、水素原子
とｎ−ブチル基、水素原子とｔ−ブチル基、等の水素原
子とアルキル基との組合せ、あるいは水素原子とメトキ
シ基、水素原子とエトキシ基等水素原子とアルコキシ基
との組合せがあげられる。
また、Rn-Rn+1またはＲｎ′−Ｒｎ′＋１（ｎおよび
ｎ′は１〜７の正の整数）が縮合環を形成している場合
にはRn-Rn+1またはＲｎ′−Ｒｎ′＋１の一方がチオフ
エン、ピロール等の複素環であり、他方が水素原子およ
びメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−
ブチル、ｔ−ブチル等のアルキル基から選ばれる置換基
である組合せが好適である。
ｎ′は１〜７の正の整数）が縮合環を形成している場合
にはRn-Rn+1またはＲｎ′−Ｒｎ′＋１の一方がチオフ
エン、ピロール等の複素環であり、他方が水素原子およ
びメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−
ブチル、ｔ−ブチル等のアルキル基から選ばれる置換基
である組合せが好適である。
本発明の光学記録媒体は、第１図に示す様に、基板１
の上に前記一般式〔Ｉ〕で示されるアズレニウム塩化合
物を含有する記録層２を設けることにより形成すること
ができる。
の上に前記一般式〔Ｉ〕で示されるアズレニウム塩化合
物を含有する記録層２を設けることにより形成すること
ができる。
基板１としては、ポリカーボネート、ポリエステル、
アクリル樹脂、ポリオレフイン樹脂、フエノール樹脂、
エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチ
ツチ、ガラスあるいは金属類などを用いることができ
る。
アクリル樹脂、ポリオレフイン樹脂、フエノール樹脂、
エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチ
ツチ、ガラスあるいは金属類などを用いることができ
る。
記録層２の形成にあたって、前記一般式〔Ｉ〕で示さ
れるアズレニウム塩化合物を１種または２種以上組合わ
せて用いることができ、さらに他の染料、例えば、前記
一般式〔Ｉ〕の化合物以外のポリメチン系、アズレン
系、ピリリウム系、スクアリウム系、クロコニウム系、
トリフエニルメタン系、キサンテン系、アントラキノン
系、シアニン系、フタロシアニン系、ジオキサジン系、
テトラヒドロコリン系、トリフエノチアジン系、フエナ
ンスレン系、アミニウム塩・ジイモニウム塩系、金属キ
レート錯体系染料など、あるいは金属および金属化合物
など、例えばAl,Te,Bi,Sn,In,Se,SnO,TeO2,As,Cdなど、
あるいは紫外線吸収剤などと混合分散あるいは積層して
もよい。
れるアズレニウム塩化合物を１種または２種以上組合わ
せて用いることができ、さらに他の染料、例えば、前記
一般式〔Ｉ〕の化合物以外のポリメチン系、アズレン
系、ピリリウム系、スクアリウム系、クロコニウム系、
トリフエニルメタン系、キサンテン系、アントラキノン
系、シアニン系、フタロシアニン系、ジオキサジン系、
テトラヒドロコリン系、トリフエノチアジン系、フエナ
ンスレン系、アミニウム塩・ジイモニウム塩系、金属キ
レート錯体系染料など、あるいは金属および金属化合物
など、例えばAl,Te,Bi,Sn,In,Se,SnO,TeO2,As,Cdなど、
あるいは紫外線吸収剤などと混合分散あるいは積層して
もよい。
記録層２は塗布法あるいは蒸着法等の種々の方法によ
り基板１上に形成される。塗布法を用いる場合には、ア
ズレニウム塩化合物を有機溶媒中に溶解あるいは分散し
た溶液を基板１上に塗布することによって形成すること
ができる。また必要に応じて成膜性および塗膜安定性を
考慮してバイダーを記録層中に混合して成膜することも
できる。
り基板１上に形成される。塗布法を用いる場合には、ア
ズレニウム塩化合物を有機溶媒中に溶解あるいは分散し
た溶液を基板１上に塗布することによって形成すること
ができる。また必要に応じて成膜性および塗膜安定性を
考慮してバイダーを記録層中に混合して成膜することも
できる。
塗布の際に使用できる有機溶媒は、前述のアズレニウ
ム塩化合物を分散状態とするか、或いは溶解状態とする
かによって異なるが、一般にはアルコール系、ケトン
系、アミド系、エーテル系、エステル系、脂肪族ハロゲ
ン化炭化水素系、芳香族系、脂肪族炭化水素系などの溶
媒を用いることができる。また、バインダーとしては、
例えばニトロセルロース、エチルセルロース、ポリスチ
レン、ポリビニルピロリドン、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリアミドなどが挙げられる。また、必要によりワ
ツクス、高級脂肪酸、アミド類（例えばオレイルアミ
ド）を添加剤として用いる。
ム塩化合物を分散状態とするか、或いは溶解状態とする
かによって異なるが、一般にはアルコール系、ケトン
系、アミド系、エーテル系、エステル系、脂肪族ハロゲ
ン化炭化水素系、芳香族系、脂肪族炭化水素系などの溶
媒を用いることができる。また、バインダーとしては、
例えばニトロセルロース、エチルセルロース、ポリスチ
レン、ポリビニルピロリドン、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリアミドなどが挙げられる。また、必要によりワ
ツクス、高級脂肪酸、アミド類（例えばオレイルアミ
ド）を添加剤として用いる。
以上のバインダーにジオクチルフタレート，ジブチル
フタレート，トリクレジルフオスフエート等の可塑剤、
鉱油，植物油等の油剤、更にアルキルベンゼンスルホン
酸ソーダ，ポリオキシエチレンアルキルフエニルエーテ
ル等の分散剤およびその他の添加剤を適宜混合させ記録
層の成膜性，塗膜安定性を高めることができる。
フタレート，トリクレジルフオスフエート等の可塑剤、
鉱油，植物油等の油剤、更にアルキルベンゼンスルホン
酸ソーダ，ポリオキシエチレンアルキルフエニルエーテ
ル等の分散剤およびその他の添加剤を適宜混合させ記録
層の成膜性，塗膜安定性を高めることができる。
塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテイング
法、スピンナーコーテイング法、ビードコーテイング
法、マイヤーバーコーテイング法、ブレードコーテイン
グ法、ローラーコーテイング法、グラビアコーテイング
法などのコーテイング法を用いて行うことができる。
法、スピンナーコーテイング法、ビードコーテイング
法、マイヤーバーコーテイング法、ブレードコーテイン
グ法、ローラーコーテイング法、グラビアコーテイング
法などのコーテイング法を用いて行うことができる。
記録層２中のアズレニウム塩化合物の含有量は通常40
〜100重量％、好ましくは50〜100重量％が望ましい。40
重量％未満では記録層の十分な光吸収性と再生レーザー
光に対して十分な光反射率を得ることができない。
〜100重量％、好ましくは50〜100重量％が望ましい。40
重量％未満では記録層の十分な光吸収性と再生レーザー
光に対して十分な光反射率を得ることができない。
また、記録層２の膜厚は100Å〜20μｍ、好ましくは2
00Å〜１μｍが適当である。なお、記録レーザー光に対
して十分な光反射性を有する薄膜を安定に形成でき得る
ならば可能な限り薄いほうがよい。
00Å〜１μｍが適当である。なお、記録レーザー光に対
して十分な光反射性を有する薄膜を安定に形成でき得る
ならば可能な限り薄いほうがよい。
さらに、本発明の光学記録媒体は、第２図に示すよう
に、記録層２上に記録および再生レーザー光に対して透
明な保護層３を設けることができる。該保護層３は、基
板１側から光を照射する場合は不透明でも差支えない。
に、記録層２上に記録および再生レーザー光に対して透
明な保護層３を設けることができる。該保護層３は、基
板１側から光を照射する場合は不透明でも差支えない。
また、第３図に示すように、基板１と記録層２の間に
下引層４を設けても良い。
下引層４を設けても良い。
また、第４図に示す様に、保護層３および下引層４を
共に用いることも可能である。
共に用いることも可能である。
下引層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水またはガスな
どのバリヤー、（ｃ）記録層の保存安定性の向上、
（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護およ
び（ｆ）プレグルーブの形成などを目的として設けられ
る。（ａ）の目的に対しては高分子材料、例えばアイオ
ノマー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高
分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料もしくは
シランカツプリング剤などの種々の物質を用いることが
でき、（ｂ）、（ｃ）の目的に対しては上記高分子材料
以外に無機化合物例えばSiO2，MgF2,SiO,TiO2,ZnO,TiN,
SiNなど、金属または半金属例えばZn,Cu,S,Ni,Cr,Ge,S
e,Cd,Ag,Alなどを用いることができる。（ｄ）の目的に
対しては金属例えばAl,Agなど、または金属光沢を有す
る有機薄膜、例えばシアニン染料、メチン染料などを用
いることができる。そして（ｅ），（ｆ）の目的に対し
ては紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂など
を用いることができる。下引層の膜厚は50Å〜100μ
ｍ、好ましくは200Å〜30μｍが適当である。
どのバリヤー、（ｃ）記録層の保存安定性の向上、
（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護およ
び（ｆ）プレグルーブの形成などを目的として設けられ
る。（ａ）の目的に対しては高分子材料、例えばアイオ
ノマー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高
分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料もしくは
シランカツプリング剤などの種々の物質を用いることが
でき、（ｂ）、（ｃ）の目的に対しては上記高分子材料
以外に無機化合物例えばSiO2，MgF2,SiO,TiO2,ZnO,TiN,
SiNなど、金属または半金属例えばZn,Cu,S,Ni,Cr,Ge,S
e,Cd,Ag,Alなどを用いることができる。（ｄ）の目的に
対しては金属例えばAl,Agなど、または金属光沢を有す
る有機薄膜、例えばシアニン染料、メチン染料などを用
いることができる。そして（ｅ），（ｆ）の目的に対し
ては紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂など
を用いることができる。下引層の膜厚は50Å〜100μ
ｍ、好ましくは200Å〜30μｍが適当である。
また、保護層は、キズ、ホコリ、汚れなどからの保護
および記録層の保存安定性の向上および反射率の向上を
目的として設けられ、その材料としては下引層と同じ材
料を使用することができる。保護層の膜厚は100Å以
上、好ましくは1000Å以上が適当である。
および記録層の保存安定性の向上および反射率の向上を
目的として設けられ、その材料としては下引層と同じ材
料を使用することができる。保護層の膜厚は100Å以
上、好ましくは1000Å以上が適当である。
この際、下引層および／または保護層中には本発明の
一般式〔Ｉ〕のアズレニウム塩化合物が含有されていて
もよい。また、下引層または保護層には安定剤、分散
剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤な
どが含有されていてもよい。
一般式〔Ｉ〕のアズレニウム塩化合物が含有されていて
もよい。また、下引層または保護層には安定剤、分散
剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤な
どが含有されていてもよい。
さらに、本発明による光学記録媒体の別の構成として
は、第１図から第４図に示した同一構成の２枚の記録媒
体（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い記録
層２を内側に配置して密封した、いわゆるエアーサンド
イツチ構造にしてもよいし、保護層３を介して接着し
た、いわゆる密着構造（貼り合せ構造）にしてもよい。
は、第１図から第４図に示した同一構成の２枚の記録媒
体（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い記録
層２を内側に配置して密封した、いわゆるエアーサンド
イツチ構造にしてもよいし、保護層３を介して接着し
た、いわゆる密着構造（貼り合せ構造）にしてもよい。
本発明の光学記録媒体は、ヘリウム−ネオンレーザ
（発振波長633nm）などのガスレーザの照射によって記
録することも可能であるが、好ましくは750nm以上の波
長を有するレーザ、特にガリウム−アルミニウム−ヒ素
半導体レーザ（発振波長830nm）などの近赤外あるいは
赤外領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によって
記録する方法が適している。また、読み出しのために
は、前述のレーザ光線を用いることができる。この際、
書込みと読み出しを同一波長のレーザで行うことがで
き、また異なる波長のレーザーで行うこともできる。
（発振波長633nm）などのガスレーザの照射によって記
録することも可能であるが、好ましくは750nm以上の波
長を有するレーザ、特にガリウム−アルミニウム−ヒ素
半導体レーザ（発振波長830nm）などの近赤外あるいは
赤外領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によって
記録する方法が適している。また、読み出しのために
は、前述のレーザ光線を用いることができる。この際、
書込みと読み出しを同一波長のレーザで行うことがで
き、また異なる波長のレーザーで行うこともできる。
以下、本発明を実施例に従って詳細に説明するが、こ
れらに限定されるものではない。
れらに限定されるものではない。
実施例１ 直径130mmφ、厚さ1.2mmのインジエクシヨン成形によ
りプレグルーブを設けたポリカーボネート（以下「PC」
と略記する）基板上に前記アズレニウム塩化合物No.
（１）のアズレニウム塩化合物３重量部をジアセトンア
ルコール97重量部に溶解させた液をスピナーコーテイン
グ法により塗布した後、乾燥して800Åの有機薄膜記録
層を得た。
りプレグルーブを設けたポリカーボネート（以下「PC」
と略記する）基板上に前記アズレニウム塩化合物No.
（１）のアズレニウム塩化合物３重量部をジアセトンア
ルコール97重量部に溶解させた液をスピナーコーテイン
グ法により塗布した後、乾燥して800Åの有機薄膜記録
層を得た。
この様にして作成した光学記録媒体をターンテーブル
上に取り付け、ターンテーブルをモーターで1800rpmに
回転させて、発振波長830nmの半導体レーザを用いて、
基板側より記録層にスポツトサイズ1.5μｍφ、記録パ
ワー6mW、記録周波数3MHzで情報を書き込み、読み出し
パワー0.8mWで再生し、その再生波形をスペクトル解析
（スキヤニングフイルター，バンド幅30KHz）してC/N比
を測定した。
上に取り付け、ターンテーブルをモーターで1800rpmに
回転させて、発振波長830nmの半導体レーザを用いて、
基板側より記録層にスポツトサイズ1.5μｍφ、記録パ
ワー6mW、記録周波数3MHzで情報を書き込み、読み出し
パワー0.8mWで再生し、その再生波形をスペクトル解析
（スキヤニングフイルター，バンド幅30KHz）してC/N比
を測定した。
次に、同じ記録媒体を、前記測定条件で記録した部分
を、繰り返し105回読み出し後のC/N比を測定した。
を、繰り返し105回読み出し後のC/N比を測定した。
更に、前記条件で作製した同一の記録媒体を60℃、90
％RHの条件下に2000時間放置して、環境保存安定性試験
を行った後の透過率（830nm測定）およびC/N比を測定し
た。その結果を表１に示す。
％RHの条件下に2000時間放置して、環境保存安定性試験
を行った後の透過率（830nm測定）およびC/N比を測定し
た。その結果を表１に示す。
実施例２〜９ 実施例１で用いたアズレニウム塩化合物No.（１）の
化合物をNo.（２），（４），（８），（12），（1
6），（21），（26），（28）にかえて、実施例１と同
様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例２〜９の
光学記録媒体を作製した。
化合物をNo.（２），（４），（８），（12），（1
6），（21），（26），（28）にかえて、実施例１と同
様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例２〜９の
光学記録媒体を作製した。
上記実施例２〜９の光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表２に示す。
方法で測定した。その結果を表２に示す。
比較例１〜３ 前記非対称アズレニウム塩化合物の比較として、下記
対称アズレニウム塩化合物No.（31），（32），（33）
を実施例１と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ
比較例１〜３光学記録媒体を作製した。
対称アズレニウム塩化合物No.（31），（32），（33）
を実施例１と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ
比較例１〜３光学記録媒体を作製した。
上記比較例１〜３の光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表２に示す。
方法で測定した。その結果を表２に示す。
化合物No. 実施例10および11 下記化合物No.（34）および（35）と前記アズレニウ
ム塩化合物No.（15）とをそれぞれ1:2の重量比でジアセ
トンアルコールに混合し、実施例１と同様の方法で塗布
し、乾燥膜厚850Åの有機薄膜記録層を設け、それぞれ
実施例10,11の光学記録媒体を作製した。
ム塩化合物No.（15）とをそれぞれ1:2の重量比でジアセ
トンアルコールに混合し、実施例１と同様の方法で塗布
し、乾燥膜厚850Åの有機薄膜記録層を設け、それぞれ
実施例10,11の光学記録媒体を作製した。
この様にして作成した実施例10,11の光学記録媒体を
実施例１と同様の方法で測定した。その結果を表３に示
す。
実施例１と同様の方法で測定した。その結果を表３に示
す。
比較例４ 実施例10で用いた化合物No.（15）を除いた以外は、
実施例10と同様の方法で光学的記録媒体を作製し、同様
に測定した。その結果を表３に併示する。
実施例10と同様の方法で光学的記録媒体を作製し、同様
に測定した。その結果を表３に併示する。
実施例12 前記化合物No.（３）の化合物２重量部とニトロセル
ロース樹脂（オーハレスラツカー、ダイセル化学（株）
製）１重量部をジアセトンアルコール97重量部に混合さ
せた液をスピナー塗布法により、インジエクシヨン成形
によりプレグルーブを設けた直径130mmφ、厚さ1.2mmの
PC基板上に塗布し、乾燥膜厚1000Åの有機薄膜記録層を
得た。
ロース樹脂（オーハレスラツカー、ダイセル化学（株）
製）１重量部をジアセトンアルコール97重量部に混合さ
せた液をスピナー塗布法により、インジエクシヨン成形
によりプレグルーブを設けた直径130mmφ、厚さ1.2mmの
PC基板上に塗布し、乾燥膜厚1000Åの有機薄膜記録層を
得た。
この様にして作成した光学記録媒体を実施例１と同様
の方法で測定した。その結果を表４に示す。
の方法で測定した。その結果を表４に示す。
実施例13〜15 実施例12で用いた化合物No.（３）を前記化合物No.
（10），（18），（22）にかえて、実施例12と同様の方
法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例13〜15の光学記
録媒体を作製した。
（10），（18），（22）にかえて、実施例12と同様の方
法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例13〜15の光学記
録媒体を作製した。
上記実施例13〜15の光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表４に示す。
方法で測定した。その結果を表４に示す。
実施例16 ウオーレツトサイズの厚さ0.4mmPC基板上に、熱プレ
ス法によりプレグルーブを設け、その上に前記アズレニ
ウム塩化合物No.（１）の化合物３重量部をジアセトン
アルコール97重量部に混合させた液をバーコート法によ
り塗布した後、乾燥して1000Åの有機薄膜記録層を得
た。さらに、その上にエチレン−酢ビドライフイルムを
介してウオーレツトサイズの厚さ0.3mmのPC基板と、熱
ロール法により密着し、密着構造の光学記録媒体を作製
した。
ス法によりプレグルーブを設け、その上に前記アズレニ
ウム塩化合物No.（１）の化合物３重量部をジアセトン
アルコール97重量部に混合させた液をバーコート法によ
り塗布した後、乾燥して1000Åの有機薄膜記録層を得
た。さらに、その上にエチレン−酢ビドライフイルムを
介してウオーレツトサイズの厚さ0.3mmのPC基板と、熱
ロール法により密着し、密着構造の光学記録媒体を作製
した。
この様にして作製した光学記録媒体をＸ−Ｙ方向に駆
動するステージ上に取り付け、発振波長830nmの半導体
レーザを用いて、厚さ0.4mmのPC基板側より、有機薄膜
記録層にスポツトサイズ3.0μｍφ、記録パワー4.0mWで
記録パルス80μsecでＹ軸方向に情報を書き込み、読み
出しパワー0.4mWで再生し、そのコントラスト比 を測定した。
動するステージ上に取り付け、発振波長830nmの半導体
レーザを用いて、厚さ0.4mmのPC基板側より、有機薄膜
記録層にスポツトサイズ3.0μｍφ、記録パワー4.0mWで
記録パルス80μsecでＹ軸方向に情報を書き込み、読み
出しパワー0.4mWで再生し、そのコントラスト比 を測定した。
さらに、前記条件で作製した同一記録媒体を実施例１
と同様の条件の環境保全安定性試験を行い、その後の透
過率およびコントラスト比を測定した。その結果を表５
に示す。
と同様の条件の環境保全安定性試験を行い、その後の透
過率およびコントラスト比を測定した。その結果を表５
に示す。
〔発明の効果〕 以上説明した様に、本発明の光学記録媒体によりアズ
レン系化合物の持つ優れた諸特性を落とすことなく、高
温高湿の環境条件下における安定性を向上させることが
可能となった。さらに汎用溶剤に対する溶解性に優れ、
ポリカーボネートなど有機溶剤に浸され易い基板に直接
塗布可能な生産性に優れた光学記録媒体を提供すること
が可能となった。
レン系化合物の持つ優れた諸特性を落とすことなく、高
温高湿の環境条件下における安定性を向上させることが
可能となった。さらに汎用溶剤に対する溶解性に優れ、
ポリカーボネートなど有機溶剤に浸され易い基板に直接
塗布可能な生産性に優れた光学記録媒体を提供すること
が可能となった。
第１図乃至第４図は各々本発明の光学記録媒体の実施態
様を示す断面図である。 １……基板 ２……記録層 ３……保護層 ４……下引層
様を示す断面図である。 １……基板 ２……記録層 ３……保護層 ４……下引層
Claims (1)
- 【請求項１】下記一般式［Ｉ］で表わされるアズレニウ
ム塩化合物を含有する記録層を有することを特徴とする
光学記録媒体。 但し一般式［Ｉ］において、R1〜R7,R′1〜Ｒ′7は水素
原子、ハロゲン原子または１価の有機残基である置換基
を表わし、R1とR2，R2とR3，R3とR4，R4とR5，R5とR6，
R6とR7,R′1とＲ′2,R′2とＲ′3,R′3とＲ′4,R′4と
Ｒ′5,R′5とＲ′6およびＲ′6とＲ′7の組合せのうち
１つの組合せで置換または未置換の縮合環を形成しても
よい。 ただし、R1とＲ′1，R2とＲ′2，R3とＲ′3，R4と
Ｒ′4，R5とＲ′5，R6とＲ′6およびR7とＲ′7の組合せ
のうち少なくとも１組は異なる置換基の組合せである。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62228994A JPH0818462B2 (ja) | 1987-09-12 | 1987-09-12 | 光学記録媒体 |
| US07/241,845 US4965178A (en) | 1987-09-12 | 1988-09-08 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62228994A JPH0818462B2 (ja) | 1987-09-12 | 1987-09-12 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6471792A JPS6471792A (en) | 1989-03-16 |
| JPH0818462B2 true JPH0818462B2 (ja) | 1996-02-28 |
Family
ID=16885098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62228994A Expired - Fee Related JPH0818462B2 (ja) | 1987-09-12 | 1987-09-12 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0818462B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022066A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-08 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体及び記録方法 |
| JP5993054B1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-09-14 | 奥本 健二 | 広い吸収帯を示す薄膜とそれを含むデバイスとそれらの製法 |
-
1987
- 1987-09-12 JP JP62228994A patent/JPH0818462B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6471792A (en) | 1989-03-16 |
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