JPH08186376A - 高密度薄膜多層配線基板並びにその実装構造体及びその製造方法 - Google Patents
高密度薄膜多層配線基板並びにその実装構造体及びその製造方法Info
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- JPH08186376A JPH08186376A JP6326606A JP32660694A JPH08186376A JP H08186376 A JPH08186376 A JP H08186376A JP 6326606 A JP6326606 A JP 6326606A JP 32660694 A JP32660694 A JP 32660694A JP H08186376 A JPH08186376 A JP H08186376A
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- thickness
- polymer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、計算機などに使用されるマル
チチップモジュールなどの高密度薄膜多層配線基板を高
信頼性でもって安価に製造できるようにした高密度薄膜
多層配線基板の製造方法及び高密度薄膜多層配線基板を
提供することにある。 【構成】本発明は、表面側に厚さが１０〜３０μｍで、
Ｃｕ若しくはＡｕ若しくはＡｌを主成分とする配線パタ
ーン４を形成し、裏面側に厚さが１０〜３０μｍで、比
誘電率が２．２〜４．０で、硬化後前記配線パターンと
の線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃以下の接着層５を形成
した厚さが１０〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜４．
０で、硬化後前記配線パターンとの線膨張率との差を８
ｐｐｍ／℃以下の有機樹脂フィルム（ポリマフィルム）
２を有する有機樹脂フィルム構成体１５を、積層して熱
圧着によって層間接着と接着層の硬化を行って、高密度
薄膜多層配線基板２０を製造することを特徴とする。
チチップモジュールなどの高密度薄膜多層配線基板を高
信頼性でもって安価に製造できるようにした高密度薄膜
多層配線基板の製造方法及び高密度薄膜多層配線基板を
提供することにある。 【構成】本発明は、表面側に厚さが１０〜３０μｍで、
Ｃｕ若しくはＡｕ若しくはＡｌを主成分とする配線パタ
ーン４を形成し、裏面側に厚さが１０〜３０μｍで、比
誘電率が２．２〜４．０で、硬化後前記配線パターンと
の線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃以下の接着層５を形成
した厚さが１０〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜４．
０で、硬化後前記配線パターンとの線膨張率との差を８
ｐｐｍ／℃以下の有機樹脂フィルム（ポリマフィルム）
２を有する有機樹脂フィルム構成体１５を、積層して熱
圧着によって層間接着と接着層の硬化を行って、高密度
薄膜多層配線基板２０を製造することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、計算機などに使用され
るマルチチップモジュールなどの高密度薄膜多層配線基
板並びにその実装構造体及びその製造方法に関するもの
である。
るマルチチップモジュールなどの高密度薄膜多層配線基
板並びにその実装構造体及びその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来技術】従来技術として、Ｆｅ−Ｎｉ系合金で形成
された基体の少なくとも片面に、熱膨張係数４×１０~5
／℃以下のポリイミドフィルムからなる絶縁層と厚さ２
μｍのＡｌの配線導体層とを交互に積み重ね、かつ配線
導体間をスルーホール内に充填された導体で接続し、前
記絶縁層を前記基体若しくは配線導体と熱膨張係数４×
１０~5／℃以下のポリイミド樹脂接着層で接着した多層
配線板について、特開昭６１−２１２０９６号公報にお
いて知られている。この従来技術としての多層配線板に
ついて、特開平５−８２９７２号公報において記載され
ている。
された基体の少なくとも片面に、熱膨張係数４×１０~5
／℃以下のポリイミドフィルムからなる絶縁層と厚さ２
μｍのＡｌの配線導体層とを交互に積み重ね、かつ配線
導体間をスルーホール内に充填された導体で接続し、前
記絶縁層を前記基体若しくは配線導体と熱膨張係数４×
１０~5／℃以下のポリイミド樹脂接着層で接着した多層
配線板について、特開昭６１−２１２０９６号公報にお
いて知られている。この従来技術としての多層配線板に
ついて、特開平５−８２９７２号公報において記載され
ている。
【０００３】また従来技術として、ポリエステル積層フ
ィルムについては、特開昭５７−９５４５４号公報及び
特開昭５７−１４４７５２号公報において知られてい
る。
ィルムについては、特開昭５７−９５４５４号公報及び
特開昭５７−１４４７５２号公報において知られてい
る。
【０００４】また従来技術としては、１層以上の配線層
を有し、配線間の絶縁材料として熱膨張率が３×１０~5
／Ｋ以下のポリイミドを用いたＬＳＩチップを搭載する
モジュール用配線基板について、特開昭６１−１７６１
９６号公報で知られている。
を有し、配線間の絶縁材料として熱膨張率が３×１０~5
／Ｋ以下のポリイミドを用いたＬＳＩチップを搭載する
モジュール用配線基板について、特開昭６１−１７６１
９６号公報で知られている。
【０００５】また従来技術として、特開昭６２−５１２
９４号公報及び特開平５−２５１６２６号公報が知られ
ている。
９４号公報及び特開平５−２５１６２６号公報が知られ
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年計算機の高性能化
に伴いＬＳＩを実装する基板の高性能化が求められ、従
来のプリント基板に代わって薄膜多層配線を用いたマル
チチップモジュール基板が用いられる様になった。上記
従来技術においては、計算機などに使用できるように伝
送速度を低下させることなく、また信頼性を確保して安
価に製造できるようにしたマルチチップモジュールなど
の高密度薄膜多層配線基板及びその製造方法については
考慮されていなかった。
に伴いＬＳＩを実装する基板の高性能化が求められ、従
来のプリント基板に代わって薄膜多層配線を用いたマル
チチップモジュール基板が用いられる様になった。上記
従来技術においては、計算機などに使用できるように伝
送速度を低下させることなく、また信頼性を確保して安
価に製造できるようにしたマルチチップモジュールなど
の高密度薄膜多層配線基板及びその製造方法については
考慮されていなかった。
【０００７】本発明の目的は、上記課題を解決すべく、
計算機などに使用できるように伝送速度を低下させるこ
となく、しかも配線密度を高め、信頼性を確保したマル
チチップモジュールなどの高密度薄膜多層配線基板を安
価に製造できるようにした高密度薄膜多層配線基板の製
造方法を提供することにある。
計算機などに使用できるように伝送速度を低下させるこ
となく、しかも配線密度を高め、信頼性を確保したマル
チチップモジュールなどの高密度薄膜多層配線基板を安
価に製造できるようにした高密度薄膜多層配線基板の製
造方法を提供することにある。
【０００８】また本発明の他の目的は、計算機などに使
用できるように伝送速度を低下させることなく、しかも
配線密度を高め、信頼性を確保して簡素化された構成に
したマルチチップモジュールなどの高密度薄膜多層配線
基板を提供することにある。
用できるように伝送速度を低下させることなく、しかも
配線密度を高め、信頼性を確保して簡素化された構成に
したマルチチップモジュールなどの高密度薄膜多層配線
基板を提供することにある。
【０００９】また本発明の他の目的は、マルチチップモ
ジュールなどの高密度薄膜多層配線基板の表面側にはＬ
ＳＩを搭載し、裏面側は直接プリント基板に実装できる
ようにした高密度薄膜多層配線基板の実装構造体を提供
することにある。
ジュールなどの高密度薄膜多層配線基板の表面側にはＬ
ＳＩを搭載し、裏面側は直接プリント基板に実装できる
ようにした高密度薄膜多層配線基板の実装構造体を提供
することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、表面側に厚さが５μｍ〜３０μｍの配線
パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３０μｍ
で、比誘電率が２．２〜４．０の接着層を形成した厚さ
が１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０の
有機樹脂フィルムを有する有機樹脂フィルム構成体を、
積層して熱圧着によって層間接着と接着層の硬化を行っ
て高密度薄膜多層配線基板を製造することを特徴とする
高密度薄膜多層配線基板の製造方法である。
成するために、表面側に厚さが５μｍ〜３０μｍの配線
パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３０μｍ
で、比誘電率が２．２〜４．０の接着層を形成した厚さ
が１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０の
有機樹脂フィルムを有する有機樹脂フィルム構成体を、
積層して熱圧着によって層間接着と接着層の硬化を行っ
て高密度薄膜多層配線基板を製造することを特徴とする
高密度薄膜多層配線基板の製造方法である。
【００１１】また本発明は、表面側に厚さが５μｍ〜３
０μｍで、Ｃｕ若しくはＡｕ若しくはＡｌを主成分とす
る配線パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３
０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０で、硬化後前記配
線パターンとの線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃以下の接
着層を形成した厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率
が２．２〜４．０で、硬化後前記配線パターンとの線膨
張率との差を８ｐｐｍ／℃以下の有機樹脂フィルムを有
する有機樹脂フィルム構成体を、積層して熱圧着によっ
て層間接着と接着層の硬化を行って高密度薄膜多層配線
基板を製造することを特徴とする高密度薄膜多層配線基
板の製造方法である。
０μｍで、Ｃｕ若しくはＡｕ若しくはＡｌを主成分とす
る配線パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３
０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０で、硬化後前記配
線パターンとの線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃以下の接
着層を形成した厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率
が２．２〜４．０で、硬化後前記配線パターンとの線膨
張率との差を８ｐｐｍ／℃以下の有機樹脂フィルムを有
する有機樹脂フィルム構成体を、積層して熱圧着によっ
て層間接着と接着層の硬化を行って高密度薄膜多層配線
基板を製造することを特徴とする高密度薄膜多層配線基
板の製造方法である。
【００１２】また本発明は、前記高密度薄膜多層配線基
板の製造方法において、前記有機樹脂フィルム構成体
を、積層して熱圧着によって層間接着と接着層の硬化を
行った後、上層配線パターンと下層配線パターンとの間
においてスルホール配線接続を行うことを特徴とする。
板の製造方法において、前記有機樹脂フィルム構成体
を、積層して熱圧着によって層間接着と接着層の硬化を
行った後、上層配線パターンと下層配線パターンとの間
においてスルホール配線接続を行うことを特徴とする。
【００１３】また本発明は、表面側に厚さが５μｍ〜３
０μｍで、Ｃｕ若しくはＡｕ若しくはＡｌを主成分とす
る配線パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３
０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０で、エポキシ重合
物若しくはベンゾシクロブテン重合物若しくはベンゾト
リアジン重合物若しくはマレイミド系の重合物のモノマ
ー又はオリゴマー並びに前記重合物のモノマー又はオリ
ゴマーとポリイミド若しくはポリエーテルイミド若しく
はポリエステルイミド若しくはポリアミドイミド若しく
はポリエーテルエーテルケトン若しくはポリスルホン若
しくはポリカーボネート若しくは液晶ポリマ若しくはポ
リフルオロカーボンとの混合物からなる接着層を形成し
た厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜
４．０のポリマフィルムを有するポリマフィルム構成体
を、積層して熱圧着によって層間接着と接着層の硬化を
行って高密度薄膜多層配線基板を製造することを特徴と
する高密度薄膜多層配線基板の製造方法である。
０μｍで、Ｃｕ若しくはＡｕ若しくはＡｌを主成分とす
る配線パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３
０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０で、エポキシ重合
物若しくはベンゾシクロブテン重合物若しくはベンゾト
リアジン重合物若しくはマレイミド系の重合物のモノマ
ー又はオリゴマー並びに前記重合物のモノマー又はオリ
ゴマーとポリイミド若しくはポリエーテルイミド若しく
はポリエステルイミド若しくはポリアミドイミド若しく
はポリエーテルエーテルケトン若しくはポリスルホン若
しくはポリカーボネート若しくは液晶ポリマ若しくはポ
リフルオロカーボンとの混合物からなる接着層を形成し
た厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜
４．０のポリマフィルムを有するポリマフィルム構成体
を、積層して熱圧着によって層間接着と接着層の硬化を
行って高密度薄膜多層配線基板を製造することを特徴と
する高密度薄膜多層配線基板の製造方法である。
【００１４】また本発明は、前記高密度薄膜多層基板の
製造方法において、ポリマフィルムとして、熱膨張率以
外の特性として引っ張り試験による破壊伸びが５％以
上、望ましくは１０％以上であり、ＬＳＩなどの素子を
接続する際のはんだ工程などに対する耐熱性（重量減少
開始温度）が１５０℃以上、望ましくは２００℃以上で
あることを特徴とする。
製造方法において、ポリマフィルムとして、熱膨張率以
外の特性として引っ張り試験による破壊伸びが５％以
上、望ましくは１０％以上であり、ＬＳＩなどの素子を
接続する際のはんだ工程などに対する耐熱性（重量減少
開始温度）が１５０℃以上、望ましくは２００℃以上で
あることを特徴とする。
【００１５】そして、ポリマフィルムの材料としては、
具体的にはポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエス
テルイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテル
ケトン、ポリスルホン、ポリカーボネート、液晶ポリ
マ、ポリフルオロカーボン、エポキシ重合物、ベンゾシ
クロブテン重合物、ベンゾトリアジン重合物、マレイミ
ド系重合物またはこれらの混合物である。その中では、
延びに対する靭性、高耐熱性、および熱膨張率をモノマ
ーの分子構造および配合比で制御可能なことなどからポ
リイミドが最も適している。
具体的にはポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエス
テルイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテル
ケトン、ポリスルホン、ポリカーボネート、液晶ポリ
マ、ポリフルオロカーボン、エポキシ重合物、ベンゾシ
クロブテン重合物、ベンゾトリアジン重合物、マレイミ
ド系重合物またはこれらの混合物である。その中では、
延びに対する靭性、高耐熱性、および熱膨張率をモノマ
ーの分子構造および配合比で制御可能なことなどからポ
リイミドが最も適している。
【００１６】配線パターンとしては、一般的に銅が用い
られるが、これ以外にも金、アルミニュウムなどを用い
ることができる。また接着性の向上や耐食性に対する要
求から各種の金属、酸化物、有機物等を添加物、あるい
は保護層として使用することができる。
られるが、これ以外にも金、アルミニュウムなどを用い
ることができる。また接着性の向上や耐食性に対する要
求から各種の金属、酸化物、有機物等を添加物、あるい
は保護層として使用することができる。
【００１７】接着層としては、熱膨張率の制限以外に、
硬化後のフィルムの耐熱性（重量減少開始温度）が１５
０℃以上、望ましくは２００℃以上であり、比誘電率
２．２〜４．０、破壊伸びが５％以上望ましくは１０％
以上となる熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂が適当であ
る。また、未硬化時（Ｂステージ）において溶融または
流動化する温度、および硬化温度が基材フィルムの耐熱
温度以下であることが望ましい。具体的にはエポキシ重
合物、ベンゾシクロブテン重合物、ベンゾトリアジン重
合物、マレイミド系重合物のモノマーまたはオリゴマ
ー、およびそれらとポリイミド、ポリエーテルイミド、
ポリエステルイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテル
エーテルケトン、ポリスルホン、ポリカーボネート、液
晶ポリマ、ポリフルオロカーボンとの混合物である。ま
た、熱膨張率の調整、および機械的強度を確保する目的
で、ポリイミド、ポリアミド、各種のセラミック、酸化
物等の短繊維や粒子をフィラーとして混合することも有
効である。
硬化後のフィルムの耐熱性（重量減少開始温度）が１５
０℃以上、望ましくは２００℃以上であり、比誘電率
２．２〜４．０、破壊伸びが５％以上望ましくは１０％
以上となる熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂が適当であ
る。また、未硬化時（Ｂステージ）において溶融または
流動化する温度、および硬化温度が基材フィルムの耐熱
温度以下であることが望ましい。具体的にはエポキシ重
合物、ベンゾシクロブテン重合物、ベンゾトリアジン重
合物、マレイミド系重合物のモノマーまたはオリゴマ
ー、およびそれらとポリイミド、ポリエーテルイミド、
ポリエステルイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテル
エーテルケトン、ポリスルホン、ポリカーボネート、液
晶ポリマ、ポリフルオロカーボンとの混合物である。ま
た、熱膨張率の調整、および機械的強度を確保する目的
で、ポリイミド、ポリアミド、各種のセラミック、酸化
物等の短繊維や粒子をフィラーとして混合することも有
効である。
【００１８】また本発明は、表面側に厚さが５μｍ〜３
０μｍで、Ｃｕ若しくはＡｕ若しくはＡｌを主成分とす
る配線パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３
０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０で、エポキシ重合
物若しくはベンゾシクロブテン重合物若しくはベンゾト
リアジン重合物若しくはマレイミド系の重合物のモノマ
ー又はオリゴマー並びに前記重合物のモノマー又はオリ
ゴマーとポリイミド若しくはポリエーテルイミド若しく
はポリエステルイミド若しくはポリアミドイミド若しく
はポリエーテルエーテルケトン若しくはポリスルホン若
しくはポリカーボネート若しくは液晶ポリマ若しくはポ
リフルオロカーボンとの混合物からなる接着層を形成し
た厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜
４．０で、ポリイミド若しくはポリエーテルイミド若し
くはポリエーテルイミド若しくはポリエステルイミド若
しくはポリアミドイミド若しくはポリエーテルエーテル
ケトン若しくはポリスルホン若しくはポリカーボネート
若しくは液晶ポリマ若しくはポリフルオロカーボン若し
くはエポキシ重合物若しくはベンゾシクロブテン重合物
若しくはベンゾトリアジン重合物若しくはマレイミド系
の重合物若しくはこれらの混合物からなるポリマフィル
ムを有するポリマフィルム構成体を、積層して熱圧着に
よって層間接着と接着層の硬化を行って高密度薄膜多層
配線基板を製造することを特徴とする高密度薄膜多層配
線基板の製造方法である。
０μｍで、Ｃｕ若しくはＡｕ若しくはＡｌを主成分とす
る配線パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３
０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０で、エポキシ重合
物若しくはベンゾシクロブテン重合物若しくはベンゾト
リアジン重合物若しくはマレイミド系の重合物のモノマ
ー又はオリゴマー並びに前記重合物のモノマー又はオリ
ゴマーとポリイミド若しくはポリエーテルイミド若しく
はポリエステルイミド若しくはポリアミドイミド若しく
はポリエーテルエーテルケトン若しくはポリスルホン若
しくはポリカーボネート若しくは液晶ポリマ若しくはポ
リフルオロカーボンとの混合物からなる接着層を形成し
た厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜
４．０で、ポリイミド若しくはポリエーテルイミド若し
くはポリエーテルイミド若しくはポリエステルイミド若
しくはポリアミドイミド若しくはポリエーテルエーテル
ケトン若しくはポリスルホン若しくはポリカーボネート
若しくは液晶ポリマ若しくはポリフルオロカーボン若し
くはエポキシ重合物若しくはベンゾシクロブテン重合物
若しくはベンゾトリアジン重合物若しくはマレイミド系
の重合物若しくはこれらの混合物からなるポリマフィル
ムを有するポリマフィルム構成体を、積層して熱圧着に
よって層間接着と接着層の硬化を行って高密度薄膜多層
配線基板を製造することを特徴とする高密度薄膜多層配
線基板の製造方法である。
【００１９】また本発明は、表面側に厚さが５μｍ〜３
０μｍで、Ｃｕ若しくはＡｕ若しくはＡｌを主成分とす
る配線パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３
０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０で、硬化後前記配
線パターンとの線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃以下にし
て、エポキシ重合物若しくはベンゾシクロブテン重合物
若しくはベンゾトリアジン重合物若しくはマレイミド系
の重合物のモノマー又はオリゴマー並びに前記重合物の
モノマー又はオリゴマーとポリイミド若しくはポリエー
テルイミド若しくはポリエステルイミド若しくはポリア
ミドイミド若しくはポリエーテルエーテルケトン若しく
はポリスルホン若しくはポリカーボネート若しくは液晶
ポリマ若しくはポリフルオロカーボンとの混合物からな
る接着層を形成した厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘
電率が２．２〜４．０で、硬化後前記配線パターンとの
線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃以下にして、ポリイミド
若しくはポリエーテルイミド若しくはポリエーテルイミ
ド若しくはポリエステルイミド若しくはポリアミドイミ
ド若しくはポリエーテルエーテルケトン若しくはポリス
ルホン若しくはポリカーボネート若しくは液晶ポリマ若
しくはポリフルオロカーボン若しくはエポキシ重合物若
しくはベンゾシクロブテン重合物若しくはベンゾトリア
ジン重合物若しくはマレイミド系の重合物若しくはこれ
らの混合物からなるポリマフィルムを有するポリマフィ
ルム構成体を、積層して熱圧着によって層間接着と接着
層の硬化を行って高密度薄膜多層配線基板を製造するこ
とを特徴とする高密度薄膜多層配線基板の製造方法であ
る。
０μｍで、Ｃｕ若しくはＡｕ若しくはＡｌを主成分とす
る配線パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３
０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０で、硬化後前記配
線パターンとの線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃以下にし
て、エポキシ重合物若しくはベンゾシクロブテン重合物
若しくはベンゾトリアジン重合物若しくはマレイミド系
の重合物のモノマー又はオリゴマー並びに前記重合物の
モノマー又はオリゴマーとポリイミド若しくはポリエー
テルイミド若しくはポリエステルイミド若しくはポリア
ミドイミド若しくはポリエーテルエーテルケトン若しく
はポリスルホン若しくはポリカーボネート若しくは液晶
ポリマ若しくはポリフルオロカーボンとの混合物からな
る接着層を形成した厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘
電率が２．２〜４．０で、硬化後前記配線パターンとの
線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃以下にして、ポリイミド
若しくはポリエーテルイミド若しくはポリエーテルイミ
ド若しくはポリエステルイミド若しくはポリアミドイミ
ド若しくはポリエーテルエーテルケトン若しくはポリス
ルホン若しくはポリカーボネート若しくは液晶ポリマ若
しくはポリフルオロカーボン若しくはエポキシ重合物若
しくはベンゾシクロブテン重合物若しくはベンゾトリア
ジン重合物若しくはマレイミド系の重合物若しくはこれ
らの混合物からなるポリマフィルムを有するポリマフィ
ルム構成体を、積層して熱圧着によって層間接着と接着
層の硬化を行って高密度薄膜多層配線基板を製造するこ
とを特徴とする高密度薄膜多層配線基板の製造方法であ
る。
【００２０】本発明は、表面側に厚さが５μｍ〜３０μ
ｍで、Ｃｕ若しくはＡｕ若しくはＡｌを主成分とする配
線パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３０μ
ｍで、比誘電率が２．２〜４．０で、硬化後前記配線パ
ターンとの線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃以下にして、
エポキシ重合物若しくはベンゾシクロブテン重合物若し
くはベンゾトリアジン重合物若しくはマレイミド系の重
合物のモノマー又はオリゴマー並びに前記重合物のモノ
マー又はオリゴマーとポリイミド若しくはポリエーテル
イミド若しくはポリエステルイミド若しくはポリアミド
イミド若しくはポリエーテルエーテルケトン若しくはポ
リスルホン若しくはポリカーボネート若しくは液晶ポリ
マ若しくはポリフルオロカーボンとの混合物からなる接
着層を形成した厚さが１０〜５０μｍで、比誘電率が
２．２〜４．０で、硬化後前記配線パターンとの線膨張
率との差を８ｐｐｍ／℃以下にして、ポリイミドからな
るポリマフィルムを有するポリマフィルム構成体を、積
層して熱圧着によって層間接着と接着層の硬化を行って
高密度薄膜多層配線基板を製造することを特徴とする高
密度薄膜多層配線基板の製造方法である。
ｍで、Ｃｕ若しくはＡｕ若しくはＡｌを主成分とする配
線パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３０μ
ｍで、比誘電率が２．２〜４．０で、硬化後前記配線パ
ターンとの線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃以下にして、
エポキシ重合物若しくはベンゾシクロブテン重合物若し
くはベンゾトリアジン重合物若しくはマレイミド系の重
合物のモノマー又はオリゴマー並びに前記重合物のモノ
マー又はオリゴマーとポリイミド若しくはポリエーテル
イミド若しくはポリエステルイミド若しくはポリアミド
イミド若しくはポリエーテルエーテルケトン若しくはポ
リスルホン若しくはポリカーボネート若しくは液晶ポリ
マ若しくはポリフルオロカーボンとの混合物からなる接
着層を形成した厚さが１０〜５０μｍで、比誘電率が
２．２〜４．０で、硬化後前記配線パターンとの線膨張
率との差を８ｐｐｍ／℃以下にして、ポリイミドからな
るポリマフィルムを有するポリマフィルム構成体を、積
層して熱圧着によって層間接着と接着層の硬化を行って
高密度薄膜多層配線基板を製造することを特徴とする高
密度薄膜多層配線基板の製造方法である。
【００２１】また本発明は、前記高密度薄膜多層配線基
板の製造方法において、前記ポリマフィルム構成体を、
積層して熱圧着によって層間接着と接着層の硬化を行っ
た後、上層配線パターンと下層配線パターンとの間にお
いてスルホール配線接続を行うことを特徴とする。
板の製造方法において、前記ポリマフィルム構成体を、
積層して熱圧着によって層間接着と接着層の硬化を行っ
た後、上層配線パターンと下層配線パターンとの間にお
いてスルホール配線接続を行うことを特徴とする。
【００２２】また本発明は、１０μｍ〜３０μｍの厚さ
の銅箔上にポリイミド前駆体の溶液を塗布して加熱硬化
して厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜
４．０のポリイミドフィルムからなる銅箔付きポリイミ
ドフィルムを作成する銅箔付きポリイミドフィルム作成
工程と、該銅箔付きポリイミドフィルム作成工程によっ
て作成された銅箔付きポリイミドフィルムにおいて銅箔
に対して配線パターンを形成し、更に前記銅箔側と対向
する側に厚さが１０μｍ〜３０μｍで、比誘電率が２．
２〜４．０で、硬化後前記配線パターンとの線膨張率と
の差を８ｐｐｍ／℃以下の接着層を形成してポリイミド
フィルム構成体を得るポリイミドフィルム構成体作成工
程と、該ポリイミドフィルム構成体作成工程で得られた
ポリイミドフィルム構成体を積層して熱圧着により層間
接着と接着層の硬化を行って高密度薄膜多層配線基板を
製造する積層・熱圧着工程とを有することを特徴とする
高密度薄膜多層配線基板の製造方法である。
の銅箔上にポリイミド前駆体の溶液を塗布して加熱硬化
して厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜
４．０のポリイミドフィルムからなる銅箔付きポリイミ
ドフィルムを作成する銅箔付きポリイミドフィルム作成
工程と、該銅箔付きポリイミドフィルム作成工程によっ
て作成された銅箔付きポリイミドフィルムにおいて銅箔
に対して配線パターンを形成し、更に前記銅箔側と対向
する側に厚さが１０μｍ〜３０μｍで、比誘電率が２．
２〜４．０で、硬化後前記配線パターンとの線膨張率と
の差を８ｐｐｍ／℃以下の接着層を形成してポリイミド
フィルム構成体を得るポリイミドフィルム構成体作成工
程と、該ポリイミドフィルム構成体作成工程で得られた
ポリイミドフィルム構成体を積層して熱圧着により層間
接着と接着層の硬化を行って高密度薄膜多層配線基板を
製造する積層・熱圧着工程とを有することを特徴とする
高密度薄膜多層配線基板の製造方法である。
【００２３】また本発明は、厚さが１０μｍ〜５０μｍ
で、比誘電率が２．２〜４．０のポリイミド前駆体から
なるポリイミドフィルム上に５μｍ〜３０μｍの厚さの
銅薄膜を成膜して銅薄膜付きポリイミドフィルムを作成
する銅薄膜付きポリイミドフィルム作成工程と、該銅薄
膜付きポリイミドフィルム作成工程によって作成された
銅膜膜付きポリイミドフィルムにおいて銅薄膜に対して
配線パターンを形成し、更に前記銅薄膜側と対向する側
に厚さが１０μｍ〜３０μｍで、比誘電率が２．２〜
４．０で、硬化後前記配線パターンとの線膨張率との差
を８ｐｐｍ／℃以下の接着層を形成してポリイミドフィ
ルム構成体を得るポリイミドフィルム構成体作成工程
と、該ポリイミドフィルム構成体作成工程で得られたポ
リイミドフィルム構成体を積層して熱圧着により層間接
着と接着層の硬化を行って高密度薄膜多層配線基板を製
造する積層・熱圧着工程とを有することを特徴とする高
密度薄膜多層配線基板の製造方法である。
で、比誘電率が２．２〜４．０のポリイミド前駆体から
なるポリイミドフィルム上に５μｍ〜３０μｍの厚さの
銅薄膜を成膜して銅薄膜付きポリイミドフィルムを作成
する銅薄膜付きポリイミドフィルム作成工程と、該銅薄
膜付きポリイミドフィルム作成工程によって作成された
銅膜膜付きポリイミドフィルムにおいて銅薄膜に対して
配線パターンを形成し、更に前記銅薄膜側と対向する側
に厚さが１０μｍ〜３０μｍで、比誘電率が２．２〜
４．０で、硬化後前記配線パターンとの線膨張率との差
を８ｐｐｍ／℃以下の接着層を形成してポリイミドフィ
ルム構成体を得るポリイミドフィルム構成体作成工程
と、該ポリイミドフィルム構成体作成工程で得られたポ
リイミドフィルム構成体を積層して熱圧着により層間接
着と接着層の硬化を行って高密度薄膜多層配線基板を製
造する積層・熱圧着工程とを有することを特徴とする高
密度薄膜多層配線基板の製造方法である。
【００２４】また本発明は、１０μｍ〜３０μｍの厚さ
の銅箔と厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．
２〜４．０のポリイミド前駆体からなるポリイミドフィ
ルムとを接着して銅箔付きポリイミドフィルムを作成す
る銅箔付きポリイミドフィルム作成工程と、該銅箔付き
ポリイミドフィルム作成工程によって作成された銅箔付
きポリイミドフィルムにおいて銅箔に対して配線パター
ンを形成し、更に前記銅箔側と対向する側に厚さが１０
μｍ〜３０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０で、硬化
後前記配線パターンとの線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃
以下の接着層を形成してポリイミドフィルム構成体を得
るポリイミドフィルム構成体作成工程と、該ポリイミド
フィルム構成体作成工程で得られたポリイミドフィルム
構成体を積層して熱圧着により層間接着と接着層の硬化
を行って高密度薄膜多層配線基板を製造する積層・熱圧
着工程とを有することを特徴とする高密度薄膜多層配線
基板の製造方法である。
の銅箔と厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．
２〜４．０のポリイミド前駆体からなるポリイミドフィ
ルムとを接着して銅箔付きポリイミドフィルムを作成す
る銅箔付きポリイミドフィルム作成工程と、該銅箔付き
ポリイミドフィルム作成工程によって作成された銅箔付
きポリイミドフィルムにおいて銅箔に対して配線パター
ンを形成し、更に前記銅箔側と対向する側に厚さが１０
μｍ〜３０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０で、硬化
後前記配線パターンとの線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃
以下の接着層を形成してポリイミドフィルム構成体を得
るポリイミドフィルム構成体作成工程と、該ポリイミド
フィルム構成体作成工程で得られたポリイミドフィルム
構成体を積層して熱圧着により層間接着と接着層の硬化
を行って高密度薄膜多層配線基板を製造する積層・熱圧
着工程とを有することを特徴とする高密度薄膜多層配線
基板の製造方法である。
【００２５】また本発明は、前記高密度薄膜多層配線基
板の製造方法において、前記積層・熱圧着工程で得られ
た高密度薄膜多層配線基板において上層配線パターンと
下層配線パターンとの間においてスルホール配線接続を
行うスルホール配線接続工程とを有することを特徴とす
る。
板の製造方法において、前記積層・熱圧着工程で得られ
た高密度薄膜多層配線基板において上層配線パターンと
下層配線パターンとの間においてスルホール配線接続を
行うスルホール配線接続工程とを有することを特徴とす
る。
【００２６】また本発明は、表面側に厚さが５μｍ〜３
０μｍの配線パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μ
ｍ〜３０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０の接着層を
形成した厚さが５〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜
４．０のポリマフィルムを有する有機樹脂フィルム構成
体が、層間接着と接着層の硬化により積層して構成され
たことを特徴とする高密度薄膜多層配線基板である。
０μｍの配線パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μ
ｍ〜３０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０の接着層を
形成した厚さが５〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜
４．０のポリマフィルムを有する有機樹脂フィルム構成
体が、層間接着と接着層の硬化により積層して構成され
たことを特徴とする高密度薄膜多層配線基板である。
【００２７】また本発明は、表面側に厚さが５μｍ〜３
０μｍの配線パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μ
ｍ〜３０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０の接着層を
形成した厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．
２〜４．０のポリマフィルムを有する有機樹脂フィルム
構成体が、層間接着と接着層の硬化により積層して構成
され、上層配線パターンと下層配線パターンとの間にお
いてスルホール配線接続されたことを特徴とする高密度
薄膜多層配線基板である。
０μｍの配線パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μ
ｍ〜３０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０の接着層を
形成した厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．
２〜４．０のポリマフィルムを有する有機樹脂フィルム
構成体が、層間接着と接着層の硬化により積層して構成
され、上層配線パターンと下層配線パターンとの間にお
いてスルホール配線接続されたことを特徴とする高密度
薄膜多層配線基板である。
【００２８】また本発明は、表面側に厚さが５μｍ〜３
０μｍの配線パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μ
ｍ〜３０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０で、硬化後
前記配線パターンとの線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃以
下の接着層を形成した厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比
誘電率が２．２〜４．０で、硬化後前記配線パターンと
の線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃以下のポリマフィルム
を有する有機樹脂フィルム構成体が、層間接着と接着層
の硬化により積層して構成され、上層配線パターンと下
層配線パターンとの間においてスルホール配線接続され
たことを特徴とする高密度薄膜多層配線基板である。
０μｍの配線パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μ
ｍ〜３０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０で、硬化後
前記配線パターンとの線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃以
下の接着層を形成した厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比
誘電率が２．２〜４．０で、硬化後前記配線パターンと
の線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃以下のポリマフィルム
を有する有機樹脂フィルム構成体が、層間接着と接着層
の硬化により積層して構成され、上層配線パターンと下
層配線パターンとの間においてスルホール配線接続され
たことを特徴とする高密度薄膜多層配線基板である。
【００２９】また本発明は、表面側に厚さが５μｍ〜３
０μｍの配線パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μ
ｍ〜３０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０の接着層を
形成した厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．
２〜４．０のポリマフィルムを有する有機樹脂フィルム
構成体が、層間接着と接着層の硬化により積層して構成
され、上層配線パターンと下層配線パターンとの間にお
いてスルホール配線接続された高密度薄膜多層配線基板
を備え、該高密度薄膜多層配線基板の表面側には、ＬＳ
Ｉが搭載されて形成したことを特徴とする高密度薄膜多
層配線基板実装構造体である。
０μｍの配線パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μ
ｍ〜３０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０の接着層を
形成した厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．
２〜４．０のポリマフィルムを有する有機樹脂フィルム
構成体が、層間接着と接着層の硬化により積層して構成
され、上層配線パターンと下層配線パターンとの間にお
いてスルホール配線接続された高密度薄膜多層配線基板
を備え、該高密度薄膜多層配線基板の表面側には、ＬＳ
Ｉが搭載されて形成したことを特徴とする高密度薄膜多
層配線基板実装構造体である。
【００３０】また本発明は、表面側に厚さが５μｍ〜３
０μｍの配線パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μ
ｍ〜３０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０の接着層を
形成した厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．
２〜４．０のポリマフィルムを有する有機樹脂フィルム
構成体が、層間接着と接着層の硬化により積層して構成
され、上層配線パターンと下層配線パターンとの間にお
いてスルホール配線接続された高密度薄膜多層配線基板
を備え、該高密度薄膜多層配線基板の表面側にはＬＳＩ
が搭載され、前記高密度薄膜多層配線基板の裏面側は直
接プリント基板に実装されることを特徴とする高密度薄
膜多層配線基板実装構造体である。
０μｍの配線パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μ
ｍ〜３０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０の接着層を
形成した厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．
２〜４．０のポリマフィルムを有する有機樹脂フィルム
構成体が、層間接着と接着層の硬化により積層して構成
され、上層配線パターンと下層配線パターンとの間にお
いてスルホール配線接続された高密度薄膜多層配線基板
を備え、該高密度薄膜多層配線基板の表面側にはＬＳＩ
が搭載され、前記高密度薄膜多層配線基板の裏面側は直
接プリント基板に実装されることを特徴とする高密度薄
膜多層配線基板実装構造体である。
【００３１】
【作用】前記構成により、計算機などに使用できるよう
にインピーダンスを配線パターンと同程度にして伝送速
度を低下させることなく、しかも配線密度を高め、そり
の発生を無くし、信頼性を確保したマルチチップモジュ
ールなどの高密度薄膜多層配線基板を容易にして安価に
製造することができる。
にインピーダンスを配線パターンと同程度にして伝送速
度を低下させることなく、しかも配線密度を高め、そり
の発生を無くし、信頼性を確保したマルチチップモジュ
ールなどの高密度薄膜多層配線基板を容易にして安価に
製造することができる。
【００３２】また、ポリフィルムおよび接着層の厚さ
を、Ｃｕ等の配線パターンの厚さとほぼ同程度にして、
しかもポリフィルムおよび接着層の比誘電率を２．２〜
４．０にしたことにより、インピーダンスを配線パター
ンと同程度にして伝送速度を早くすることができる。
を、Ｃｕ等の配線パターンの厚さとほぼ同程度にして、
しかもポリフィルムおよび接着層の比誘電率を２．２〜
４．０にしたことにより、インピーダンスを配線パター
ンと同程度にして伝送速度を早くすることができる。
【００３３】またＣｕ等の配線パターンと接着層とを持
つポリフィルム構成体を、積層して熱圧着によって層間
接着と接着層の硬化を行う際、線膨張率の差に基づくカ
ールが発生することを防止することができ、その結果ポ
リフィルム構成体の積層接着を容易にすることができ
る。またポリフィルム構成体の不均一な伸縮を防止して
配線パターンのずれを減少することにより、ランドパタ
ーンを小さくすることが可能となり、配線密度を向上す
ることができる。
つポリフィルム構成体を、積層して熱圧着によって層間
接着と接着層の硬化を行う際、線膨張率の差に基づくカ
ールが発生することを防止することができ、その結果ポ
リフィルム構成体の積層接着を容易にすることができ
る。またポリフィルム構成体の不均一な伸縮を防止して
配線パターンのずれを減少することにより、ランドパタ
ーンを小さくすることが可能となり、配線密度を向上す
ることができる。
【００３４】以上説明したように、計算機などに使用で
きるマルチチップモジュールなどの高密度薄膜多層配線
基板を容易にして安価に製造することができる。また計
算機などに使用できる高信頼性を有する高密度なマルチ
チップモジュールなどの高密度薄膜多層配線基板を得る
ことができる。
きるマルチチップモジュールなどの高密度薄膜多層配線
基板を容易にして安価に製造することができる。また計
算機などに使用できる高信頼性を有する高密度なマルチ
チップモジュールなどの高密度薄膜多層配線基板を得る
ことができる。
【００３５】また、マルチチップモジュールなどの高密
度薄膜多層配線基板を、直接プリント基板に実装するこ
とによって、非常に高価なセラミック配線基板をなくす
ことができる。
度薄膜多層配線基板を、直接プリント基板に実装するこ
とによって、非常に高価なセラミック配線基板をなくす
ことができる。
【００３６】
【実施例】本発明に係るマルチチップモジュールなどの
高密度薄膜多層基板及びその製造方法の実施例につい
て、図面を参照して具体的に説明する。
高密度薄膜多層基板及びその製造方法の実施例につい
て、図面を参照して具体的に説明する。
【００３７】図１は、本発明に係るマルチチップモジュ
ールなどの高密度薄膜多層基板及びその製造工程を示す
断面図である。即ち、図１（ａ）に示すように、厚さ１
０〜３０μｍ（最も望ましくは１５〜２５μｍ、例えば
１８μｍ）の銅箔１上にポリイミド前駆体の溶液（以下
これをポリイミドワニスと呼ぶ）をカーテンコート装置
により塗布する。続いて、温風循環式ベーク炉（中央科
研製ＨＣ−４０Ｈ）を使用して１４０℃，２００℃，３
５０℃各３０分の加熱硬化を行ない銅箔付きポリイミド
フィルムを作成した。ここで使用したポリイミドワニス
は、低熱膨張のもので、ポリイミドフィルム２単独での
線膨張率（熱膨張率）は１７ｐｐｍ／℃である。ポリイ
ミドフィルム２の厚さは、銅箔１の厚さとほぼ同程度の
厚さ１０〜５０μｍ（最も望ましくは１５〜２５μｍ、
例えば２０μｍ）であり、インピーダンスを銅箔から形
成される配線パターンから著しく低くすることなく、同
程度にする。またポリイミドフィルム２の比誘電率は、
２．２〜４．０であり、比誘電率を高める例えばガラス
等は混入していないものである。
ールなどの高密度薄膜多層基板及びその製造工程を示す
断面図である。即ち、図１（ａ）に示すように、厚さ１
０〜３０μｍ（最も望ましくは１５〜２５μｍ、例えば
１８μｍ）の銅箔１上にポリイミド前駆体の溶液（以下
これをポリイミドワニスと呼ぶ）をカーテンコート装置
により塗布する。続いて、温風循環式ベーク炉（中央科
研製ＨＣ−４０Ｈ）を使用して１４０℃，２００℃，３
５０℃各３０分の加熱硬化を行ない銅箔付きポリイミド
フィルムを作成した。ここで使用したポリイミドワニス
は、低熱膨張のもので、ポリイミドフィルム２単独での
線膨張率（熱膨張率）は１７ｐｐｍ／℃である。ポリイ
ミドフィルム２の厚さは、銅箔１の厚さとほぼ同程度の
厚さ１０〜５０μｍ（最も望ましくは１５〜２５μｍ、
例えば２０μｍ）であり、インピーダンスを銅箔から形
成される配線パターンから著しく低くすることなく、同
程度にする。またポリイミドフィルム２の比誘電率は、
２．２〜４．０であり、比誘電率を高める例えばガラス
等は混入していないものである。
【００３８】次に、図１（ｂ）に示すように、銅箔１側
にフィルムレジストをラミネーターにより接着し、所定
の露光、現像操作を行なってフィルムレジストの配線パ
ターン３を形成する。このフィルムレジストの配線パタ
ーン３をマスクとして、塩化第二鉄溶液を用いて銅箔１
をエッチングし、水洗、乾燥後フィルムレジストの配線
パターン３を剥離して線幅２０〜３０μｍ、配線間隔４
０〜５０μｍの配線パターン４付きのポリイミドフィル
ムを形成した。
にフィルムレジストをラミネーターにより接着し、所定
の露光、現像操作を行なってフィルムレジストの配線パ
ターン３を形成する。このフィルムレジストの配線パタ
ーン３をマスクとして、塩化第二鉄溶液を用いて銅箔１
をエッチングし、水洗、乾燥後フィルムレジストの配線
パターン３を剥離して線幅２０〜３０μｍ、配線間隔４
０〜５０μｍの配線パターン４付きのポリイミドフィル
ムを形成した。
【００３９】次に、図１（ｃ）に示すように、このポリ
イミドフィルム２の配線パターン４の無い面に、エポキ
シ重合物のモノマー若しくはオリゴマーとポリイミド若
しくはポリアミドとの混合物からなる接着剤をカーテン
コーターにより塗布し、温風循環式ベーク炉により９０
℃３０分の乾燥を行ない、膜厚１０〜３０μｍ（最も望
ましくは１５〜２５μｍ、例えば２０μｍ）で、比誘電
率が２．２〜４．０のＢステージの接着層５を形成し
た。接着剤のみを熱硬化して得られたポリイミドフィル
ム構成体１５の線膨張率は２０ｐｐｍ／℃であった。
イミドフィルム２の配線パターン４の無い面に、エポキ
シ重合物のモノマー若しくはオリゴマーとポリイミド若
しくはポリアミドとの混合物からなる接着剤をカーテン
コーターにより塗布し、温風循環式ベーク炉により９０
℃３０分の乾燥を行ない、膜厚１０〜３０μｍ（最も望
ましくは１５〜２５μｍ、例えば２０μｍ）で、比誘電
率が２．２〜４．０のＢステージの接着層５を形成し
た。接着剤のみを熱硬化して得られたポリイミドフィル
ム構成体１５の線膨張率は２０ｐｐｍ／℃であった。
【００４０】以上のようにしてポリイミドフィルム２の
表面に配線パターン４を持ち、裏面に接着層５を持つポ
リイミドフィルム構成体１５を形成した。
表面に配線パターン４を持ち、裏面に接着層５を持つポ
リイミドフィルム構成体１５を形成した。
【００４１】次に、このポリイミドフィルム構成体１５
を必要な層数作成し、図１（ｄ）に示すように、治具６
のガイドピン７とポリイミドフィルム構成体１５に形成
したガイド孔８を用いて位置あわせし、積層を行なう。
本実施例では１０層を積層した。積層前のポリイミドフ
ィルム構成体１５の反りは１０ｃｍあたり５ｍｍであ
り、位置あわせと積層は問題なく行なえた。ここで、最
下層のポリイミドフィルム構成体のみは、接着層５を形
成せず、両面に銅の配線パターン４を形成している。
を必要な層数作成し、図１（ｄ）に示すように、治具６
のガイドピン７とポリイミドフィルム構成体１５に形成
したガイド孔８を用いて位置あわせし、積層を行なう。
本実施例では１０層を積層した。積層前のポリイミドフ
ィルム構成体１５の反りは１０ｃｍあたり５ｍｍであ
り、位置あわせと積層は問題なく行なえた。ここで、最
下層のポリイミドフィルム構成体のみは、接着層５を形
成せず、両面に銅の配線パターン４を形成している。
【００４２】次に積層したポリイミドフィルム構成体１
５を、油圧プレス装置を用いてプレス圧力１ＧＰａ、真
空雰囲気中で１４０℃３０分、２３０℃１時間の熱間プ
レスを連続して行ない、層間接着と接着層の硬化を行な
った。
５を、油圧プレス装置を用いてプレス圧力１ＧＰａ、真
空雰囲気中で１４０℃３０分、２３０℃１時間の熱間プ
レスを連続して行ない、層間接着と接着層の硬化を行な
った。
【００４３】次に、図１（ｅ）に示すように、プレスの
終了した積層体の所定部分にドリルにより直径１００μ
ｍの貫通孔９を形成し、両面にソルダレジスト１０を形
成した。所定の露光、現像処理を行ない、表面のパッド
１１上のレジストを除去し、ソルダレジストの熱硬化を
行なった。次に、貫通孔９側壁の粗化と活性化を行なっ
た後、無電解めっきを行ない、層間における配線パター
ンの電気的接続１２を形成した。このように製造された
高密度薄膜多層配線基板２０の断面を観察したところ不
均一な伸縮は観察されなかった。以上説明したように、
計算機などに用いられるマルチチップモジュールなどの
高密度薄膜多層配線基板２０を得ることができる。図２
に示すように、この高密度薄膜多層配線基板２０の最上
層表面に配線パターン４に接続したはんだ接続用パッド
２１を形成し、この接続用パッド２１と例えばはんだ接
続によって多数のＬＳＩ２２が搭載される。また高密度
薄膜多層配線基板２０の最下層裏面に配線パターン４に
接続したはんだ接続用パッドを形成し、この接続用パッ
ドに例えば接続ピン２３をはんだ植設し、この接続ピン
２３をプリント基板２４と接続する。
終了した積層体の所定部分にドリルにより直径１００μ
ｍの貫通孔９を形成し、両面にソルダレジスト１０を形
成した。所定の露光、現像処理を行ない、表面のパッド
１１上のレジストを除去し、ソルダレジストの熱硬化を
行なった。次に、貫通孔９側壁の粗化と活性化を行なっ
た後、無電解めっきを行ない、層間における配線パター
ンの電気的接続１２を形成した。このように製造された
高密度薄膜多層配線基板２０の断面を観察したところ不
均一な伸縮は観察されなかった。以上説明したように、
計算機などに用いられるマルチチップモジュールなどの
高密度薄膜多層配線基板２０を得ることができる。図２
に示すように、この高密度薄膜多層配線基板２０の最上
層表面に配線パターン４に接続したはんだ接続用パッド
２１を形成し、この接続用パッド２１と例えばはんだ接
続によって多数のＬＳＩ２２が搭載される。また高密度
薄膜多層配線基板２０の最下層裏面に配線パターン４に
接続したはんだ接続用パッドを形成し、この接続用パッ
ドに例えば接続ピン２３をはんだ植設し、この接続ピン
２３をプリント基板２４と接続する。
【００４４】次に、配線パターン４と絶縁層（ポリイミ
ドフィルム）２及び接着層５に用いる有機樹脂の熱膨張
率の差の許容範囲について説明する。即ち、図３は厚さ
１８μｍの銅箔１上に厚さ２０μｍのポリイミドフィル
ム２を形成した場合において発生する熱応力σを次に示
す（数１）式より求め、この熱応力σにより発生する反
り量ｄを次に示す（数２）式により計算したものであ
る。
ドフィルム）２及び接着層５に用いる有機樹脂の熱膨張
率の差の許容範囲について説明する。即ち、図３は厚さ
１８μｍの銅箔１上に厚さ２０μｍのポリイミドフィル
ム２を形成した場合において発生する熱応力σを次に示
す（数１）式より求め、この熱応力σにより発生する反
り量ｄを次に示す（数２）式により計算したものであ
る。
【００４５】
【数１】
【００４６】
【数２】
【００４７】ここで、ａは反りの測定長、Ｅs は銅箔の
ヤング率、Ｅf はポリイミドのヤング率、ｔs は銅箔の
厚さ、ｔf はポリイミドの厚さ、ΔＴは工程における温
度差、αs は銅箔の熱膨張率、αf はポリイミドの熱膨
張率、νs ，νf は銅箔及びポリイミドのポアソン比で
ある。銅箔およびポリイミドの物性値については代表的
な値として、Ｅs ＝１１０ＧＰａ，Ｅf ＝３．３ＧＰ
ａ，νs ＝０．２５，νf ＝０．２５，αs ＝１７．８
ｐｐｍ／℃を使用した。フィルムの大きさは０．１ｍと
した。ΔＴは各種の工程における加熱温度と室温との温
度差になるが、ここでは２００℃を用いた。
ヤング率、Ｅf はポリイミドのヤング率、ｔs は銅箔の
厚さ、ｔf はポリイミドの厚さ、ΔＴは工程における温
度差、αs は銅箔の熱膨張率、αf はポリイミドの熱膨
張率、νs ，νf は銅箔及びポリイミドのポアソン比で
ある。銅箔およびポリイミドの物性値については代表的
な値として、Ｅs ＝１１０ＧＰａ，Ｅf ＝３．３ＧＰ
ａ，νs ＝０．２５，νf ＝０．２５，αs ＝１７．８
ｐｐｍ／℃を使用した。フィルムの大きさは０．１ｍと
した。ΔＴは各種の工程における加熱温度と室温との温
度差になるが、ここでは２００℃を用いた。
【００４８】図３からフィルムの反り量は、ポリイミド
の熱膨張率が銅箔の熱膨張率から離れるのに伴って大き
くなっている。ポリイミド以外の材料についても機械的
特性には大きな差は無いため、図３とほぼ同じ結果にな
る。また、上記の銅−ポリイミド積層フィルムに厚さ２
０μｍの接着層５を積層した場合、ポリイミドと接着層
ではヤング率、ポアソン比について大きな差が無いこ
と、また銅箔のヤング率がポリイミドのヤング率より３
０倍以上大きく、反りに対するポリイミドの影響はほぼ
無視できることから、接着層を積層したことによる反り
の増加量も図３とほぼ同じと見てよい。フィルム構成体
１５の反り量が１００ｍｍあたり１０−１５ｍｍを超え
ると積層治具６への取付けなどに困難を生じることか
ら、硬化後において銅箔１に対するポリイミドフィルム
２、接着層５の熱膨張率の差は８ｐｐｍ／℃以下、望ま
しくは５ｐｐｍ／℃以下であることが必要である。以上
のことは、配線パターン４に用いる金属が銅以外の金、
アルミニウムなどであっても同様である。また接着性の
向上や耐食性に対する要求から各種の金属、酸化物、有
機物を添加物あるいは保護層として使用することができ
る。
の熱膨張率が銅箔の熱膨張率から離れるのに伴って大き
くなっている。ポリイミド以外の材料についても機械的
特性には大きな差は無いため、図３とほぼ同じ結果にな
る。また、上記の銅−ポリイミド積層フィルムに厚さ２
０μｍの接着層５を積層した場合、ポリイミドと接着層
ではヤング率、ポアソン比について大きな差が無いこ
と、また銅箔のヤング率がポリイミドのヤング率より３
０倍以上大きく、反りに対するポリイミドの影響はほぼ
無視できることから、接着層を積層したことによる反り
の増加量も図３とほぼ同じと見てよい。フィルム構成体
１５の反り量が１００ｍｍあたり１０−１５ｍｍを超え
ると積層治具６への取付けなどに困難を生じることか
ら、硬化後において銅箔１に対するポリイミドフィルム
２、接着層５の熱膨張率の差は８ｐｐｍ／℃以下、望ま
しくは５ｐｐｍ／℃以下であることが必要である。以上
のことは、配線パターン４に用いる金属が銅以外の金、
アルミニウムなどであっても同様である。また接着性の
向上や耐食性に対する要求から各種の金属、酸化物、有
機物を添加物あるいは保護層として使用することができ
る。
【００４９】なお、前記実施例におけるポリイミドフィ
ルム２として、次に示す特性を有する材料で構成しても
良い。即ち、熱膨張率以外の特性として引っ張り試験に
よる破壊伸びが５％以上、望ましくは１０％以上であ
り、ＬＳＩ２２などの素子を接続する際のはんだ工程な
どに対する耐熱性（重力減少開始温度）が１５０℃以
上、望ましくは２００℃以上であり、比誘電率が２．２
〜４．０で、厚さが１０〜５０μｍ（最も望ましくは１
５〜２５μｍ）のガラス等が混入していないポリマフィ
ルムが有効である。具体的には、ポリイミド、ポリエー
テルイミド、ポリエステルイミド、ポリアミドイミド、
ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリカー
ボネート、液晶ポリマ、ポリフルオロカーボン、エポキ
シ重合物、ベンゾシクロブテン重合物、ベンゾトリアジ
ン重合物、マレイミド系重合物またはこれらの混合物で
ある。この中では、延びに対する靭性、高耐熱性および
熱膨張率をモノマーの分子構造および配合比で制御可能
なことから、ポリイミドが最も適している。上記ポリマ
フィルムには、ガラス等を混入させないで、比誘電率を
２．２〜４．０に低くして信号の伝送速度を早めること
が必要である。
ルム２として、次に示す特性を有する材料で構成しても
良い。即ち、熱膨張率以外の特性として引っ張り試験に
よる破壊伸びが５％以上、望ましくは１０％以上であ
り、ＬＳＩ２２などの素子を接続する際のはんだ工程な
どに対する耐熱性（重力減少開始温度）が１５０℃以
上、望ましくは２００℃以上であり、比誘電率が２．２
〜４．０で、厚さが１０〜５０μｍ（最も望ましくは１
５〜２５μｍ）のガラス等が混入していないポリマフィ
ルムが有効である。具体的には、ポリイミド、ポリエー
テルイミド、ポリエステルイミド、ポリアミドイミド、
ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリカー
ボネート、液晶ポリマ、ポリフルオロカーボン、エポキ
シ重合物、ベンゾシクロブテン重合物、ベンゾトリアジ
ン重合物、マレイミド系重合物またはこれらの混合物で
ある。この中では、延びに対する靭性、高耐熱性および
熱膨張率をモノマーの分子構造および配合比で制御可能
なことから、ポリイミドが最も適している。上記ポリマ
フィルムには、ガラス等を混入させないで、比誘電率を
２．２〜４．０に低くして信号の伝送速度を早めること
が必要である。
【００５０】また前記実施例における接着層５として、
次に示す特性を有する材料で構成しても良い。即ち、熱
膨張率の制限以外に、硬化後のフィルム構成体１５の耐
熱性（重量減少開始温度）が１５０℃以上、望ましくは
２００℃以上であり、比誘電率２．２〜４．０、破壊伸
びが５％以上、望ましくは１０％以上となる膜厚１０〜
３０μｍ（最も望ましくは１５〜２５μｍ）の熱硬化性
樹脂または熱可塑性樹脂が適当である。また未硬化時
（Ｂステージ）において溶融または流動化する温度およ
び硬化温度がポリイミドフィルム（基材ポリマフィル
ム）２の耐熱温度以下であることが望ましい。具体的に
は、エポキシ重合物、ペンゾシクロブテン重合物、ベン
ゾトリアジン重合物、マレイミド系重合物のモノマーま
たはオリゴマーおよびこれらとポリイミド、ポリエーテ
ルイミド、ポリエステルイミド、ポリアミドイミド、ポ
リエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリカーボ
ネート、液晶ポリマ、ポリフルオロカーボンとの混合物
である。また、熱膨張率の調整および機械的強度を確保
する目的で、ポリイミド、ポリアミド、各種のセラミッ
ク、酸化物等の短繊維や粒子をフィラーとして混合する
ことも有効である。しかし、上記接着層５においても、
信号の伝送速度を早めるために、ガラス等を混入させな
いで、比誘電率を２．２〜４．０にすることが必要であ
る。また、図１に示す実施例においては、銅箔１に配線
パターン４を形成した後ポリイミドフィルム２の配線パ
ターン４の無い面に接着層５を形成したが、ポリイミド
フィルム２の配線パターン４の無い面に接着層５を形成
した後銅箔１に配線パターン４を形成しても良い。
次に示す特性を有する材料で構成しても良い。即ち、熱
膨張率の制限以外に、硬化後のフィルム構成体１５の耐
熱性（重量減少開始温度）が１５０℃以上、望ましくは
２００℃以上であり、比誘電率２．２〜４．０、破壊伸
びが５％以上、望ましくは１０％以上となる膜厚１０〜
３０μｍ（最も望ましくは１５〜２５μｍ）の熱硬化性
樹脂または熱可塑性樹脂が適当である。また未硬化時
（Ｂステージ）において溶融または流動化する温度およ
び硬化温度がポリイミドフィルム（基材ポリマフィル
ム）２の耐熱温度以下であることが望ましい。具体的に
は、エポキシ重合物、ペンゾシクロブテン重合物、ベン
ゾトリアジン重合物、マレイミド系重合物のモノマーま
たはオリゴマーおよびこれらとポリイミド、ポリエーテ
ルイミド、ポリエステルイミド、ポリアミドイミド、ポ
リエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリカーボ
ネート、液晶ポリマ、ポリフルオロカーボンとの混合物
である。また、熱膨張率の調整および機械的強度を確保
する目的で、ポリイミド、ポリアミド、各種のセラミッ
ク、酸化物等の短繊維や粒子をフィラーとして混合する
ことも有効である。しかし、上記接着層５においても、
信号の伝送速度を早めるために、ガラス等を混入させな
いで、比誘電率を２．２〜４．０にすることが必要であ
る。また、図１に示す実施例においては、銅箔１に配線
パターン４を形成した後ポリイミドフィルム２の配線パ
ターン４の無い面に接着層５を形成したが、ポリイミド
フィルム２の配線パターン４の無い面に接着層５を形成
した後銅箔１に配線パターン４を形成しても良い。
【００５１】また、図１に示す実施例においては、銅箔
１上にポリイミド前駆体の溶液（以下これをポリイミド
ワニスと呼ぶ）を塗布して加熱硬化を行って銅箔付きポ
リイミドフィルムを作成したが、ポリイミドフィルム
（ポリマフィルム）２上にスパッタリングによって厚さ
５〜３０μｍ（最も望ましくは１０〜２０μｍ）の銅薄
膜を形成し、その後露光、現像を行って配線パターン４
を形成しても良い。
１上にポリイミド前駆体の溶液（以下これをポリイミド
ワニスと呼ぶ）を塗布して加熱硬化を行って銅箔付きポ
リイミドフィルムを作成したが、ポリイミドフィルム
（ポリマフィルム）２上にスパッタリングによって厚さ
５〜３０μｍ（最も望ましくは１０〜２０μｍ）の銅薄
膜を形成し、その後露光、現像を行って配線パターン４
を形成しても良い。
【００５２】以上説明した実施例によれば、ポリマフィ
ルムの表面に配線パターンを有し、ポリマフィルムの裏
面に接着層を有するポリマフィルム構成体において配線
パターンと接着層およびポリマフィルムとの熱膨張率の
差によるカールの発生を防止し、ポリマフィルム構成体
１５の積層、加熱圧着を容易にすることができる。又、
ポリマフィルム構成体１５を加熱圧着したさいの不均一
な伸縮を防止することができて配線パターンの位置精度
が向上する結果、配線パターンの密度を上げることがで
きる。
ルムの表面に配線パターンを有し、ポリマフィルムの裏
面に接着層を有するポリマフィルム構成体において配線
パターンと接着層およびポリマフィルムとの熱膨張率の
差によるカールの発生を防止し、ポリマフィルム構成体
１５の積層、加熱圧着を容易にすることができる。又、
ポリマフィルム構成体１５を加熱圧着したさいの不均一
な伸縮を防止することができて配線パターンの位置精度
が向上する結果、配線パターンの密度を上げることがで
きる。
【００５３】
【発明の効果】本発明によれば、計算機などに使用でき
るように信号の伝送速度を低下させることなく、しかも
配線密度を高め、信頼性を確保されたマルチチップモジ
ュールなどの高密度薄膜多層配線基板を安価に製造する
ことができる効果を奏する。
るように信号の伝送速度を低下させることなく、しかも
配線密度を高め、信頼性を確保されたマルチチップモジ
ュールなどの高密度薄膜多層配線基板を安価に製造する
ことができる効果を奏する。
【００５４】また本発明によれば、計算機などに使用で
きるように信号の伝送速度を低下させることなく、しか
も配線密度を高め、信頼性を確保して簡素化された構成
のマルチチップモジュールなどの高密度薄膜多層配線基
板を実現することができる効果を奏する。
きるように信号の伝送速度を低下させることなく、しか
も配線密度を高め、信頼性を確保して簡素化された構成
のマルチチップモジュールなどの高密度薄膜多層配線基
板を実現することができる効果を奏する。
【００５５】また本発明によれば、表面側には、ＬＳＩ
を搭載し、裏面側は、直接プリント基板に実装すること
ができる効果を奏する。
を搭載し、裏面側は、直接プリント基板に実装すること
ができる効果を奏する。
【図１】本発明に係る高密度薄膜多層配線基板の製造方
法の一実施例を示す工程断面図である。
法の一実施例を示す工程断面図である。
【図２】本発明に係るＬＳＩを搭載した高密度薄膜多層
配線基板をプリント基板に実装したものの一実施例を示
した部分正面図である。
配線基板をプリント基板に実装したものの一実施例を示
した部分正面図である。
【図３】本発明に係る銅配線パターンとポリイミド２層
フィルムとにおけるポリイミドの熱膨張率とフィルムの
反りとの関係を示す図である。
フィルムとにおけるポリイミドの熱膨張率とフィルムの
反りとの関係を示す図である。
１…銅箔、２…ポリイミドフィルム、４…配線パター
ン、５…接着層 ６…積層治具、７…積層時の位置決めガイドピン、８…
位置決め用のガイド穴 ９…貫通孔、１０…ソルダレジスト、１１…パッド、１
２…層間接続部 １５…ポリイミドフィルム構成体（ポリマフィルム構成
体） ２０…高密度薄膜多層配線基板、２２…ＬＳＩ、２４…
プリント基板
ン、５…接着層 ６…積層治具、７…積層時の位置決めガイドピン、８…
位置決め用のガイド穴 ９…貫通孔、１０…ソルダレジスト、１１…パッド、１
２…層間接続部 １５…ポリイミドフィルム構成体（ポリマフィルム構成
体） ２０…高密度薄膜多層配線基板、２２…ＬＳＩ、２４…
プリント基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｊ 5/06 ＪＧＶ Ｈ０５Ｋ 3/38 Ｅ 7511−4Ｅ // Ｃ０９Ｊ 7/02 ＪＨＲ ＪＪＲ ＪＬＥ ＪＬＨ (72)発明者 外川 英男 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 京井 正之 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内
Claims (17)
- 【請求項１】表面側に厚さが５μｍ〜３０μｍの配線パ
ターンを形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３０μｍ
で、比誘電率が２．２〜４．０の接着層を形成した厚さ
が１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０の
有機樹脂フィルムを有する有機樹脂フィルム構成体を、
積層して熱圧着によって層間接着と接着層の硬化を行っ
て高密度薄膜多層配線基板を製造することを特徴とする
高密度薄膜多層配線基板の製造方法。 - 【請求項２】表面側に厚さが５μｍ〜３０μｍで、Ｃｕ
若しくはＡｕ若しくはＡｌを主成分とする配線パターン
を形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３０μｍで、比誘
電率が２．２〜４．０で、硬化後前記配線パターンとの
線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃以下の接着層を形成した
厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜４．
０で、硬化後前記配線パターンとの線膨張率との差を８
ｐｐｍ／℃以下の有機樹脂フィルムを有する有機樹脂フ
ィルム構成体を、積層して熱圧着によって層間接着と接
着層の硬化を行って高密度薄膜多層配線基板を製造する
ことを特徴とする高密度薄膜多層配線基板の製造方法。 - 【請求項３】前記有機樹脂フィルム構成体を、積層して
熱圧着によって層間接着と接着層の硬化を行った後、上
層配線パターンと下層配線パターンとの間においてスル
ホール配線接続を行うことを特徴とする請求項１又は２
記載の高密度薄膜多層配線基板の製造方法。 - 【請求項４】表面側に厚さが５μｍ〜３０μｍで、Ｃｕ
若しくはＡｕ若しくはＡｌを主成分とする配線パターン
を形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３０μｍで、比誘
電率が２．２〜４．０で、エポキシ重合物若しくはベン
ゾシクロブテン重合物若しくはベンゾトリアジン重合物
若しくはマレイミド系の重合物のモノマー又はオリゴマ
ー並びに前記重合物のモノマー又はオリゴマーとポリイ
ミド若しくはポリエーテルイミド若しくはポリエステル
イミド若しくはポリアミドイミド若しくはポリエーテル
エーテルケトン若しくはポリスルホン若しくはポリカー
ボネート若しくは液晶ポリマ若しくはポリフルオロカー
ボンとの混合物からなる接着層を形成した厚さが１０μ
ｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０のポリマフ
ィルムを有するポリマフィルム構成体を、積層して熱圧
着によって層間接着と接着層の硬化を行って高密度薄膜
多層配線基板を製造することを特徴とする高密度薄膜多
層配線基板の製造方法。 - 【請求項５】表面側に厚さが５μｍ〜３０μｍで、Ｃｕ
若しくはＡｕ若しくはＡｌを主成分とする配線パターン
を形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３０μｍで、比誘
電率が２．２〜４．０で、エポキシ重合物若しくはベン
ゾシクロブテン重合物若しくはベンゾトリアジン重合物
若しくはマレイミド系の重合物のモノマー又はオリゴマ
ー並びに前記重合物のモノマー又はオリゴマーとポリイ
ミド若しくはポリエーテルイミド若しくはポリエステル
イミド若しくはポリアミドイミド若しくはポリエーテル
エーテルケトン若しくはポリスルホン若しくはポリカー
ボネート若しくは液晶ポリマ若しくはポリフルオロカー
ボンとの混合物からなる接着層を形成した厚さが１０μ
ｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０で、ポリイ
ミド若しくはポリエーテルイミド若しくはポリエーテル
イミド若しくはポリエステルイミド若しくはポリアミド
イミド若しくはポリエーテルエーテルケトン若しくはポ
リスルホン若しくはポリカーボネート若しくは液晶ポリ
マ若しくはポリフルオロカーボン若しくはエポキシ重合
物若しくはベンゾシクロブテン重合物若しくはベンゾト
リアジン重合物若しくはマレイミド系の重合物若しくは
これらの混合物からなるポリマフィルムを有するポリマ
フィルム構成体を、積層して熱圧着によって層間接着と
接着層の硬化を行って高密度薄膜多層配線基板を製造す
ることを特徴とする高密度薄膜多層配線基板の製造方
法。 - 【請求項６】表面側に厚さが５μｍ〜３０μｍで、Ｃｕ
若しくはＡｕ若しくはＡｌを主成分とする配線パターン
を形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３０μｍで、比誘
電率が２．２〜４．０で、硬化後前記配線パターンとの
線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃以下にして、エポキシ重
合物若しくはベンゾシクロブテン重合物若しくはベンゾ
トリアジン重合物若しくはマレイミド系の重合物のモノ
マー又はオリゴマー並びに前記重合物のモノマー又はオ
リゴマーとポリイミド若しくはポリエーテルイミド若し
くはポリエステルイミド若しくはポリアミドイミド若し
くはポリエーテルエーテルケトン若しくはポリスルホン
若しくはポリカーボネート若しくは液晶ポリマ若しくは
ポリフルオロカーボンとの混合物からなる接着層を形成
した厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜
４．０で、硬化後前記配線パターンとの線膨張率との差
を８ｐｐｍ／℃以下にして、ポリイミド若しくはポリエ
ーテルイミド若しくはポリエーテルイミド若しくはポリ
エステルイミド若しくはポリアミドイミド若しくはポリ
エーテルエーテルケトン若しくはポリスルホン若しくは
ポリカーボネート若しくは液晶ポリマ若しくはポリフル
オロカーボン若しくはエポキシ重合物若しくはベンゾシ
クロブテン重合物若しくはベンゾトリアジン重合物若し
くはマレイミド系の重合物若しくはこれらの混合物から
なるポリマフィルムを有するポリマフィルム構成体を、
積層して熱圧着によって層間接着と接着層の硬化を行っ
て高密度薄膜多層配線基板を製造することを特徴とする
高密度薄膜多層配線基板の製造方法。 - 【請求項７】表面側に厚さが５μｍ〜３０μｍで、Ｃｕ
若しくはＡｕ若しくはＡｌを主成分とする配線パターン
を形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３０μｍで、比誘
電率が２．２〜４．０で、硬化後前記配線パターンとの
線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃以下にして、エポキシ重
合物若しくはベンゾシクロブテン重合物若しくはベンゾ
トリアジン重合物若しくはマレイミド系の重合物のモノ
マー又はオリゴマー並びに前記重合物のモノマー又はオ
リゴマーとポリイミド若しくはポリエーテルイミド若し
くはポリエステルイミド若しくはポリアミドイミド若し
くはポリエーテルエーテルケトン若しくはポリスルホン
若しくはポリカーボネート若しくは液晶ポリマ若しくは
ポリフルオロカーボンとの混合物からなる接着層を形成
した厚さが１０〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜４．
０で、硬化後前記配線パターンとの線膨張率との差を８
ｐｐｍ／℃以下にして、ポリイミドからなるポリマフィ
ルムを有するポリマフィルム構成体を、積層して熱圧着
によって層間接着と接着層の硬化を行って高密度薄膜多
層配線基板を製造することを特徴とする高密度薄膜多層
配線基板の製造方法。 - 【請求項８】前記ポリマフィルム構成体を、積層して熱
圧着によって層間接着と接着層の硬化を行った後、上層
配線パターンと下層配線パターンとの間においてスルホ
ール配線接続を行うことを特徴とする請求項４又は５又
は６又は７記載の高密度薄膜多層配線基板の製造方法。 - 【請求項９】１０μｍ〜３０μｍの厚さの銅箔上にポリ
イミド前駆体の溶液を塗布して加熱硬化して厚さが１０
μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０のポリイ
ミドフィルムからなる銅箔付きポリイミドフィルムを作
成する銅箔付きポリイミドフィルム作成工程と、該銅箔
付きポリイミドフィルム作成工程によって作成された銅
箔付きポリイミドフィルムにおいて銅箔に対して配線パ
ターンを形成し、更に前記銅箔側と対向する側に厚さが
１０μｍ〜３０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０で、
硬化後前記配線パターンとの線膨張率との差を８ｐｐｍ
／℃以下の接着層を形成してポリイミドフィルム構成体
を得るポリイミドフィルム構成体作成工程と、該ポリイ
ミドフィルム構成体作成工程で得られたポリイミドフィ
ルム構成体を積層して熱圧着により層間接着と接着層の
硬化を行って高密度薄膜多層配線基板を製造する積層・
熱圧着工程とを有することを特徴とする高密度薄膜多層
配線基板の製造方法。 - 【請求項１０】厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率
が２．２〜４．０のポリイミド前駆体からなるポリイミ
ドフィルム上に５μｍ〜３０μｍの厚さの銅薄膜を成膜
して銅薄膜付きポリイミドフィルムを作成する銅薄膜付
きポリイミドフィルム作成工程と、該銅薄膜付きポリイ
ミドフィルム作成工程によって作成された銅膜膜付きポ
リイミドフィルムにおいて銅薄膜に対して配線パターン
を形成し、更に前記銅薄膜側と対向する側に厚さが１０
μｍ〜３０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０で、硬化
後前記配線パターンとの線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃
以下の接着層を形成してポリイミドフィルム構成体を得
るポリイミドフィルム構成体作成工程と、該ポリイミド
フィルム構成体作成工程で得られたポリイミドフィルム
構成体を積層して熱圧着により層間接着と接着層の硬化
を行って高密度薄膜多層配線基板を製造する積層・熱圧
着工程とを有することを特徴とする高密度薄膜多層配線
基板の製造方法。 - 【請求項１１】１０μｍ〜３０μｍの厚さの銅箔と厚さ
が１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０の
ポリイミド前駆体からなるポリイミドフィルムとを接着
して銅箔付きポリイミドフィルムを作成する銅箔付きポ
リイミドフィルム作成工程と、該銅箔付きポリイミドフ
ィルム作成工程によって作成された銅箔付きポリイミド
フィルムにおいて銅箔に対して配線パターンを形成し、
更に前記銅箔側と対向する側に厚さが１０μｍ〜３０μ
ｍで、比誘電率が２．２〜４．０で、硬化後前記配線パ
ターンとの線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃以下の接着層
を形成してポリイミドフィルム構成体を得るポリイミド
フィルム構成体作成工程と、該ポリイミドフィルム構成
体作成工程で得られたポリイミドフィルム構成体を積層
して熱圧着により層間接着と接着層の硬化を行って高密
度薄膜多層配線基板を製造する積層・熱圧着工程とを有
することを特徴とする高密度薄膜多層配線基板の製造方
法。 - 【請求項１２】前記積層・熱圧着工程で得られた高密度
薄膜多層配線基板において上層配線パターンと下層配線
パターンとの間においてスルホール配線接続を行うスル
ホール配線接続工程とを有することを特徴とする請求項
９又は１０又は１１記載の高密度薄膜多層配線基板の製
造方法。 - 【請求項１３】表面側に厚さが５μｍ〜３０μｍの配線
パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３０μｍ
で、比誘電率が２．２〜４．０の接着層を形成した厚さ
が５〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０のポリマ
フィルムを有する有機樹脂フィルム構成体が、層間接着
と接着層の硬化により積層して構成されたことを特徴と
する高密度薄膜多層配線基板。 - 【請求項１４】表面側に厚さが５μｍ〜３０μｍの配線
パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３０μｍ
で、比誘電率が２．２〜４．０の接着層を形成した厚さ
が１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０の
ポリマフィルムを有する有機樹脂フィルム構成体が、層
間接着と接着層の硬化により積層して構成され、上層配
線パターンと下層配線パターンとの間においてスルホー
ル配線接続されたことを特徴とする高密度薄膜多層配線
基板。 - 【請求項１５】表面側に厚さが５μｍ〜３０μｍの配線
パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３０μｍ
で、比誘電率が２．２〜４．０で、硬化後前記配線パタ
ーンとの線膨張率との差を８ｐｐｍ／℃以下の接着層を
形成した厚さが１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．
２〜４．０で、硬化後前記配線パターンとの線膨張率と
の差を８ｐｐｍ／℃以下のポリマフィルムを有する有機
樹脂フィルム構成体が、層間接着と接着層の硬化により
積層して構成され、上層配線パターンと下層配線パター
ンとの間においてスルホール配線接続されたことを特徴
とする高密度薄膜多層配線基板。 - 【請求項１６】表面側に厚さが５μｍ〜３０μｍの配線
パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３０μｍ
で、比誘電率が２．２〜４．０の接着層を形成した厚さ
が１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０の
ポリマフィルムを有する有機樹脂フィルム構成体が、層
間接着と接着層の硬化により積層して構成され、上層配
線パターンと下層配線パターンとの間においてスルホー
ル配線接続された高密度薄膜多層配線基板を備え、該高
密度薄膜多層配線基板の表面側には、ＬＳＩが搭載され
て形成したことを特徴とする高密度薄膜多層配線基板実
装構造体。 - 【請求項１７】表面側に厚さが５μｍ〜３０μｍの配線
パターンを形成し、裏面側に厚さが１０μｍ〜３０μｍ
で、比誘電率が２．２〜４．０の接着層を形成した厚さ
が１０μｍ〜５０μｍで、比誘電率が２．２〜４．０の
ポリマフィルムを有する有機樹脂フィルム構成体が、層
間接着と接着層の硬化により積層して構成され、上層配
線パターンと下層配線パターンとの間においてスルホー
ル配線接続された高密度薄膜多層配線基板を備え、該高
密度薄膜多層配線基板の表面側にはＬＳＩが搭載され、
前記高密度薄膜多層配線基板の裏面側は直接プリント基
板に実装されることを特徴とする高密度薄膜多層配線基
板実装構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6326606A JPH08186376A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 高密度薄膜多層配線基板並びにその実装構造体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6326606A JPH08186376A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 高密度薄膜多層配線基板並びにその実装構造体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08186376A true JPH08186376A (ja) | 1996-07-16 |
Family
ID=18189697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6326606A Pending JPH08186376A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 高密度薄膜多層配線基板並びにその実装構造体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08186376A (ja) |
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1994
- 1994-12-28 JP JP6326606A patent/JPH08186376A/ja active Pending
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